JP2005303295A - 密着層を有する発光ダイオードアレイ - Google Patents

Abstract

【課題】 発光ダイオードアレイは、基板と、基板上に形成された密着層と、密着層上に設けられた、複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層とを有する。
【解決手段】 各々の該エピタキシャル発光スタック層は、Ｐ型接触と、該Ｐ型接触と同一平面上のＮ型接触とを有する。発光ダイオードアレイは熱放散特性が改善されたものである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、発光ダイオードに関し、特に、密着層を有する発光ダイオードに関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）は、光学表示装置、交通信号、データ記憶装置、通信装置、照射装置及び医療処置装置等を含む広範なアプリケーションにおいて採用されている。ＬＥＤを設計する技術者の最も重要な目的は、発光する光の輝度を増加させることである。

米国特許第６，５４７，２４９号明細書においては、高抵抗基板上に形成されたものリシック直列／並列ＬＥＤアレイについて開示している。その特許文献によれば、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物の発光スタック層が絶縁体基板上に形成される。そのスタック層の一部は、トレンチを形成するためにエッチングにより除去され、その結果、ＬＥＤアレイが形成される。そのＬＥＤはトレンチにより分割された複数の発光ダイオードを有する。絶縁体基板は導電性ではないため、ＬＥＤアレイに対してＰ型接触及びＮ型接触の両方がＬＥＤアレイの同じ側に形成される必要がある。その特許文献において開示されているそれらのＬＥＤアレイは、使用されるとき、直列又は並列のどちらかの状態で接続される。しかしながら、その特許文献において開示されているＬＥＤアレイは、４種類の元素Ａｌ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｐから成る発光ダイオードに適用されることはできない。そのＡｌ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｐから成る発光ダイオードは、絶縁性基板ではなく導電性基板と、その導電性基板上に形成されたＰ型接触と、他の側に形成される必要があるＮ型接触とから構成される。それ故、２つの、４種類の元素Ａｌ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｐから成る発光ダイオードアレイが、並列でも直列でもない状態で接続されることができる。更には、ＬＥＤアレイのサイズが大きくなるにつれ、ＬＥＤアレイの動作電圧はそれに応じて大きくなり、熱放散は、ＬＥＤアレイに対して重要な関心事になる。
米国特許第６，５４７，２４９号明細書

従って、本発明の第１の目的は、従来技術の欠点を克服するために、密着層を有するＬＥＤアレイを提供することである。

本発明に従って、発光ダイオードアレイは、基板と、基板上に形成された反射層と、反射層上に形成された絶縁性透明密着層と、絶縁性透明密着層上に形成された透明導電層と、透明導電層上に形成された第１導電性半導体スタック層と、第１導電性半導体スタック層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２導電性半導体スタック層とを有する。

トレンチは、第２導電性半導体スタック層、発光層、第１導電性半導体スタック層、透明導電層及び絶縁性透明密着層の一部を連続的にエッチングして除去することにより形成され、それ故、ＬＥＤアレイは第１ＬＥＤと第２ＬＥＤとに分割され、それらの両方は共通の基板を有している。更に、透明導電層の表面が露出された領域が、第１ＬＥＤと第２ＬＥＤの両方を透明導電層において深くエッチングすることにより、形成される。ＬＥＤアレイは、更に、第２ＬＥＤから第１ＬＥＤを電気的に分離するために、第１ＬＥＤと第２ＬＥＤを包むように形成される。第１接触は、第１ＬＥＤの第２導電性半導体スタック層及び第２ＬＥＤの第２導電性半導体スタック層それぞれの上に形成された。第２接触は、第１ＬＥＤの透明導電層の露出された表面領域及び第２ＬＥＤの透明導電層の露出された表面領域それぞれの上に形成され、導電ラインが第１ＬＥＤの第２接触を第２ＬＥＤの第１接触に電気的に接続する。

基板は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ガラス、石英、ＧａＡｓＰ、ＡｌＮ、金属及びＡｌＧａＡｓから成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。絶縁性透明密着層は、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びペルフルオロシクロブテン（ＰＦＣＢ）から成る材料群から選択された少なくとも
１種類の材料から構成される。反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）より成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ及びＺｎＳｅより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。透明導電層は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、酸化亜鉛及び亜鉛錫酸化物より成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。絶縁層は、ＳｉＯ_２及びＳｉＮ_ｘより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。第１半導体スタック層は、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧｅＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。第２半導体スタック層は、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧｅＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。

本発明の以上の及び他の目的は、以下の、種々の図により示す好適な実施形態により明らかになり、理解されるであろう。

図１を参照されたい。図１は、本発明に従った好適な実施形態における発光ダイオードアレイ１００の模式的な断面図である。ＬＥＤアレイ１００は、基板１０と、基板１０上に形成された反射層１１と、反射層１１上に形成された絶縁性透明密着層１２と、絶縁性透明密着層１２上に形成された透明導電層１３と、透明導電層１３上に形成された第１導電性半導体スタック層１４と、第１導電性半導体スタック層１４上に形成された発光層１５と、発光層１５上に形成された第２導電性半導体スタック層１６とを有する。

トレンチは、第２導電性半導体スタック層１６、発光層１５、第１導電性半導体スタック層１４、透明導電層１３及び絶縁性透明密着層１２の一部を連続的にエッチングして除去することにより形成され、それ故、ＬＥＤアレイ１００は第１ＬＥＤ１１０と第２ＬＥＤ１２０とに分割され、それらの両方は共通の基板１０を有している。更に、透明導電層の表面が露出された領域が、第１ＬＥＤ１１０と第２ＬＥＤ１２０の両方を透明導電層１３において深くエッチングすることにより、形成される。ＬＥＤアレイ１００は、更に、第２ＬＥＤ１２０から第１ＬＥＤ１１０を電気的に分離するために、第１ＬＥＤ１１０と第２ＬＥＤ１２０を包むように形成される。第１接触１８は、第１ＬＥＤ１１０の第２導電性半導体スタック層１６及び第２ＬＥＤ１２０の第２導電性半導体スタック層１６それぞれの上に形成された。第２接触１９は、第１ＬＥＤ１１０の透明導電層の露出された表面領域及び第２ＬＥＤ１２０の透明導電層の露出された表面領域それぞれの上に形成され、導電ラインが第１ＬＥＤ１１０の第２接触を第２ＬＥＤ１２０の第１接触に電気的に接続する。

図２は、本発明に従って、直列に接続された複数のＬＥＤアレイ１００の模式的な平面図である。図３は、図２に示すＬＥＤアレイの等価回路図である。図４は、本発明に従って、並列及び直列の状態に接続された複数のＬＥＤアレイ１００の模式的な平面図である。図５は、図４に示すＬＥＤアレイの等価回路図である。

反射層１１は又、透明導電層１３と密着層１２との間に形成されることができる。反射層１１は、基板１０に投射される光を反射することによりＬＥＤアレイ１００の輝度を増加させるために設けられる。しかしながら、ＬＥＤアレイ１００は又、反射層１１を伴わないで動作することができる。

絶縁性透明密着層１２は、基板１０から第１ＬＥＤ１１０及び第２ＬＥＤ１２０を電気的に分離するために設けられる。絶縁性透明密着層１２は、金属又ははんだから成る導電性密着層により置き換えられることができる。しかしながら、電気的分離を提供する絶縁層は、基板１０から第１ＬＥＤ１１０と第２ＬＥＤ１２０とを電気的に分離するために、導電性密着層１２と透明導電層１３との間又は基板１０と導電性密着層１２との間に付加的に設けられる必要がある。

絶縁層１７と共に、トレンチは、第２ＬＥＤ１２０から第１ＬＥＤ１１０を電気的に分離する。しかしながら、ＬＥＤアレイ１００は、第２ＬＥＤ１２０から第１ＬＥＤ１１０を電気的に分離するために、第１ＬＥＤ１１０と第２ＬＥＤ１２０との間に形成されたイオン注入領域から更に構成されることができる。

基板１０は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ガラス、石英、ＧａＡｓＰ、ＡｌＮ、金属及びＡｌＧａＡｓから成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。絶縁性透明密着層１２は、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びペルフルオロシクロブテン（ＰＦＣＢ）から成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。反射層１１は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）より成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。発光層１５は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ及びＺｎＳｅより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。透明導電層１３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、酸化亜鉛及び亜鉛錫酸化物より成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。絶縁層１７は、ＳｉＯ_２及びＳｉＮ_ｘより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。第１半導体スタック層１４は、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧｅＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。第２半導体スタック層１６は、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧｅＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮより成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。

絶縁性透明密着層１２は高抵抗を有し、第１ＬＥＤ層１１０及び第２ＬＥＤ層１２０と基板１０との間に設けられるとき、第１ＬＥＤ層１１０と第２ＬＥＤ層１２０とから基板１０を電気的に分離することができるため、第１ＬＥＤ１１０及び第２ＬＥＤ１２０はＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料ばかりでなく、４種類の元素から成る材料から構成されることができる。更に、基板１０は第１ＬＥＤ及び第２ＬＥＤから電気的に分離されているため、基板１０は絶縁性基板、高抵抗を有する基板、導電性基板又は、基板１００の熱放散効率を改善する能力を有する高熱伝導度を有する基板とすることができる。

上記の本発明についての詳細な説明により、当業者は、本発明の教示内容を維持しつつ、本発明の装置の修正及び変更を行うことが可能であることを容易に理解することであろう。従って、上記の開示内容は、同時提出の特許請求の範囲における範囲においてのみ規定されるとみなされる。

本発明に従った好適な実施形態の密着層を有する発行ダイオードアレイの断面の模式図である。 本発明に従った図１に示している複数の直列に接続されたＬＥＤアレイを示す模式的な平面図である。 本発明に従った図２に示しているＬＥＤアレイの等価回路を示す図である。 本発明に従った図１に示している複数の直列及び並列に接続されたＬＥＤアレイを示す模式的な平面図である。 本発明に従った図４に示しているＬＥＤアレイの等価回路を示す図である。

Claims (47)

1. 基板；
   前記基板上に形成された密着層；並びに
   前記密着層上に設けられた、複数の電気的に接続された、エピタキシャル発光スタック層であって、各々の該エピタキシャル発光スタック層はＰ型接触とＮ型接触とから構成され、Ｐ型接触及びＮ型接触は前記エピタキシャル発光スタック層の同じ側に設けられている、エピタキシャル発光スタック層；
   から構成されることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
2. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイであって、各々の前記エピタキシャル発光スタック層は：
   第１導電性半導体スタック層；
   該第１導電性半導体スタック層上の発光層；及び
   前記発光層上に形成された第２導電性半導体スタック層；
   から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
3. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイであって、いずれの２つの隣接するエピタキシャル発光スタック層の間に形成された複数の絶縁性領域であって、それらの隣接する２つのエピタキシャル発光スタック層の１つを他から電気的に分離するための、複数の絶縁性領域から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
4. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイであって、前記基板と前記密着層との間に形成された反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
5. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層と前記エピタキシャル発光スタック層の間に形成された反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
6. 請求項４に記載の発光ダイオードアレイであって、前記反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ及びＩＴＯより構成される材料群から選択された少なくとも１種類から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
7. 請求項５に記載の発光ダイオードアレイであって、前記反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ及びＩＴＯより構成される材料群から選択された少なくとも１種類から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
8. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイであって、前記基板は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ガラス、石英、ＧａＡｓＰ、ＡｌＮ、金属及びＡｌＧａＡｓから成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
9. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層は、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びペルフルオロシクロブテン（ＰＦＣＢ）から成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
10. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層は金属から成る金属密着層である、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
11. 請求項１０に記載の発光ダイオードアレイであって、前記金属密着層と前記エピタキシャル発光スタック層との間に形成された絶縁層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
12. 請求項１０に記載の発光ダイオードアレイであって、前記金属密着層と前記基板との間に形成された絶縁層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
13. 基板；
    基板上に形成された密着層であって、上部表面と該上部表面の上に設けられた複数の密着領域とから構成される、密着層；
    前記の複数の密着領域の第１密着領域上に形成された第１発光スタック層であって、上部表面と、該上部表面上に形成された第１の第１導電性接触領域と、該上部層上に形成された第１の第２導電性接触領域とから構成される、第１発光スタック層；
    前記の第１の第１導電性接触領域上に形成された第１の第１導電性接触；
    前記の第１の第２導電性接触領域上に形成された第１の第２導電性接触；
    前記の複数の密着領域の第２密着領域上に形成された第２発光スタック層であって、該第２発光スタック層は上部表面を有し、第２の第１導電性接触領域は前記上部表面上に形成され、第２の第２導電性接触領域は前記上部表面上に形成されている、第２発光スタック層；
    前記の第２の第１導電性接触領域上に形成されている第２の第１導電性導電接触；
    前記の第２の第２導電性接触領域上に形成されている第２の第２導電性導電接触；並びに
    前記第２発光スタック層のどちらかの前記導電性接触に前記第１発光スタック層のどちらかの前記導電性接触を電気的に接続するための第１導電性ライン；
    から構成されることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
14. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第１導電性接触領域はｎ型であり、前記第２導電性接触領域はｐ型である、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
15. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第１発光スタック層は：
    第１の第１導電性半導体スタック層；
    前記の第１の第１導電性半導体スタック層上に形成されている第１発光層；及び
    前記第１発光層上に形成されている第１の第２導電性半導体スタック層；
    から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
16. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第２発光スタック層は：
    第２の第１導電性半導体スタック層；
    前記の第２の第１導電性半導体スタック層上に形成されている第２発光層；及び
    前記第２発光層上に形成されている第２の第２導電性半導体スタック層；
    から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
17. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第１発光スタック層と前記第２発光スタック層との間に形成された絶縁性領域であって、それら２つの発光スタック層の一を他から電気的に分離するための、絶縁性領域から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
18. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記基板と前記密着層との間に形成されている反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
19. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層と前記第１発光スタック層との間に形成されている反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
20. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層と前記第２発光スタック層との間に形成されている反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
21. 請求項１７に記載の発光ダイオードアレイであって、前記反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ及びＩＴＯより構成される材料群から選択された少なくとも１種類から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
22. 請求項１８に記載の発光ダイオードアレイであって、前記反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ及びＩＴＯより構成される材料群から選択された少なくとも１種類から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
23. 請求項１９に記載の発光ダイオードアレイであって、前記反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ及びＩＴＯより構成される材料群から選択された少なくとも１種類から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
24. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記基板は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ガラス、石英、ＧａＡｓＰ、ＡｌＮ、金属及びＡｌＧａＡｓから成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
25. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層は、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びペルフルオロシクロブテン（ＰＦＣＢ）から成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
26. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層は金属から成る金属密着層である、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
27. 請求項２６に記載の発光ダイオードアレイであって、前記金属密着層と前記第１発光スタック層との間及び前記金属密着層と前記第２発光スタック層との間に形成された絶縁層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
28. 請求項２６に記載の発光ダイオードアレイであって、前記金属密着層と前記基板との間に形成された絶縁層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
29. 請求項１５に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層と前記の第１の第１導電性半導体スタック層との間に形成された透明導電層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
30. 請求項１６に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層と前記の第２の第１導電性半導体スタック層との間に形成された透明導電層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
31. 請求項１７に記載の発光ダイオードアレイであって、前記絶縁性領域はトレンチの形をとっている、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
32. 請求項１７に記載の発光ダイオードアレイであって、前記絶縁性領域はイオン注入され領域から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
33. 請求項１３に記載の発光ダイオードアレイであって：
    前記の複数の密着領域の第３密着領域上に形成された第３発光スタック層であって、上部表面と、該上部表面上に形成された第３の第１導電性接触領域と、該上部層上に形成された第３の第２導電性接触領域とから構成される、第３発光スタック層；
    前記の第３の第１導電性接触領域上に形成された第３の第１導電性接触；
    前記の第３の第２導電性接触領域上に形成された第３の第２導電性接触；
    前記の複数の密着領域の第４密着領域上に形成された第４発光スタック層であって、該第４発光スタック層は上部表面を有し、第４の第１導電性接触領域は前記上部表面上に形成され、第４の第２導電性接触領域は前記上部表面上に形成されている、第４発光スタック層；
    前記の第４の第１導電性接触領域上に形成されている第４の第１導電性導電接触；
    前記の第４の第２導電性接触領域上に形成されている第４の第２導電性導電接触；並びに
    前記の第１の第１導電性導電接触を前記の第３の第２導電性導電接触に電気的に接続するための第２導電性ライン；
    前記の第３の第１導電性導電接触を前記の第４の第２導電性導電接触に電気的に接続するための第３導電性ライン；並びに
    前記の第３の第１導電性導電接触を前記の第４の第１導電性導電接触に電気的に接続するための第４導電性ライン；
    から構成される発光ダイオードアレイであり、
    前記第１導電性ラインは前記第１の第２導電性導電接触を前記の第２の第２導電性導電接触に接続している；
    ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
34. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第２発光スタック層から前記第３発光スタック層を電気的に分離するために前記第３発光スタック層と前記第２発光スタック層との間に形成された絶縁性領域から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
35. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第４発光スタック層から前記第３発光スタック層を電気的に分離するために前記第３発光スタック層と前記第４発光スタック層との間に形成された絶縁性領域から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
36. 請求項３４に記載の発光ダイオードアレイであって、前記絶縁性領域はトレンチの形をとっている、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
37. 請求項３４に記載の発光ダイオードアレイであって、前記絶縁性領域はイオン注入され領域から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
38. 請求項３５に記載の発光ダイオードアレイであって、前記絶縁性領域はトレンチの形をとっている、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
39. 請求項３５に記載の発光ダイオードアレイであって、前記絶縁性領域はイオン注入され領域から構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
40. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第１導電性接触領域はｎ型電気分極であり、前記第２導電性接触領域はｐ型電気分極である、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
41. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第３発光スタック層は：
    第３の第１導電性半導体スタック層；
    該第３の第１導電性半導体スタック層上に形成された第３発光層；及び
    該第３発光層上に形成された第３の第２導電性半導体スタック層；
    から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
42. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第４発光スタック層は：
    第４の第１導電性半導体スタック層；
    該第４の第１導電性半導体スタック層上に形成された第４発光層；及び
    該第４発光層上に形成された第４の第２導電性半導体スタック層；
    から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
43. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記基板と前記密着層との間に形成された反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
44. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第３発光スタック層と前記密着層との間に形成された反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
45. 請求項３３に記載の発光ダイオードアレイであって、前記第４発光スタック層と前記密着層との間に形成された反射層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
46. 請求項４１に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層と前記第３の第２導電性半導体スタック層との間に形成された透明導電層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
47. 請求項４２に記載の発光ダイオードアレイであって、前記密着層と前記第４の第２導電性半導体スタック層との間に形成された透明導電層から更に構成される、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。

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