JP2005292321A - プレーナ型アクチュエータの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プレーナ型アクチュエータの製造方法において、可動板とトーションバーのいずれか一方をエッチング又は成膜により加工を行い、他方をエッチング又は成膜のうち、前記加工と異なる加工を行うことにより可動板の共振周波数を調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法とする。また、2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの製造方法において、内側可動板及び/又は前記内側可動板を軸支する第2トーションバーを加工することにより内側可動板の共振周波数を調整した後、外側可動板及び/又は前記外側可動板を軸支する第1トーションバーを加工することにより外側可動板の共振周波数を調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法とする。
【選択図】 なし
Description
工程b(コイルパターン形成工程):基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル118、絶縁膜119、保護膜120の各パターンを順次積層する。
工程c(酸化膜除去工程1):基板上面の、枠部形成部とトーションバー103、104形成部、可動板102形成部を除いて、露出しているシリコン酸化膜117をエッチングにより除去する。
工程d(活性層除去工程):工程cのエッチングにより露出された活性層シリコン114をエッチングにより除去する。
工程e(中間層除去工程1):工程dのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜115をエッチングにより除去する。
工程f(酸化膜除去工程2):シリコン酸化膜117の支持基板シリコン116端部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程g(支持基板除去工程):工程fのエッチングにより露出された支持基板シリコン116をエッチングにより除去する。異方性エッチングはシリコンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を持たせてあるため、エッチングが可動板102下面の中間層シリコン酸化膜115に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通部分が完全に抜ける。
工程h(中間層除去工程2):工程gのエッチングにより露出した中間層シリコン酸化膜115をドライエッチングにより除去する。
工程i(ミラー形成工程):工程hのエッチングにより露出された活性層シリコン114下面に蒸着またはスパッタにより全反射ミラー121を形成する。このような工程でプレーナ型アクチュエータチップ101は製造されるが、通常は半導体素子と同様大きなウエハに同時に多数個のプレーナ型アクチュエータチップ101を形成し、完成後に個々に分割される。
工程b(コイルパターン形成工程):基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル118、絶縁膜119、保護膜120の各パターンを順次積層する。ここで、コイル118は可動板102周縁部となる部分にのみ形成する。コイル118を形成しない可動板102中央部となる部分は、後の周波数調整工程において加工を行う周波数調整部位123(図3、図5参照)とする。
工程c(酸化膜除去工程1):基板上面の、枠部形成部とトーションバー103、104形成部、可動板102周縁部形成部を除いて、露出しているシリコン酸化膜117をエッチングにより除去する。
工程d(活性層除去工程):工程cのエッチングにより露出された活性層シリコン114のうち、可動板102中央部形成部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程e(中間層除去工程1):工程dのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜115をエッチングにより除去する。
工程f(酸化膜除去工程2):シリコン酸化膜117の支持基板シリコン116端部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程g(支持基板除去工程):工程fのエッチングにより露出された支持基板シリコン116をエッチングにより除去する。異方性エッチングはシリコンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を持たせてあるため、エッチングが可動板下面の中間層115に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通部分が完全に抜ける。
工程h(中間層除去工程2):工程gのエッチングにより露出した中間層115をドライエッチングにより除去する。
工程b(コイルパターン形成工程):基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル129、絶縁膜134、引出線133、保護膜135の各パターンを順次積層する。
工程c(酸化膜除去工程1):基板上面の、枠部形成部、第1トーションバー125形成部、第2トーションバー127形成部、外側可動板126形成部、内側可動板128周縁部形成部を除いて、露出しているシリコン酸化膜117をエッチングにより除去する。
工程d(活性層除去工程):工程cのエッチングにより露出された活性層シリコン114のうち、内側可動板128中央部形成部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程e(中間層除去工程1):工程dのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜115をエッチングにより除去する。
工程f(酸化膜除去工程2):シリコン酸化膜117の支持基板シリコン116端部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程g(支持基板除去工程):工程fのエッチングにより露出された支持基板シリコン116をエッチングにより除去する。異方性エッチングはシリコンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を持たせてあるため、エッチングが可動板下面の中間層115に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通部分が完全に抜ける。
工程h(中間層除去工程2):工程gのエッチングにより露出した中間層115をドライエッチングにより除去する。
102 可動板
103 トーションバー
104 トーションバー
105 平面コイル
106 ミラー
107 ベース基板
107a 穴
107b パターン
108 ワイヤー
109 ワイヤー接続パッド
110 永久磁石
111 永久磁石
112 ヨーク
113 SOI基板
114 活性層シリコン
115 中間層シリコン酸化膜
116 支持基板シリコン
117 シリコン酸化膜
118 コイル
119 絶縁膜
120 保護膜
121 全反射ミラー
122 金属膜
123 周波数調整部位
124 シリコン基板
125 第1トーションバー
126 外側可動板
127 第2トーションバー
128 内側可動板
129 コイル
130 周波数調整部位
131 枠部
132 ワイヤー接続パッド
133 引出線
134 絶縁膜
135 保護膜
136 全反射ミラー
Claims (5)
- 基板に、可動板と当該可動板を基板に対し回動可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、前記可動板を回動する1次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの製造方法において、前記可動板と前記トーションバーのいずれか一方をエッチング又は成膜により加工を行い、他方をエッチング又は成膜のうち、前記加工と異なる加工を行うことにより可動板の共振周波数を調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法。
- 周波数調整が行われる前記可動板の加工箇所が、前記可動板に設けられる周波数調整部位であることを特徴とする請求項1に記載のプレーナ型アクチュエータの製造方法。
- 可動板が、第1のトーションバーで半導体基板に軸支される枠状の外側可動板と、前記第1トーションバーと軸方向が直交する第2のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板、外側可動板を回動する2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの製造方法において、前記内側可動板及び/又は前記第2トーションバーを加工することにより内側可動板の共振周波数を調整した後、前記外側可動板及び/又は前記第1トーションバーを加工することにより外側可動板の共振周波数を調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法。
- 周波数調整のための加工手段がエッチング及び/又は成膜であることを特徴とする請求項3に記載のプレーナ型アクチュエータの製造方法。
- 周波数調整が行われる前記内側可動板の加工箇所が、前記内側可動板に設けられる周波数調整部位であることを特徴とする請求項3、又は請求項4に記載のプレーナ型アクチュエータの製造方法。
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