JP6412878B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
ミラーデバイス100は、枠状のベース部1と、ミラー2と、枠体3と、ミラー2と枠体3とを連結する第1ヒンジ4,4と、枠体3とベース部1とを連結する第2ヒンジ5,5と、枠体3に対してミラー2を駆動する第1及び第2内側駆動電極6A,6Bと、ベース部1に対して枠体3を駆動する第1〜第4外側駆動電極7A〜7Dと、ミラー2の傾動を制御する制御部(図示省略)とを備えている。ミラーデバイス100は、ミラー2を互いに直交する主軸X及び副軸Y回りに傾動させる。ミラーデバイス100は、電子部品の一例である。
次に、このように構成されたミラーデバイス100の動作について説明する。
続いて、ミラーデバイス100の製造方法について説明する。
したがって、前記電子部品の製造方法は、前記SOI基板200を前記第1シリコン層210側からエッチングする第1エッチング工程と、前記SOI基板200の前記第2シリコン層230側に最終マスク390を形成するマスク形成工程と、前記最終マスク390を利用して前記SOI基板200を前記第2シリコン層230側からエッチングする第2エッチング工程とを含み、前記構造体は、前記第1シリコン層210及び第2シリコン層230で形成された第1構造体、例えば、第2ヒンジ5を有し、前記第1エッチング工程では、前記第2ヒンジ5のうち前記第1シリコン層210で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第2ヒンジプレ構造42として形成し、前記マスク形成工程では、前記第2ヒンジ5の最終形状に対応した第1マスク391を前記SOI基板200の前記第2シリコン層230側であって前記SOI基板200の厚み方向に見たときに前記第2ヒンジプレ構造42内に形成し、前記第2エッチング工程では、前記第1マスク391を利用して、前記第2シリコン層230及び前記第2ヒンジプレ構造42をエッチングすることによって前記第2ヒンジ5の最終形状を形成する。
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、前記実施形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
1 ベース部(第1構造体)
2 ミラー(第3構造体)
3 枠体(第1構造体、第3構造体)
4 第1ヒンジ(第3構造体)
5 第2ヒンジ(第1構造体)
61 内側固定櫛歯電極(第2構造体)
62 内側可動櫛歯電極(第3構造体)
71 外側固定櫛歯電極(第2構造体)
72 外側可動櫛歯電極(第3構造体)
41 ベース部プレ構造(第1プレ構造)
42 第2ヒンジプレ構造(第1プレ構造)
43 ミラープレ構造(第3プレ構造)
44 可動櫛歯プレ構造(第3プレ構造)
200 SOI基板(基板)
210 第1シリコン層(第1層)
220 酸化膜層(第3層)
230 第2シリコン層(第2層)
340 酸化膜マスク(下段マスク)
350 第4レジストマスク(上段マスク)
390 最終マスク(マスク)
391 第1マスク
392 第2マスク
393 第3マスク
372 フォトマスク
R 凹部
Claims (10)
- 少なくとも第1層及び第2層を含む基板をエッチングして構造体を形成する電子部品の製造方法であって、
前記基板を前記第1層側からエッチングする第1エッチング工程と、
前記基板の前記第2層側にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを利用して前記基板を前記第2層側からエッチングする第2エッチング工程とを含み、
前記第1エッチング工程では、前記構造体のうち前記第1層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のプレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記最終形状に対応したマスクを前記基板の前記第2層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記プレ構造内に形成し、
前記第2エッチング工程では、前記マスクを利用して、前記第2層及び前記プレ構造をエッチングすることによって前記最終形状を形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項1に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第1層及び第2層で形成された第1構造体を有し、
前記第1エッチング工程では、前記第1構造体のうち前記第1層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第1プレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記第1構造体の最終形状に対応した第1マスクを前記基板の前記第2層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記第1プレ構造内に形成し、
前記第2エッチング工程では、前記第1マスクを利用して、前記第2層及び前記第1プレ構造をエッチングすることによって前記第1構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項2に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第1層を含まず、前記第2層で形成された第2構造体を有し、
前記第1エッチング工程では、前記第1層のうち、前記第2構造体と対向する部分をエッチングして、該第1層に凹部を形成し、
前記マスク形成工程では、前記第2構造体の最終形状に対応した第2マスクを前記基板の前記第2層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記凹部内に形成し、
前記第2エッチング工程では、前記第2マスクを利用して、前記第2層をエッチングすることによって前記第2構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項3に記載の電子部品の製造方法において、
前記マスク形成工程では、前記第1マスク及び第2マスクを、該第1マスク及び該第2マスクの位置関係が規定されたフォトマスクを用いて形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項2に記載の電子部品の製造方法において、
前記電子部品は、基礎部と、前記基礎部に対して移動する可動部と、前記可動部を前記基礎部に対し弾性的に連結する連結部とを有し、
前記連結部は、前記第1構造体である、電子部品の製造方法。 - 請求項1に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第2層を含まず、前記第1層で形成された第3構造体を有し、
前記第1エッチング工程では、前記第3構造体のうち前記第1層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第3プレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記第3構造体の最終形状に対応した第3マスクを前記基板の前記第2層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記第3プレ構造内に形成し、
前記第2エッチング工程では、前記第3マスクを利用して、前記第2層及び前記第3プレ構造をエッチングすることによって前記第3構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項6に記載の電子部品の製造方法において、
前記基板は、前記第1層と前記第2層との間に設けられた第3層を含み、
前記第2エッチング工程では、
前記第3マスクを利用して前記第2層及び前記第3層をエッチングすることによって、該第3層のうち前記第3プレ構造の上の部分を前記第3構造体の最終形状に対応した形状に形成した後、
前記第3マスクを剥離して、前記第3プレ構造の上に残存している前記第3層を利用して前記第3プレ構造をエッチングすることによって、前記第3構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項7に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第1層及び第2層で形成された第1構造体を有し、
前記第1エッチング工程では、前記第1構造体のうち前記第1層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第1プレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記第1構造体の最終形状に対応した第1マスクを前記基板の前記第2層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記第1プレ構造内に形成し、
前記第1マスクは、前記第2層の上に形成された下段マスクと、該下段マスクの上に形成された上段マスクとを有し、
前記第2エッチング工程では、
前記第1マスクの前記上段マスク及び前記第3マスクを利用して前記第2層及び前記第3層をエッチングすることによって、前記第1構造体のうち前記第2層及び前記第3層で構成される部分の最終形状を形成すると共に前記第2層及び前記第3層のうち前記第3プレ構造の上の部分を前記第3構造体の最終形状に対応した形状に形成した後、
前記第1マスクの前記上段マスク及び前記第3マスクを剥離して、前記第1マスクの前記下段マスク及び前記第3構造体の上に残存している前記第3層を利用して前記第2層のうち前記第3プレ構造の上の部分及び該第3プレ構造をエッチングすることによって、前記第1構造体の最終形状及び前記第3構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項8に記載の電子部品の製造方法において、
前記マスク形成工程では、前記第1マスク及び第3マスクを、該第1マスク及び該第3マスクの位置関係が規定されたフォトマスクを用いて形成する、電子部品の製造方法。 - 請求項6に記載の電子部品の製造方法において、
前記電子部品は、複数の電極指を含む第1櫛歯電極と、前記第1櫛歯電極の電極指と交互に配列される複数の電極指を含む第2櫛歯電極とを有し、
前記第1櫛歯電極は、前記第1層を含まず、前記第2層で形成された第2構造体であり、
前記第2櫛歯電極は、前記第3構造体である、電子部品の製造方法。
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Family Cites Families (18)
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---|---|---|---|---|
US6756545B2 (en) * | 2000-11-29 | 2004-06-29 | Xerox Corporation | Micro-device assembly with electrical capabilities |
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WO2004103892A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | マイクロ構造体の製造方法およびマイクロ構造体 |
JP2005025020A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルタ及びその製造方法 |
JP4573664B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2010-11-04 | 富士通株式会社 | マイクロ揺動素子およびその製造方法 |
KR100790878B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 상하 구조가 디커플된 콤전극의 자기정렬 식각 방법 |
JP4626596B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2011-02-09 | パナソニック電工株式会社 | 可動構造体及びそれを備えた光学素子 |
KR100860987B1 (ko) | 2006-12-01 | 2008-09-30 | 삼성전자주식회사 | 2차원 마이크로 광스캐너 |
US7535620B2 (en) * | 2007-04-04 | 2009-05-19 | Precisely Microtechnology Corp. | Micro-electro-mechanical system micro mirror |
JP2009003429A (ja) | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Panasonic Corp | アクチュエータ |
US7690254B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-04-06 | Honeywell International Inc. | Sensor with position-independent drive electrodes in multi-layer silicon on insulator substrate |
JP2009175611A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置、光走査装置の製造方法、振動ミラーおよび画像形成装置 |
JP2010107628A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Topcon Corp | Mems走査型ミラー及びその製造方法 |
DE102009026507A1 (de) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil |
DE102009058762A1 (de) | 2009-12-14 | 2011-06-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ablenkeinrichtung für eine Projektionsvorrichtung, Projektionsvorrichtung zum Projizieren eines Bildes und Verfahren zum Ansteuern einer Ablenkeinrichtung für eine Projektionsvorrichtung |
US9036231B2 (en) * | 2010-10-20 | 2015-05-19 | Tiansheng ZHOU | Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays |
JP2012166313A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Olympus Corp | 垂直櫛歯アクチュエータの製造方法 |
JP2012220531A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Rohm Co Ltd | Memsミラーデバイスおよびその製造方法 |
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