JP2005284265A - 反射型液晶表示素子、表示装置ならびにプロジェクションシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、透明電極14を有するガラス基板15と、光反射電極11を有するSi駆動回路基板10とが、透明電極14および光反射電極11を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶20から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されている反射型液晶表示素子1であって、液晶層の厚さをd(μm)、垂直配向液晶20の屈折率異方性をΔn、垂直配向液晶20の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5を満たすものである。
【選択図】図1
Description
立ち下がり時間…τoff=γ・d2/K・π2
(ここで、γ:液晶の粘度、ε(0):真空の誘電率、V:液晶への印加電圧、Vc:閾値電圧、K:液晶の弾性定数である。)
垂直配向液晶表示素子を次のようにして作製した。すなわち、透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、2.5μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、下記に記載した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。使用した液晶のΔn、Δε、d・Δn・|Δε|2、飽和電圧(550nmで測定)を下記に示す。Δn=0.082、|Δε|=4.1、d・Δn・|Δε|2=3.45、飽和電圧=6.5V。
垂直配向液晶表示素子を次のようにして作製した。すなわち、透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、1.9μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、比較例Aに記載した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。d・Δn・|Δε|2は2.62、飽和電圧(550nmで測定)は10Vであった。
垂直配向液晶表示素子を次のようにして作製した。すなわち、透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、1.9μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、下記に記載した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。使用した液晶のΔn、Δε、d・Δn・|Δε|2、飽和電圧(550nmで測定)を下記に示す。Δn=0.103、|Δε|=5.0、d・Δn・|Δε|2=4.89、飽和電圧=4.4V。
垂直配向液晶表示素子を次のようにして作製した。すなわち、透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、1.9μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、下記に記載した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。使用した液晶のΔn、Δε、d・Δn・|Δε|2、飽和電圧(550nmで測定)を下記に示す。Δn=0.103、|Δε|=4.0、d・Δn・|Δε|2=3.13、飽和電圧=6.5V。
上記比較例と同様の方法で透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、2.4μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、下記に記載した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。使用した液晶のΔn、Δε、d・Δn・|Δε|2、飽和電圧(550nmで測定)を下記に示す。Δn=0.111、|Δε|=7.0、d・Δn・|Δε|2=13.1、飽和電圧=2.8V。
上記比較例、実施例と同様の方法で透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、1.9μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、実施例1で使用した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。d・Δn・|Δε|2は10.3、飽和電圧(550nmで測定)は3.4Vであった。
上記比較例、実施例と同様の方法で透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成さ
れた上記両基板間を、1.9μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、下記表に記載した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。使用した液晶のΔn、Δε、d・Δn・|Δε|2、飽和電圧(550nmで測定)を下記に示す。Δn=0.140、|Δε|=6.3、d・Δn・|Δε|2=10.6、飽和電圧=2.8V。
上記比較例、実施例と同様の方法で透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、1.7μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、実施例3で使用した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。d・Δn・|Δε|2は9.45、飽和電圧(550nmで測定)は3.4Vであった。
上記比較例、実施例と同様の方法で透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、1.5μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、実施例3、4で使用した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。d・Δn・|Δε|2は8.33、飽和電圧(550nmで測定)は3.9Vであった。
上記比較例、実施例と同様の方法で透明電極が製膜されたガラス基板とAl電極が形成されたSi駆動回路基板とを洗浄後、蒸着装置に導入し、液晶配向膜としてSiO2膜を、蒸着角度45〜60°の範囲で斜め蒸着して形成した。液晶配向膜の膜厚は50nmとし、液晶のプレチルト角は約2.5°になるよう制御した。その後、液晶配向膜が形成された上記両基板間を、1.9μmあるいはは2.5μmの間隔になるよう、ガラスビーズを混合したシール材を用いて貼り合わせ、下記表に記載した垂直配向液晶を封入し、反射型液晶表示素子を作製した。d・Δn・|Δε|2は6.14〜10.7、飽和電圧(550nmで測定)は3.1V〜3.9Vであった。
ここで、n(//)とは液晶の長軸方向の屈折率、n(⊥)とは液晶の短軸方向の屈折率、θは液晶分子の倒れ角である。
Claims (17)
- 光透過性電極を有する第1の基体と、光反射電極を有する第2の基体とが、前記光透過性電極および前記光反射電極を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されている反射型液晶表示素子であって、
前記液晶層の厚さをd(μm)、前記垂直配向液晶の屈折率異方性をΔn、前記垂直配向液晶の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、
d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5、|Δε|≧5.5
を満たすことを特徴とする反射型液晶表示素子。 - 前記垂直配向液晶の屈折率異方性Δnが0.1以上である
ことを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示素子。 - 光透過性電極を有する第1の基体と、光反射電極を有する第2の基体とが、前記光透過性電極および前記光反射電極を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されており、前記液晶層の厚さをd(μm)、前記垂直配向液晶の屈折率異方性をΔn、前記垂直配向液晶の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、
d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5、|Δε|≧5.5を満たす反射型液晶表示素子と、
前記反射型液晶表示素子に所定の電圧を印加する駆動回路と
を備えることを特徴とする表示装置。 - 前記駆動回路は、前記反射型液晶表示素子に印加する最大駆動電圧が、前記反射型液晶表示素子に入射する光の波長に対応して設定されている
ことを特徴とする請求項3記載の表示装置。 - 前記駆動回路は、前記最大駆動電圧において、反射型液晶表示素子からの反射率が最大となるように設定されている
ことを特徴とする請求項4記載の表示装置。 - 光透過性電極を有する第1の基体と、光反射電極を有する第2の基体とが、前記光透過性電極および前記光反射電極を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されており、前記液晶層の厚さをd(μm)、前記垂直配向液晶の屈折率異方性をΔn、前記垂直配向液晶の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、
d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5、|Δε|≧5.5を満たす反射型液晶表示素子を備え、
前記反射型液晶表示素子が光源から出射される光の経路中に配置されている
ことを特徴とするプロジェクションシステム。 - 前記反射型液晶表示素子が複数色の信号に対応して各々配置される表示部と、
前記表示部における各反射型液晶表示素子へ各々異なる最大駆動電圧を与える駆動回路と
を備えることを特徴とする請求項6記載のプロジェクションシステム。 - 光透過性電極を有する第1の基体と、光反射電極を有する第2の基体とが、前記光透過性電極および前記光反射電極を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されており、前記液晶層の厚さをd(μm)、前記垂直配向液晶の屈折率異方性をΔn、前記垂直配向液晶の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、
d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5を満たす反射型液晶表示素子と、
前記反射型液晶表示素子に所定の電圧を印加する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、前記反射型液晶表示素子に印加する最大駆動電圧が、前記反射型液晶表示素子に入射する光の波長に対応して設定されている
ことを特徴とする表示装置。 - 前記駆動回路が前記反射型液晶表示素子に印加する最大駆動電圧を可変できるようになっている
ことを特徴とする請求項8に記載の表示装置。 - 前記駆動回路は、前記最大駆動電圧において、反射型液晶表示素子からの反射率が最大となうように設定されている
ことを特徴とする請求項8に記載の表示装置。 - 光透過性電極を有する第1の基体と、光反射電極を有する第2の基体とが、前記光透過性電極および前記光反射電極を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されており、前記液晶層の厚さをd(μm)、前記垂直配向液晶の屈折率異方性をΔn、前記垂直配向液晶の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、
d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5を満たす反射型液晶表示素子を有し、
前記反射型液晶表示素子が複数色の光に対応して各々配置される表示部と、
前記表示部における各反射型液晶表示素子へ各々異なる最大駆動電圧を与える駆動回路と
を備えることを特徴とするプロジェクションシステム。 - 前記複数色は赤、緑、青の3原色からなり、
前記駆動回路は、前記赤色の反射型液晶表示素子に与える最大駆動電圧が最大とされている
ことを特徴とする請求項11記載のプロジェクションシステム。 - 前記複数色は赤、緑、青の3原色からなり、
前記駆動回路は、シリコン単結晶半導体基板に形成され、前記赤色の反射型液晶表示素子に与える最大駆動電圧が6V以下とされている
ことを特徴とする請求項11記載のプロジェクションシステム。 - 前記複数色は赤、緑、青の3原色からなり、
前記駆動回路は、シリコン単結晶半導体基板に形成され、前記緑色の反射型液晶表示素子に与える最大駆動電圧が4V以下とされている
ことを特徴とする請求項11記載のプロジェクションシステム。 - 光源からの光を色分離し、前記複数色の光に対応して各々配置される表示部に出力する分離光学系と、
前記表示部における各反射型液晶表示素子で得た映像光を合成する合成光学系と、
前記合成光学系によって合成された画像をスクリーンに投射する投射レンズと
を備えることを特徴とする請求項11記載のプロジェクションシステム。 - 光透過性電極を有する第1の基体と、光反射電極を有する第2の基体とが、前記光透過性電極および前記光反射電極を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されており、前記液晶層の厚さをd(μm)、前記垂直配向液晶の屈折率異方性をΔn、前記垂直配向液晶の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、
d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5を満たす反射型液晶表示素子と、
前記反射型液晶表示素子に所定の電圧を印加する駆動回路とを備え、
前記駆動回路が前記反射型液晶表示素子に印加する最大駆動電圧を可変できるようになっていることを特徴とする表示装置。 - 光透過性電極を有する第1の基体と、光反射電極を有する第2の基体とが、前記光透過性電極および前記光反射電極を互いに対向させ、かつ垂直配向液晶から成る液晶層を介在させた状態で対向配置されており、前記液晶層の厚さをd(μm)、前記垂直配向液晶の屈折率異方性をΔn、前記垂直配向液晶の比誘電率異方性の大きさを|Δε|とした場合、
d・Δn・|Δε|2≧5、d≦2.5を満たす反射型液晶表示素子を有する表示部と、
前記表示部における各反射型液晶表示素子へ駆動電圧を与える駆動回路とを備え、
前記駆動回路が前記反射型液晶表示素子に印加する最大駆動電圧を可変できるようになっている
ことを特徴とするプロジェクションシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005046524A JP2005284265A (ja) | 2004-03-05 | 2005-02-23 | 反射型液晶表示素子、表示装置ならびにプロジェクションシステム |
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
JP2004061855 | 2004-03-05 | ||
JP2005046524A JP2005284265A (ja) | 2004-03-05 | 2005-02-23 | 反射型液晶表示素子、表示装置ならびにプロジェクションシステム |
Publications (1)
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---|---|
JP2005284265A true JP2005284265A (ja) | 2005-10-13 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2005046524A Pending JP2005284265A (ja) | 2004-03-05 | 2005-02-23 | 反射型液晶表示素子、表示装置ならびにプロジェクションシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005284265A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008249742A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sony Corp | 液晶モジュールおよび液晶表示装置 |
US8427409B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-04-23 | Seiko Epson Corporation | Projector |
-
2005
- 2005-02-23 JP JP2005046524A patent/JP2005284265A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8427409B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-04-23 | Seiko Epson Corporation | Projector |
JP2008249742A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sony Corp | 液晶モジュールおよび液晶表示装置 |
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