JP2005228956A

JP2005228956A - 固体撮像装置および撮像システム

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Publication number: JP2005228956A
Application number: JP2004036858A
Authority: JP
Inventors: Akira Okita; 彰沖田; Takumi Hiyama; 拓己樋山; 英明 ▲高▼田; Hideaki Takada
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2004-02-13
Filing date: 2004-02-13
Publication date: 2005-08-25
Anticipated expiration: 2024-02-13
Also published as: US20090201406A1; EP1569277A3; US7557847B2; EP2546878A3; JP4067054B2; US20050179796A1; EP2546878A2; EP1569277A2; EP2343738A1

Abstract

【課題】隣接する画素の影響による混色を低減する。
【解決手段】光電変換領域となるＰＮ接合領域１、ＰＮ接合領域１から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域２、フローティングディフュージョン領域２の電荷を増幅する増幅用トランジスタ５、少なくともフローティングディフュージョン領域２と増幅用トランジスタ５のゲート電極、リセット用ＭＯＳトランジスタ１０とを接続する配線４、を備えた複数の画素と、増幅用トランジスタからの信号が出力される信号出力線８と、を有する固体撮像装置において、少なくとも、一の画素の配線８又は一の画素のフローティングディフュージョン領域２及び配線４と、隣接する他の画素の信号出力線８との間に、シールド線８、９を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は固体撮像装置および撮像システムに係わり、特に光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、前記フローティングディフュージョン領域と前記アンプの入力部とを接続する配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置に関する。

固体撮像装置の方式の一つに、フォトダイオードからの信号を転送用トランジスタを介してフローティングディフュージョン領域（浮遊拡散領域）に転送し、フローティングディフュージョン領域にゲート電極が接続される増幅用トランジスタで信号を増幅して信号出力線に出力する固体撮像装置がある。

かかる固体撮像装置としては、例えば特許文献１に記載されている。図１０に示すように、フォトダイオードのＰＮ接合領域（光電変換領域）１３に蓄積された電荷は転送用トランジスタ１４を介してフローティングディフュージョン領域（ＦＤ領域）１５に転送され、そのＦＤ領域１５にゲート電極が接続される増幅用トランジスタ１６、選択用トランジスタ１７を介して増幅用トランジスタで増幅された信号が信号出力線１８に出力される。ここで、ＦＤ領域１５は隣接する画素の信号出力線１８’と近接している。

また特許文献２にも同様な固体撮像装置が記載されている。図１１に示すように、フォトダイオードのＰＮ接合領域に蓄積された電荷は転送用トランジスタを介してＦＤ領域に転送され、このＦＤ領域は隣接する画素の信号出力線と近接している。
特開２０００−２６０９７１号公報特開平１０−１５０１８２号公報

上記の固体撮像装置のように、一の画素のＦＤ領域が隣接する画素の信号出力線と近接している場合に、ＦＤ領域と信号出力線との間に寄生容量を生じ、例えば、隣接する画素間で混色を生ずることになる。

一の画素がＲ（赤）画素、隣接する画素がＧ（緑）画素の場合に、Ｒ画素のＦＤ領域に信号が読み出され、その時に隣接するＧ画素で信号が信号出力線から読み出されると、ＦＤ領域と信号出力線との間の寄生容量により互いの信号が影響しあうことになる。よって、Ｒ画素の信号レベルとＧ画素の信号レベルが異なる場合は混色を生ずることになる。

本発明の固体撮像装置は、光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
少なくとも、一の画素の前記配線又は一の画素の前記フローティングディフュージョン領域及び配線と、該一の画素と隣接する他の画素の前記信号出力線との間に、シールド線を有することを特徴とする。

ここで、「一の画素の配線又は一の画素の前記フローティングディフュージョン領域及び配線と、該一の画素と隣接する他の画素の前記信号出力線との間に、シールド線を有する」とは、図３の断面図に示すように、一の画素の配線と、該一の画素と隣接する他の画素の信号出力線との間を仕切るようにシールド線を設ける場合を含むことは勿論、図２の断面図に示すように、信号出力線と配線と（又は信号出力線と配線とコンタクトホールと）を内部に含む矩形の領域内、具体的にはＦＤ領域２上のＦＤ配線４の左端面、信号出力線７_２の右端面、信号出力線の上端面及びコンタクトホールの下端面で区切られる矩形の領域（図中、一点鎖線で囲った領域Ｘ_１）内にシールド線の少なくとも一部を設ける場合を含む。なお、図２の構成においてより寄生容量を低減するには、信号出力線と配線との間の矩形の領域内、具体的にはＦＤ配線４の右端面、信号出力線７_２の左端面、ＦＤ配線４の下端面、信号出力線７_２の上端面とで区切られる矩形の領域（図中、二点鎖線で囲った領域Ｘ_２）内にシールド線の少なくとも一部を設けることが望ましい。

また本発明の固体撮像装置は、光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
前記信号出力線は前記前記フローティングディフュージョン領域の周囲で、前記フローティングディフュージョン領域を迂回するように形成されていることを特徴とする。

また本発明の固体撮像装置は、光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
前記配線の少なくとも一部は前記信号出力線を含む他の配線よりも幅が広く形成されていることを特徴とする固体撮像装置。

また本発明の固体撮像装置は、光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
一の画素の前記フローティングディフュージョン領域及び前記配線の容量をＣｆｄとし、前記一の画素のフローティングディフュージョン領域及び配線と、前記一の画素に隣接する他の画素の信号出力線との間の容量をＣｐとしたとき、Ｃｐ／Ｃfdが１．４％以下であることを特徴とする。

上記各本発明の固体撮像装置において、前記配線の一部が前記アンプの入力部と接続されている場合、前記画素は前記フローティングディフュージョン領域をリセットするリセット手段を有し、前記配線の一部が前記リセット手段と接続されている場合がある。

本発明によれば、隣接する画素の影響による混色を低減することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は本発明の第１の実施形態に係わる固体撮像装置のレイアウトを示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’断面図、図３は図１のＢ−Ｂ’断面図である。

図１〜図３において、１は光電変換素子たるフォトダイオードのＰＮ接合領域（光電変換領域）、２はＰＮ接合領域１に蓄積された電荷が保持されるフローティングディフュージョン領域（浮遊拡散領域；以下ＦＤ領域という）、３はＰＮ接合領域１からＦＤ領域２へ蓄積電荷を転送する転送用ＭＯＳトランジスタ、４はＦＤ領域２とアンプとなる増幅用トランジスタ５のゲート電極（アンプの入力部）とリセット用ＭＯＳトランジスタ１０を接続するフローティングディフュージョン配線（以下ＦＤ配線という）、６は増幅用トランジスタ５からの信号を選択して信号出力線７_１に出力する選択用トランジスタ、８は第１ＧＮＤ線、９は第２ＧＮＤ線、１０はリセット用トランジスタである。第２ＧＮＤ線９はスルーホールを通して第１ＧＮＤ線と接続される。信号出力線７_２はスルーホールを通して信号出力線７_１と接続される。第１ＧＮＤ線８及び第２ＧＮＤ線はシールド線を構成する。また、ＶＤＤの電源は図中の増幅用トランジスタ５、およびリセット用ＭＯＳトランジスタ１０のドレインに共通で接続されており、図中では煩雑さをさけるため詳細に図示していないがアルミ第一層から第二層をへて図示していない第三層へと接続されている。

図１のＢ−Ｂ’断面図たる図３に示すように、信号出力線７_１と信号出力線７_１に平行に配されるＦＤ配線４との間には第１ＧＮＤ線８が配置され、信号出力線７_１、ＦＤ線４、第１ＧＮＤ線８は第１の配線層で形成される。ここではＡｌを用いている。このように、信号出力線とＦＤ線との間にシールド線としても機能するＧＮＤ線を配することで信号出力線とＦＤ線との間の寄生容量を低減することができる。本実施形態においては、基板(フォトダイオードの一端)の電位をグラウンドに固定するためのＧＮＤ線をシールド線として用いたが、別個配線を設けてもよい。ただし、ＧＮＤ配線を用いた方が、新たな配線を増やす必要もないため好適である。

ここで、ＦＤ領域２はコンタクトホールを介して第１の配線層で形成されたＦＤ配線４と接続されるので、ＦＤ領域２上はＧＮＤ配線を設けることができない。したがって、信号出力線、ＦＤ線、ＧＮＤ線を第１の配線層で形成するには、ＦＤ領域２上のＦＤ線と信号出力線との間をＧＮＤ線が通れる程度に距離を設ける必要がある。本発明において、このような実施形態も可能であるが、ＦＤ領域２上を避けてＧＮＤ線を形成すると、その分ＰＮ接合領域間の間隔を大きくとることになり、結果的にＰＮ接合領域の面積を減少させることになる。

そこで、本実施形態では図１、図１のＡ−Ａ’断面図たる図２に示すように、アルミ第１層のＧＮＤ配線８をＦＤ領域２の周囲で「コ」の字状にＦＤ領域２を迂回するように設け、さらにＦＤ領域の周囲で信号出力線を第２の配線層で形成して、ＧＮＤ配線８上の信号出力線７_２とした。また、信号出力線７_２に隣接して第２の配線層で第２ＧＮＤ線９を設け、この第２ＧＮＤ線９をスルーホールにより第１ＧＮＤ線８と接続している。つまり、図２に示すように、ＦＤ配線４と信号出力線７_２間で二つのＧＮＤ線８、９が第１の配線層、第２の配線層で形成されている。ＧＮＤ線８はＦＤ配線４と信号出力線７_２との間の電気力線をシールドするとともにＦＤ領域２と信号出力線７_２との間の電気力線をシールドしている。ここでは、ＧＮＤ配線９はＦＤ配線４の端部上に重なるように設けられているが、ＧＮＤ配線９を図２中左側に延長してもよく、ＦＤ線４上を覆うように形成することも勿論可能である。また、ここでは、ＦＤ配線４、信号出力線７_２の内端面、ＦＤ配線４の下端面、信号出力線７_２の上端面とで区切られる矩形の領域（図中、二点鎖線で囲った領域）内にＧＮＤ線８，９の一部が入るようにＧＮＤ線８，９が形成されているが、ＦＤ領域２上のコンタクトホール、ＦＤ配線４、信号出力線７_２の外端面、信号出力線の上端面及びコンタクトホールの下端面で区切られる矩形の領域（図中、一点鎖線で囲った領域）内にＧＮＤ線８，９の一部が入るようにＧＮＤ線８，９が形成されていれば寄生容量を低減する効果を得ることができる。
図２及び図３に示すように、ＧＮＤ配線をＦＤ配線と信号出力線との間に配置することで、ＦＤ配線（又はＦＤ領域とＦＤ配線）と隣接する画素の信号出力線間の容量結合を低減し、混色を低減することができる。ＦＤ領域の周囲のみに図２に示すようなシールド線を設けたり、ＦＤ領域の周囲を除いて図３に示すようなシールド線を設けても寄生容量を低減する効果は得られるが、ＦＤ領域の周囲及びその周囲以外の領域の両者にシールド線を設けることがより寄生容量を低減できるので、より好ましいことは勿論である。またＦＤ領域の周囲以外でも図２のようなシールド線の構成をとってもよい。さらに、ＧＮＤ配線８又はＧＮＤ配線９の一方を設けるだけでも寄生容量を低減する効果を得ることができる。

なお、シールド線の電位はＧＮＤでなくても固定電位であればよい。またシールド配線は常に固定電位でなくてもよく、少なくとも信号を読み出す時にある電位に固定されていれば良い、例えばシールド線が転送ＭＯＳトランジスタなどの駆動線であってもよい。ただし、シールド線の電位は電源あるいはＧＮＤなどのより電位が安定なものであることが好ましい。

図４は図１に示した固体撮像装置の等価回路図である。ＦＤ領域及びＦＤ配線と、信号出力線との間にシールド線を設けることで、寄生容量を低減することができる。

ところで、本発明者らは混色の低減のための構成を見いだすとともに、ＦＤ部（ＦＤ領及びコンタクトホール部を含むＦＤ配線）と隣接画素の信号出力線間の寄生容量をＣｐ、寄生容量Ｃｐを除くＦＤ部の容量をＣfdとしたとき、Ｃｐ／Ｃfdが１．４％以下であれば混色による画質の劣化は問題のないレベルであり、より好ましくはＣｐ／Ｃfdが０．８％以下、さらに好ましくはＣｐ／Ｃfdは０．４％とすると良いことを見いだした。

上記のように、ＦＤ部（ＦＤ領及びコンタクトホール部を含むＦＤ配線）と隣接画素の信号出力線間の寄生容量をＣｐ、寄生容量Ｃｐを除くＦＤ部の容量をＣfdとし、さらにｎ列目のＦＤ電位をＶfd(n)、ｎ列目の信号出力線電位をＶsig(n)、ｎ−１列目の信号出力線電位をＶsig(n-1)としたとき、その等価回路は図５に示すようになる。

そして、
Ｖfd(n)＝Ｃｐ／（Ｃfd＋Ｃｐ）×Ｖsig(n-1)
Ｃfd＞＞Ｃｐのとき
Ｖfd(n)は、Ｃｐ／Ｃfd×Ｖsig(n-1)と考えることができる。

すなわち、ｎ列目のＦＤの電位は（ｎ−１）列目の信号出力線の電位Ｖsig(n-1)に対し概ねＣｐ／Ｃfdだけクロストークすることになる。

混色を混色率で評価した場合、混色率が１％を超えると図６に示すように、画質の著しい劣化が生ずる。これを押さえ込むにはＣfdに対するＣｐの比率として、１．４％以下、好ましくは０．８％以下、より好ましくは０．４％以下である。

混色率とは、（（画素の出力）−（画素の光出力））／（隣接画素の出力）で表される割合であり、画素の出力とは信号出力線に読み出される出力、画素の光出力とは画素の光電変換素子（フォトダイオード）で光電変換された出力である。

混色率が１％を切るレベル（Cp/Cfd=1.4％以下）になれば通常の画像で混色を認められなくなる。また混色率が0.5％を切るレベル（Cp/Cfd=0.8％以下）になれば通常のJPEGなどの８ｂｉｔデータの場合、２５６階調に対してほぼ1LSBに近い値（1/256＝0.4％）に相当しほぼ混色がでなくなる。さらにまた混色率が0.1％に近いレベル（Cp/Cfd=0.4％以下）になれば10ｂｉｔデータの場合、1024階調に対してほぼ1LSBに近い値（1/1024＝0.1％）に相当しほぼ混色がでなくなる。

ＣfdおよびＣpの容量はレイアウトから２次元もしくは３次元のデバイスシュミレータを用い算出することができる。例えば、２次元シュミレータとしはSILVACO社のATLAS、３次元シュミレータとしてはLink Research Corporation 社のSPECTRAがある。
（実施形態２）
図７は本発明の第２の実施形態に係わる固体撮像装置のレイアウトを示す平面図である。図１の構成部材と同一構成部材については同一符号を付して説明を省略する。本実施形態は、ＧＮＤ配線を設けず、信号出力線７はＦＤ領域の周囲で「コ」の字状とされてＰＮ接合領域上に設けられ、ＦＤ領域を迂回することで、ＦＤ部と信号出力線との寄生容量を低減したものである。
（実施形態３）
図８は本発明の第３の実施形態に係わる固体撮像装置のレイアウトを示す平面図である。図１の構成部材と同一構成部材については同一符号を付して説明を省略する。本実施形態では、ＦＤ配線４の少なくとも一部を、信号出力線８等の他の配線よりも幅が広くなるように形成することでＦＤ配線の面積を広げ、寄生容量Ｃｐを除くＦＤ部の容量Ｃfdを大きくし、Ｃｐ／Ｃfdの値を小さくして混色を低減させた。ＦＤ配線の幅はＣfdに対するＣｐの比率が１．４％以下となるように設定される。

以上説明した実施形態の固体撮像装置はＣＭＯＳ固体撮像装置と呼ばれる構成のもので、この種の固体撮像装置は、行方向（例えば図１の左右方向）に配列された複数の画素の信号が同時に制御されて光電変換領域からＦＤ領域、増幅用トランジスタを介して信号出力線に信号が読み出されるので、隣接する画素間で混色を生じやすく、本発明が好適に用いられる。

図９は本発明の固体撮像装置の一例である“スチルカメラ”を示すブロック図である。

図９において、１０１はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、１０２は被写体の光学像を固体撮像素子１０４に結像させるレンズ、１０３はレンズ１０２を通った光量を可変するための絞り、１０４はレンズ１０２で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子、１０６は固体撮像素子１０４より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、１０７はＡ／Ｄ変換器１０６より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、１０８は固体撮像素子１０４、撮像信号処理回路１０５、Ａ／Ｄ変換器１０６、信号処理部１０７に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、１０９は各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、１１０は画像データを一時的に記憶するためのメモリ部、１１１は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部、１１２は画像データの記録または読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、１１３は外部コンピュータ等と通信するためのインターフェース部である。

次に、前述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について、説明する。

バリア１０１がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、さらに、Ａ／Ｄ変換器１０６などの撮像系回路の電源がオンされる。

それから、露光量を制御するために、全体制御・演算部１０９は絞り１０３を開放にし、固体撮像素子１０４から出力された信号はＡ／Ｄ変換器１０６で変換された後、信号処理部１０７に入力される。そのデータを基に露出の演算を全体制御・演算部１０９で行う。

この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部１０９は絞りを制御する。

次に、固体撮像素子１０４から出力された信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部１０９で行う。その後、レンズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断したときは、再びレンズを駆動し測距を行う。

そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。露光が終了すると、固体撮像素子１０４から出力された画像信号はＡ／Ｄ変換器６でＡ−Ｄ変換され、信号処理部１０７を通り全体制御・演算１０９によりメモリ部に書き込まれる。その後、メモリ部１１０に蓄積されたデータは、全体制御・演算部１０９の制御により記録媒体制御Ｉ／Ｆ部１１１を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体１１２に記録される。又外部Ｉ／Ｆ部１１３を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。

本発明は画素のＦＤ領域と隣接する画素の信号出力線との間で寄生容量が生じ、混色を生ずる固体撮像装置、例えば、スチルカメラ、ビデオカメラ等に用いられる固体撮像装置に適用される。

本発明の第１の実施形態に係わる固体撮像装置のレイアウトを示す平面図である。図１のＡ−Ａ’断面図である。図１のＢ−Ｂ’断面図である。図１に示した固体撮像装置の等価回路図である。本発明を説明するための等価回路図である。混色率の寄生容量比率依存性を示す図である。本発明の第２の実施形態に係わる固体撮像装置のレイアウトを示す平面図である。本発明の第３の実施形態に係わる固体撮像装置のレイアウトを示す平面図である。本発明の固体撮像装置の一例である“スチルカメラ”を示すブロック図である。従来の固体撮像装置のレイアウトを示す平面図である。従来の他の固体撮像装置のレイアウトを示す平面図である。

符号の説明

１ＰＮ接合領域（光電変換領域）
２フローティングディフュージョン領域（ＦＤ領域）
３転送用ＭＯＳトランジスタ
４フローティングディフュージョン配線（ＦＤ配線）
５増幅用トランジスタ
６選択用トランジスタ
７，７_１，７_２信号出力線
８第１ＧＮＤ線
９第２ＧＮＤ線
１０リセット用トランジスタ

Claims

光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
少なくとも、一の画素の前記配線又は一の画素の前記フローティングディフュージョン領域及び配線と、該一の画素と隣接する他の画素の前記信号出力線との間に、シールド線を有することを特徴とする固体撮像装置。
請求項１に記載の固体撮像装置において、前記配線の一部が前記アンプの入力部と接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１に記載の固体撮像装置において、前記画素は前記フローティングディフュージョン領域をリセットするリセット手段を有し、前記配線の一部が前記リセット手段と接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記複数の画素はそれぞれ、前記フローティングディフュージョン領域のすくなくとも一部と前記信号出力線が前記光電変換領域をはさむ位置に配置されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１から４のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記一の画素のフローティングディフュージョン領域と前記隣接する画素の信号出力線との間の距離にくらべ前記シールド線と前記フローティングディフュージョン領域との間の距離が短いことを特徴とする固体撮像装置。
請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記シールド線の少なくとも一部が、前記配線と同一の配線層で形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記シールド線の少なくとも一部が、前記信号出力線と同一の配線層で形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記シールド線の少なくとも一部が、前記配線と同一の第１の配線層と、前記信号出力線と同一の第２の配線層とで構成されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項８に記載の固体撮像装置において、前記第１及び第２の配線層で形成されるシールド線の一部は前記フローティングディフュージョン領域の周囲に設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記フローティングディフュージョン領域の周囲を除く領域で、前記配線と前記信号出力線と前記シールド線は同一の配線層で形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
前記信号出力線は前記前記フローティングディフュージョン領域の周囲で、前記フローティングディフュージョン領域を迂回するように形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
前記配線の少なくとも一部は前記信号出力線を含む他の配線よりも幅が広く形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
光電変換領域、前記光電変換領域から出力される電荷を保持するフローティングディフュージョン領域、前記フローティングディフュージョン領域の電荷を増幅するアンプ、少なくとも一端が前記フローティングディフュージョン領域と接続されている配線、を備えた複数の画素と、前記アンプからの信号が出力される信号出力線と、を有する固体撮像装置において、
一の画素の前記フローティングディフュージョン領域及び前記配線の容量をＣｆｄとし、前記一の画素のフローティングディフュージョン領域及び配線と、前記一の画素に隣接する他の画素の信号出力線との間の容量をＣｐとしたとき、Ｃｐ／Ｃｆｄが１．４％以下であることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１１から１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記配線の一部が前記アンプの入力部と接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１１から１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、前記画素は前記フローティングディフュージョン領域をリセットするリセット手段を有し、前記配線の一部が前記リセット手段と接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１３に記載の固体撮像装置において、前記Ｃｐ／Ｃｆｄが０．８％以下であることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１３に記載の固体撮像装置において、前記Ｃｐ／Ｃｆｄが０．４％以下であることを特徴とする固体撮像装置。
請求項１〜１７のいずれかの請求項に記載の固体撮像装置と、該固体撮像装置へ光を結像する光学系と、該固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。