JP2005223023A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 電流狭窄層の厚さを十分に厚くでき、もって光吸収損失を低減でき、閾値電流や動作電流も低減できる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板2上に、第1導電型クラッド層3と、活性層4と、第2導電型第1クラッド層5と、第2導電型エッチングストップ層6と、第2導電型第2クラッド層7と、第2導電型のキャップ層8とを形成する工程と、キャップ層上の所定の箇所にマスク層14を形成する工程と、キャップ層と第2クラッド層とをエッチングしてリッジストライプ構造9を形成する工程と、リッジストライプ構造の上面及び両側面を含んでエッチングストップ層上に第1導電型の電流狭窄層101 、102 を形成する工程と、マスク層上の電流狭窄層を除去すると共にエッチングストップ層上における電流狭窄層の厚さを所定の厚さにする工程と、マスク層を除去する工程と、第2導電型のコンタクト層11を形成する工程とを有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基板2上に、第1導電型クラッド層3と、活性層4と、第2導電型第1クラッド層5と、第2導電型エッチングストップ層6と、第2導電型第2クラッド層7と、第2導電型のキャップ層8とを形成する工程と、キャップ層上の所定の箇所にマスク層14を形成する工程と、キャップ層と第2クラッド層とをエッチングしてリッジストライプ構造9を形成する工程と、リッジストライプ構造の上面及び両側面を含んでエッチングストップ層上に第1導電型の電流狭窄層101 、102 を形成する工程と、マスク層上の電流狭窄層を除去すると共にエッチングストップ層上における電流狭窄層の厚さを所定の厚さにする工程と、マスク層を除去する工程と、第2導電型のコンタクト層11を形成する工程とを有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、リッジ導波路型の半導体レ−ザ装置の製造方法に関する。
一般に、半導体レーザ装置としては、例えば埋め込み型の装置やリッジ導波路型の装置が知られている。上記リッジ導波路型の半導体レ−ザ装置は、その製造工程において活性層を大気中に露出させることがないため、特に酸化に対してレ−ザ特性が劣化し易いGaAs(化合物半導体)系レ−ザ装置に対しては信頼性の点で優れた構造である(例えば特許文献1)。
図2は従来のリッジ導波路型の半導体レ−ザ装置の一例を示す断面図である。従来のリッジ導波路型の半導体レ−ザ装置1は、以下に示す構造をしている。ここではn型を第1導電型とし、p型を第2導電型として説明する。例えばn−GaAs基板よりなる第1導電型の半導体基板2上には、n−Al0.5 Ga0.5 Asよりなる第1導電型のクラッド層3、第1導電型の活性層4、p−Al0.5 Ga0.5 Asよりなる第2導電型の第1クラッド層5、p−Al0.7 Ga0.3 Asよりなる第2導電型のエッチングストップ層6が順次積層されている。上記エッチングストップ層6上に、n−Al0.6 Ga0.4 Asよりなる電流狭窄層101 、102 により挟まれたp−Al0.5 Ga0.5 Asよりなる第2導電型の第2クラッド層7を設け、この第2クラッド層7上にp−GaAsよりなる第2導電型のキャップ層8を積層してなるリッジストライプ構造9が形成されている。
更に、このリッジストライプ構造9及び上記電流狭窄層101 、102 の上部には、p−GaAsよりなるコンタクト層11が積層され、このコンタクト層11上にp型のオ−ミック電極12が形成されている。尚、これらの積層方向と逆方向の半導体基板2側には、n型のオ−ミック電極13が形成されている。これらのp型のオ−ミック電極12及びn型のオ−ミック電極13側からそれぞれ電流を注入し、発振閾値以上になるとレ−ザ発振が生じて、活性層4からレ−ザ光が放出される。尚図2中の参照符号には導電型が併記されている。
次に、上記したリッジ導波路型の半導体レ−ザ装置1の製造方法について説明する。図3は従来のリッジ導波路型の半導体レ−ザ装置1の製造工程図である。
まず、図3(A)に示すように、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により半導体基板2上に、例えば厚さ1.5μmの第1導電型のクラッド層3、例えば厚さ0.07μmの活性層4、例えば厚さ0.3μmの第2導電型の第1クラッド層5、例えば厚さ0.03μmのエッチングストップ層6、例えば厚さ0.7μmの第2導電型の第2クラッド層7、例えば厚さ0.3μmのキャップ層8を順次積層する。
まず、図3(A)に示すように、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により半導体基板2上に、例えば厚さ1.5μmの第1導電型のクラッド層3、例えば厚さ0.07μmの活性層4、例えば厚さ0.3μmの第2導電型の第1クラッド層5、例えば厚さ0.03μmのエッチングストップ層6、例えば厚さ0.7μmの第2導電型の第2クラッド層7、例えば厚さ0.3μmのキャップ層8を順次積層する。
次に、図3(B)に示すように、このキャップ層8の上に、例えばスパッタ法によりSiO2 絶縁膜(図示せず)を形成した後、図示しないフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィ法及びドライエッチング法により、上記SiO2 絶縁膜をパターン化してストライプ状のマスク層14を形成する。
次に、図3(C)に示すように、上記第2クラッド層7及びキャップ層8を、酒石酸により上記エッチングストップ層6までエッチングして上記マスク層14以外の領域を除去し、これによりリッジストライプ構造9を形成する。ここで上記エッチングストップ層6に対する酒石酸のエッチングレ−トは、上記第2クラッド層7よりも2桁程度小さく、且つエッチング速度が遅いので、上記エッチングストップ層6でエッチングを停止することができる。
次に、図3(C)に示すように、上記第2クラッド層7及びキャップ層8を、酒石酸により上記エッチングストップ層6までエッチングして上記マスク層14以外の領域を除去し、これによりリッジストライプ構造9を形成する。ここで上記エッチングストップ層6に対する酒石酸のエッチングレ−トは、上記第2クラッド層7よりも2桁程度小さく、且つエッチング速度が遅いので、上記エッチングストップ層6でエッチングを停止することができる。
次に、図3(D)に示すように、例えばMOCVD法により第2回目の成長を行い、上記エッチングストップ層6上及びリッジストライプ構造9の両側面にn−Al0.6 Ga0.4 Asよりなる第1導電型の電流狭窄層101 、102 を選択成長させて積層する。この場合、この電流狭窄層101 、102 は、基本的には単結晶構造となっている。このとき光吸収損失等を低減する目的で上記電流狭窄層101 、102 を厚く成長させようとすると、選択成長されずにマスク層14上にAlGaAsのポリ結晶が付着してしまうので好ましくない。そのため、この従来方法では、マスク層14上にポリ結晶が付着しない程度の厚さまでの電流狭窄層101 、102 を成長させている。この時の電流狭窄層101 、102 の膜厚L1の最大値は0.3μm程度である。
その後、図3(E)に示すように、エッチングにより上記マスク層14を除去し、更に、MOCVD法により、第3回目の成長を行い、上記電流狭窄層101 、102 及びキャップ層8上にp−GaAsよりなる第2導電型のコンタクト層11を積層する。この後、上記コンタクト層11上にp型のオ−ミック電極12を形成して、半導体基板2に前記した積層方向と逆方向にn型のオ−ミック電極13を形成して、図2に示したリッジ導波路型の半導体レ−ザ装置1を得る。
ところで、上記電流狭窄層101 、102 は、その膜厚が厚ければ厚い程、活性層4からコンタクト層11(光の吸収がある層)までの距離が長くなるため、光吸収損失を低減でき、また閾値電流や動作電流を低減できて好ましい。
しかしながら、図3(D)を参照して先に説明したように、この電流狭窄層101 、102 の厚さを0.3μm以上の厚さまで成長させようとすると、マスク層14上に特性劣化の原因となるポリ結晶が付着形成されてしまうので、この電流狭窄層101 、102 の厚さを、0.3μmよりも厚い値に設定することができない、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は電流狭窄層の厚さを十分に厚くでき、もって光吸収損失を低減でき、閾値電流や動作電流も低減できる半導体レーザ装置の製造方法を提供することにある。
しかしながら、図3(D)を参照して先に説明したように、この電流狭窄層101 、102 の厚さを0.3μm以上の厚さまで成長させようとすると、マスク層14上に特性劣化の原因となるポリ結晶が付着形成されてしまうので、この電流狭窄層101 、102 の厚さを、0.3μmよりも厚い値に設定することができない、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は電流狭窄層の厚さを十分に厚くでき、もって光吸収損失を低減でき、閾値電流や動作電流も低減できる半導体レーザ装置の製造方法を提供することにある。
請求項1に係る発明は、第1導電型の半導体基板上に、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第1クラッド層と、第2導電型のエッチングストップ層と、第2導電型の第2クラッド層と、第2導電型のキャップ層とを順次形成する工程と、前記キャップ層上の所定の箇所にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記キャップ層と第2クラッド層とをエッチングにより除去することによりリッジストライプ構造を形成する工程と、前記リッジストライプ構造の上面及び両側面を含んで前記エッチングストップ層上に第1導電型の電流狭窄層を形成する工程と、前記マスク層上の電流狭窄層を除去すると共に、前記エッチングストップ層上における前記電流狭窄層の厚さを所定の厚さにする工程と、前記マスク層を除去する工程と、第2導電型のコンタクト層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法である。
本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、電流狭窄層の厚さを十分に厚くでき、もって光吸収損失を低減でき、閾値電流や動作電流も低減できる。
以下に、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す工程図である。尚、図2に示す従来の製造方法と同一部分については同一参照符号を付して説明する。また半導体レーザ装置の全体構成は図2に示す場合と同じなのでここではその説明を省略する。
まず、図1(A)〜図1(C)に示す工程は、図3(A)〜図3(C)に示す工程と、それぞれ全く同じである。すなわち、まず、図1(A)に示すように、MOCVD法により第1導電型の半導体基板2上に、例えば厚さ1.5μmの第1導電型の第1クラッド層(n−Al0.5 Ga0.5 As)3、例えば厚さ0.07μmの活性層(Al0.13Ga0.87As)4、例えば厚さ0.3μmの第2導電型の第1クラッド層(p−Al0.5 Ga0.5 As)5、例えば厚さ0.03μmの第2導電型のエッチングストップ層(p−Al0.7 Ga0.3 As)6、例えば厚さ0.7μmの第2導電型の第2クラッド層(p−Al0.5 Ga0.5 As)7、例えば厚さ0.3μmの第2導電型のキャップ層(p−GaAs)8をこの順序で順次積層する。
図1は本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す工程図である。尚、図2に示す従来の製造方法と同一部分については同一参照符号を付して説明する。また半導体レーザ装置の全体構成は図2に示す場合と同じなのでここではその説明を省略する。
まず、図1(A)〜図1(C)に示す工程は、図3(A)〜図3(C)に示す工程と、それぞれ全く同じである。すなわち、まず、図1(A)に示すように、MOCVD法により第1導電型の半導体基板2上に、例えば厚さ1.5μmの第1導電型の第1クラッド層(n−Al0.5 Ga0.5 As)3、例えば厚さ0.07μmの活性層(Al0.13Ga0.87As)4、例えば厚さ0.3μmの第2導電型の第1クラッド層(p−Al0.5 Ga0.5 As)5、例えば厚さ0.03μmの第2導電型のエッチングストップ層(p−Al0.7 Ga0.3 As)6、例えば厚さ0.7μmの第2導電型の第2クラッド層(p−Al0.5 Ga0.5 As)7、例えば厚さ0.3μmの第2導電型のキャップ層(p−GaAs)8をこの順序で順次積層する。
次に、図1(B)に示すように、このキャップ層8の上に、例えばスパッタ法によりSiO2 絶縁膜(図示せず)を形成した後、図示しないフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィ法及びドライエッチング法により、上記SiO2 絶縁膜をパターン化してストライプ状のマスク層14を形成する。
次に、図1(C)に示すように、上記第2クラッド層7及びキャップ層8を、酒石酸により上記エッチングストップ層6までエッチングして上記マスク層14以外の領域を除去し、これによりリッジストライプ構造9を形成する。ここで上記エッチングストップ層6に対する酒石酸のエッチングレ−トは、上記第2クラッド層7よりも2桁程度小さく、且つエッチング速度が遅いので、上記エッチングストップ層6でエッチングを停止することができる。
次に、図1(C)に示すように、上記第2クラッド層7及びキャップ層8を、酒石酸により上記エッチングストップ層6までエッチングして上記マスク層14以外の領域を除去し、これによりリッジストライプ構造9を形成する。ここで上記エッチングストップ層6に対する酒石酸のエッチングレ−トは、上記第2クラッド層7よりも2桁程度小さく、且つエッチング速度が遅いので、上記エッチングストップ層6でエッチングを停止することができる。
次に、図1(D)に示すように、MOCVD法により第2回目の成長を行い、上記エッチングストップ層6上及びリッジストライプ構造9の両側面にn−Al0.6 Ga0.4 Asよりなる第1導電型の電流狭窄層101 、102 を積層する。このとき従来方法とは異なり、マスク層14上にもn−Al0.6 Ga0.4 Asよりなる第1導電型の電流狭窄層103 (ポリ結晶)を形成しても良く、両側の電流狭窄層101 、102 の厚さを、後述する研磨による減少分を含めた厚さ、例えば0.3μm以上の厚さになるよう設定する。また、この結果、この電流狭窄層101 、102 の厚さは0.3μm以上の厚さで自由に選択できることになる。
次に、図1(E)に示すように、所定の研磨法を用いて、上記マスク層14上の電流狭窄層103 を除去してマスク層14の表面を露出させて、所定の目的とする膜厚L2の電流狭窄層101 、102 を得る。この研磨法としては、GaA3 系材料の研磨によく用いられる、例えばメカノケミカル研磨法(工作物の表面に加えられる機械的作用により誘起された物理的・化学的変化を積極的に利用する研磨法)等を用いることができる。この場合、マスク層14の研磨レートは、GaA3 系材料と比較して著しく小さいので、ストッパーとして機能する。
この研磨に際しては、マスク層14上の電流狭窄層103 のみならず、この両側の電流狭窄層101 、102 も削られるので、上記所定の膜厚L2が得られるように、研磨時間を設定し、また前述したように削られる分だけ図1(D)中の電流狭窄層101 、102 の堆積時の膜厚を予め厚く設定しておく。
この研磨に際しては、マスク層14上の電流狭窄層103 のみならず、この両側の電流狭窄層101 、102 も削られるので、上記所定の膜厚L2が得られるように、研磨時間を設定し、また前述したように削られる分だけ図1(D)中の電流狭窄層101 、102 の堆積時の膜厚を予め厚く設定しておく。
図1(D)及び図1(E)に示す場合には、両側の電流狭窄層101 、102 の上面がマスク層14の上面よりも低いが、これがマスク層14の上面よりも高くなっている場合には、電流狭窄層101 、102 の厚さL2が研磨により設定値(0.3μm以上)になった時にマスク層14の表面が露出した状態となるように、マスク層14の厚さ等を予め調整しておく。
次に、図1(E)に示すように、上記キャップ層8上のマスク層14を除去する。この除去方法は、CF4 等のエッチングガスを利用したRIE(反応性イオンエッチング)法等で除去することができる。
次に、図1(E)に示すように、上記キャップ層8上のマスク層14を除去する。この除去方法は、CF4 等のエッチングガスを利用したRIE(反応性イオンエッチング)法等で除去することができる。
次に、図1(G)に示すように、上記キャップ層8及び上記電流狭窄層101 、102 の表面全体を覆ってp−GaAsよりなる第2導電型のコンタクト層11を形成する。
そして、最後に、図1(H)に示すように、上記コンタクト層11上にp型のオーミック電極12を形成し、反対の半導体基板2上(図面では下方)にn型のオーミック電極13を形成して、半導体レーザ装置20を完成する。
そして、最後に、図1(H)に示すように、上記コンタクト層11上にp型のオーミック電極12を形成し、反対の半導体基板2上(図面では下方)にn型のオーミック電極13を形成して、半導体レーザ装置20を完成する。
このように、本発明方法では、リッジストライプ構造9の上面及び両側面に電流狭窄層101 、102 、103 を形成して、メカノケミカル研磨等の方法でマスク層14上の電流狭窄層103 を除去し、その後このマスク層14を除去して、コンタクト層11を形成するようにしたので、電流狭窄層101 、102 の厚さを自由に選択して形成することができ、その結果、この厚さを十分に厚く、例えば0.3μm以上の厚さに設定することができる。従って、良好な特性を維持しつつ光吸収損失を低減でき、閾値電流や動作電流も低減することができる。
尚、上記マスク層14の材料としてSiO2 を用いたがこれに限定されず、他にSiCやSiN等も用いることができる。また、本実施例では化合物半導体(AlGaAs)中のAlとGaの原子量の比が種々示されているが、ここに示された原子量比に限定されないのは勿論である。また本実施例では、第1導電型としてn型を用い、第2導電型としてp型を用いたが、これらを逆の型とし、第1導電型としてp型を用い、第2導電型としてn型を用いるようにしてもよい。
2…半導体基板、3…クラッド層、4…活性層、5…第1クラッド層、6…エッチングストップ層、7…第2クラッド層、8…キャップ層、9…リッジストライプ構造、101 ,102 ,103 …電流狭窄層、11…コンタクト層、12,13…オーミック電極、14…マスク層、20…半導体レーザ装置。
Claims (1)
- 第1導電型の半導体基板上に、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第1クラッド層と、第2導電型のエッチングストップ層と、第2導電型の第2クラッド層と、第2導電型のキャップ層とを順次形成する工程と、
前記キャップ層上の所定の箇所にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして前記キャップ層と第2クラッド層とをエッチングにより除去することによりリッジストライプ構造を形成する工程と、
前記リッジストライプ構造の上面及び両側面を含んで前記エッチングストップ層上に第1導電型の電流狭窄層を形成する工程と、
前記マスク層上の電流狭窄層を除去すると共に、前記エッチングストップ層上における前記電流狭窄層の厚さを所定の厚さにする工程と、
前記マスク層を除去する工程と、
第2導電型のコンタクト層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
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