JP2005217152A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 IGBTチップの外周部において、フィールド酸化膜13上におけるフィールドプレート14とフィールドプレート15との間に、IGBTセルを囲むように形成された中間電位電極20が設けられる。中間電位電極20には、チップ外周部上の一部の領域に局所的に形成された中間電位印加手段から、エミッタ電極10の電位とチャネルストッパ電極12の電位の間の電位である所定の中間電位が与えられる。
【選択図】図1
Description
図1(a)は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す図であり、縦型のIGBTチップの外周部を示している。同図の左側部分は、電流のスイッチングを行う半導体素子としてのIGBTが形成される領域であり、IGBTのセル部である。この部分の構造は、一般のIGBTと同様である。即ち、n-ドリフト層1の下面側には、n-ドリフト層1より低抵抗のn+バッファ層2を介してp+コレクタ領域3が形成されている。p+コレクタ領域3の下面には、コレクタ電極4が設けられる。そしてn-ドリフト層1の上面側の表面層にはpベース領域5が形成され、さらに、寄生サイリスタのラッチアップを防ぐ目的で、pベース領域5の一部に重複して当該pベース領域5より高濃度で拡散深さの深いp+分離ウェル6が形成されている。pベース領域5の表面層には、n+エミッタ領域7が選択的に形成されている。そして、n+エミッタ領域7とn-ドリフト層1とに挟まれたpベース領域5の表面上に、ゲート酸化膜8を介してポリシリコンからなるゲート電極9が設けられている。チップ上には層間絶縁膜16が形成され、その上にpベース領域5およびn+エミッタ領域7の表面上に共通にコンタクトするように、エミッタ電極10が形成される。この例では、エミッタ電極10はIGBTセルにおいて基板上での最も外側に配設される電極(第2電極)である。以上の構成によりIGBTが形成される。
Vi=VCE×i/N
となる。つまり、中間電位電極20の電位Viは、コレクタ電位VCEのi/Nになる。従って、逆接続ダイオード211から中間電位電極20を引き出す位置を調整することにより、中間電位電極20の電位を任意に設定することができる。
図5は本発明の実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す図である。図1(a)と異なるのは、低圧側のフィールドプレート14にゲート配線19を接続している点である。図示は省略しているが、ゲート配線19はゲート電極9と電気的に接続している。即ち、フィールドプレート14とゲート電極9とが同電位になるようになっている。なお、図5において、図1(a)に示したものと同様の機能を有する要素にはそれと同一符号を付してあるので、ここでのそれらの詳細な説明は省略する。なお、この例では、IGBTセルにおいて基板上での最も外側に配設される電極(第2電極)は、ゲート配線19である。
Vi=(VCE−VGE)×i/N
となる。通常、VGEはVCEに比較して小さいので、
Vi≒VCE×i/N
とできる。つまり、中間電位電極20の電位Viは、コレクタ電位VCEのi/Nになる。従って、逆接続ダイオード221から中間電位電極20を引き出す位置を調整することにより、中間電位電極20の電位を任意に設定することができる。
実施の形態3では、チップ外周部に中間電位電極を複数個設ける。例えば図9(a)は、実施の形態1に係る半導体装置に対し、2つの中間電位電極20a,20bを配設した例である。図9(a)は、中間電位電極が2つあることを除いて図1(a)と同様であるので、同図の詳細な説明は省略する。
実施の形態4では、中間電位印加手段の他の例を示す。図12は、実施の形態4に係る半導体装置を示す図であり、チップ外周部における中間電位印加手段が形成された部分の拡大図である。実施の形態3に係る半導体装置に対し、中間電位印加手段22として逆接続ダイオード221に代えて抵抗素子222を適用している。図12において、図11と同様の機能を有する要素には同一符号を付してある。抵抗素子222は、ポリシリコンで形成されており、チップ外周部の一部の領域に局所的に形成され、ゲート配線19とチャネルストッパ電極12との間に接続している。また、図12のA−A線およびB−B線に沿った断面図をそれぞれ図13、図14に示す。図12、図13、図14から分かるように、実施の形態3との違いは、逆接続ダイオード221が、抵抗素子222に置き換わっている点のみである。
図15は本発明の実施の形態5に係る半導体装置の構成を示す図であり、縦型のIGBTチップの外周部を示している。同図において、図5に示したものと同様の機能を有する要素にはそれと同一符号を付してあるので、ここでのそれらの詳細な説明は省略する。
図25は本発明の実施の形態6に係る半導体装置の構成を示す図であり、縦型のIGBTチップの外周部における逆接続ダイオード31が形成された部分の拡大図を示している。また図25におけるA−A線、B−B線およびC−C線に沿った断面図をそれぞれ図26,図27,図28に示す。これらの図において、図16〜図18に示したものと同様の機能を有する要素にはそれと同一符号を付してある。
実施の形態7では、チップ外周部における逆接続ダイオード下方のガードリングの幅を適切化する。図30は、縦型のIGBTチップの外周部における逆接続ダイオード31が形成された部分の拡大図を示している。3本のガードリング30a,30b,30cが、セル領域を囲むように配設されている。そして、チップ外周部の一部の領域に局所的に、ゲート配線19とチャネルストッパ電極12との間に接続し、逆向きに接続したダイオードが複数個直列に接続して構成される多段の逆接続ダイオード31が設けられている。
実施の形態8では、ガードリングの上方に形成される逆接続ダイオードの構造を適切化する。図33は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す図であり、実施の形態7で示した図30のA−A断面に相当する。図33に示すように、逆接続ダイオード31において、ガードリング30a,30b,30cの上方には、それぞれn型領域33a,33b,33cのみが形成される。言い換えれば、逆接続ダイオード31中のpn接合が、ガードリング30a,30b,30cの上方に位置しないようになっている。
Claims (19)
- 半導体基板に形成された半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた外周構造とを有する半導体装置であって、
前記外周構造は、
当該外周構造の外周部に形成され、前記半導体基板に電気的に接続した第1電極と、
前記半導体素子の形成領域と前記第1電極との間の前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に前記半導体素子を囲むように形成された中間電位電極と、
前記絶縁膜上の一部の領域に局所的に形成され、前記第1電極の電位と前記半導体素子における前記半導体基板上で最も外側に配設された第2電極の電位との間の電位である所定の中間電位を、前記中間電位電極に印加する中間電位印加手段とを備える
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記中間電位印加手段は、
前記第1電極と前記第2電極との間の電圧を分圧して前記中間電位電極に印加する分圧手段である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置であって、
前記分圧手段は、
前記第1電極と前記第2電極との間に接続した多段の逆接続ダイオードを含み、
前記中間電位電極は、前記多段の逆接続ダイオードのうちの1段に接続している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置であって、
前記分圧手段は、
前記第1電極と前記第2電極との間に接続された抵抗素子を含み、
前記中間電位電極は、前記抵抗素子の一部に接続している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記中間電位印加手段は、
前記第1電極を前記第2電極よりも高電位にしたとき、前記中間電位電極に、その真下の前記半導体基板表面の電位よりも低い前記中間電位を印加する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記外周構造は、前記中間電位電極を複数個有し、
前記中間電位印加手段は、
前記第1電極を前記第2電極よりも高電位にしたとき、少なくとも1つの前記中間電位電極に、その真下の前記半導体基板表面の電位よりも低い前記中間電位を印加する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記外周構造は、前記中間電位電極を複数個有し、
前記中間電位印加手段は、
前記第1電極を前記第2電極よりも高電位にしたとき、少なくとも最も前記第2電極側の前記中間電位電極に、その真下の前記半導体基板表面の電位よりも低い前記中間電位を印加する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記外周構造は、前記中間電位電極をN(N≧1)個有し、さらに、前記絶縁膜上に前記第1電極に接続した第1フィールドプレートおよび前記第2電極に接続した第2フィールドプレートを有し、
前記第1フィールドプレートと前記第2フィールドプレートとの間の距離をLとしたとき、最も前記第2電極側の前記中間電位電極と前記第2フィールドプレートとの間の距離は、L/(N−1)よりも小さい
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板に形成された半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた外周構造とを有する半導体装置であって、
前記外周構造は、
当該外周構造の外周部に形成され、前記半導体基板に電気的に接続した第1電極と、
前記半導体素子の形成領域と前記第1電極との間の前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上の一部の領域に局所的に形成され、前記第1電極と前記半導体素子における前記半導体基板上で最も外側に配設された第2電極との間に接続した多段の逆接続ダイオードと、
前記半導体基板に前記半導体素子を囲むように形成されたガードリングと、
前記半導体基板における前記逆接続ダイオードの近傍を含む領域に局所的に形成され、ライン形状を有する、前記ガードリングと同じ導電型の不純物領域とを備える
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項9に記載の半導体装置であって、
前記不純物領域は、前記ガードリングに対して略平行なライン形状を有している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項9または請求項10に記載の半導体装置であって、
前記不純物領域は、前記逆接続ダイオードの下方を横断するライン形状を有している
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板に形成された半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた外周構造とを有する半導体装置であって、
前記外周構造は、
当該外周構造の外周部に形成され、前記半導体基板に電気的に接続した第1電極と、
前記半導体素子の形成領域と前記第1電極との間の前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上の一部の領域に局所的に形成され、前記第1電極と前記半導体素子における前記半導体基板上で最も外側に配設された第2電極との間に接続した多段の逆接続ダイオードと、
前記半導体基板に前記半導体素子を囲むように形成されたガードリングとを備え、
前記多段の逆接続ダイオードにおいて、前記ガードリングが形成されていない領域上方のダイオードは、前記ガードリングが形成された領域上方のダイオードよりも幅が広く、前記幅方向に突出している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項12に記載の半導体装置であって、
前記幅が広いダイオードそれぞれの形状は、平面視で前記ガードリングと略平行なライン形状である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項12または請求項13に記載の半導体装置であって、
前記多段の逆接続ダイオードにおいて、前記幅方向に突出した部分の形状は、平面視でテーパー状である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項12または請求項13に記載の半導体装置であって、
前記多段の逆接続ダイオードにおいて、幅が広い部分の形状は、平面視で扇形である
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板に形成された半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた外周構造とを有する半導体装置であって、
前記外周構造は、
当該外周構造の外周部に形成され、前記半導体基板に電気的に接続した第1電極と、
前記半導体素子の形成領域と前記第1電極との間の前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第1電極と前記半導体素子における前記半導体基板上で最も外側に配設された第2電極との間に接続した多段の逆接続ダイオードと、
前記半導体基板に前記半導体素子を囲むように形成されたガードリングとを備え、
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記多段の逆接続ダイオードの降伏電圧が印加されたとき、前記ガードリングの上方に位置する前記逆接続ダイオードが保持する電圧は60V以下である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項16に記載の半導体装置であって、
前記外周構造は、
前記ガードリングを複数個有し、
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記多段の逆接続ダイオードの降伏電圧が印加されたとき、各々の前記ガードリングの上方に位置する逆接続ダイオードが保持する電圧は全て60V以下である
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板に形成された半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた外周構造とを有する半導体装置であって、
前記外周構造は、
当該外周構造の外周部に形成され、前記半導体基板に電気的に接続した第1電極と、
前記半導体素子の形成領域と前記第1電極との間の前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第1電極と前記半導体素子における前記半導体基板上で最も外側に配設された第2電極との間に接続した多段の逆接続ダイオードと、
前記半導体基板に前記半導体素子を囲むように形成されたガードリングとを備え、
前記多段の逆接続ダイオードにおいて、1つの前記ガードリングの上方には単一の導電型の領域のみが配設されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項18に記載の半導体装置であって、
前記多段の逆接続ダイオードにおいて、前記ガードリングの上方の前記単一の導電型の領域の長さは、前記ガードリングの幅よりも長く、
前記単一の導電型の領域は、前記ガードリング上方から前記第1電極へ向かう方向に突出している
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (8)
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8390069B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2013051287A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Toyota Central R&D Labs Inc | 高電子移動度トランジスタとその製造方法 |
US8476732B2 (en) | 2008-12-10 | 2013-07-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JP2013201451A (ja) * | 2013-06-03 | 2013-10-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
WO2014142331A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2017092360A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6224291B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2017-11-01 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
WO2017203671A1 (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
JP6301551B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-03-28 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100440505C (zh) * | 2006-09-26 | 2008-12-03 | 无锡博创微电子有限公司 | 耗尽型终端保护结构 |
JP5535490B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-07-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置 |
JP5957171B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2016-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5748353B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2015-07-15 | 株式会社豊田中央研究所 | 横型半導体装置 |
CN102263128B (zh) * | 2011-08-12 | 2014-04-09 | 淄博美林电子有限公司 | 一种igbt |
FR2981200B1 (fr) * | 2011-10-10 | 2017-01-13 | Centre Nat De La Rech Scient (Cnrs) | Cellule monolithique de circuit integre et notamment cellule de commutation monolithique |
CN103871878B (zh) * | 2012-12-10 | 2016-05-04 | 北大方正集团有限公司 | 一种在igbt管栅极下方形成厚场氧的方法 |
DE102014005879B4 (de) * | 2014-04-16 | 2021-12-16 | Infineon Technologies Ag | Vertikale Halbleitervorrichtung |
JP6665478B2 (ja) * | 2015-10-14 | 2020-03-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10424635B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-09-24 | Littelfuse, Inc. | High voltage semiconductor device with guard rings and method associated therewith |
JP6828472B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-02-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN107146812B (zh) * | 2017-03-29 | 2019-12-03 | 西安电子科技大学 | 增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02194559A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2001217420A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2002184988A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2003174169A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2003188381A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Denso Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9207860D0 (en) * | 1992-04-09 | 1992-05-27 | Philips Electronics Uk Ltd | A semiconductor component |
JPH07169952A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
TW295701B (ja) * | 1995-05-22 | 1997-01-11 | Zh Handotai Kenkyu Shinkokai | |
JP3331846B2 (ja) | 1995-12-28 | 2002-10-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP3906504B2 (ja) | 1996-11-27 | 2007-04-18 | 株式会社デンソー | 絶縁分離型半導体装置 |
JP3191747B2 (ja) | 1997-11-13 | 2001-07-23 | 富士電機株式会社 | Mos型半導体素子 |
JPH11243200A (ja) | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
DE69938541D1 (de) * | 1999-06-03 | 2008-05-29 | St Microelectronics Srl | Leistungshalbleiteranordnung mit einer Randabschlussstruktur mit einem Spannungsteiler |
US6614088B1 (en) * | 2000-02-18 | 2003-09-02 | James D. Beasom | Breakdown improvement method and sturcture for lateral DMOS device |
JP4357753B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
JP2002270742A (ja) | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Unisia Jecs Corp | 半導体装置 |
EP2259325B1 (en) * | 2002-02-20 | 2013-12-25 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Transistor device |
-
2004
- 2004-01-29 JP JP2004021476A patent/JP4757449B2/ja not_active Expired - Lifetime
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-
2005
- 2005-01-24 KR KR1020050006230A patent/KR100641864B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-08-17 KR KR1020060077634A patent/KR100653324B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02194559A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2001217420A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2002184988A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2003174169A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2003188381A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Denso Corp | 半導体装置 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8853737B2 (en) | 2008-11-13 | 2014-10-07 | Mitsubishi Electric Company | Semiconductor device |
US8390069B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US9276094B2 (en) | 2008-11-13 | 2016-03-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US8476732B2 (en) | 2008-12-10 | 2013-07-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JP2013051287A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Toyota Central R&D Labs Inc | 高電子移動度トランジスタとその製造方法 |
JPWO2014142331A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-02-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2014142331A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9406666B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013201451A (ja) * | 2013-06-03 | 2013-10-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2017092360A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6258561B1 (ja) * | 2016-05-26 | 2018-01-10 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
WO2017203671A1 (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
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WO2018061178A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
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