JP2005210102A5 - - Google Patents

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  1. ガラス基板上に形成された被照射物にパルス発振されたレーザビームを照射するレーザー照射方法であって、
    前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
    前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、
    前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
  2. ガラス基板上に形成された被照射物にパルス発振されたレーザビームを照射するレーザー照射方法であって、
    前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
    前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜４ｎｄ／ｃという式により算出し、
    前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
  3. ガラス基板上に形成された被照射物にパルス発振されたエネルギー揺らぎを有するレーザビームを照射するレーザー照射方法であって、
    前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）、前記エネルギー揺らぎの低減率をＸ（パーセント）とした場合に、
    前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２００ｎｄ／（ｃ（１００−Ｘ））という式により算出し、
    前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することによって、前記エネルギー揺らぎをＸ（パーセント）以下に低減させることを特徴とするレーザ照射方法。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記レーザビームを前記被照射物に対して垂直方向に入射しながら、前記被照射物に前記レーザビームを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記ガラス基板には、ゆがみ又は凹凸が存在することを特徴とするレーザ照射方法。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
    前記真空中の光速であるｃは、３×１０ ８ （メートル／秒）であることを特徴とするレーザ照射方法。
  7. ガラス基板上に形成された半導体膜にパルス発振されたレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
    前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
    前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、
    前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. ガラス基板上に形成された半導体膜にパルス発振されたレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
    前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
    前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜４ｎｄ／ｃという式により算出し、
    前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. ガラス基板上に形成された半導体膜にパルス発振されたレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
    前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）、前記エネルギー揺らぎの低減率をＸ（パーセント）とした場合に、
    前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２００ｎｄ／（ｃ（１００−Ｘ））という式により算出し、
    前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することによって、前記エネルギー揺らぎをＸ（パーセント）以下に低減させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  10. 請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記レーザビームを前記半導体膜に対して垂直方向に入射しながら、前記半導体膜に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  11. 請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記ガラス基板には、ゆがみ又は凹凸が存在することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  12. 請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記真空中の光速であるｃは、３×１０ ８ （メートル／秒）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。




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