JP2008166738A5 - - Google Patents
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- 基板上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記凸部の断面の三角形は、前記凸部の先端に対応する頂角が80°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面に接して半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面に接して半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面に接して半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5乃至7のいずれか1項において、
前記凸部の断面の三角形は、前記凸部の先端に対応する頂角が140°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至11のいずれか1項において、
前記光吸収膜の厚さは、前記レーザビームの波長以下、前記波長の1/3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至11のいずれか1項において、
前記光吸収膜の厚さは、600nm以下100nm以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至13のいずれか1項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが前記レーザビームの波長以下、前記波長の1/3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至13のいずれか1項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが、600nm以下100nm以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至15のいずれか1項において、前記光吸収膜は、金属膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項9乃至16のいずれか1項において、
前記半導体膜上に、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に光吸収膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する反射防止膜を形成し、
前記反射防止膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する反射防止膜を形成し、
前記反射防止膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する反射防止膜を形成し、
前記反射防止膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが50nm以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18乃至20のいずれか1項において、
前記反射防止膜の厚さは、前記レーザビームの波長以下、前記波長の1/3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18乃至20のいずれか1項において、
前記反射防止膜の厚さは、600nm以下100nm以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18乃至22のいずれか1項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが前記レーザビームの波長以下、前記波長の1/3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項18乃至22のいずれか1項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが、600nm以下100nm以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至24のいずれか1項において、
前記レーザビームは、連続発振レーザ、または疑似連続発振レーザから射出されたビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至25のいずれか1項において、前記レーザビームの波長は、400nm以上565nm以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007306733A JP5264017B2 (ja) | 2006-12-04 | 2007-11-28 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006327584 | 2006-12-04 | ||
JP2006327584 | 2006-12-04 | ||
JP2007306733A JP5264017B2 (ja) | 2006-12-04 | 2007-11-28 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166738A JP2008166738A (ja) | 2008-07-17 |
JP2008166738A5 true JP2008166738A5 (ja) | 2010-10-21 |
JP5264017B2 JP5264017B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=39476155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007306733A Expired - Fee Related JP5264017B2 (ja) | 2006-12-04 | 2007-11-28 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8338278B2 (ja) |
JP (1) | JP5264017B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010272612A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
KR102047354B1 (ko) | 2010-02-26 | 2019-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101877377B1 (ko) | 2010-04-23 | 2018-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101708180B1 (ko) | 2010-08-25 | 2017-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
CN102956713B (zh) * | 2012-10-19 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
CN102969250B (zh) * | 2012-11-22 | 2015-08-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Ltps薄膜及薄膜晶体管的制备方法,阵列基板及显示装置 |
US20240064908A1 (en) * | 2022-08-17 | 2024-02-22 | Aptiv Technologies Limited | Systems and methods for shaping flexible circuits to improve routing and attachment |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57145316A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Toshiba Corp | Manufacture of semicondcutor device |
US5753542A (en) * | 1985-08-02 | 1998-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air |
JPS62160712A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
JPS6477112A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH01258413A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH03286520A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
JP3917205B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2007-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3476320B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2003-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法 |
JP3516424B2 (ja) * | 1996-03-10 | 2004-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体装置 |
JP4601731B2 (ja) * | 1997-08-26 | 2010-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体装置を有する電子機器及び半導体装置の作製方法 |
JP2001272505A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Japan Science & Technology Corp | 表面処理方法 |
US6489222B2 (en) * | 2000-06-02 | 2002-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US6746942B2 (en) * | 2000-09-05 | 2004-06-08 | Sony Corporation | Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device |
JP2003168646A (ja) | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6767799B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser beam irradiation method |
JP4197100B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2008-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止物品 |
JP4338988B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2009-10-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3773865B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2006-05-10 | 三洋電機株式会社 | 導光板および表示装置 |
JP2003279705A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 反射防止部材 |
JP3910926B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 表示装置用透明基板の製造方法 |
JP4289018B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2009-07-01 | 日立電線株式会社 | 太陽光発電素子の製造方法 |
JP4289017B2 (ja) | 2003-05-19 | 2009-07-01 | 日立電線株式会社 | 結晶シリコン薄膜の製造方法 |
JP4165305B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 結晶質半導体材料の製造方法および半導体装置の製造方法 |
TWI372463B (en) * | 2003-12-02 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
JP5159021B2 (ja) | 2003-12-02 | 2013-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4552447B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-09-29 | 株式会社日立製作所 | 前面板およびそれを用いた表示装置 |
JP2006171229A (ja) | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無反射構造及び無反射構造を有する光学素子、ならびにその製造方法及びその製造方法に用いるマスク |
KR101299604B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2013-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8278739B2 (en) * | 2006-03-20 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Crystalline semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing thereof |
TWI438823B (zh) * | 2006-08-31 | 2014-05-21 | Semiconductor Energy Lab | 晶體半導體膜的製造方法和半導體裝置 |
US7662703B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing crystalline semiconductor film and semiconductor device |
-
2007
- 2007-11-27 US US11/945,891 patent/US8338278B2/en active Active
- 2007-11-28 JP JP2007306733A patent/JP5264017B2/ja not_active Expired - Fee Related
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