JP2005209311A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005209311A JP2005209311A JP2004016880A JP2004016880A JP2005209311A JP 2005209311 A JP2005209311 A JP 2005209311A JP 2004016880 A JP2004016880 A JP 2004016880A JP 2004016880 A JP2004016880 A JP 2004016880A JP 2005209311 A JP2005209311 A JP 2005209311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- read
- differential amplifier
- memory device
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C2029/1204—Bit line control
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
- G11C2029/5004—Voltage
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】 通常動作時は、第1および第2のビットセル10,20の差分を増幅する差動増幅器30の出力が、読み出しデータとして出力される。検査モードにおいて、第1の制御信号SC1が“H”に設定されたとき、差動増幅器30の出力が“H”に固定され、第1のビットセル10の出力が、ゲート41,43を介して読み出される。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置の構成を示す図、図2は図1における差動増幅器の内部構成を示す回路図である。図1において、10は第1のビットセル、20は第2のビットセルであり、第1および第2のビットセル10,20は互いに逆の論理状態を示すデータを蓄積する。30は第1および第2のビットセル10,20の出力を入力I1,I2とし、その差分を増幅して出力する差動増幅器である。
図3は本発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置の構成を示す図であり、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付している。図3において、複数のMOSトランジスタ51,52,53,54からなる第1の抵抗部50と、複数のMOSトランジスタ61,62,63,64からなる第2の抵抗部60とが、設けられている。第1および第2の抵抗部50,60と負荷トランジスタ14,24とによって、読み出し制御部が構成されている。
GL63=GL64<GL61<GL62
図3の半導体記憶装置の動作について、説明する。
11 PMOSトランジスタ(第1のMOSトランジスタ)
12 NMOSトランジスタ(第2のMOSトランジスタ)
20 第2のビットセル
21 PMOSトランジスタ(第1のMOSトランジスタ)
22 NMOSトランジスタ(第2のMOSトランジスタ)
30 差動増幅器
35 PMOSトランジスタ(出力固定手段)
36 NMOSトランジスタ(増幅器非活性手段)
41 第1の2入力NANDゲート
42 第2の2入力NANDゲート
43 3入力NANDゲート
44 2入力NORゲート
50 第1の抵抗部
51〜54 PMOSトランジスタ
60 第2の抵抗部
61〜64 PMOSトランジスタ
SC1 第1の制御信号
SC2 第2の制御信号
SLC1〜SLC4 負荷切替信号
Claims (9)
- 互いに逆の論理状態を示すデータを蓄積するように構成された第1および第2のビットセルと、
前記第1および第2のビットセルの出力を入力とし、その差分を増幅して出力する差動増幅器と、
通常動作時において、前記差動増幅器の出力を読み出しデータとして出力する一方、第1の制御信号によって前記第1のビットセルの出力の読み出しを指示されたとき、または、第2の制御信号によって前記第2のビットセルの出力の読み出しを指示されたとき、当該ビットセルの出力を、前記差動増幅器の出力に代えて、選択出力する選択手段とを備えた
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記選択手段は、
前記第1のビットセルの出力と、前記第1の制御信号とを入力とする第1の2入力NANDゲートと、
前記第2のビットセルの出力と、前記第2の制御信号とを入力とする第2の2入力NANDゲートと、
前記第1および第2の2入力NANDゲートの出力と、前記差動増幅器の出力とを入力とする3入力NANDゲートと、
前記第1または第2の制御信号によって前記第1または第2のビットセルの出力の読み出しを指示されたとき、前記差動増幅器の出力を固定する出力固定手段とを備えたものである
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記出力固定手段は、
前記差動増幅器の出力線と、電源線またはグランド線との間に設けられたMOSトランジスタを有し、前記MOSトランジスタをオン状態にすることによって、前記差動増幅器の出力を固定する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記第1または第2の制御信号によって前記第1または第2のビットセルの出力の読み出しを指示されたとき、前記差動増幅器を非活性状態に設定する増幅器非活性手段を備えた
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
読み出し動作時に、前記第1および第2のビットセルに対し、データ読み出し用電流を供給する読み出し制御部を備え、
前記読み出し制御部は、前記データ読み出し用電流を供給する際の負荷抵抗が、設定変更可能に構成されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項5において、
前記読み出し制御部は、複数のMOSトランジスタからなる抵抗部を備え、
前記抵抗部は、負荷切替信号に応じて、前記負荷抵抗となるMOSトランジスタの個数を、変更可能に構成されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項5において、
通常動作時において、前記読み出し制御部における負荷抵抗は、設定可能な最大値と最小値との間の値に、設定されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記第1および第2のビットセルは、不揮発性メモリである
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記第1および第2のビットセルは、それぞれ、
ゲートを共通にしたフローティングゲート構造を有する第1および第2のMOSトランジスタを備え、
前記第1のMOSトランジスタは、ソースおよびドレインが、共通に接続され、コントロールゲートとして用いられる
ことを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004016880A JP2005209311A (ja) | 2004-01-26 | 2004-01-26 | 半導体記憶装置 |
US11/038,025 US7050347B2 (en) | 2004-01-26 | 2005-01-21 | Semiconductor memory |
CNB2005100028258A CN100474446C (zh) | 2004-01-26 | 2005-01-25 | 半导体存储器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004016880A JP2005209311A (ja) | 2004-01-26 | 2004-01-26 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005209311A true JP2005209311A (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=34792490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004016880A Pending JP2005209311A (ja) | 2004-01-26 | 2004-01-26 | 半導体記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7050347B2 (ja) |
JP (1) | JP2005209311A (ja) |
CN (1) | CN100474446C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117510A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-05-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2013073640A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体メモリ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4589675B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
TWI632558B (zh) * | 2017-05-01 | 2018-08-11 | 卡比科技有限公司 | 非揮發性記憶體裝置及其操作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02254700A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-10-15 | Intel Corp | 集積回路メモリ |
JPH05159590A (ja) * | 1991-12-09 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH05198189A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-08-06 | Rohm Co Ltd | Prom ic |
JP2001084760A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002175700A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
JP2003162900A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2537264B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1996-09-25 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JPH0817211B2 (ja) | 1989-10-03 | 1996-02-21 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3596808B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2004-12-02 | 沖電気工業株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4314085B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2009-08-12 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2004
- 2004-01-26 JP JP2004016880A patent/JP2005209311A/ja active Pending
-
2005
- 2005-01-21 US US11/038,025 patent/US7050347B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-25 CN CNB2005100028258A patent/CN100474446C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02254700A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-10-15 | Intel Corp | 集積回路メモリ |
JPH05198189A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-08-06 | Rohm Co Ltd | Prom ic |
JPH05159590A (ja) * | 1991-12-09 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2001084760A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002175700A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
JP2003162900A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117510A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-05-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2013073640A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1649030A (zh) | 2005-08-03 |
US20050162954A1 (en) | 2005-07-28 |
US7050347B2 (en) | 2006-05-23 |
CN100474446C (zh) | 2009-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5594694A (en) | Memory circuit with switch for selectively connecting an input/output pad directly to a nonvolatile memory cell | |
US6862227B2 (en) | Semiconductor memory device having the operating voltage of the memory cell controlled | |
US6490199B2 (en) | Sense amplifier circuit for a flash memory device | |
US20070147159A1 (en) | Standby leakage current reduction circuit and semiconductor memory device comprising the standby leakage current reduction circuit | |
US20050174859A1 (en) | Bias voltage applying circuit and semiconductor memory device | |
US7072236B2 (en) | Semiconductor memory device with pre-sense circuits and a differential sense amplifier | |
US6396310B2 (en) | Current sense amplifiers enabling amplification of bit line voltages provided by bit line sense amplifiers | |
KR960003965B1 (ko) | 변화할 수 있는 전원전압하에 데이타를 정확하게 판독할 수 있는 반도체 메모리장치 | |
JPH06139786A (ja) | 電気的消去及び書込み可能rom | |
JPH1056085A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7460409B2 (en) | Electrically writable nonvolatile memory | |
JP3895838B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP3093632B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20050259471A1 (en) | Reference sensing circuit | |
JP2005209311A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6738280B2 (en) | Read only memory | |
KR960000896B1 (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
JP5057744B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP6103815B2 (ja) | 不揮発性メモリ回路、及び半導体装置 | |
JP4885743B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US5617370A (en) | Semiconductor memory device with controllable charging characteristics of column lines | |
CN112562765B (zh) | 电压调节装置及采用其的存储器 | |
JP3889161B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2007234150A (ja) | センスアンプ | |
JP3968152B2 (ja) | 不揮発性メモリセルの読み取り基準信号を生成する方法および回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100914 |