JP2005196209A - フルオロスルホンアミド基を含んだポリマーを含むポジ型フォトレジスト組成物およびその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポジ型フォトレジスト組成物は、放射光感受性酸発生剤とポリマーとを含み、このポリマーは、フルオロスルホンアミド官能基を含むスルホンアミド単量体から誘導された第1の繰返し単位と、酸不安定ペンダント部分を含むことができる第2の繰返し単位とを含むことができる。このポジ型フォトレジスト組成物はさらに、溶媒、クエンチ剤および界面活性剤のうちの少なくとも1つを含むことができる。このポジ型フォトレジスト組成物から作られたパターン形成されたフォトレジスト層を基板上に形成し、このポジ型フォトレジスト層を結像用照射パターンで露光し、ポジ型フォトレジスト層のうち結像用照射パターンで露光された部分を除去して、対応するパターン形成された基板を露出させることができ、半導体デバイス製造のその後の処理に備える。
【選択図】図1
Description
(i)フルオロスルホンアミド官能基を含むポリマーを約1から約30重量%、より好ましくは約5から約15重量%含み、
(ii)光酸発生剤をポリマーの総重量の約0.5から約20重量%、より好ましくは約0.5から約10重量%含み、
(iii)溶媒を一般に組成物の約70から約99重量%、より好ましくはを約85から約95重量%含む。
2−トリフルオロメタンスルホニルアミノエチルメタクリラート(I)1.57g(0.006モル)、2−メチル−2−アダマンチルメタクリラート(VIII)4.21g(0.018モル)、5−メタクリロイルオキシ(methacryloyloxy)−2,6−ノルボルナンカルボラクトン(norbornanecarbolactone)(XVI)3.55g(0.016モル)およびドデカンチオール(dodecanethiol)0.081g(0.0004モル)を2−ブタノン28gに溶解した溶液に、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)0.2g(0.0012モル)を加えた。乾燥したN2ガスを溶液中で0.5時間バブリングすることによってこの溶液を脱酸素し、次いでその溶液を12時間還流(reflux)させた。この溶液の反応混合物を室温まで冷却し、ヘキサン400ml中で激しく撹拌しながら沈殿させた。得られた白色の固体をろ過によって集め、数部の(severalportions)ヘキサンで洗浄し、60℃で20時間真空乾燥した。
リソグラフィ評価実験のため、ポリ(I−co−VIII−co−XVI)(実施例1)を含むフォトレジスト製剤を、下記の重量部で表された材料を混合することによって調製した。
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート 90
ポリ(I−co−VIII−co−XVI) 9.50
4−(1−ブトキシナフチル)テトラヒドロチオフェニウムペルフルオロオクタンスルホナート 0.475
2−フェニルベンゾイミダゾール 0.025
Claims (22)
- 放射光感受性酸発生剤と、
ポリマーと
を含み、前記ポリマーが、
以下の2つの構造のうちの1つを含むフルオロスルホンアミド単量体から誘導された第1の繰返し単位を含み、
前記ポリマーがさらに、
酸不安定ペンダント部分を含む第2の繰返し単位を含む
ポジ型フォトレジスト組成物。 - 前記酸不安定ペンダント部分を含む前記第2の繰返し単位が、第三炭酸アルキル、第三アルキルエステル、第三アルキルエーテル、アセタールおよびケタールのうちの1つを含む、請求項1に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記放射光感受性酸発生剤が、オニウム塩、スクシンイミド誘導体、ジアゾ化合物およびニトロベンジル化合物のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記放射光感受性酸発生剤が、4−(1−ブトキシナフチル)テトラヒドロチオフェニウムペルフルオロブタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホナート、t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホナート、4−(1−ブトキシナフチル)テトラヒドロチオフェニウムペルフルオロオクタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホナート、t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホナート、ジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウムペルフルオロブタンスルホナート、ジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウムペルフルオロヘキサンスルホナート、ジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウムペルフルオロエチルシクロヘキサンスルホナート、ジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンフォスルホナートおよびペルフルオロブチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミドのうちの少なくとも1つを含む、請求項7に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 溶媒、クエンチ剤および界面活性剤のうちの少なくとも1つをさらに含む、請求項1に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記溶媒が、エーテル、グリコールエーテル、芳香族炭化水素、ケトンおよびエステルのうちの少なくとも1つを含む、請求項9に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記溶媒が、プロピレングリコール、酢酸モノメチルエーテル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトンおよびシクロヘキサノンのうちの少なくとも1つを含む、請求項9に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記クエンチ剤が、芳香族アミン、脂肪族アミンおよびt−アルキルアンモニウムヒドロキシドのうちの少なくとも1つを含む、請求項9に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記界面活性剤が、フッ素を含む界面活性剤およびシロキサンを含む界面活性剤のうちの少なくとも1つを含む、請求項9に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記ポリマーを約1から約30重量%含み、
前記酸発生剤を前記ポリマーの総重量の約0.5から約20重量%含み、
前記溶媒を約70から約99重量%含む、
請求項9に記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - 前記ポリマーを約5から約15重量%含み、
前記酸発生剤を前記ポリマーの総重量の約0.5から約10重量%含み、
前記溶媒を約85から約95重量%含む、
請求項14に記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - さらに、
前記クエンチ剤を前記ポリマーの総重量の約0.1から約1.0重量%、
前記界面活性剤を前記ポリマーの総重量の約0.001から約0.1重量%
含む、請求項14に記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - 対応してパターン形成される基板の次の処理に備えて、パターン形成されたフォトレジスト層を基板上に形成する方法であって、
a)放射光感受性酸発生剤とポリマーとを含むポジ型フォトレジスト組成物を前記基板上に堆積させてポジ型フォトレジスト層を形成するステップであって、
前記ポリマーが、
以下の2つの構造のうちの1つを含むフルオロスルホンアミド単量体から誘導された第1の繰返し単位を含み、
前記ポリマーがさらに、
酸不安定ペンダント部分を含む第2の繰返し単位を含む、ステップと、
b)前記ポジ型フォトレジスト層を結像用照射パターンで露光するステップと、
c)前記結像用照射パターンで露光された前記ポジ型フォトレジスト層の一部分を除去するステップにより、前記結像用照射パターンに一致した前記基板のパターンを露出させるステップと、
d)前記基板の前記パターンを続いて処理するステップと
を含む方法。 - 前記ポジ型フォトレジスト層の一部分を除去する前記ステップが、前記ポジ型フォトレジスト層を水性塩基現像液と接触させることによって実施される、請求項17に記載の方法。
- 前記基板の前記パターンを続いて処理する前記ステップが、前記基板の前記パターンをエッチングするステップと前記基板の前記パターンにイオンを注入するステップのうちの1つを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記基板が、誘電体、半導体、導体およびセラミックのうちの1つを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記結像用照射が193nmの露光波長である、請求項17に記載の方法。
- 前記結像用照射が157mmの露光波長である、請求項17に記載の方法。
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