JP2005195551A - シリコン中の不純物の分析方法 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
【解決手段】硝酸及びフッ酸の水溶液中で冶金級シリコン等のシリコンよりなる試料を溶解してシリコン溶解液を得る溶解工程、上記溶解工程によって得られたシリコン溶解液を濃縮して硝酸が除去された濃縮液を得る濃縮工程、上記濃縮工程より得られた濃縮液を塩酸水溶液に溶解する再溶解工程、及び、再溶解工程より得られる再溶解液を誘導結合プラズマ発光分析により分析することにより該再溶解液に含有されている不純物を定量する定量工程より成る。
【選択図】 なし
Description
本発明において、溶解工程は、硝酸及びフッ酸の水溶液中でシリコンよりなる試料を溶解してシリコン溶解液を得る工程である。
本発明において、濃縮工程は、上記溶解工程によって得られたシリコン溶解液を濃縮して硝酸が除去された濃縮液を得る工程である。
本発明において、再溶解工程は、上記濃縮工程より得られた、硝酸を除去された濃縮液を塩酸水溶液に溶解する工程である。
本発明において、定量工程は、上記再溶解工程より得られる再溶解液をICPにより分析することにより該再溶解液に含有されている不純物を定量する工程である。
50mlのテフロン(登録商標)製ビーカーに冶金級シリコン試料を0.5g〜1.0g精秤した。その中に7N−HNO330mlを加えた。さらに、HF(50重量%)を徐々に加えて試料を分解した。それをホットプレート上に乗せ、温度140℃で2時間加熱させた後、ホットプレート温度160℃で1時間、さらにホットプレート温度140℃に調整し、残液が少量になるまで加熱した。その中に、回収試薬として、HCl(35重量%)を2ml添加し、さらに純水5mlを加え、ホットプレート温度140℃で5分間加熱した。ビーカーをホットプレートから降ろし、常温まで冷ました。ビーカー内の試料液をポリエチレン製漏斗とろ紙を用いて、ポリエチレン製100mlメスフラスコにろ過し、さらに純水にて、100mlまでメスアップした。
50mlのテフロン(登録商標)製ビーカーに冶金級シリコン試料を0.5g〜1.0g精秤した。その中に7N−HNO35mlを加えた。これを冷水中に浸け、さらに、HF(50重量%)を徐々に加えて試料を分解した。それをウォーターバス中にて温度60℃で2〜3時間加熱させた後、ビーカーをウォーターバスから降ろし、常温まで冷ました。ビーカー内の試料液をポリエチレン製漏斗とろ紙を用いて、ポリエチレン製50mlメスフラスコにろ過し、さらに純水にて、50mlまでメスアップした。
Claims (4)
- 硝酸及びフッ酸の水溶液中でシリコンよりなる試料を溶解してシリコン溶解液を得る溶解工程、上記溶解工程によって得られたシリコン溶解液を濃縮して硝酸が除去された濃縮液を得る濃縮工程、上記濃縮工程より得られた濃縮液を塩酸水溶液に溶解する再溶解工程、及び、再溶解工程より得られる再溶解液を誘導結合プラズマ発光分析により分析することにより該再溶解液に含有されている不純物を定量する定量工程より成ることを特徴とするシリコン中の不純物の分析方法。
- シリコンの溶解を40℃以下の温度において行なう請求項1記載の分析方法。
- 濃縮工程において、シリコン溶解液の濃縮を100〜160℃の温度に加熱して行なう請求項1又は2に記載の分析方法。
- シリコンが、冶金級シリコンである請求項1〜3の何れか一項に記載の分析方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004004529A JP4200107B2 (ja) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | シリコン中の不純物の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004004529A JP4200107B2 (ja) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | シリコン中の不純物の分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005195551A true JP2005195551A (ja) | 2005-07-21 |
JP4200107B2 JP4200107B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=34819124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004004529A Expired - Lifetime JP4200107B2 (ja) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | シリコン中の不純物の分析方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4200107B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007256043A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | ケイ素化合物含有試料中の不純物分析用試料液の調製方法 |
JP2010271197A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Sumco Corp | シリコン粉の金属不純物の分析方法 |
JP2016199448A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン塊および多結晶シリコン塊の評価方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102590183B (zh) * | 2012-03-06 | 2014-01-08 | 浙江出入境检验检疫局检验检疫技术中心 | 微波消解-icp-aes法定量筛选橡胶和塑料制品中高关注物质的检测方法 |
CN103728289A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-16 | 金川集团股份有限公司 | 一种粗铜中金银的快速测定方法 |
-
2004
- 2004-01-09 JP JP2004004529A patent/JP4200107B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP2007256043A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | ケイ素化合物含有試料中の不純物分析用試料液の調製方法 |
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JP2016199448A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン塊および多結晶シリコン塊の評価方法 |
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---|---|
JP4200107B2 (ja) | 2008-12-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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