JP2005191487A - 半導体装置およびその製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ゲート電極がトレンチの上部の角部に接触していない構造を有する半導体装置。
【選択図】 図1
Description
本発明は、トレンチ構造におけるゲート絶縁膜の絶縁耐圧低下の原因の一つである電界集中をなくすものである。つまり、トレンチ上部の角部にゲート電極接続用の配線2と半導体基板1との間で電界集中を起こさない構造である。
(2) 前記トレンチ内部において、前記トレンチ上部とトレンチ底部との間に表面が位置するように堆積されたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けた絶縁体を有し、前記絶縁体にコンタクトホールを設け、前記コンタクトホール部に電極膜を堆積することにより、前記電極膜と前記ゲート電極をコンタクトさせ前記ゲート電極をトレンチ外部に引き出す構造を有する半導体装置とした。
(3) ゲート酸化膜を付けた前記トレンチ内に前記ゲート電極を堆積させ、前記トレンチ上部と前記トレンチ底部との間に前記ゲート電極表面が位置するように前記ゲート電極を全体的にエッチバックする工程と、前記ゲート電極上部に堆積させた絶縁膜に前記コンタクトホールを設ける工程と、前記コンタクトホール部に電極膜を堆積する工程を有する半導体装置とした。
更に、その表面に、第2の絶縁膜8が形成されている。そして、第2の絶縁膜8には、ゲート電極7と配線2との接続を行なう為のコンタクトホール11が形成されている。コンタクトホール11は、ゲート電極7の表面中央部のみが露出するように設けられている。つまり、トレンチ10の上部の角部5が露出しないように設けられるものである。その上に、配線2が形成される。
そして、終端のトレンチ上部の第2の絶縁膜8にコンタクトホール11を空け、図2cに示すような構造にする。このコンタクトホール11は、トレンチ10の壁に接触しないように設ける。
その後、図2dに示すように半導体基板表面全体に電極膜2を堆積させ、不必要な部分をエッチングし図1に示す構造を作成する。
2 ゲート電極
3 絶縁体
4 ゲート電極
5 トレンチ上部の角部
6 トレンチ底部の底角部
7 終端トレンチ内のゲート電極
8 第2の絶縁膜
Claims (3)
- トレンチ内の第1の絶縁膜を介して形成されたゲート電極をトレンチ外に配線を用いて引き出す時に、前記配線がトレンチ上部の角部に接触していないように、前記トレンチ上に形成された第2の絶縁膜と、前記載2のコンタクトホールを介して前記ゲート電極と前記配線とを接続した構造を有する半導体装置。
- 前記ゲート電極は、前記トレンチ内部において、前記トレンチの上部と前記トレンチの底部との間に表面が位置するように堆積されており、
前記第2の絶縁膜は、前記ゲート電極上に設けられ、
前記第2の絶縁体にコンタクトホールを設けられ、
前記コンタクトホール部に前記配線を堆積され、
前記配線と前記ゲート電極をコンタクトさせ前記ゲート電極をトレンチ外部に引き出す構造を有する請求項1記載の半導体装置。 - ゲート酸化膜を付けた前記トレンチ内に前記ゲート電極を堆積させ、前記トレンチ上部と前記トレンチ底部との間に前記ゲート電極表面が位置するように前記ゲート電極を全体的にエッチバックする工程と、前記ゲート電極上部に堆積させた絶縁膜に前記コンタクトホールを設ける工程と、前記コンタクトホール部に電極膜を堆積する工程を有する半導体装置の製造法。
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