JP2005190758A - 電子源 - Google Patents
電子源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005190758A JP2005190758A JP2003428783A JP2003428783A JP2005190758A JP 2005190758 A JP2005190758 A JP 2005190758A JP 2003428783 A JP2003428783 A JP 2003428783A JP 2003428783 A JP2003428783 A JP 2003428783A JP 2005190758 A JP2005190758 A JP 2005190758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron emission
- cathode
- electron
- source
- emission source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
【課題】輝度が高く、輝度変化の小さい電子放射陰極を提供する。
【解決手段】当該電子放射源の表面の電子放射部以外が炭素で被覆された、六ほう化セリウムからなることを特徴とする電子放射源と、それを用いた電子放射陰極。また、六ほう化セリウムの単結晶体の発熱体と接する部分を除く表面の全体に、熱分解黒鉛を被覆し、次いで前記黒鉛の前記電子源として用いる部分を削除することを特徴とする電子放射源の製造方法であり、好ましくは、六ほう化セリウムの単結晶体を、熱分解黒鉛を被覆する前に、予め電子放射陰極の電子放射源形状に加工している前記の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】当該電子放射源の表面の電子放射部以外が炭素で被覆された、六ほう化セリウムからなることを特徴とする電子放射源と、それを用いた電子放射陰極。また、六ほう化セリウムの単結晶体の発熱体と接する部分を除く表面の全体に、熱分解黒鉛を被覆し、次いで前記黒鉛の前記電子源として用いる部分を削除することを特徴とする電子放射源の製造方法であり、好ましくは、六ほう化セリウムの単結晶体を、熱分解黒鉛を被覆する前に、予め電子放射陰極の電子放射源形状に加工している前記の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、余剰電流が少なく輝度が高く、且つ寿命の長い電子放射陰極と、それに用いる電子放射源とその製造方法に関する。
六ほう化ランタンはタングステンよりも仕事関数が低く熱陰極として好適で、広く工業的に利用されている。
図1に六ほう化ランタンからなる電子放射陰極の構造を示す。六ほう化ランタンからなる陰極チップ1は黒鉛質のヒーター・ブロック2に把持され、金属製支柱3により把持固定されている。さらに、支柱3はアルミナからなるベース4にロウ付けなどにより固定され、端部は電流導入端子5なる。2つの電流導入端子5を介して通電することにより、ヒーター・ブロック2がジュール発熱してチップ1が加熱される。(図1参照)
陰極チップ1は図2に示すように円錐形状をしており、そのチップ端部7は球面状あるいは平面状に加工されている。(図2参照)
通常、陰極チップ1と陽極6の間には制御電極8が配置される。陰極チップ1には陽極6に対して負の高電圧が印加され、更に制御電極8には陰極に対して負の電圧が印加される。このようにして、陰極チップ1から陽極6に向かい電子が放射され、また、制御電極8に印加する電圧により全放射電流を制御することが出来る。(図3参照)このような電子放射陰極を以下に六ほう化ランタン電子放射陰極と記す。
一方、陰極チップ1の電子放射部9以外を熱分解炭素(以下PGと略す)で被覆したPG被覆六ほう化ランタン電子放射陰極が提案されている。(図4参照)
このようなPG被覆六ほう化ランタン電子放射陰極は、従来の六ほう化ランタン電子放射陰極に比べて(1)輝度が高く、加えて(2)六ほう化ランタンの蒸発量が抑えられ制御電極の内面への汚染が低減される。(3)円錐面からの電子放射が抑制されるため真円形状のビームが得られやすい。といった長所があることが非特許文献1に述べられている。
Electron Optical Systems(pp.163−170)SEM Inc.,AMF O’Hare(Chicago),IL 60666−0507,U.S.A.
Electron Optical Systems(pp.163−170)SEM Inc.,AMF O’Hare(Chicago),IL 60666−0507,U.S.A.
更に、陰極チップと陽極の間に制御電極を配置しないPG被覆六ほう化ランタン電子放射陰極の使用方法が提案されている。また、この陰極は六ほう化ランタン電子放射陰極に比べて輝度が1桁高いことが記されている。(非特許文献2参照)
J.Vac.Sci.Technol.B9(6),1991(pp.2929−2933)
J.Vac.Sci.Technol.B9(6),1991(pp.2929−2933)
更に、六ほう化ランタンとほぼ同じ電子放射特性を有する材料として六ほう化セリウムが知られている。六ほう化セリウムは六ほう化ランタンに比べて蒸発速度が小さいことが知られている。(非特許文献3参照)
Proceeding of the 49th Annual Meeting of the Electron Microscopy of America,1991,pp346−347.
Proceeding of the 49th Annual Meeting of the Electron Microscopy of America,1991,pp346−347.
六ほう化ランタンは真空中で加熱されると蒸発により消耗する。また、この消耗は真空中の残留酸素や水により酸化して消耗が促進される。一方、PGは真空中で極めて安定であり、その消耗量は六ほう化ランタンに比べて無視しうる。従ってPG被覆六ほう化ランタン電子放射陰極は使用とともに電子放射部9が蒸発消耗してPG被覆部10に対して後退する。(図4参照)このためPG被覆部10により電位的に電子放射部が遮蔽され、輝度低下を招くことが非特許文献1に述べられている。実用上、このような輝度低下は電子放射源の寿命を支配する大きな要因となる。
本発明は蒸発消耗による輝度低下を低減したPG被覆電子放射源である。本発明者は、陰極チップ、即ち電子放射陰極の電子放射源、の構成材料を六ほう化ランタンから六ほう化セリウムを替えることのみで、それを用いた電子放射陰極が、蒸発消耗を低減でき、その結果輝度低下が極めて抑制することができるという知見を得て、本発明に至ったものである。
即ち、本発明は、当該電子放射源の表面の電子放射部以外が炭素で被覆された、六ほう化セリウムからなることを特徴とする電子放射源であり、好ましくは、当該電子放射源の表面の電子放射部と発熱体と接する部分以外が、炭素で被覆された、六ほう化セリウムからなることを特徴とする電子放射源であり、前記の電子放射源を用いてなることを特徴とする電子放射陰極である。
また、本発明は、六ほう化セリウムの単結晶体の発熱体と接する部分を除く表面の全体に、熱分解黒鉛を被覆し、次いで前記黒鉛の前記電子源として用いる部分を削除することを特徴とする電子放射源の製造方法であり、好ましくは、六ほう化セリウムの単結晶体を、熱分解黒鉛を被覆する前に、予め電子放射陰極の電子放射源形状に加工していることを特徴とする前記の電子放射源の製造方法である。
本発明の電子放射源は、前記の構成要件を採用しているので、それを用いた電子放射陰極は、動作温度が1700K、真空度が1×10−6Paのとき、従来公知の六ほう化ランタンを用いたPG被覆電子放射源に比べて、軸状電流の低下が動作時間に換算して約1/10となり、輝度変化が小さいという特徴を有している。
以下、電子顕微鏡、電子線露光機、測長SEM等に用いられる電子放射陰極を例に本発明を説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
まず、本発明は、当該電子放射源の表面の電子放射部以外が炭素で被覆された、六ほう化セリウムからなることを特徴とする電子放射源である。本発明において、六ほう化セリウムは単結晶であることが望ましく、特に、電子放射源として(100)面が用いられることが、高輝度で安定した電子線が得やすいことから望ましい。
本発明に於いて、六ほう化セリウムの電子放射部分以外の表面を被覆する炭素としては、例えばコロイダル黒鉛などのように微細な炭素や黒鉛の粉末であっても良いが、後述する方法で得られる熱分解黒鉛を形成させることが、緻密な炭素層が得られることから好ましい。
本発明に於いて、当該電子放射源の表面の電子放射部に加えて、発熱体と接する部分が炭素で被覆されていないことが許容される。然るに、この部分は、電子放射陰極に於いて発熱体と常に接する状況にあるので電子放射特性に影響を及ぼすことは無いが、当該電子放射源を作製する際には、この部分を当該放射源の加工時に保持する場所として用いることができるという長所が得られる。
本発明は、前記の電子放射源を用いてなることを特徴とする電子放射陰極である。本発明の電子放射陰極は、従来公知の技術に基づき、前記電子放射源を用いることのみで得ることができる。そして、前記構成の電子放射源を用いているので、動作温度が1700K、真空度が1×10−6Paのとき、従来公知の六ほう化ランタンを用いたPG被覆電子放射源に比べて、軸状電流の低下が動作時間に換算して約1/10となり、輝度変化が小さいという特徴を有している。
また、本発明は、六ほう化セリウムの単結晶体の発熱体と接する部分を除く表面の全体に、熱分解黒鉛を被覆し、次いで前記黒鉛の前記電子源として用いる部分を削除することを特徴とする電子放射源の製造方法である。前述の通りに、発熱体と接する部分を利用して六ほう化セリウムを保持し、真空中で当該六ほう化セリウムを加熱しながらプロパン等の有機ガスを供給することで、六ほう化セリウムの単結晶体の発熱体と接する部分を除く表面の全体に、熱分解黒鉛を被覆する。そして、当該熱分解黒鉛の層の、当該六ほう化セリウムの電子放射部分となるところを、機械加工法等により削除すれば良い。このような手順を得て、前記の特徴ある電子放射源を、そしてそれを用いた電子放射陰極を容易に、確実に得ることができる。
また、本発明に於いて、六ほう化セリウムの単結晶体を、熱分解黒鉛を被覆する前に、予め電子放射陰極の電子放射源形状に加工していることが好ましい。通常は、電子源の先鋭部分が電子放射部分となるので、前記の手順に従うことで、前記先鋭部分の極狭められた領域を除いて炭素被覆した電子源が得ることができ、本発明の効果が一層得やすくなる。
六ほう化セリウムからなる直方体の長手方向端部に機械研磨により円錐部を設けて陰極チップ1を形成した。
陰極チップ1を市販のPG板から切り出したヒーター・ブロック2により挟み、更にベース4に固定した2本の金属支柱3により把持した。
前記の構造体を真空容器に配置して、排気して、電流導入端子5から電流を流して通電加熱した。陰極チップ1の温度を放射温度計で測定しながら1800Kになるように電流を調整した。次に真空容器中にプロパンガスを導入して圧力を100Paに維持するよう流量を調整した。プロパンガスの導入とともにPGがヒーターと陰極チップ1上に析出した。このときヒーター・ブロック2上にもPGが析出するためヒーター・ブロック2の抵抗値が下がるので、温度低下を避けるために、放射温度計で温度を測定しながら電流を調整した。5分間PGの析出を行った後、真空装置から取り出し陰極チップ1を構体から取り外し、円錐部頂点を機械研磨により研磨して電子放射部9を形成した。
再度、陰極チップ1を新しいヒーター・ブロック2で把持して電子放射陰極とした。
前記の電子放射陰極を市販のSEM(走査型電子顕微鏡)にとりつけた。なお、制御電極は使用しなかった。陰極チップの温度が1800Kとなるように通電加熱電流を調整して試料電流が10nAとなるようにコンデンサーレンズと対物レンズの励磁を調整した。その後、試料電流の経時変化を測定して試料電流が15%減衰する時間t15%を測定し、結果を表1にまとめた。なお、動作中の真空度は約1×10−6Paであった。また、前記と同じ方法で六ほう化ランタンからなる電子放射陰極を作成し比較の例とした。
本発明になる、六ほう化セリウムからなるPG被覆電子放射源を用いた電子放射陰極は、六ほう化ランタンからなるそれよりも約3倍の動作時間であり、輝度変化が小さいことが実証されている。
本発明の電子放射源、そしてそれを用いた電子放射陰極は、輝度が高くその経時変化が小さいことから半導体検査装置や電子線露光装置用の電子源として好適である。
1 陰極チップ(電子放射源)
2 ヒーターブロック
3 支柱
4 ベース(碍子)
5 電流導入端子
6 陽極
7 チップ端部
8 制御電極
9 電子放射部
9’ 消耗により後退した電子放射部
10 PG被覆部
2 ヒーターブロック
3 支柱
4 ベース(碍子)
5 電流導入端子
6 陽極
7 チップ端部
8 制御電極
9 電子放射部
9’ 消耗により後退した電子放射部
10 PG被覆部
Claims (5)
- 当該電子放射源の表面の電子放射部以外が炭素で被覆された、六ほう化セリウムからなることを特徴とする電子放射源。
- 当該電子放射源の表面の電子放射部と発熱体と接する部分以外が、炭素で被覆された、六ほう化セリウムからなることを特徴とする電子放射源。
- 請求項1又は請求項2記載の電子放射源を用いてなることを特徴とする電子放射陰極。
- 六ほう化セリウムの単結晶体の発熱体と接する部分を除く表面の全体に、熱分解黒鉛を被覆し、次いで前記黒鉛の前記電子源として用いる部分を削除することを特徴とする電子放射源の製造方法。
- 六ほう化セリウムの単結晶体を、熱分解黒鉛を被覆する前に、予め電子放射陰極の電子放射源形状に加工していることを特徴とする請求項4記載の電子放射源の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428783A JP2005190758A (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | 電子源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428783A JP2005190758A (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | 電子源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005190758A true JP2005190758A (ja) | 2005-07-14 |
Family
ID=34787644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003428783A Pending JP2005190758A (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | 電子源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005190758A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007055154A1 (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-18 | Advantest Corporation | 電子銃、電子ビーム露光装置及び露光方法 |
WO2008001805A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique |
JP2008166265A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子放出源 |
WO2008102435A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Advantest Corporation | 電子銃、電子ビーム露光装置及び露光方法 |
WO2008120412A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Advantest Corporation | 電子銃及び電子ビーム露光装置 |
JPWO2008120412A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-15 | 株式会社アドバンテスト | 電子銃及び電子ビーム露光装置 |
JP2012069364A (ja) * | 2010-09-23 | 2012-04-05 | Nuflare Technology Inc | 電子銃および電子銃を用いた電子ビーム描画装置 |
CN103337434A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-02 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 电子发生器、其制作方法和其测试装置 |
JP2014075336A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Nuflare Technology Inc | 熱陰極、電子放射装置、及び熱陰極の製造方法 |
CN109478484A (zh) * | 2016-07-19 | 2019-03-15 | 电化株式会社 | 电子源及其制造方法 |
JP2019164920A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社Param | 電子銃 |
GB202102555D0 (en) | 2021-02-23 | 2021-04-07 | Twi Ltd | An electron gun cathode mount |
-
2003
- 2003-12-25 JP JP2003428783A patent/JP2005190758A/ja active Pending
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007055154A1 (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-18 | Advantest Corporation | 電子銃、電子ビーム露光装置及び露光方法 |
US7919750B2 (en) | 2005-11-08 | 2011-04-05 | Advantest Corporation | Electron gun, electron beam exposure apparatus, and exposure method |
JPWO2007055154A1 (ja) * | 2005-11-08 | 2009-04-30 | 株式会社アドバンテスト | 電子銃、電子ビーム露光装置及び露光方法 |
JP5065903B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-11-07 | 株式会社アドバンテスト | 露光方法 |
JPWO2008001805A1 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-11-26 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド電子放射陰極、電子源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
EP2034504A1 (en) * | 2006-06-28 | 2009-03-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron radiation cathode, electron source, electron microscope, and electron beam exposer |
US7898161B2 (en) | 2006-06-28 | 2011-03-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron radiation cathode, electron source, electron microscope, and electron beam exposer |
WO2008001805A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique |
EP2034504A4 (en) * | 2006-06-28 | 2010-08-18 | Sumitomo Electric Industries | DIAMOND ELECTRON RADIATION CATHODE, ELECTRON SOURCE, ELECTRON MICROSCOPE AND ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE |
JP2008166265A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子放出源 |
WO2008102435A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Advantest Corporation | 電子銃、電子ビーム露光装置及び露光方法 |
JP4685115B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2011-05-18 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光方法 |
JPWO2008102435A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2010-05-27 | 株式会社アドバンテスト | 電子銃、電子ビーム露光装置及び露光方法 |
US8330344B2 (en) | 2007-03-29 | 2012-12-11 | Advantest Corp. | Electron gun minimizing sublimation of electron source and electron beam exposure apparatus using the same |
JPWO2008120412A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-15 | 株式会社アドバンテスト | 電子銃及び電子ビーム露光装置 |
WO2008120341A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Advantest Corporation | 電子銃及び電子ビーム露光装置 |
WO2008120412A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Advantest Corporation | 電子銃及び電子ビーム露光装置 |
WO2009069335A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 電子放出源及び電子放出源の製造方法 |
US8456076B2 (en) | 2007-11-30 | 2013-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electron emitting source and manufacturing method of electron emitting source |
JP2012069364A (ja) * | 2010-09-23 | 2012-04-05 | Nuflare Technology Inc | 電子銃および電子銃を用いた電子ビーム描画装置 |
CN103337434A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-02 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 电子发生器、其制作方法和其测试装置 |
CN103337434B (zh) * | 2012-04-23 | 2016-04-13 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 电子发生器、其制作方法和其测试装置 |
JP2014075336A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Nuflare Technology Inc | 熱陰極、電子放射装置、及び熱陰極の製造方法 |
DE102013211807B4 (de) | 2012-10-04 | 2022-08-11 | Nuflare Technology, Inc. | Glühkathode mit langer Lebensdauer und grosser Helligkeit und Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR20190030703A (ko) | 2016-07-19 | 2019-03-22 | 덴카 주식회사 | 전자원 및 그 제조 방법 |
EP3489986A4 (en) * | 2016-07-19 | 2019-12-18 | Denka Company Limited | ELECTRON SOURCE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
US10553390B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-02-04 | Denka Company Limited | Electron source and production method therefor |
US10957511B2 (en) | 2016-07-19 | 2021-03-23 | Denka Company Limited | Electron source and production method therefor |
US11152185B2 (en) | 2016-07-19 | 2021-10-19 | Denka Company Limited | Electron source and production method therefor |
CN109478484B (zh) * | 2016-07-19 | 2022-05-06 | 电化株式会社 | 电子源及其制造方法 |
CN109478484A (zh) * | 2016-07-19 | 2019-03-15 | 电化株式会社 | 电子源及其制造方法 |
EP4156226A2 (en) | 2016-07-19 | 2023-03-29 | Denka Company Limited | Electron source and production method therefor |
EP4156226A3 (en) * | 2016-07-19 | 2023-06-14 | Denka Company Limited | Electron source and production method therefor |
JP2019164920A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社Param | 電子銃 |
GB202102555D0 (en) | 2021-02-23 | 2021-04-07 | Twi Ltd | An electron gun cathode mount |
WO2022180381A1 (en) | 2021-02-23 | 2022-09-01 | Twi Limited | An electron gun cathode mount |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4971342B2 (ja) | 電子源 | |
JP2005190758A (ja) | 電子源 | |
JP5595199B2 (ja) | 電子銃および電子銃を用いた電子ビーム描画装置 | |
JP5919049B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
EP1308979A1 (en) | Electron gun and a method for using the same | |
JP4792404B2 (ja) | 電子源の製造方法 | |
EP2061064A1 (en) | Electron source | |
EP2242084B1 (en) | Method of manufacturing an electron source | |
JP2009205800A (ja) | 電子源 | |
WO2021079855A1 (ja) | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 | |
JP2018113250A (ja) | カソード形成方法 | |
JP2008004411A (ja) | 電子源 | |
EP1596418B1 (en) | Electron gun | |
JP4368501B2 (ja) | 電子放射陰極の使用方法 | |
US9251990B2 (en) | Method for producing a thermoelectron emission source and method for producing a cathode | |
JP4874758B2 (ja) | 電子源 | |
JP2003007195A (ja) | 電子放射陰極及びその製造方法 | |
JP2005285550A (ja) | 電子源の製造方法 | |
JP4867643B2 (ja) | ショットキーエミッタの製造方法 | |
JP2006032195A (ja) | 電子放射源 | |
JP4247247B2 (ja) | 電子源の製造方法 | |
JP2010238384A (ja) | 電子源及びその用途 | |
JP2010238670A (ja) | 電子放射陰極の製造方法 | |
JP2001319559A (ja) | 電子放射陰極 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080708 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080905 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090401 |