JP2005189137A - パターン計測方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SEM画像信号において特徴のある点を計測値の候補として算出し、算出された計測値候補をSEM画像上に重ねて表示し、表示された候補の中から操作者が最適なものを選択することにより、最適な計測用の画像処理条件を決定する。また、断面形状のモデルデータと電子線シミュレーション画像を用いて、所定の画像処理条件による計測結果とパターン部位の関係を明らかにする。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の目的は、このような複雑な形状を持つ対象パターンに対して、SEMを用いて所望の箇所を計測するために必要な画像処理パラメタを容易に設定する手段を提供することである。
また、本発明の別の目的は、実際に形成されたパターンの立体形状を、非破壊で正確に評価することを可能にする手段を提供することである。
次に、得られた各箇所の寸法を用いて、断面モデルデータの寸法を変更して表示用のデータを作成する(ステップ1052)。例えば、最下層のボトム幅計測値がモデルデータよりも10nm細ければ、10nm細くしたデータを作成する。最後に、作成されたデータを断面形状として画面に表示する(ステップ1053)。立体形状は横方向の寸法だけではなく、高さも評価する必要があるが、多くの構造は、パターンの高さは成膜により決まり、また膜厚は膜厚計などの別の方法により十分な精度に管理されていることが多いため、横方向の寸法だけの評価でもおおよその立体形状を推定することは可能である。このように、計測された結果とモデルデータを用いることで、立体形状の推定が可能となる。このとき,膜厚計測結果あるいは成膜の仕様値を用いて各層の高さ(厚さ)とする。これらのデータは膜厚計あるいは設計データなどからネットワーク経由で入手することが可能である。
また一般に、反射電子像は、対象物の原子番号に依存して、信号量が変化することが知られており、材質依存性が高い。このため、図3(b)や図3(e)のように、異なる材質の組み合わせにより形成されているパターンでは、反射電子像を用いることで、2次電子よりも高精度な計測が可能となる。また、第8の実施例と同様に、反射電子のチルト像を用いてパターン寸法計測を行ってもよい。本実施の形態を第1から実施例7と組み合わせて用いることで、材質の境界部分の評価が容易となり、より正確なパターン評価が可能となる。
411・・・計測箇所設定値 4101・・・Si基板 4102・・・酸化膜層
4103・・・窒化膜層 4103・・・酸化膜層
Claims (14)
- パターンを撮像して得た画像を処理することにより該パターンの寸法を計測する方法であって、
表面にパターンが形成された試料に集束した電子線を照射して走査することにより前記パターンを含む前記試料表面の2次電子画像を得て該2次電子画像を画面上に表示し、
該表示された2次電子画像上で画像処理を行う領域を設定し、
該設定した領域内で前記2次電子画像を画像処理条件を変えながら処理することにより前記2次電子画像に特徴のある点を抽出し、
該特徴のある点を抽出したときの画像処理条件を記憶し、
該記憶した画像処理条件を用いて前記試料の2次電子画像を処理することにより前記パターンの寸法を計測する
ことを特徴とするパターンの計測方法。 - 前記2次電子画像に特徴のある点を抽出する工程において、前記設定された画像処理を行う領域内において前記2次電子画像上の所望の箇所を指定し、該指定した所望の箇所とその近傍の領域の前記2次電子画像を画像処理条件を変えながら処理することにより前記2次電子画像に特徴のある点を抽出することを特徴とする請求項1記載のパターンの計測方法。
- 前記2次電子画像に特徴のある点を抽出する工程において、前記2次電子画像を画像処理条件を変えながら処理することにより前記設定された領域内において前記2次電子画像上で特徴のある点を検出し、該検出した画像信号上で特徴のある点を前記画面上で前記2次電子画像上に重ねて表示し、該2次電子画像上に重ねて表示した特徴のある点の中から所望の特徴点を抽出することを特徴とする請求項1記載のパターンの計測方法。
- パターンの寸法を計測する方法であって、
評価対象パターンの構造データを作成し、
該作成した構造データ上において計測箇所を指定し、
前記作成した構造データの模擬電子線信号を生成し、
該生成された模擬電子線信号において前記指定された計測箇所周辺の画像信号に特徴のある点を検出し、
該検出した画像信号に特徴のある点のうち前記指定された計測箇所に最も近い点を選択し、
該選択した画像信号に特徴のある点を検出した画像処理条件をパターン計測条件として設定し、
試料上に形成された前記評価対象パターンと同じ形状のパターンを電子顕微鏡で撮像して2次電子画像を得、
該撮像して得た2次電子画像を前記設定したパターン計測条件を用いて処理することにより前記パターンの寸法を計測する
ことを特徴とするパターンの計測方法。 - 前記作成した構造データの模擬電子線信号を生成するステップにおいて、前記作成した構造データを前記評価対象パターンの実断面画像データを用いて補正し、該補正した構造データを用いて模擬電子線信号を生成することを特徴とする請求項4記載のパターンの計測方法。
- 前記画像信号に特徴のある点として、画像信号の極大値、極小値、次微分信号の極大値、極小値、ゼロと交差する点のうちいずれかを用いることを特徴とする請求項1または4に記載のパターンの計測方法。
- 前記作成した構造データと前記選択した画像信号に特徴のある点に対応する前記構造データ上の点とを画面上に表示する工程を更に含むことを特徴とする請求項4記載のパターンの計測方法。
- 前記作成した構造データの模擬電子線信号を生成するステップにおいて、前記作成した構造データの模擬電子線信号に対して寸法計測のための所定のエッジ検出処理を行い、該エッジ検出処理により検出されたエッジ検出位置に相当する点を画面上で前記構造データ上に重ねて表示することを特徴とする請求項4記載のパターンの計測方法。
- パターンの寸法を計測する方法であって、
評価対象パターンの構造データを作成し、
該作成した構造データ上において計測箇所を指定し、
前記作成した構造データの模擬電子線信号を生成し、
該生成した模擬電子線信号に対して前記指定した計測箇所とその近傍の領域に対してエッジ検出処理を行ってエッジの位置を検出し、
該検出したエッジの位置に相当する前記構造データ上の点を記憶し、
評価対象パターンと同一の形状のパターンが形成された試料を電子顕微鏡で撮像して前記パターンの2次電子画像を取得し、
該取得した2次電子画像に対して前記模擬電子線信号に対して行ったのと同じ条件でエッジ検出処理を行って2次電子画像上でのエッジの位置を検出し、
該検出した2次電子画像上でのエッジの位置の情報と前記構造データ上のエッジの位置の情報とを用いて前記構造データを修正し、
該修正した構造データに基いて前記評価対象パターンの断面形状を求め画面上に表示する
ことを特徴とするパターンの計測方法。 - 前記評価対象パターンの断面形状を、前記2次電子画像と共に画面上に表示することを特徴とする請求項9記載のパターンの計測方法。
- 前記評価対象パターンの構造データを作成するステップにおいて、前記評価対象パターンの構造データの高さ情報を、前記評価対象パターンを構成する膜の膜厚を計測して得た情報又は前記評価対象パターンの高さを直接計測して得た情報又は成膜の仕様の情報の何れかから得ることを特徴とする請求項9記載のパターン計測方法。
- 前記パターンの2次電子画像が、チルト画像を含むことを特徴とする請求項1または4または9の何れかに記載のパターン計測方法。
- 前記チルト画像に基いて前記評価対象パターンの高さ情報を得ることを特徴とする請求項12記載のパターンの計測方法。
- パターンの寸法を計測する方法であって、
評価対象パターンの構造データを作成し、
該作成された構造データ上において所望の計測箇所を指定し、
上記作成された構造データの模擬電子線信号を所定の複数の画像生成条件により生成し、
該生成された複数の模擬電子線信号において、上記指定された計測箇所周辺の画像信号に特徴のある点を検出し、
前記複数の模擬電子線信号の各々に対して、前記検出された画像信号に特徴のある点のうち前記指定された所望の計測点に最も近い点を選択し、
前記複数の模擬電子線信号の各々に対して、前記所望の計測点と前記選択された所望の計測点に最も近い画像信号に特徴のある点との差異を評価し、
前記複数の模擬電子線信号の各々に対する、前記差異が最小になる画像生成条件を選択し、
該選択した画像生成条件および該画像生成条件により生成された画像に対する上記所望の計測箇所に最も近い画像信号に特徴のある点の検出条件を計測条件として記憶し、
前記評価対象パターンと同一形状のパターンが形成された試料を電子顕微鏡で撮像して得た画像を前記記憶した計測条件を用いて処理することにより前記パターンの寸法を計測する
ことを特徴とするパターンの計測方法。
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---|---|---|---|
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007088587A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Topcon Corporation | 半導体測定装置および半導体測定方法 |
JP2008014903A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プローブ制御装置 |
JP2008203109A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン寸法計測方法及びその装置 |
JP2009141124A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム測定装置 |
JP2010230686A (ja) * | 2005-10-25 | 2010-10-14 | Asml Netherlands Bv | 基板上の所定のタイプのフィーチャをキャラクタライズする方法、及びコンピュータプログラム製品 |
WO2011013316A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン形状選択方法、及びパターン測定装置 |
JP2011038811A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体パターンの計測方法及び計測システム |
KR101101463B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2012-01-03 | 주식회사 아도반테스토 | 측정 기능을 구비한 주사형 전자 현미경 및 시료 치수 측정 방법 |
WO2012053650A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 形状計測方法およびそのシステム |
US8188429B2 (en) | 2007-08-03 | 2012-05-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope for determining quality of a semiconductor pattern |
WO2013047047A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 断面形状推定方法および断面形状推定装置 |
JP2013200319A (ja) * | 2013-07-10 | 2013-10-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン寸法計測方法 |
KR101417696B1 (ko) | 2010-10-27 | 2014-07-09 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 패턴 측정 방법, 패턴 측정 장치 및 기록 매체 |
JP2015138710A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン評価装置および走査型電子顕微鏡 |
WO2015198926A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定条件設定装置、及びパターン測定装置 |
US9466537B2 (en) | 2015-01-09 | 2016-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of inspecting semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same |
JP2018524700A (ja) * | 2015-06-29 | 2018-08-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 既知の測定可能な対象特徴を検出するための方法およびシステム |
CN111174737A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 本田技研工业株式会社 | 涂覆量的计测方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4231831B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2009-03-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡 |
US7381950B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Characterizing dimensions of structures via scanning probe microscopy |
US9292187B2 (en) | 2004-11-12 | 2016-03-22 | Cognex Corporation | System, method and graphical user interface for displaying and controlling vision system operating parameters |
US7720315B2 (en) * | 2004-11-12 | 2010-05-18 | Cognex Technology And Investment Corporation | System and method for displaying and using non-numeric graphic elements to control and monitor a vision system |
JP2006234588A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン測定方法、及びパターン測定装置 |
JP2007080327A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Hitachi Ltd | 記録媒体欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP2007218711A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 |
CN102680507B (zh) * | 2006-02-17 | 2015-05-06 | 株式会社日立高新技术 | 扫描型电子显微镜装置以及使用它的摄影方法 |
US7514681B1 (en) * | 2006-06-13 | 2009-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Electrical process monitoring using mirror-mode electron microscopy |
JP4971050B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2012-07-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の寸法測定装置 |
US7925937B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for testing embedded memory read paths |
JP5103219B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法計測方法 |
US8443309B2 (en) | 2011-03-04 | 2013-05-14 | International Business Machines Corporation | Multifeature test pattern for optical proximity correction model verification |
US9396532B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-07-19 | Siemens Healthcare Diagnostics, Inc. | Cell feature-based automatic circulating tumor cell detection |
US9236219B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-01-12 | Macronix International Co., Ltd. | Measurement of line-edge-roughness and line-width-roughness on pre-layered structures |
WO2016121073A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターンマッチング装置、及びパターンマッチングのためのコンピュータプログラム |
JP2019184354A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡装置、電子顕微鏡装置を用いた検査システム及び電子顕微鏡装置を用いた検査方法 |
JP2019185972A (ja) | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡システム及びパターンの深さ計測方法 |
KR20230155604A (ko) | 2018-08-28 | 2023-11-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 최적의 계측 안내 시스템들 및 방법들 |
JP7149906B2 (ja) | 2019-08-07 | 2022-10-07 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡及びパタン計測方法 |
DE102019131693A1 (de) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Messgerät zur untersuchung einer probe und verfahren zum bestimmen einer höhenkarte einer probe |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002303586A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP4158384B2 (ja) | 2001-07-19 | 2008-10-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム |
US6909930B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process |
US7098456B1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-08-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for accurate e-beam metrology |
-
2003
- 2003-12-26 JP JP2003432012A patent/JP4262592B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-23 US US11/019,995 patent/US7335881B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010230686A (ja) * | 2005-10-25 | 2010-10-14 | Asml Netherlands Bv | 基板上の所定のタイプのフィーチャをキャラクタライズする方法、及びコンピュータプログラム製品 |
WO2007088587A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Topcon Corporation | 半導体測定装置および半導体測定方法 |
JP2008014903A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プローブ制御装置 |
JP2008203109A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン寸法計測方法及びその装置 |
KR101101463B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2012-01-03 | 주식회사 아도반테스토 | 측정 기능을 구비한 주사형 전자 현미경 및 시료 치수 측정 방법 |
US8188429B2 (en) | 2007-08-03 | 2012-05-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope for determining quality of a semiconductor pattern |
JP2009141124A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム測定装置 |
WO2011013316A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン形状選択方法、及びパターン測定装置 |
JP2011033423A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン形状選択方法、及びパターン測定装置 |
JP2011038811A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体パターンの計測方法及び計測システム |
US9354049B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-31 | Hutachi High-Technologies Corporation | Shape measurement method, and system therefor |
WO2012053650A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 形状計測方法およびそのシステム |
JP2012088269A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 形状計測方法およびそのシステム |
KR101417696B1 (ko) | 2010-10-27 | 2014-07-09 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 패턴 측정 방법, 패턴 측정 장치 및 기록 매체 |
WO2013047047A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 断面形状推定方法および断面形状推定装置 |
JP2013073776A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 断面形状推定方法および断面形状推定装置 |
JP2013200319A (ja) * | 2013-07-10 | 2013-10-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン寸法計測方法 |
JP2015138710A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン評価装置および走査型電子顕微鏡 |
WO2015198926A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定条件設定装置、及びパターン測定装置 |
JPWO2015198926A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2017-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定条件設定装置、及びパターン測定装置 |
US10190875B2 (en) | 2014-06-27 | 2019-01-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measurement condition setting device and pattern measuring device |
US9466537B2 (en) | 2015-01-09 | 2016-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of inspecting semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same |
JP2018524700A (ja) * | 2015-06-29 | 2018-08-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 既知の測定可能な対象特徴を検出するための方法およびシステム |
CN111174737A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 本田技研工业株式会社 | 涂覆量的计测方法 |
CN111174737B (zh) * | 2018-11-09 | 2021-08-24 | 本田技研工业株式会社 | 涂覆量的计测方法 |
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