JP2005172615A - 座標変位の測定装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 簡素な構成で座標変位を測定可能な座標変位の測定装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 所望の被測定物の表面上に載置され、マトリクス状にそれぞれX軸方向及びY軸方向に交互に配列される磁性体パネルCと非磁性体パネルSと、磁性体パネル及び非磁性体パネルに相対して配置され、これらと相対的に非接触のまま変位する、複数個のインピーダンス素子によるX軸検出部とY軸検出部を包含する検出ヘッドHとからなり、被測定物の磁性体パネル及び非磁性体パネルの配列面に対する検出ヘッドHの相対的位置に応じたX軸成分検出信号とY軸成分検出信号とを、X軸検出部及びY軸検出部から夫々出力することを特徴とする座標変位の測定装置10とする。
【選択図】 図7
Description
本発明は、座標変位の測定装置に関する。
近年、コイル等のインピーダンス素子と磁性体等よりなる磁気応答部材との相対的位置に応じた検出信号を各インピーダンス素子から得ることにより被検体の位置変位を検出する位置変位センサ(例えば特許文献1等)が開発され、この基本検出原理の応用範囲が広いことから、種々多様な用途への展開が試みられている。
上記の位置変位センサは、インピーダンス素子と磁性体等よりなる磁気応答部材との相対的位置に応じて交流信号中に現れる電気位相差より、位置変位を検出するものである。その基本検出原理の大略は次の通りである。
まず、この位置変位センサは、その駆動原理から2つに大別される。以下ではこれらをそれぞれ、誘導型、インピーダンス型と称する。いずれの型においても複数のインピーダンス素子が直線状に配列された直線変位検出方式と、円周方向に配列された回転角度検出方式とがあり、誘導型においては、トランスの二次コイルがインピーダンス素子となってこれらの配列が形成される(特許文献1等参照)。
まず、この位置変位センサは、その駆動原理から2つに大別される。以下ではこれらをそれぞれ、誘導型、インピーダンス型と称する。いずれの型においても複数のインピーダンス素子が直線状に配列された直線変位検出方式と、円周方向に配列された回転角度検出方式とがあり、誘導型においては、トランスの二次コイルがインピーダンス素子となってこれらの配列が形成される(特許文献1等参照)。
そこで本発明の対象である、インピーダンス素子と磁性体等よりなる磁気応答部材との相対的位置に応じて交流信号中に現れる電気位相差より位置変位を検出する上記の位置変位センサを容易に理解出来る様、その誘導型位置変位センサについて、まず直線方式の動作原理を図1を用いて説明する。図1の(A)はその外観斜視図、(B)はインピーダンス素子(L1〜L4)と磁性体配列棒(3)の様子を示す図である。図1において、1はソレノイド型一次コイル、2はその内側に同軸配置された二次コイル列であり、ここでは同一規格の4個のコイルL1〜L4が等間隔で配列されている。この二次コイル列はインピーダンス素子として機能するものである。このコイル配列に対しては、各コイル中心軸と同軸、かつ、軸方向に移動自在の関係で、被検体と物理的に結合された磁性体配列棒3が挿入される。磁性体配列棒3には、その直線変位方向に沿って所定のピッチで複数の円筒状強磁性体(磁気応答部材)4が繰り返し設けられている。図1に示す例では、強磁性体4は、コイル配列間隔(隣接コイル中心間距離)の4倍を1ピッチとして繰返し設けられている。磁性体配列棒3の棒軸は顕著な磁性を示さない金属又はプラスチック物質からなる。隣接する強磁性体4同士の間には、空隙或いは非磁性体8が存在する。
各二次コイルL1〜L4には、図の如く正弦波電圧ASinωtが印加された一次コイル1からの相互誘導作用により正弦波電圧が誘起される。ところが、上記磁性体配列棒3と各二次コイルL1〜L4との相対的位置の変化により、一次コイルと各二次コイル間の磁気結合の変化及びそれに伴うインダクタンス変化が生ずることによって、各二次コイルには、上記磁性体配列棒3の直線位置に応じて振幅変調された誘導出力交流信号が、これら各二次コイルの配置のずれに応じて異なる振幅特性で誘起される。図1における磁性体配列棒3の軸方向位置(L1,L3の位置:実質上、それぞれのコイルの軸方向中央部分が強磁性体4と空隙或いは非磁性体8との境界部分に対応する位置, L2,L4の位置:実質上、L2が強磁性体4の軸方向中央部分に対応し、L4が非磁性体8の軸方向中央部分に対応する位置)をd=0とし、且つ同棒の、図の右方への移動を正方向とすれば、L1−L3差動出力は、誘起される正弦波Sinωtに、変動する係数すなわち位置変位に対応した振幅関数aSind(aは適宜定数、以下同じ)を掛けた値
aSindSinωt
となり、L2−L4差動出力は、誘起される正弦波Sinωtに、変動する係数すなわち位置変位に対応した振幅関数aCosdを掛けた値
aCosdSinωt
となる。ここで、振幅関数aSind,aCosdは、磁性体配列棒3上における強磁性体4の繰返し単位(=1ピッチ変位)を1サイクルとしてそれぞれ変化する。すなわち、上記振幅関数は、1ピッチを2π[rad]として処理し得るものであって、電気位相差360度分に対する機械的変位量が1ピッチに相当する。
aSindSinωt
となり、L2−L4差動出力は、誘起される正弦波Sinωtに、変動する係数すなわち位置変位に対応した振幅関数aCosdを掛けた値
aCosdSinωt
となる。ここで、振幅関数aSind,aCosdは、磁性体配列棒3上における強磁性体4の繰返し単位(=1ピッチ変位)を1サイクルとしてそれぞれ変化する。すなわち、上記振幅関数は、1ピッチを2π[rad]として処理し得るものであって、電気位相差360度分に対する機械的変位量が1ピッチに相当する。
次に、回転方式の動作原理に付き、図2を用いて説明する。図2に於て二次コイル2’を構成する各コイルL1〜L4は、一次コイル1’の中心軸と平行な中心軸を有しており、一次コイル1’に内接する形で環状・等間隔に配列される。各二次コイルL1〜L4は、それぞれの中心軸と同軸に配置された極鉄心5を有している。これら極鉄心の端面はいずれも、実質的に同一の軸横断面上に揃えられている。又、一次コイルの中心軸(=二次コイル配列の中心軸)と同軸に配置されたシャフトスリーブには、二次コイルの極鉄心5を回転位置に応じて覆うための磁性体偏心板6が支持されている。磁性体偏心板6は、被検体の動きに応じて回転可能な様、被検体と物理的に結合されたものである。磁性体偏心板6は、上記一次コイルの中心軸を回転軸として回転し、それに応じて、実質的に回転軸から最も離れた磁性体偏心板6の一部分9が、順次各二次コイルL1〜L4の極鉄心5上を通過して行く様になっている。
各二次コイルL1〜L4には、一次コイル1’との相互誘導により、一次側に印加された正弦波電圧ASinωtに基づく正弦波電圧が誘起されるが、前述した磁性体偏心板6の回転位置に応じた一次コイルと各二次コイル間の磁気結合の変化及びそれに伴うインダクタンス変化が生ずることによって、各二次コイルには、磁性体偏心板6の回転角度変位に応じて振幅変調された誘導出力交流信号が、これら各二次コイルの配置のずれに応じて異なる振幅特性で誘起される。これら各二次コイルに誘起されたコイル端間電圧は、配置関係が180度(逆位相)であるL1−L3の組,及びL2−L4の組において差動的に取出せば、倍化して検出できるということが明らかである。
磁性体偏心板6が図2(B)に示される角度位置にあるとき(=実質的に回転軸から最も離れた磁性体偏心板6の一部分9が、中心軸7から見て水平方向右側にあるとき)における12時方向の角度位置(=L1に対応する位置)をθ=0と定め、かつ、この偏心板6の、図の時計回りの回転を正方向とすれば、二次コイルL1−L3差動出力は、誘起される正弦波Sinωtに、係数すなわち角度変位に対応した振幅関数aSinθを掛けた値、即ち、
aSinθSinωt
となる。一方、L2−L4差動出力は、誘起される正弦波Sinωtに、係数すなわち角度変位に対応した振幅関数aCosθを掛けた値、即ち、
aCosθSinωt
となる。ここで、振幅関数aSinθ,aCosθは、磁性体偏心板6の1回転を1サイクルとしてそれぞれ変化する。したがって、上記振幅関数は、θの360度変位を1ピッチとして、直線方式の場合と同様に処理し得るものである。
aSinθSinωt
となる。一方、L2−L4差動出力は、誘起される正弦波Sinωtに、係数すなわち角度変位に対応した振幅関数aCosθを掛けた値、即ち、
aCosθSinωt
となる。ここで、振幅関数aSinθ,aCosθは、磁性体偏心板6の1回転を1サイクルとしてそれぞれ変化する。したがって、上記振幅関数は、θの360度変位を1ピッチとして、直線方式の場合と同様に処理し得るものである。
これらの関係を、直線及び回転角度変位について一括し、回路的に示したものが図3の結線図である。
また、同様の関係はL1〜L4を実質上自己インダクタンスのみからなるインピーダンス素子として,これらに正弦波電圧ASinωtを直接加えた場合にも成立する(以下、インピーダンス型と称する)。このことを示したのが図4の回路図である。尚本発明は、直接にはインピーダンス型において、インピーダンス素子と磁性体等よりなる磁気応答部材(磁性体パネル)との相対的位置に応じて出力交流信号中に現れる電気位相差より、座標変位を測定する新規のセンサ構造に関するものである。
そこで、インピーダンス型においても上記と同様にして得られるインピーダンス素子(コイルL1〜L4)の各端子電圧を、正弦係数の式をα、余弦係数の式をβとすれば、回転角度変位の場合、直線変位の場合ともに、次の様に表すことができる。aは適宜定数である。
α=aSin(θ,d)・Sinωt・・・・・・・・・・・・・・・・式1
β=aCos(θ,d)・Sinωt・・・・・・・・・・・・・・・・式2
α=aSin(θ,d)・Sinωt・・・・・・・・・・・・・・・・式1
β=aCos(θ,d)・Sinωt・・・・・・・・・・・・・・・・式2
これらの式から、実際の被検体の回転角度変位θ或いは直線変位d(電気位相角をθとすれば、これが各軸方向の機械的変位に相当するため、以下ではθの表記で説明する)を求める演算回路としては、まず式1及び式2にそれぞれ、0から順次増加するデジタル位相値φの余弦関数Cosφ、及び正弦関数Sinφを乗じていき、
Sinφ・Cosθ−Cosφ・Sinθ=0・・・・・・・・・・・・式3
の時点において、θ=φとしてθを特定する、公知のR−D変換方式が挙げられる(特許文献1等参照)。尚、この方式ではφを追従カウントするときのクロック遅れが生じ、応答性の面で改良の余地がある。
Sinφ・Cosθ−Cosφ・Sinθ=0・・・・・・・・・・・・式3
の時点において、θ=φとしてθを特定する、公知のR−D変換方式が挙げられる(特許文献1等参照)。尚、この方式ではφを追従カウントするときのクロック遅れが生じ、応答性の面で改良の余地がある。
また、以下の様な方式も従来知られたものである。すなわち、式1におけるSinωtを回路上でCosωtに変換してaSin(θ,d)・Cosωtを得たのち、三角関数の加法定理を適用することによって、位置変位を位相差として含む正弦波信号aSin(ωt±θ,d)を得、これより被検体の位置変位(θ,d)を求める方式である。下式4に、その様子を示す。以下、この方式を位相差変換(P−D変換)方式と称する。なお、aSin(ωt+θ,d)を進み位相波P、aSin(ωt−θ,d)を遅れ位相波Mとする。
aSin(θ,d)・Cosωt±aCos(θ,d)・Sinωt=
aSin(ωt±θ,d)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式4
aSin(θ,d)・Cosωt±aCos(θ,d)・Sinωt=
aSin(ωt±θ,d)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式4
この位相差変換方式に関し、図5に、動作波形及び解析手順を示す。同図(A)は印加電圧ASinωtと、振幅変調された式1、式2の各右辺の信号の波形図、(B)はASinωtのグラフと特定の位相差(θ,d)を含む図5(C)右辺の正弦波、この場合は遅れ位相波M=aSin(ωt−θ,d)のグラフとの時間関係を示す波形図である。図5(C)は、図5(B)に表された波形図を導き出す根拠となる数式的推移を示すものである。又図6に、図5(C)の操作を回路上で具体的に実現する演算回路のブロック図を示す。式1、式2で表わされる信号α、βはそれぞれ、位相検出部18に入力される前に、増幅(増幅度b/a)並びに位相シフト及び加算の各処理が施される。尚図5(B)において、進み位相波P=aSin(ωt+θ,d)の場合、そのグラフは破線で示した遅れ位相波M=aSin(ωt−θ,d)のグラフと対称的に、実線で示したASinωtのグラフよりも(θ,d)だけ時間的に先行した正弦波となる。
図5(B)のグラフから明らかな通り、θ又はdを求めるにはASinωtグラフのゼロクロス点から、遅れ位相波M=aSin(ωt−θ,d)又は進み位相波P=aSin(ωt+θ,d)グラフのゼロクロス点までの時間をカウントすれば良い。
ところで、上記誘導型或いはインピーダンス型の位置変位センサは、すべて直線位置や回転位置のような1次元位置を測定するものであり、2次元位置を測定するものは存在していなかった。上記誘導型或いはインピーダンス型の位置変位センサは、構造的に非接触であり、また、インピーダンス素子と磁性体等よりなる磁気応答部材の簡単な構成により、容易かつ安価に製造することができるので、これを2次元位置検出装置に適用できれば、広い応用・用途が見込まれる。その様な観点から、特許文献2或いは3に記載される発明が提案されているが、いずれも誘導型に係るものである他、測定対象物中にコイルを予め埋め込んだり、又これらを結線して検出回路、更には演算回路等を構成する必要があり、各部品を測定対象物中に実装することが面倒である上実装スペースを改めて確保する必要があると言う問題があった。更に、測定範囲が測定対象物中に埋設されたコイル近傍に限定されるため、広範な座標変位の測定を行なうことが難しいという問題があった。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、簡素な構成で座標変位を測定可能な座標変位の測定装置を提供することを課題とする。
また本発明は、広い範囲で正確に座標変位を測定可能な座標変位の測定装置を提供することを課題とする。
また本発明は、広い範囲で正確に座標変位を測定可能な座標変位の測定装置を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を解決すべく種々検討を行った結果、従来知られた上記誘導型或いはインピーダンス型の位置変位センサの測長原理を平面的その他多次元的に展開、即ち被測定物表面に磁性体パネルと非磁性体パネルをマトリクス状にそれぞれ各座標軸の方向に交互に配置する一方、検出ヘッドを各軸毎の位置変位測定用のインピーダンス素子の組からなるものとすることにより、簡素な構成で座標変位が測定できることを見出し、本発明を完成した。
上記課題を解決可能な本発明の座標変位の測定装置は、所望の被測定物の表面上に載置され、マトリクス状にそれぞれX軸方向及びY軸方向に交互に配列される磁性体パネルと非磁性体パネルと、前記磁性体パネル及び非磁性体パネルに相対して配置され、これらと相対的に非接触のまま変位する、複数個のインピーダンス素子によるX軸検出部とY軸検出部を包含する検出ヘッドと、からなり、前記被測定物の前記磁性体パネル及び非磁性体パネルの配列面に対する前記検出ヘッドの相対的位置に応じたX軸成分検出信号とY軸成分検出信号とを、前記X軸検出部及びY軸検出部から夫々出力することを特徴とするものである。
尚、本発明に言うX軸、Y軸とは、2次元面上で交差して延びる一方側と他方側の軸の呼び名の一例であって、互いに直交するもののみに限定されないものとする。又被測定物表面に磁性体パネルと非磁性体パネルをマトリクス状にそれぞれ各座標軸の方向に交互に配置するとは、被測定物表面上において磁性体パネル同士或いは非磁性体パネル同士が互いに隣接しない様、磁性体パネルと非磁性体パネルを打違えに配置することを言う。
尚、本発明に言うX軸、Y軸とは、2次元面上で交差して延びる一方側と他方側の軸の呼び名の一例であって、互いに直交するもののみに限定されないものとする。又被測定物表面に磁性体パネルと非磁性体パネルをマトリクス状にそれぞれ各座標軸の方向に交互に配置するとは、被測定物表面上において磁性体パネル同士或いは非磁性体パネル同士が互いに隣接しない様、磁性体パネルと非磁性体パネルを打違えに配置することを言う。
従って本発明によれば、現在はシリンダやダイキャスト機等に採用され、使用されている直線変位の位置変位の検出原理を、任意の座標位置を指定するポインタ装置や、表面実装機、その他平面座標変位の測定が必要な機器等にまで拡大適用することができる。又本発明によれば、被測定物と非接触の儘座標変位の測定が可能である他、検出ヘッドが1個で済むとともにその中に検出回路等を組み込んでおけば良いため、構成を簡素なものとすることが出来る。
更に、本発明の座標変位の測定装置は、磁気を利用した検出装置であるため、従来知られた光学式の検出原理を採用するものに比べ、ゴミや粉塵等の付着しやすい劣悪な環境下でも変わらぬ性能を発揮出来、設置環境に関わらず安定した検出出力を提供することが出来る点で、耐環境性が高いと言える。
更に、本発明の座標変位の測定装置は、磁気を利用した検出装置であるため、従来知られた光学式の検出原理を採用するものに比べ、ゴミや粉塵等の付着しやすい劣悪な環境下でも変わらぬ性能を発揮出来、設置環境に関わらず安定した検出出力を提供することが出来る点で、耐環境性が高いと言える。
本発明の磁性体パネル及び非磁性体パネルは、剛直なものからなる必要はなく、シート状のものから構成することも出来、従って測定対象物が曲面の場合であっても、曲面上にこれらのシートを適宜貼付けておくことで、その座標変位を検出することが出来る。
このほか、被測定物の磁性体パネル及び非磁性体パネルが備えられた面或いは検出ヘッドは、必ずしも水平面上にある必要はなく、本発明の座標位置の測定装置によれば、水平面に限らず傾斜面における座標位置の測定を行なうこともできる。又本発明の座標変位の測定装置によれば、後記の通り適宜補正演算等を併用することで、広い範囲で正確に座標変位を測定することもできる。以下、本発明をより詳細に説明する。
このほか、被測定物の磁性体パネル及び非磁性体パネルが備えられた面或いは検出ヘッドは、必ずしも水平面上にある必要はなく、本発明の座標位置の測定装置によれば、水平面に限らず傾斜面における座標位置の測定を行なうこともできる。又本発明の座標変位の測定装置によれば、後記の通り適宜補正演算等を併用することで、広い範囲で正確に座標変位を測定することもできる。以下、本発明をより詳細に説明する。
以下、本発明の一実施形態を、添付の図7〜12に基づき説明する。
図7は本発明の座標変位の検出装置の一構成例を表わす図であり、(A)がその平面を、(B)がその正面を示す図である。図8は検出ヘッドの各軸検出部毎のインピーダンス素子の配置を表わす、図7(A)の一部拡大図であり、(A)がX軸方向検出部、(B)がY軸方向検出部の配置を表わす図である。図9はインピーダンス素子からの出力電圧の変化を表わす図であり、(A)が各コイルL2,L4の出力電圧の変化を、(B)がL2−L4差動出力の特性を表わす図である。図10は検出ヘッドの各軸検出部毎の構成を回路的に表わした図であり、図11は変換器内における処理の様子を示す図、図12は検出ヘッドにおけるインピーダンス素子の別の配置例を示す図である。尚図7〜12においては、先に示した図1〜6と同一のものには同一符号を付して説明するものとする。
また、図7(A)における検出ヘッドHのX軸方向、及びY軸方向位置をdx=dy=0とし、同図に矢印で示す通り、検出ヘッドHの、図の右方、そして上方への移動をそれぞれX軸方向、及びY軸方向の正方向とする。本実施形態では、X軸とY軸とは実質上直交している。
図7は本発明の座標変位の検出装置の一構成例を表わす図であり、(A)がその平面を、(B)がその正面を示す図である。図8は検出ヘッドの各軸検出部毎のインピーダンス素子の配置を表わす、図7(A)の一部拡大図であり、(A)がX軸方向検出部、(B)がY軸方向検出部の配置を表わす図である。図9はインピーダンス素子からの出力電圧の変化を表わす図であり、(A)が各コイルL2,L4の出力電圧の変化を、(B)がL2−L4差動出力の特性を表わす図である。図10は検出ヘッドの各軸検出部毎の構成を回路的に表わした図であり、図11は変換器内における処理の様子を示す図、図12は検出ヘッドにおけるインピーダンス素子の別の配置例を示す図である。尚図7〜12においては、先に示した図1〜6と同一のものには同一符号を付して説明するものとする。
また、図7(A)における検出ヘッドHのX軸方向、及びY軸方向位置をdx=dy=0とし、同図に矢印で示す通り、検出ヘッドHの、図の右方、そして上方への移動をそれぞれX軸方向、及びY軸方向の正方向とする。本実施形態では、X軸とY軸とは実質上直交している。
[構成]
まず、本発明の座標変位の測定装置の一構成例につき、図7に基づき説明する。
図7に示す様に、座標を検出すべき被測定物の表面には、磁性材料からなるパネル(コアパネル)Cと非磁性材料からなるパネル(スペーサパネル)Sが、マトリクス状にそれぞれX軸方向及びY軸方向に交互に配列されている。図7に示す一例では、被測定物の表面に磁性体パネルCと非磁性体パネルSが各8枚、計16枚配置されている。この例では非磁性体パネルSは顕著な磁性を示さない金属又はプラスチック物質からなる。
この図7に示す例では、後記する検出ヘッドHの各軸検出部の構成が1相励磁4コイル方式とされており、それ故検出ヘッドHを構成する各コイル配列間隔(隣接コイル中心間距離)の4倍の距離が、磁性体パネルCと非磁性体パネルSが連続して配置される間隔即ち検出ピッチ(電気位相差360度分に対する機械的変位量)の基本単位となっている。従ってコイル径或いはコイル配置間隔を適宜調整することで、所望の検出ピッチが実現されるかたちになっている。図7の例でも、各インピーダンス素子は上記1ピッチの範囲内に配置されている。
まず、本発明の座標変位の測定装置の一構成例につき、図7に基づき説明する。
図7に示す様に、座標を検出すべき被測定物の表面には、磁性材料からなるパネル(コアパネル)Cと非磁性材料からなるパネル(スペーサパネル)Sが、マトリクス状にそれぞれX軸方向及びY軸方向に交互に配列されている。図7に示す一例では、被測定物の表面に磁性体パネルCと非磁性体パネルSが各8枚、計16枚配置されている。この例では非磁性体パネルSは顕著な磁性を示さない金属又はプラスチック物質からなる。
この図7に示す例では、後記する検出ヘッドHの各軸検出部の構成が1相励磁4コイル方式とされており、それ故検出ヘッドHを構成する各コイル配列間隔(隣接コイル中心間距離)の4倍の距離が、磁性体パネルCと非磁性体パネルSが連続して配置される間隔即ち検出ピッチ(電気位相差360度分に対する機械的変位量)の基本単位となっている。従ってコイル径或いはコイル配置間隔を適宜調整することで、所望の検出ピッチが実現されるかたちになっている。図7の例でも、各インピーダンス素子は上記1ピッチの範囲内に配置されている。
図7において、Hは検出ヘッドであり、平面座標変位を測定する本実施形態の装置では、検出ヘッドはX軸用検出部とY軸用検出部の2組が組み合わされてなるものである。X軸用検出部はX座標の値を表示、Y軸用検出部はY座標の値を表示させるためのものである。本実施形態ではX軸検出部、Y軸検出部は共に、同一規格の4個のインピーダンス素子(コイルL1〜L4、R1〜R4)からなり、それぞれ、後記するY軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δを出力するものである。なお、図1他に示した誘導型の場合と異なり、本節にて説明する座標変位の測定装置はインピーダンス型であるので一次コイルは不要である。
図7或いは図12に示す様に本実施形態では、検出ヘッドHの構成例として3行3列或いは4行5列(5行4列)の枠内にインピーダンス素子たるコイルが8個配置されたものが挙げられている。図7に示す例では、検出ヘッドHの一方側のX軸検出部は、X軸方向に延びる第1行及び第3行目に夫々2個配列されたインピーダンス素子R1〜R4から、また他方側のY軸検出部は、X軸方向に延びる第1行及び第3行目に夫々1個、並びに第2行目に2個配列されたインピーダンス素子L1〜L4からなっており、それぞれ、L1とR1が非磁性体パネルS中央部分、L3とR3が磁性体パネルC中央部分、その他が磁性体パネルCと非磁性体パネルS2枚の境界部分に来る様に配置されている。又図7(B)に示す様に、検出ヘッドHは、磁性体パネルCと非磁性体パネルSの備えられた被測定物の上面において、非接触の儘配置されている。
[検出動作]
図8(A)及び(B)に示す様に、図7に示す構成の検出ヘッドHでは、コイルR1〜R4がX軸検出部、コイルL1〜L4がY軸検出部となっており、それぞれ、X軸方向の変位、Y軸方向の変位を検出している。図8(A)で各インピーダンス素子R1〜R4を示す円内、又図8(B)で各インピーダンス素子L1〜L4を示す円内にはそれぞれ、検出ヘッドHがX軸、或いはY軸方向に移動することに伴って各素子の自己インダクタンスが変化することにより生じる出力信号の電圧特性を示す振幅関数が書き表わされている。図中、マイナス・サイン関数或いはマイナス・コサイン関数には、Sin又はCosの上に「−」(バー)が付してある。
図8(A)及び(B)に示す様に、図7に示す構成の検出ヘッドHでは、コイルR1〜R4がX軸検出部、コイルL1〜L4がY軸検出部となっており、それぞれ、X軸方向の変位、Y軸方向の変位を検出している。図8(A)で各インピーダンス素子R1〜R4を示す円内、又図8(B)で各インピーダンス素子L1〜L4を示す円内にはそれぞれ、検出ヘッドHがX軸、或いはY軸方向に移動することに伴って各素子の自己インダクタンスが変化することにより生じる出力信号の電圧特性を示す振幅関数が書き表わされている。図中、マイナス・サイン関数或いはマイナス・コサイン関数には、Sin又はCosの上に「−」(バー)が付してある。
各軸毎の検出原理は次の通りであり、上述した直線変位検出方式の位置変位センサと実質同様である。又この例では、インピーダンス型の検出方法を用いており、各コイルに直接、交流電源Sinωtが接続されている。図10に、検出ヘッドの各軸検出部毎の構成を回路的に表わしたものを示す。尚各軸検出部毎のインピーダンス素子の接続及び座標変位の演算については、図8〜11が参照される。以下では、Y軸方向に移動する場合に注目してその変位の検出方法につき説明した後、座標変位の演算について説明する。
はじめに、コイルL2に注目すると、コイルL2がY軸方向に移動することでコイルのインピーダンスが変化し、図9(A)に実線で示される様な出力電圧が表われる。同様に、コイルL4にも図9(A)に破線で示される様な出力電圧が表われる。これらの差動出力をとれば、図9(B)に示される様にaSinθの信号が得られる。同様にコイルL1,L3についても差動出力が得られる様接続することによって、aCosθの信号が得られる。これらaSinθ或いはaCosθは、基準信号成分(Sinωt)の係数部分となるものである(式1,式2)。
X軸検出部を構成する各インピーダンス素子の配列は図8(A)に示される通りであり、検出方法その他は上記Y軸の場合と同様である。
図8〜10に示す通り、各軸検出部を構成するインピーダンス素子(コイルL1〜L4,R1〜R4)に基準信号ASinωtを励磁しておくと、検出ヘッドHの移動に伴い、その真下に来る磁性体パネルC或いは非磁性体パネルSの位置に応じて各コイルのインピーダンス(自己インダクタンス)が変化する。
例えばコイルL1〜L4からなるY軸のみに注目し、コイルL2−L4差動出力α,L1−L3差動出力βを図10に示す構成の検出回路から取り出すと、
α=aSinθSinωt・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式1
β=aCosθSinωt・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式2
となる。aは適宜定数である。これら検出回路からの信号(Y軸検出信号)α,βは、演算回路15の入力部19で増幅(増幅率b/a)された後、信号αについては位相シフト回路16を通してSinωt部を電気位相π/2遅らせる処理が施される。
α’=aSinθSin(ωt−π/2)
=aSinθCosωt・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式1’
これと式2に示すβとを、式4に示す様に加法定理を適用して演算することにより、進み位相波P=aSin(ωt+θ)或いは遅れ位相波M=aSin(ωt−θ)が求まるので、これらと基準励磁信号ASinωtとの位相差から機械的変位の検出を行なう(位相差検知方式)。X軸の場合についても同様である。
例えばコイルL1〜L4からなるY軸のみに注目し、コイルL2−L4差動出力α,L1−L3差動出力βを図10に示す構成の検出回路から取り出すと、
α=aSinθSinωt・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式1
β=aCosθSinωt・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式2
となる。aは適宜定数である。これら検出回路からの信号(Y軸検出信号)α,βは、演算回路15の入力部19で増幅(増幅率b/a)された後、信号αについては位相シフト回路16を通してSinωt部を電気位相π/2遅らせる処理が施される。
α’=aSinθSin(ωt−π/2)
=aSinθCosωt・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式1’
これと式2に示すβとを、式4に示す様に加法定理を適用して演算することにより、進み位相波P=aSin(ωt+θ)或いは遅れ位相波M=aSin(ωt−θ)が求まるので、これらと基準励磁信号ASinωtとの位相差から機械的変位の検出を行なう(位相差検知方式)。X軸の場合についても同様である。
尚、機械変位の検出は、1ピッチ(=磁性体パネルCと非磁性体パネルS一組の長さ或いは磁性体パネルCの配列間隔)を電気角360°(1周期)とすることで、検出ヘッドHが移動してθの変位が得られた場合、d=(θ/360)×pとすることにより求めることが出来る。ここで、pは1ピッチの長さ、dは機械的変位であり、各軸成分毎に、dx:X軸成分位置,dy:Y軸成分位置とする。
[変換器内での検出信号の演算処理]
次に、各インピーダンス素子から得られる出力信号(Y軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δ)よりX軸或いはY軸方向の位置変位を導き出すための変換器内における処理につき、図10及び図11を参照しながら説明する。変換器35は、各軸検出部毎に備えられ、それぞれ増幅部19,位相シフト部16,加算部17,位相検出部18を含む演算回路15を有するものである。図中のマイクロコンピュータ36及びルックアップテーブル37については後段で説明する。各軸検出部からの差動出力α〜δは、演算回路15の増幅部19に接続される。
図11(A)に示す通り、本実施形態では、直線変位や回転角度を検出する誘導型やインピーダンス型の位置変位センサにおいて従来知られた位相差変換(P−D変換)方式を用いることによって、X軸或いはY軸方向の位置変位を導き出している。P−D変換については上述した通りであり、図10及び図11から明らかな様に、各軸検出部では4つのコイルの出力より、これらがL2−L4又はR2−R4(α,γ),そしてL1−L3又はR1−R3(β,δ)の二種類の差動出力に変換されたのち、変換器35内の演算回路15に入力され、増幅、位相シフト、加算の処理が施された後に位相検出処理が行われてY軸或いはX軸方向の位置変位が導き出される。導き出されたY軸或いはX軸方向の位置変位を座標変位として適宜(X座標:Y座標=dx:dy)の形で表わせば、本発明の装置が座標変位の測定装置として機能することが明らかとなろう。
次に、各インピーダンス素子から得られる出力信号(Y軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δ)よりX軸或いはY軸方向の位置変位を導き出すための変換器内における処理につき、図10及び図11を参照しながら説明する。変換器35は、各軸検出部毎に備えられ、それぞれ増幅部19,位相シフト部16,加算部17,位相検出部18を含む演算回路15を有するものである。図中のマイクロコンピュータ36及びルックアップテーブル37については後段で説明する。各軸検出部からの差動出力α〜δは、演算回路15の増幅部19に接続される。
図11(A)に示す通り、本実施形態では、直線変位や回転角度を検出する誘導型やインピーダンス型の位置変位センサにおいて従来知られた位相差変換(P−D変換)方式を用いることによって、X軸或いはY軸方向の位置変位を導き出している。P−D変換については上述した通りであり、図10及び図11から明らかな様に、各軸検出部では4つのコイルの出力より、これらがL2−L4又はR2−R4(α,γ),そしてL1−L3又はR1−R3(β,δ)の二種類の差動出力に変換されたのち、変換器35内の演算回路15に入力され、増幅、位相シフト、加算の処理が施された後に位相検出処理が行われてY軸或いはX軸方向の位置変位が導き出される。導き出されたY軸或いはX軸方向の位置変位を座標変位として適宜(X座標:Y座標=dx:dy)の形で表わせば、本発明の装置が座標変位の測定装置として機能することが明らかとなろう。
この様に、図7、或いは図12の様なコイル配置或いは検出ヘッドを持つ本発明の座標変位の測定装置によれば、従来知られた直線変位の位置変位センサと同様、例えば4つのコイルから夫々得られる、夫々の自己インダクタンス等に応じた出力レベル乃至振幅関数を有する正弦波信号(Y軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δ)の値から、X軸或いはY軸方向の位置変位、ひいては2次元平面上の座標変位を導き出すことが出来る。
検出距離、或いは検出ヘッドからの座標変位の出力値に関しては、図7(A)に示された3行3列の枠内に置かれたコイル配列の場合、磁性体パネルCと非磁性体パネルSの組合せを1ピッチとし、図7(A)における検出ヘッドHの位置を基準にすると、同図中で検出ヘッドHが当初相対している磁性体パネルCと非磁性体パネルSの範囲内即ちX,Y軸方向それぞれに±1/4ピッチ、特に±1/8ピッチの範囲内では(図9(B)参照)、検出ヘッドHからの出力は、特に補正の必要が無い座標変位の値を表示する。図12の様なコイル配置からなる検出ヘッドの場合も同様である。
本発明の一実施例となる座標変位の測定装置の構成、および動作等については、図7〜図12をはじめとする添付図面、及び上記[発明を実施するための形態]で説明した通りである。
かくして、X軸検出部或いはY軸検出部に繋がる各演算回路15の位相検出部18より出力された位相差θは、X軸検出部或いはY軸検出部におけるX軸成分の変位或いはY軸成分の変位(dx、dy)に相当する。このとき、1ピッチ即ち磁性体パネルCの繰り返しピッチを例えば216=65536分割する16ビット処理を行えば、1ピッチ=10mmの場合なら、X軸検出部或いはY軸検出部のそれぞれで10000/65536≒0.15[μm]の分解能を得ることができる。
かくして、X軸検出部或いはY軸検出部に繋がる各演算回路15の位相検出部18より出力された位相差θは、X軸検出部或いはY軸検出部におけるX軸成分の変位或いはY軸成分の変位(dx、dy)に相当する。このとき、1ピッチ即ち磁性体パネルCの繰り返しピッチを例えば216=65536分割する16ビット処理を行えば、1ピッチ=10mmの場合なら、X軸検出部或いはY軸検出部のそれぞれで10000/65536≒0.15[μm]の分解能を得ることができる。
ここで、本実施例では、検出範囲を広げるため、ルックアップテーブルと言われる変換テーブルを用い、上記±1/4ピッチの範囲外に検出ヘッドが移動した際に生じ得る、一部に誤差を含んだ波形或いは出力値の補正が出来る様になっている。
図7或いは図12に示されたコイル配列の場合、P−D変換を適用した出力値から求められる座標変位の値と実際の座標変位の値の間の誤差の補正を行うに当たり、検出ヘッド出力値(誤差を含んだ値)と真の値(実際の正しい各軸毎の位置変位又は座標変位)との対照変換表等の様なルックアップテーブルを、本発明の装置製造時の検査等で実際に測定された出力値を基にして予め作っておき、これを図11に例示する通り、補正用ロムのような記憶媒体(メモリ37)を介して変換器35内に備えておけば良く、各コイルから実際に得られた信号を順次このルックアップテーブルに対照する処理をCPU(マイクロコンピュータ)36で行うことにより、各コイルから実際に得られた(誤差を含む)出力信号(Y軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δ)から真の値を容易に求めることができる。図11に示す通り、演算回路15から出たX軸或いはY軸方向の位置変位の値は、同じ変換器35内にあるCPU36に入力される。CPU36には、ルックアップテーブルが格納されたメモリ37が内蔵或いは電気的に接続されていて、演算回路15から入力された値は、当該CPU36内において順次ルックアップテーブルと対照処理される。対照処理の後、CPU36からは補正演算後の正しいX軸或いはY軸方向の位置変位の値が得られる。
本実施例の座標変位の測定装置によれば、上記の通り適宜補正演算等を併用することで、検出範囲が別段限定される事無く、広い範囲で正確に検出ヘッドHの座標変位を測定することができる。
図7或いは図12に示されたコイル配列の場合、P−D変換を適用した出力値から求められる座標変位の値と実際の座標変位の値の間の誤差の補正を行うに当たり、検出ヘッド出力値(誤差を含んだ値)と真の値(実際の正しい各軸毎の位置変位又は座標変位)との対照変換表等の様なルックアップテーブルを、本発明の装置製造時の検査等で実際に測定された出力値を基にして予め作っておき、これを図11に例示する通り、補正用ロムのような記憶媒体(メモリ37)を介して変換器35内に備えておけば良く、各コイルから実際に得られた信号を順次このルックアップテーブルに対照する処理をCPU(マイクロコンピュータ)36で行うことにより、各コイルから実際に得られた(誤差を含む)出力信号(Y軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δ)から真の値を容易に求めることができる。図11に示す通り、演算回路15から出たX軸或いはY軸方向の位置変位の値は、同じ変換器35内にあるCPU36に入力される。CPU36には、ルックアップテーブルが格納されたメモリ37が内蔵或いは電気的に接続されていて、演算回路15から入力された値は、当該CPU36内において順次ルックアップテーブルと対照処理される。対照処理の後、CPU36からは補正演算後の正しいX軸或いはY軸方向の位置変位の値が得られる。
本実施例の座標変位の測定装置によれば、上記の通り適宜補正演算等を併用することで、検出範囲が別段限定される事無く、広い範囲で正確に検出ヘッドHの座標変位を測定することができる。
各インピーダンス素子から得られる出力信号よりY軸或いはX軸方向の位置変位を導き出すための変換器35内における処理につき、この実施例では図11(B)に示す様に、Y軸或いはX軸方向の位置変位を、変換器35内に直接入力される個別の各コイルL1〜L4或いはR1〜R4の出力レベルに基づき検出している。又この実施例では、このとき同時に適宜補正演算を施している。上記実施例1と同様、補正演算にはルックアップテーブルと言われる変換テーブル等が用いられる。このとき、4つのコイルから夫々得られる出力信号は、CPU36に入力され、その内部又は外部に設置されたメモリ37に格納されているルックアップテーブルと対照する処理が行われる。
尚ルックアップテーブルとして記憶される情報としては、例えば4つのコイルから得られる出力信号(Y軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δ)から求まる各軸毎の位置変位又は座標変位の値と、実際の正しい各軸毎の位置変位又は座標変位との間の誤差の情報(誤差情報)が挙げられる。或いは、各軸の4つのコイルから得られる出力信号或いはこれらから求まる各軸毎の位置変位又は座標変位の値(誤差を含む)より、これをアドレスとして、直接実際の正しい各軸毎の位置変位又は座標変位の値(真の値)に辿り着けるようにし、その上で、この真の値に関する情報を、本発明の装置製造時等に補正演算用のロムに予め書き込んでおく手法が採られる。
尚ルックアップテーブルとして記憶される情報としては、例えば4つのコイルから得られる出力信号(Y軸成分検出信号α,β或いはX軸成分検出信号γ,δ)から求まる各軸毎の位置変位又は座標変位の値と、実際の正しい各軸毎の位置変位又は座標変位との間の誤差の情報(誤差情報)が挙げられる。或いは、各軸の4つのコイルから得られる出力信号或いはこれらから求まる各軸毎の位置変位又は座標変位の値(誤差を含む)より、これをアドレスとして、直接実際の正しい各軸毎の位置変位又は座標変位の値(真の値)に辿り着けるようにし、その上で、この真の値に関する情報を、本発明の装置製造時等に補正演算用のロムに予め書き込んでおく手法が採られる。
以上、本発明の一実施形態として2次元の座標変位の測定を行なうための構成を中心に説明したが、本発明は上記実施例記載のものに限られず、種々の設計変更が可能である。
例えば、2次元面上で交差して延びる一方側と他方側の軸の交差角度は、上でX軸、Y軸と表記した様な直角に限定されるものではない。
座標変位の測定についても、本発明の座標変位の測定装置の他に大まかな座標変位の測定手段を別途組み合わせ、大まかな座標変位を予め確定した後本発明の装置により座標変位を精密に測定する様にしても構わない。
また、各インピーダンス素子に加える信号(=励磁信号)を例えば正弦波交流電圧からなるアナログ信号ではなく、所謂パルス状の矩形波からなるディジタル信号としても良い。この様な構成とすれば煩雑なアナログ回路素子の精度管理が不要となる。又この様な構成としても、アナログ正弦波交流信号を各インピーダンス素子に入力した場合と変わらぬ性能を得ることが出来る。このとき、励磁信号として用いるデジタル信号は、位相差検出その他本発明の座標変位の測定装置の制御用に使用されているマイクロコンピュータより直接出力させることが可能であるほか、マイクロコンピュータからの出力信号を適宜ディジタル信号処理してから各インピーダンス素子に印加することもできる。
例えば、2次元面上で交差して延びる一方側と他方側の軸の交差角度は、上でX軸、Y軸と表記した様な直角に限定されるものではない。
座標変位の測定についても、本発明の座標変位の測定装置の他に大まかな座標変位の測定手段を別途組み合わせ、大まかな座標変位を予め確定した後本発明の装置により座標変位を精密に測定する様にしても構わない。
また、各インピーダンス素子に加える信号(=励磁信号)を例えば正弦波交流電圧からなるアナログ信号ではなく、所謂パルス状の矩形波からなるディジタル信号としても良い。この様な構成とすれば煩雑なアナログ回路素子の精度管理が不要となる。又この様な構成としても、アナログ正弦波交流信号を各インピーダンス素子に入力した場合と変わらぬ性能を得ることが出来る。このとき、励磁信号として用いるデジタル信号は、位相差検出その他本発明の座標変位の測定装置の制御用に使用されているマイクロコンピュータより直接出力させることが可能であるほか、マイクロコンピュータからの出力信号を適宜ディジタル信号処理してから各インピーダンス素子に印加することもできる。
各インピーダンス素子の数及び配置についても、上記実施例記載のものに限定されることなく様々な値等を採用し得る。その様な構成とした場合であっても、位相検出部での演算方法を変更したり、或いは位相検出に際してルックアップテーブルによる補正を併用したりすることにより、正しい座標変位を測定出来る。
更に、上記各例では一相のみで行っていた各インピーダンス素子への正弦波電圧の印加(=コイルの励磁)に代えて、各インピーダンス素子の第1端に、それぞれ位相のずれた交流電圧を供給する交流電源を接続し、上記各インピーダンス素子の第2端をそれぞれ一括接続することにより、多相交流の中性点電圧同様、この一括接続された第2端から、上記各インピーダンス素子と上記磁性体パネルC及び非磁性体パネルSの配列面との相対的位置の変化に伴うインピーダンス変化に対応した位相差をもつ交流信号を取り出し、これを用いて被測定物の座標変位の測定を行なうことも出来る。このとき、インピーダンス素子となる各コイルの第1端にはそれぞれ、ωt=2π/n(nは、X軸或いはY軸検出部を構成するインピーダンス素子数)づつずれた励磁信号を入力し得る。
又インピーダンス素子は、コイルに限らず例えば磁気抵抗素子(MR)等であっても良い。但し、各インピーダンス素子として磁気抵抗素子を使用する場合は、特開2000−292113号公報等にも記載されている様に、各磁気抵抗素子にバイアス磁界(フィールド磁界)を別途加えることが必要である。磁気抵抗素子は、インピーダンス素子の一例であるコイルよりも大幅に小型化出来るので、検出ヘッドを小型化出来る上、検出ピッチを詰めることが出来、装置の検出精度の向上に寄与する。
上記各例では、非磁性体パネルSは顕著な磁性を示さない金属又はプラスチック物質からなっているが、その他、磁性体パネルCのみを残し非磁性体パネルSが配置されていた部分を空隙としても良い他、空隙に代えて各磁性体パネルCの間に反磁性体を設置しても良い。
上記各例では、非磁性体パネルSは顕著な磁性を示さない金属又はプラスチック物質からなっているが、その他、磁性体パネルCのみを残し非磁性体パネルSが配置されていた部分を空隙としても良い他、空隙に代えて各磁性体パネルCの間に反磁性体を設置しても良い。
上記各例では、磁性体パネルC及び非磁性体パネルSが被測定物上に配列されている例につき説明したが、本発明の座標変位の測定装置は各インピーダンス素子と磁性体パネルC及び非磁性体パネルSの相対的位置から被測定物の座標変位を測定するものであるので、検出ヘッドH側に被測定物が物理的に結合されていても別に構わない。
その他、本発明の座標変位の測定装置は、上に列挙した適用対象に限らず、種々の対象にも適用可能であることは言うまでもない。
更に本発明は、2次元の座標変位の測定に限定されず、例えばNC(数値制御)工作機械やラピッドプロト作成機その他の3次元の座標変位の測定を行なう機器等に対しても適用可能なものである。
冒頭で示した通り、1次元の位置変位に関しては直線変位のほか回転角度の検出も可能であるところ、これらを組合せることにより、2次元の座標変位の検出に際しても、平面座標系やXYZ軸からなる座標系に限らず極座標系とすることもできる。
このように本発明は、インピーダンス素子と磁性体等よりなる磁気応答部材との相対的位置に応じて交流信号中に現れる電気位相差より位置変位を検出する位置変位センサの基本原理を活かした、廉価で簡素、かつ対環境性能に優れた小型の座標変位の測定装置を提供できるものであることが明らかである。
C 磁性体パネル
H 検出ヘッド
L1〜L4 コイル
R1〜R4 コイル
S 非磁性体パネル
1 一次コイル
1’ 一次コイル
2 二次コイル
2’ 二次コイル
3 磁性体配列棒
4 強磁性体
5 極鉄心
6 磁性体偏心板
7 中心軸
8 非磁性体
9 磁性体偏心板の一部
10 座標変位の測定装置
15 演算回路
16 位相シフト部
17 加法定理による加算回路
18 位相検出部
19 増幅部
35 変換器
36 マイクロコンピュータ
37 メモリ
H 検出ヘッド
L1〜L4 コイル
R1〜R4 コイル
S 非磁性体パネル
1 一次コイル
1’ 一次コイル
2 二次コイル
2’ 二次コイル
3 磁性体配列棒
4 強磁性体
5 極鉄心
6 磁性体偏心板
7 中心軸
8 非磁性体
9 磁性体偏心板の一部
10 座標変位の測定装置
15 演算回路
16 位相シフト部
17 加法定理による加算回路
18 位相検出部
19 増幅部
35 変換器
36 マイクロコンピュータ
37 メモリ
Claims (3)
- 所望の被測定物の表面上に載置され、マトリクス状にそれぞれX軸方向及びY軸方向に交互に配列される磁性体パネルと非磁性体パネルと、
前記磁性体パネル及び非磁性体パネルに相対して配置され、これらと相対的に非接触のまま変位する、複数個のインピーダンス素子によるX軸検出部とY軸検出部を包含する検出ヘッドと、
からなり、前記被測定物の前記磁性体パネル及び非磁性体パネルの配列面に対する前記検出ヘッドの相対的位置に応じたX軸成分検出信号とY軸成分検出信号とを、前記X軸検出部及びY軸検出部から夫々出力することを特徴とする座標変位の測定装置。 - 前記検出ヘッドは、それぞれX軸、Y軸方向に沿って3行3列の枠内に配列された8個のインピーダンス素子からなり、一方側の検出部は、X軸方向に延びる第1行及び第3行目に夫々2個配列されたインピーダンス素子から、また他方側の検出部は、X軸方向に延びる第1行及び第3行目に夫々1個、並びに第2行目に2個配列されたインピーダンス素子からなることを特徴とする請求項1に記載の座標変位の測定装置。
- 前記X軸成分検出信号及び前記Y軸成分検出信号に基づくほか、さらにルックアップテーブルを用いた補正演算によって前記検出ヘッド或いは前記被測定物の座標変位を検出することを特徴とする請求項1又は2に記載の座標変位の測定装置。
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JP2015503105A (ja) * | 2011-12-13 | 2015-01-29 | ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフトZf Friedrichshafen Ag | センサ装置,位置検出方法及びセンサ装置のための磁石素子 |
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