CN115930753A - 位置传感器***、光学透镜***和显示器 - Google Patents

Abstract

本公开的各实施例总体上涉及位置传感器***、光学透镜***和显示器。一种位置传感器***(100)包括在读出方向(104)上延伸并且包括沿着读出方向(104)以恒定的间距(108)交替的磁极的磁条(102)。至少第一差分磁阻传感器(110)包括以间距(108)间隔开的磁阻感测元件(110a，110b)。磁条(102)的磁极和第一差分磁阻传感器(110)在读出方向(104)上相对于彼此可移动。

Description

位置传感器***、光学透镜***和显示器

技术领域

示例涉及允许确定磁条与传感器之间的相对位置变化的位置传感器***。

背景技术

高分辨率线性位置和运动检测有很多应用。例如，在整体构造空间非常有限的光学变焦***中(例如：在智能手机相机内)需要检测透镜的准确位置。

迄今为止，线性定位***受到大型结构和高噪声水平的影响，最终使其不适合高精度测量。

需要增强位置传感器***。

发明内容

实施例涉及位置传感器***，该位置传感器***包括在读出方向上延伸并且具有沿着读出方向以恒定的间距交替的磁极的磁条。实施例还包括具有以间距间隔开的磁阻(xMR)感测元件的至少第一差分磁阻传感器，其中磁条的磁极和第一差分磁阻传感器在读出方向上相对于彼此可移动。使用本质上具有高灵敏度的磁阻感测元件可以允许缩小磁极的尺寸，同时接收具有足够信噪比的读出信号。放置磁阻感测元件以产生差分磁阻传感器可以进一步增加对噪声的抵抗力，从而允许进一步缩小磁极的尺寸。因此，与使用例如霍尔元件的常规方法相比，位置传感器***的实施例可以使用具有小图片的磁条，从而产生更高的位置感测精度。

另外的实施例涉及一种光学组件，该光学组件包括沿着读出方向相对于光学元件可移动的透镜、以及位置传感器***的实施例。磁条相对于光学元件或透镜中的一者固定，并且第一差分磁阻传感器相对于光学元件或透镜中的另一者固定。使用差分磁阻传感器来确定透镜中的光学元件之间的相对位置能够以高精度确定相对位置，进而允许两个，例如精确地操纵变焦***或类似光学***。

另外的实施例涉及一种可卷曲显示器，该可卷曲显示器包括在展开方向上并且相对于显示器框架的固定部分可延伸的显示器、以及位置传感器***的实施例。磁条相对于显示器或显示框架中的一者固定，并且第一差分磁阻传感器相对于显示器或显示框架中的另一者固定。使用差分磁阻传感器来确定显示器与其显示框架之间的相对位置可以允许以高于显示器像素大小的精度来确定显示器的位置。这进而可以允许在显示器上准确地显示期望内容，而不管其当前位置和当前展开的显示器的比例。

附图说明

以下将仅以示例的方式并且参考附图描述装置和/或方法的一些示例

图1是位置传感器***的一个实施例；

图2是在不同位置具有两个传感器的位置传感器***的差分磁阻传感器布局的一个实施例；

图3是在相同位置具有两个传感器的位置传感器***的差分磁阻传感器布局的一个实施例；

图4是位置传感器***的差分磁阻传感器布局的一个实施例；

图5a是位置传感器***的磁条的两个实施例；

图5b是磁条可达到的精度；

图6是从位置传感器***的差分磁阻传感器的一个实施例生成的读出信号的图示；

图7是光学***的一个实施例；以及

图8是可卷曲显示器的一个实施例。

具体实施方式

现在参考附图更详细地描述一些示例。然而，其他可能的示例不限于详细描述的这些实施例的特征。其他示例可以包括特征的修改以及特征的等效物和备选物。此外，本文中用于描述某些示例的术语不应当限制其他可能的示例。

在整个附图的描述中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元素和/或特征，它们可以相同或以修改的形式实现，同时提供相同或相似的功能。为了清楚起见，图中的线、层和/或区域的厚度也可能被夸大。

当两个元素A和B使用“或”组合时，这应当理解为公开了所有可能的组合，即，仅A、仅B以及A和B，除非在个别情况下另有明确定义。作为相同组合的备选措词，可以使用“A和B中的至少一个”或“A和/或B”。这等效地适用于两个以上元素的组合。

如果使用单数形式，诸如“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”，并且仅单个元素的使用没有明确或隐含地定义为强制，则另外的示例也可以使用若干元素来实现相同功能。如果以下将功能描述为使用多个元素来实现，则另外的示例可以使用单个元素或单个处理实体来实现相同功能。还应当理解，术语“包括(include)”、“包括(including)”、“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”在使用时描述指定特征、整体、步骤、操作、过程、元素、组件和/或其一组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、过程、元素、组件和/或其一组的存在或添加。

图1示出了位置传感器***100的实施例。在左侧图示中示出了顶部读取布局，而图1的右侧图示示出了标准读取配置。除此之外，对位置传感器***的个体元素的考虑是相同的。磁条102在读出方向104上延伸并且包括沿着读出方向104以恒定的间距108交替的磁极104a和104b。间距(磁间距)是单个磁极(北或南)沿着读出方向104的延伸。在磁条102内，沿着读出方向连续布置有一个间距长度的磁北极和一个间距长度的磁南极的多个对。

位置传感器***100还包括至少第一差分磁阻传感器110，第一差分磁阻传感器110包括以间距108间隔开的磁阻感测元件110a和110b。磁阻元件(XMR元件)可以例如使用巨磁阻(GMR)效应、各向异性磁阻效应(AMR)、共损耗磁阻效应(CMR)或隧道磁阻效应(TMR)以感测磁场强度。磁条102的磁极和第一差分磁阻传感器110在读出方向104上相对于彼此可移动。

图1所示的实施例还使用第二差分磁阻传感器112，第二差分磁阻传感器112包括以间距间隔开的磁阻感测元件112a和112b。第一差分磁阻传感器110和第二差分磁阻传感器112被图示为在同一芯片、基板或印刷电路板上。然而，在第一差分磁阻传感器110和第二差分磁阻传感器112中的每个提供独立地可用于评估磁场强度的读出信号的意义上，它们应当被理解为不同磁阻传感器。为了实现差分读出行为，磁阻传感器110和112中的每个磁阻传感器的感测元件110a、110b、112a、112b以磁条102的间距108位移以用于增加接收的信噪比并且增加对由于差分读出而产生的附加噪声的弹性。磁阻感测元件具有固有的高灵敏度，以允许将磁极的尺寸缩小到小于1mm、0.5mm甚至小于0.3mm，同时仍然产生具有足够信噪比的读出信号。

基于霍尔技术的常规***需要保持更高规模(导致磁极间距显著大于1mm)。这种***的准确性受到霍尔技术的低灵敏度和高噪声水平的限制。这种常规***的磁体尺寸(极距)不能减小到所提出的实施例的尺寸，因为所得到的磁场太低而不能被霍尔传感器检测到。进而，较大的磁极间距会导致较高位置误差，因为一个时段内的360°角范围(条形磁体的一个北极和一个南极)直接变换为线性位置误差。

虽然图1所示的实施例使用两个单独的磁阻传感器，但其他实施例同样可以仅使用一个磁阻传感器110来测量磁阻传感器110与由一对北极和相邻南极组成的磁条102的一段之间的相对位置。图6示出了当磁阻传感器110和112相对于磁条102移动时从磁阻传感器110和112接收的读出信号。对于每对北极和南极(在简化视图中形成偶极子)，第一磁阻传感器110生成正弦波形Vsin的全摆幅，而第二磁阻传感器112生成余弦波形Vcos的全摆幅。例如，传感器相对于一对北极和南极的位置可以基于第一磁阻传感器110和第二方法磁阻传感器112的信号的比率通过相位角Alpha来确定，该相位角Alpha评估正切函数(atan)的倒数Alpha＝atan(Vcos，Vsin)。例如，绝对位置可以通过将α映射到由两倍间距给出的线性距离，另外计算从磁条102的端部位置或端部中的一个开始经历的全摆幅次数来确定。

图2示出了在不同位置具有两个传感器的位置传感器***的差分磁阻传感器布局的一个实施例。布局是图1中已经示出的布局。图2进一步示出了每个磁阻传感器包括四个全桥配置的磁阻感测元件。在第一磁阻传感器110中，由两个磁阻感测元件210a和210b组成的第一支路110a与由两个磁阻感测元件210c和210d组成的第二支路110b位移间距108以产生期望差分读出。类似地，在第二磁阻传感器112中，由磁阻元件212a和212b组成的第一支路112a从由磁阻感测元件212c和212d组成的第二支路112b位移间距108。

第一磁阻传感器110和第二磁阻传感器112在读出方向上位移间距108的一半，以实现第一磁阻传感器110提供正弦信号而第二磁阻传感器112提供余弦信号(或至少两个信号相移90度)，如图6所示。例如，传感器的位移可以使用每个磁阻传感器的中心作为参考来评估。磁阻传感器的中心由在读出方向104上的传感器的最外面的磁阻感测元件之间的中心给出。

换言之，图2所示的实施例基于磁阻感测元件的两个交错惠斯通电桥。在所示示例中，假定两个传感器的磁阻感测元件是对芯片的平面内场分量Bx敏感并且具有相同标称电阻的TMR感测元件。一个电桥的左右TMR以与磁体间距相对应的距离“传感器间距”间隔开。第二惠斯通电桥布置在距第一电桥的距离“传感器间距/2”处。对于这种传感器布局，磁极间距应当与传感器间距完全匹配。

图3示出了在相同位置具有两个差分磁阻传感器310、320的位置传感器***的差分磁阻传感器布局的一个实施例。就像图2的布局一样，每个磁阻传感器的磁阻感测元件通过桥式电路连接。然而，为了能够将第一差分磁阻传感器310定位在与第二差分磁阻传感器320基本相同的位置，第一差分磁阻传感器310的磁阻感测元件对第一方向上的磁场敏感，并且第二差分磁阻传感器320的磁阻感测元件对垂直于第一方向的第二方向上的磁场敏感。

例如，第一差分磁阻传感器310可以对平面内磁场的x分量敏感，而第二差分磁阻传感器320对由磁条生成的平面内磁场的y分量敏感。这进而导致相应磁阻传感器的期望正弦和余弦信号。

根据一些示例，两个差分磁阻传感器310和320的正交灵敏度通过制造垂直于第二差分磁阻传感器的磁阻感测元件的钉扎层的第一差分磁阻传感器的磁阻感测元件的钉扎层来实现。

图4示出了位置传感器***的差分磁阻传感器布局的另一实施例。

虽然第二磁阻传感器440对应于图2所示的第二磁阻传感器112，第一磁阻传感器410与之前所示的布局的不同之处在于，附加的中心磁阻感测元件422和436存在于桥接电路的分支420和430中的每个中。第一中心磁阻感测元件422是第一分支420的一部分，还包括左磁阻感测元件424以及右磁阻感测元件426。左磁阻感测元件424与右磁阻感测元件426间隔开间距长度108，而第一中心磁阻感测元件422位于它们之间的中心。类似地，右分支430包括位移了传感器间距108的左磁阻感测元件434和右磁阻感测元件436、以及在它们之间居中的第二中心磁阻感测元件432。

在这种配置中，第一磁阻传感器410提供与C-(L+R)/2成比例的信号。中心422、432的标称电阻C仅为左右磁阻感测元件422、424、432、434的标称电阻L和R的一半。中心磁阻感测元件到外部左右磁阻感测元件的距离仅是间距108的大小的一半(也对应于第二桥440的“传感器间距”)。第一磁阻传感器410的信号仅具有第二磁阻传感器440的幅度的一半。然而，幅度失配可以很容易地通过上述因子2来校正，例如在外部微控制器内。如果磁阻传感器内的间距与磁条102的间距108不匹配到所需要的程度，则图4的实施例的布局提供优势。除了在前面的配置中，这样的***性失配不会在图4的实施例中引入正交性误差，但只有传感器之间的幅度不匹配，这可以通过校准来补偿。因此，在传感器间距与磁极间距不匹配的情况下，也可以实现高度准确的位置确定。

以下段落简要说明了如何根据图4的布局的传感器读出来确定位置，假定间距为0.5mm。磁阻传感器410和440的电桥的差分输出信号与感测元件处的磁场成比例：

Vcos～BxL-BxR，以及

Vsin～BXC-(BXL+BXR)/2，

其中B指示敏感方向上的磁场强度。

由于差分感测原理，均匀的杂散场分量相互抵消，并且测量变得独立于外部干扰场。

根据这两个差分信号，使用三角反正切函数(atan2)计算角度α。

Alpha＝atan2(Vcos，Vsin)

如果使用磁极长度(间距)为500μm的多极条形磁体，则一个北极和一个南极形成长度为1mm的一个偶极子。1mm的长度转换为从0到360°的角度信息。因此，角度确定中的误差通过将角度误差除以偶极子长度直接转换为线性位置误差。

根据图2和图4的实施例也可以可选地以图1的左侧布局中所示的“顶部读取”配置进行安装。在“顶部读取”配置中，传感器芯片倾斜90°。在这种配置中，如果感测元件靠近芯片的上边缘放置，则可以在磁体表面与感测元件之间实现非常小的气隙。

虽然前面的段落说明了可以在位置传感器***的实施例中使用的差分磁传感器的若干不同配置，但是图5a示出了在位置传感器***中可用的三种磁条配置。在图5a中，读出方向被选择为图示的x轴，而垂直于读出方向104的方向由y轴给出。

所示的三种配置510、520和530具有磁极在磁条内沿着读出方向104以恒定的间距交替的特性。然而，磁条在读出方向的端部具有不同配置。第一配置510在磁条的两端具有全宽(即，一个间距的宽度)的磁极512和514。

第二配置520在磁条的两侧具有仅为间距108的宽度的一半的磁极522和524。

在第三配置530中，磁极被磁导536包围。磁导536覆盖磁条的两端和磁条在垂直于读出方向104的方向540上的一侧。

第一配置510可能导致朝向磁条端部的定位精度降低，因为测量原理所依赖的周期性在朝向磁条端部时受到干扰。特别地，当到达磁条的端部时，磁极512和514的影响变得更加显著。

图5b示出了使用图5a的磁条配置可实现的测量精度。x轴表示磁阻传感器与磁条之间的线性位移，示例长度为10mm，间距为0.5mm。Y轴以微米为单位表示定位误差。虽然误差的绝对量对应于所测量的设置，但关于磁条配置的结论对于使用遵循图5a所示的不同设计的磁条的其他配置同样适用。

图表550对应于磁条配置510的测量误差。如前所述，测量误差朝向磁条两端变得显著，最终超过+/-50微米。

由于磁条两端的磁极522、524仅具有磁条内磁极的宽度的一半，图5a所示的磁条配置520导致定位误差大大减小。因此，磁条两端的磁极522和524的优势大大降低，因为由这些磁极生成的磁场比由全宽磁极生成的比较磁场弱。图表560示出了当使用磁条配置520时测量精度朝向磁条端部显著增加。该图表示出，几乎可以在磁条的整个长度上实现低于10或甚至5微米的极低误差。

在配置530中，磁导536关闭了磁条端部的磁场，并且因此也大大降低了磁条的最外面的磁极的优势。图表580示出了当使用磁导时与标准配置510相比测量精度大大提高。

图表570示出了使用磁条的另外的可能配置的测量精度。图表570对应于磁条，其中最外面的磁极被去磁化50％，同时具有全间距的宽度。与图表570相对应的配置未在图5a中示出，因为该原理的图形说明似乎难以完成。

可以注意到，另外的实施例同样可以基于先前描述的配置的任意组合。例如，具有“半磁极”(第二配置520)的磁体的位置误差可以通过部分去磁化最外面的磁极来进一步减小。类似地，通过对最外面的磁极进行部分去磁化，可以进一步减少具有“半磁极”的磁体的位置误差。

先前已经指出，确定绝对位置可能需要在传感器沿着磁条移动的同时对传感器读出的全摆幅的发生进行计数，以进一步评估传感器信号。

图6示出了使用位置传感器***的差分磁阻传感器生成的读出信号110和112。如前所述，当传感器相对于磁条移动时，第一差分磁阻传感器可以提供正弦信号110，而第二差分磁阻传感器可以提供余弦信号112。如图6所示，传感器信号110和112的幅度可以朝着磁条延伸的端部显著变化，并且沿着磁条的整个长度也可以在较小程度上变化。这种变化在朝着磁条端部的区域610和620中变得更加显著。这是由于结合图5a和图5b描述的效果。

然而，一些实施例利用固有存在的效应来确定绝对位置，而不需要将传感器或磁条机械地移动到最初的位置并且从那时开始计算符号或余弦波的计数。相反，位置传感器***的实施例可以积极地评估朝向磁条工作结束的幅度增加或减少以得出参考位置。类似地，沿着磁条的整个长度的传感器读出的幅度变化用于确定当前是哪对磁极引起由一些实施例的传感器测量的磁场。因此，一些实施例可能能够确定沿着磁条长度的绝对位置，而不需要计算从由磁条任一端的机械停止给出的起始位置开始的满正弦或余弦摆幅的计数。

具有精确确定线性运动的能力具有多种新应用，特别是在以几微米或十分之几微米的精度确定位置变得可行的情况下。如此高的测量精度可以是进入新应用的推动力，例如图7中所示的应用。图7示出了光学***700的实施例。

光学***700包括光学元件760，该光学元件760在该示例中是CCD相机设备。光学***700还包括具有至少单个透镜的透镜***710。透镜***710在读出方向720上相对于CCD 760可移动，以实现光学***700的变焦。例如，图7所示的光学***可以在移动电话的移动设备相机内采用以提供光学变焦能力，即使可用空间极其有限。

为了能够准确地控制图示的变焦，使用位置传感器***730和740的实施例，每个位置传感器***包括磁条732、742和相关的磁阻传感器734、744。

磁条732、742或磁阻传感器734、744相对于透镜***710是固定的。位置传感器***730、740的相应其他组件相对于光学元件760是固定的，以便能够精确测量光学元件760与透镜***710之间的相对运动。

使用这样的配置，移动设备相机内的光学变焦可以仅在最小的空间要求下被精确控制或测量。

图8示出了使用位置传感器***的实施例来精确确定可卷曲显示器在展开方向812上延伸的长度的可卷曲显示器810的实施例。

可卷曲显示器810在展开方向812上并且相对于显示器框架814的固定部分是可延伸的。在框架814内或在壳体内，显示器810可以以圆柱形方式卷曲，或者它也可以围绕圆柱体或类似机构折叠或以其他方式弯曲以使得显示器的可见部分能够减少并且将显示器隐藏在壳体内或显示器框架814内。显示器框架814例如可以是仅用于支持显示器的目的的框架，或同样可以由其他外部组件定义，例如移动电话或平板电脑设备的机身。

为了确定可卷曲显示器已经在展开方向812上延伸的程度，磁条820相对于显示器810或显示器框架814中的一者固定，并且第一差分磁阻传感器830相对于显示器810或显示器框架814中的另一者固定。换言之，磁阻传感器830固定到显示器框架814并且磁条820固定到可卷曲显示器810，或者磁阻传感器830固定到可卷曲显示器810并且磁条820固定到显示器框架814。

使用位置传感器***的实施例来确定显示器与其显示框架之间的相对位置可以允许以高于显示器像素大小的精度来确定显示器的位置。这进而可以允许在显示器上准确地显示期望内容，而不管其当前位置和当前展开的显示器的比例。

还可以将关于先前示例中的特定一个描述的方面和特征与另外的示例中的一个或多个组合以替换该另外的示例的相同或相似的特征或者将这些特征附加地引入到另外的示例中。

示例还可以是或涉及一种包括程序代码的(计算机)程序，当程序在计算机、处理器或其他可编程硬件组件上执行时，该程序代码执行上述方法中的一个或多个。因此，上述不同方法的步骤、操作或过程也可以由编程的计算机、处理器或其他可编程硬件组件来执行。示例还可以涵盖程序存储设备，诸如数字数据存储介质，程序存储设备是机器、处理器或计算机可读的并且编码和/或包含机器可执行的、处理器可执行的或计算机可执行的程序和指令。例如，程序存储设备可以包括或者是数字存储设备、诸如磁盘和磁带等磁存储介质、硬盘驱动器、或光学可读数字数据存储介质。其他示例还可以包括被编程为执行上述方法的步骤的计算机、处理器、控制单元、(现场)可编程逻辑阵列((F)PLA)、(现场)可编程门阵列((F)PGA)、图形处理器单元(GPU)、专用集成电路(ASIC)、集成电路(IC)或片上***(SoC)***。

还应当理解，在说明书或权利要求书中公开的若干步骤、过程、操作或功能的公开不应当被解释为暗示这些操作必须依赖于所描述的顺序，除非在个别情况下明确说明或出于技术原因需要。因此，前面的描述并不将若干步骤或功能的执行限制为一定的顺序。此外，在另外的示例中，单个步骤、功能、过程或操作可以包括和/或被分解成若干子步骤、功能、过程或操作。

如果已经针对设备或***描述了某些方面，则这些方面也应当理解为对相应方法的描述。例如，设备或***的块、设备或功能方面可以对应于相应方法的特征，例如方法步骤。因此，关于方法描述的方面也应当理解为对相应设备或相应***的相应块、相应元件、属性或功能特征的描述。

所附权利要求在此并入详细描述中，其中每个权利要求可以作为单独的示例独立存在。还应当注意，虽然在权利要求中，从属权利要求是指与一个或多个其他权利要求的特定组合，但其他示例还可以包括从属权利要求与任何其他从属或独立权利要求的主题的组合。在此明确提出这种组合，除非在个别情况下声明不打算进行特定组合。此外，任何其他独立权利要求也应当包括权利要求的特征，即使该权利要求未直接定义为依赖于该其他独立权利要求。

Claims (12)

1.一种位置传感器***(100)，包括：

磁条(102)，在读出方向(104)上延伸并且包括沿着所述读出方向(104)以恒定的间距(108)交替的磁极；

至少第一差分磁阻传感器(110)，包括以所述间距(108)间隔开的磁阻感测元件(110a，110b)，

其中所述磁条(102)的所述磁极和所述第一差分磁阻传感器(110)在所述读出方向(104)上相对于彼此可移动。

2.根据权利要求1所述的位置传感器***(100)，还包括：

第二差分磁阻传感器(112)，包括以所述间距(108)间隔开的磁阻感测元件(112a，112b)。

3.根据权利要求2所述的位置传感器***(100)，其中所述第一差分磁阻传感器(110)和所述第二差分磁阻传感器(112)在所述读出方向(104)上位移所述间距(108)的一半。

4.根据权利要求2所述的位置传感器***(100)，其中所述第一差分磁阻传感器(110)和所述第二差分磁阻传感器(112)在所述读出方向(104)上具有相同位置，

其中所述第一差分磁阻传感器(110)的所述磁阻感测元件对第一方向上的磁场敏感，并且

其中所述第二差分磁阻传感器(112)的所述磁阻感测元件对第二方向上的磁场敏感，所述第二方向垂直于所述第一方向。

5.根据权利要求4所述的位置传感器***(100)，其中所述第一差分磁阻传感器(310)的所述磁阻感测元件的钉扎层垂直于所述第二差分磁阻传感器(320)的所述磁阻感测元件的钉扎层。

6.根据权利要求2所述的位置传感器***(100)，其中所述第一差分磁阻传感器(110)和所述第二差分磁阻传感器(120)在所述读出方向(104)上具有相同位置，其中所述第一差分磁阻传感器传感器(110)还包括在以所述间距(108)间隔开的所述磁阻感测元件之间居中的居中磁阻感测元件。

7.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器***(100)，其中在所述磁条(102)的两端的所述磁极具有所述间距(108)的一半的宽度。

8.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器***(100)，其中所述磁极被磁导(536)包围，所述磁导覆盖所述磁条(102)的两端和所述磁条在垂直于所述读出方向(104)的方向(540)上的一侧。

9.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器***(100)，其中所述间距(108)在从0.1mm开始到1mm结束的间隔内。

10.一种光学***(700)，包括：

光学元件(760)，

透镜(710)，沿着读出方向(720)相对于所述光学元件(760)可移动；以及

根据权利要求1至9中任一项所述的位置传感器***(730)，

其中所述磁条(732)相对于所述光学元件(760)或所述透镜(710)中的一者固定，并且所述第一差分磁阻传感器(734)相对于所述光学元件(760)或所述透镜(710)中的另一者固定。

11.一种可卷曲显示器(800)，包括：

显示器(810)，在展开方向(812)上并且相对于显示器框架(814)的固定部分可延伸；以及

根据权利要求1至9中任一项所述的位置传感器***，其中所述磁条(820)相对于所述显示器(810)或所述显示器框架(814)中的一者固定，并且所述第一差分磁阻传感器(830)相对于所述显示器(810)或所述显示器框架(814)中的另一者固定。

12.一种移动电信设备，包括根据权利要求10所述的光学***或根据权利要求11所述的可卷曲显示器。

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