JP2005167141A - Method of manufacturing printed wiring board and multilayer printed wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法に関し、特に、ワークシートから多数のプリント配線板、多層プリント配線板を製造する製造方法、多数個取り用の多層プリント配線板に関するものである。 The present invention relates to a printed wiring board and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, and more particularly to a manufacturing method for manufacturing a large number of printed wiring boards, a multilayer printed wiring board from a worksheet, and a multilayer printed wiring board for multi-cavity production. is there.
プリント配線板製造を製造する際に、ワークシートによる多面取りが行われている。このワークシートは、一般に340mm×510mm、或いは、510mm×510mmの形状で、このワークシート上に多数のプリント配線板用の導電パターンを形成した後、ダイシング等で個々のプリント配線板に分割している。 When manufacturing printed wiring board manufacture, multi-chamfering with a worksheet is performed. This worksheet is generally 340 mm x 510 mm or 510 mm x 510 mm in shape, and after forming a large number of conductive patterns for printed wiring boards on this worksheet, it is divided into individual printed wiring boards by dicing or the like. Yes.
近年、エレクトロニクスの進歩に伴い、プリント配線板に高密度化が求められ、配線回路の多層化された多層プリント配線板が用いられるようになっている。この多層プリント配線板の製造は、ワークシートの上に導体回路と樹脂絶縁層とを交互にビルトアップすることにより行われている。 In recent years, with the advancement of electronics, higher density is required for printed wiring boards, and multilayer printed wiring boards having multilayered wiring circuits are being used. This multilayer printed wiring board is manufactured by alternately building up a conductor circuit and a resin insulating layer on a worksheet.
図20(A)は、ワークシート230上に回路パターン群234を形成した状態を示している。ここでは、ワークシート230には、9個の分の多層プリント配線板に用いられるコア基板210が含まれている。このワークシート230は、樹脂板の両面に銅箔を積層した両面銅張り積層板として購入され、以下述べる工程を経て多層プリント配線板が製造される。上述したコア基板210の形成は、まず、ワークシート230に複数のスルーホール用貫通孔を穿設し、スルーホール貫通孔に表裏を導通するためのめっきを施し、スルーホールを形成する。スルーホール内にガラスフィラー等を分散させたエポキシ樹脂等を充填する。その後、両面銅張り積層板の不要部分をエッチングにより除去し、即ち、サブトラクティブ法により、図20(A)に示すような複数の配線パターン群234と枠状導体パターン235を形成する。枠状導体パターン235は、特許文献1中に開示されているように、この上に形成される樹脂絶縁層の膜厚を均一にしてバイアホールの開口を確実にし、更に、ワークシート230の強度を保つためである。
FIG. 20A shows a state where the
このように作製されたコア基板210となるワークシート230の配線パターン群234上に、セミアディティブ法、或いは、フルアディティブ法で、樹脂絶縁層と導体回路層を交互にビルドアップする。ワークシート230上にビルドアップした導体回路層258を図20(B)に示す。図20(A)と同様に、ビルドアップの導体回路層258の外周に枠状導体パターン259を形成する。導体回路層258の上にソルダーレジスト層を形成して、C4パッドにはんだを供給して多層プリント配線板とする。
そして、多層プリント配線板の製品間、即ち、図20(B)中に示す鎖線に沿ってダイシング等で切断して、9個のパッケージ基板を形成する。
Then, nine package substrates are formed by cutting between products of the multilayer printed wiring board, that is, along a chain line shown in FIG. 20B by dicing or the like.
しかしながら、ワークシートの強度を高めるために枠状導体パターン235、259を形成しても、層間樹脂絶縁層、ソルダーレジスト層となる樹脂を塗布し、樹脂を硬化させた際にワークシートに反りが発生し、ワークシートを切断して成る多層プリント配線板(パッケージ基板)がIC等の電子部品の実装信頼性が低くなる程度に反ってしまう問題が生じた。
However, even if the frame-
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、反りの無い多層プリント配線板を製造し得る製造方法を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a multilayer printed wiring board without warping.
発明者らは、上記目的を達成するため、鋭意研究を行なったところ、反り発生の原因が、製品内と製品外の銅面積差が、不均一であることであることに至った。詳しく説明すると、図20(A)及び図20(B)より、ワークシート230内の各製品210、210間には、銅(導体パターン234、258)が全く存在しない。これは、個片加工する際、銅が無いほうが切断し易いためである。それに対して、製品210の外側には、いずれの場所も枠状導体パターン235、259として銅が存在している。製品が存在する列、例えば、製品A1、A2、A3の銅面積の合計と製品A1、A2、A3を延長した製品外の枠状銅パターン235、259の銅面積B1とB2の合計の比率(製品A1、A2、A3の銅面積の合計/枠状銅パターンの銅面積B1とB2の合計)は、製品のファイン度により異なるが、決して0になることはない。これに対して、製品内の製品A1と製品A4間の銅面積(G)/製品間を製品外に延長した枠状銅パターンの面積(B3)は、必ず、0である。このように、枠状導体パターン235(259)内の銅面積と枠状銅パターン235(259)の銅面積比率は、製品間において突然0となる。このため、製品間のみ他の部分と比較して、樹脂硬化の際に生じる応力が大きく異なることとなり、ワークシート230は、製品間を起点として反ってしまう。
The inventors have conducted extensive research to achieve the above object, and as a result, the cause of warpage is that the difference in copper area between the inside and outside of the product is uneven. More specifically, as shown in FIGS. 20A and 20B, there is no copper (
多層プリント配線板の反りを解決するため、発明者は、複数のスルーホールを有するコア基板上に、層間絶縁層と導体層が形成されて、バイアホールを介して、電気的接続を行なわれる多層プリント配線板において、導体層の少なくとも一層に、製品(個片のプリント基板を構成する回路パターン群)とは導通しない不連続な枠状導体パターンを設けることに到達した。製品外の枠状導体パターンにスリットを設けて不連続とする位置は、製品間を延長した位置が好ましい。それは、製品内と製品外で、製品間に相当する位置の銅面積差が減少し、反りを発生させる応力が小さくなるからである。製品とは導通しない枠状導体パターンにスリットを設けて不連続とする箇所は、製品間を製品外に延長した位置であって、一箇所以上あれば良く、さらに、好適には、相対しない枠状導体パターンの二箇所以上を不連続とすることが好ましい。最適は、全箇所を不連続とすることである。
スリットの幅は、製品間幅×0.1≦不連続とする幅≦製品間幅×5が好ましい。0.1未満であると、反り防止の効果がない。逆に、5を越えると、基板の強度が低下し、反りが発生するからである。
In order to solve the warpage of the multilayer printed wiring board, the inventor has proposed that a multilayer insulating layer and a conductor layer are formed on a core substrate having a plurality of through holes and electrically connected via via holes. In the printed wiring board, at least one layer of the conductor layer has been provided with a discontinuous frame-like conductor pattern that is not electrically connected to a product (a circuit pattern group constituting a piece of printed circuit board). The position where the slit is provided in the frame-shaped conductor pattern outside the product to make it discontinuous is preferably a position extending between the products. This is because the difference in copper area at the position corresponding to the product between the product and the product is reduced, and the stress that causes warping is reduced. The location where the slits are provided in the frame-shaped conductor pattern that is not electrically connected to the product to make it discontinuous is the location where the space between the products is extended outside the product, and there should be at least one location. It is preferable that two or more portions of the conductor pattern are discontinuous. The optimal is to make all locations discontinuous.
The width of the slit is preferably: product width × 0.1 ≦ discontinuous width ≦ product width × 5. If it is less than 0.1, there is no effect of preventing warpage. On the other hand, if it exceeds 5, the strength of the substrate decreases and warpage occurs.
先ず、本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板10の構成について、図1〜図8を参照して説明する。図8は、該多層プリント配線板10の断面図である。多層プリント配線板10では、コア基板30の表面に導体回路34、導体層34P、裏面に導体回路34、導体層34Eが形成されている。表面の導体回路34と裏面の導体回路34とはスルーホール36を介して接続されている。上側の導体層34Pは、電源用のプレーン層として形成され、下側の導体層34Eは、アース用のプレーン層として形成されている。更に、該導体層34P、34Eの上にバイアホール60及び導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層50と、バイアホール160及び導体回路158の形成された層間樹脂絶縁層150とが配設されている。該バイアホール160及び導体回路158の上層にはソルダーレジスト層70が形成されており、該ソルダーレジスト層70の開口部71を介して、バイアホール160及び導体回路158にバンプ76U、76Dが形成されている。
First, the configuration of the multilayer printed
引き続き、図8を参照して上述した多層プリント配線板10の製造方法について図1〜図7を参照して説明する。
(実施例1)
A.層間絶縁材用フィルムの作製
(1) ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、商品名:E−1001)40重量部と、フェノールノボラック型エポキシ樹脂(油化シェル製、商品名:E−154)60重量部と、イミダゾール型硬化剤(四国化成製、商品名:2PHZ)5重量部とブチルセロソルブアセテート75重量部とを三本ローラーで攪拌、混合してフィルム前駆体を調整した。
Next, a method for manufacturing the multilayer printed
(Example 1)
A. Production of Film for Interlayer Insulating Material (1) 40 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (product name: E-1001) and phenol novolac type epoxy resin (product name: E-154) ) 60 parts by weight, 5 parts by weight of an imidazole type curing agent (trade name: 2PHZ, manufactured by Shikoku Chemicals) and 75 parts by weight of butyl cellosolve acetate were stirred and mixed with a three roller to prepare a film precursor.
(2) このフィルム前駆体をローラーコーター(サーマトロニクス貿易製)を使用して、ポリメチルペンテン(TPX)(三井石油化学工業製、商品名:オピュランX−88,軟化点180℃)製の50μm厚のフィルム上に塗布し、その後、80℃で2時間、120 ℃で5時間、150 ℃で2時間、乾燥硬化させて厚さ40μmの層間絶縁層用樹脂フィルム層を形成した。 (2) Using this film precursor, a roller coater (manufactured by Thermatronics Trading Co., Ltd.), 50 μm made of polymethylpentene (TPX) (manufactured by Mitsui Petrochemical Industry, trade name: Opyran X-88, softening point 180 ° C.) It was applied onto a thick film, and then dried and cured at 80 ° C. for 2 hours, 120 ° C. for 5 hours, and 150 ° C. for 2 hours to form a resin film layer for an interlayer insulating layer having a thickness of 40 μm.
B.スルホール充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社製、分子量:310、YL983U)100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のSiO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−CE)72重量部およびレベリング剤(サンノプコ社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が23±1℃で30〜60Pa・sの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)6.5重量部を用いた。
B. Preparation of resin composition for filling through-hole 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd., molecular weight: 310, YL983U), the average particle size coated with a silane coupling agent on the surface is 1.6 μm, maximum By taking 72 parts by weight of SiO2 spherical particles (Adtech, CRS 1101-CE) having a particle diameter of 15 μm or less and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Senopco Co., Perenol S4) in a container, the viscosity is obtained by stirring and mixing. Prepared a resin filler of 30 to 60 Pa · s at 23 ± 1 ° C. As the curing agent, 6.5 parts by weight of an imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2E4MZ-CN) was used.
C.多層プリント配線板の製造
(1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる絶縁性基板30Aの両面に12μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板(510mm×510mmのワークシート)30を出発材料とした(図1(A))。
C. Manufacture of multilayer printed wiring board (1) Copper-clad laminate (12
(2)まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき、電気めっきを施し、不要部分をエッチングにより除去し、即ち、サブトラクティブ法により、基板30の両面に、図1(B)に示すような複数の配線パターン34、製品とは導通しない連続した枠状導体パターン35、スルーホール36、上面に導体層34P、下面に導体層34Eを形成した。このワークシート30の平面図を図9に示す。第1実施形態では、510mm×510mmのワークシートを用い、40mm×40mmの多層プリント配線板(パッケージ基板)10が縦横10−10で100個同時に製造できるが、図示の便宜上、図9中には、縦横3−3で、9個のみ示してある。図9中のA−A断面が、図1(B)に対応している。製品(1のパッケージ基板を構成する回路パターン群)A3と製品A4との図中の横間隔C、製品A3と製品A5との図中の縦間隔Cは8mm空けられ、枠状導体パターン35の幅Wは10mmに設定されている。
(2) First, this copper-clad laminate is drilled, electroless-plated, electroplated, and unnecessary portions are removed by etching. That is, the subtractive method is used to form both sides of the
(3)複数の配線パターン34と製品とは導通しない連続した枠状導体パターン35とスルーホール36を形成した基板30をNaOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、配線パターン34と製品とは導通しない連続した枠状導体パターン35とスルーホール36の表面に粗化面34αを形成した(図1(C))。
(3) A
(4)次に、上記Bで作成したスルホール充填用樹脂組成物40γを導体回路34、34間とスルーホール36内に、スキージを用いて充填した後、100℃、20分の条件で乾燥を行った(図1(D))。その基板表面を、導体回路34表面およびスルーホール36のランド表面が露出するまで研磨して平坦化し、100℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理を行うことにより、スルーホール充填用樹脂組成物40γを硬化させて樹脂充填材層40を形成した(図1(E))。
(4) Next, the through hole filling resin composition 40γ prepared in B is filled between the
(5)上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路34、導体層34P、34Eの表面とスルーホール36のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、導体回路の全表面に粗化面36竈を形成した(図2(A))。エッチング液としては、イミダゾール銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7.3重量部、塩化カリウム5重量部からなるエッチング液(メック社製、メックエッチボンド)を使用した。
(5) After washing the substrate with water and acid degreasing, soft etching is performed, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate to spray the surfaces of the
(6)次に、上記Aで作製した層間絶縁材用樹脂フィルム50γを、温度50〜150℃まで昇温しながら、0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付けた(図2(B))。 (6) Next, the interlayer insulating resin film 50γ produced in A was laminated by vacuum pressure bonding at 0.5 MPa while the temperature was raised to 50 to 150 ° C. (FIG. 2B). .
(7)次に、層間絶縁材用樹脂フィルム50γに、三菱社製のCO2レーザ装置にて、下記のレーザ条件で、80um径のバイアホール用開口50aを形成した(図2(C))。
「レーザ条件」
マスク径:φ1.4mm
パルス幅:15us
パルスエネルギー:2.0mj/パルス
ショット数:5ショット
(7) Next, a via hole opening 50a having a diameter of 80 μm was formed in the interlayer insulating resin film 50γ using a CO2 laser device manufactured by Mitsubishi Corporation under the following laser conditions (FIG. 2C).
"Laser conditions"
Mask diameter: φ1.4mm
Pulse width: 15us
Pulse energy: 2.0 mj / number of pulse shots: 5 shots
(8)次に、150℃で3時間熱処理を行ない、層間絶縁材用樹脂フィルム50γを完全硬化させ層間樹脂絶縁層50を形成した(図2(D))。層間絶縁材用樹脂フィルム50γを硬化させる際に、ワークシート30に応力が発生するが、枠状導体パターン35を構成する銅によりワークシート30の周囲の強度が高められて、反りが発生し難い。
(8) Next, heat treatment was performed at 150 ° C. for 3 hours, and the interlayer insulating resin film 50γ was completely cured to form the interlayer resin insulating layer 50 (FIG. 2D). When the interlayer insulating resin film 50γ is cured, stress is generated on the
(9)その基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層50の表面に粗化面50αを形成した(図2(E))。粗化面は0.1〜5μmの間で形成した。
(9) The substrate was immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l of permanganic acid for 10 minutes to form a roughened surface 50α on the surface of the interlayer
(10)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
(10) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate subjected to the roughening treatment (
(11)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間絶縁層50の表面、および、バイアホール用開口50aの壁面に厚さ0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜52を形成した(図3(A))。
〔無電解めっき水溶液〕
硫酸銅 0.800 mol/l
EDTA 0.030 mol/l
HCHO 0.050 mol/l
NaOH 0.100 mol/l
α、α′−ビピリジル 100 mg/l
ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l
〔無電解めっき条件〕
34℃の液温度で40分
(11) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and a thickness of 0.6 to 3.0 μm is formed on the surface of the interlayer insulating
[Electroless plating aqueous solution]
Copper sulfate 0.800 mol / l
EDTA 0.030 mol / l
HCHO 0.050 mol / l
NaOH 0.100 mol / l
α, α'-bipyridyl 100 mg / l
Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l
[Electroless plating conditions]
40 minutes at a liquid temperature of 34 ° C
(12)無電解銅めっき膜52が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、現像処理することにより、めっきレジスト54を設けた(図3(B))。図10を参照して後述する製品外の枠状導体パターン59が連続となるようにめっきレジストを形成した。めっきレジスト54の厚みは、10〜30μmの間を用いた。
(12) A plating resist 54 is provided by pasting a commercially available photosensitive dry film on the substrate on which the electroless
(13)ついで、めっきレジスト非形成部に、以下の条件で、厚さ25μmの電解銅めっき膜56を形成した(図3(C))。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l硫酸銅 0.26 mol/l添加剤 19.5 ml/l(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度 1 A/dm2時間 65 分温度 22±2 ℃
(13) Next, an electrolytic
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan KK, Kaparaside GL)
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1 A / dm2 hour 65
(14)さらに、めっきレジストを5%程度のKOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、複数の配線パターン58及びバイアホール60、製品外の製品とは導通しない連続した枠状導体パターン59とした(図3(D))。このワークシート30の平面図を図10に示す。図10中のB−B断面が、図3(D)に対応している。製品(1のパッケージ基板を構成する回路パターン群)A3と製品A4との図中の横間隔C、製品A3と製品A5との図中の縦間隔Cは8mm空けられ、枠状導体パターン59の幅Wは10mmに設定されている。
(14) Further, after removing and removing the plating resist with about 5% KOH, the electroless plating film under the plating resist is removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to remove a plurality of wirings. The
(15)ついで、配線パターン58及びバイアホール60の表面、製品外の製品とは導通しない連続した枠状導体パターン59をNaOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、導体回路の表面に粗化面58aを形成した(図3(E))。
(15) Next, a continuous frame-
(16)次に、上記Aで作製した層間絶縁材用樹脂フィルム150γを、温度50〜150℃まで昇温しながら、0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付けた(図4(A))。 (16) Next, the interlayer insulating resin film 150γ produced in A was laminated by vacuum pressure bonding at 0.5 MPa while the temperature was raised to 50 to 150 ° C. (FIG. 4A). .
(17)次に、層間絶縁材用樹脂フィルム150γに、三菱社製のCO2レーザ装置にて、下記のレーザ条件で、80um径のバイアホール150aを形成した(図4(B))。
「レーザ条件」
マスク径:φ1.4mm
パルス幅:15us
パルスエネルギー:2.0mj/パルス
ショット数:5ショット
(17) Next, an 80-um diameter via
"Laser conditions"
Mask diameter: φ1.4mm
Pulse width: 15us
Pulse energy: 2.0 mj / number of pulse shots: 5 shots
(18)次に、150℃で3時間熱処理を行ない、層間絶縁材用樹脂フィルム150γを完全硬化させ層間絶縁層150を得た(図4(C))。層間絶縁材用樹脂フィルム150γを硬化させる際に、ワークシート30に応力が発生するが、枠状導体パターン59を構成する銅によりワークシート30の周囲の強度が高められて、反りが発生し難い。
(18) Next, heat treatment was performed at 150 ° C. for 3 hours to completely cure the resin film for interlayer insulating material 150γ, thereby obtaining the interlayer insulating layer 150 (FIG. 4C). When the interlayer insulating resin film 150γ is cured, stress is generated on the
(19)その基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、バイアホール用開口52の内壁を含む層間樹脂絶縁層150の表面に粗化面150αを形成した(図4(D))。粗化面150αは0.1〜5μmの間で形成した。
(19) The substrate was immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l permanganic acid for 10 minutes to form a roughened surface 150α on the surface of the interlayer
(20)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
(20) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate subjected to the roughening treatment (
(21)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間絶縁層150の表面に厚さ0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜152を形成した(図4(E))。
〔無電解めっき水溶液〕
硫酸銅 0.800 mol/l
EDTA 0.030 mol/l
HCHO 0.050 mol/l
NaOH 0.100 mol/l
α、α′−ビピリジル 100 mg/l
ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l
〔無電解めっき条件〕
34℃の液温度で40分
(21) Next, the substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form an electroless
[Electroless plating aqueous solution]
Copper sulfate 0.800 mol / l
EDTA 0.030 mol / l
HCHO 0.050 mol / l
NaOH 0.100 mol / l
α, α'-bipyridyl 100 mg / l
Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l
[Electroless plating conditions]
40 minutes at a liquid temperature of 34 ° C
(22)無電解銅めっき膜152が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、現像処理することにより、めっきレジスト154を設けた(図5(A))。図11を参照して後述するように製品外の枠状導体パターンは、一箇所、不連続となるようめっきレジストを残した。その位置は、製品内の製品間を製品外に延長した位置以外で、製品間の幅と同じ幅Cで不連続となるようめっきレジストを残した。めっきレジストの厚みは、10〜30μmの間を用いた。
(22) A plating resist 154 is provided by pasting a commercially available photosensitive dry film on the substrate on which the electroless
(23)ついで、めっきレジスト非形成部に、以下の条件で、厚さ25μmの電解銅めっき膜156を形成した(図5(B))。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l硫酸銅 0.26 mol/l添加剤 19.5 ml/l(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度 1 A/dm2時間 65 分温度 22±2 ℃
(23) Next, an electrolytic
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan KK, Kaparaside GL)
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1 A / dm2 hour 65
(24)さらに、めっきレジストを5%程度のKOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、複数の配線パターン群158及びバイアホール160、製品外の製品とは導通しない不連続な枠状導体パターン159とした(図5(C))。このワークシート30の平面図を図11に示す。図11中のD−D断面が、図5(C)に対応している。製品(1のパッケージ基板を構成する回路パターン群)A3と製品A4との図中の横間隔C、製品A3と製品A5との図中の縦間隔Cは8mm空けられ、枠状導体パターン159の幅Wは10mmに設定されている。ここで、最外層の枠状導体パターン159は、スリット159Sを設けることで不連続になっている。スリット159Sの位置は、製品10と製品10との間を製品外に延長した位置から外れており、その数は1で、その幅は、製品間の間隔と同じ幅Cとした。
(24) Further, after removing and removing the plating resist with about 5% KOH, the electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. A discontinuous frame-
(25)ついで、配線パターン群158及びバイアホール160の表面、製品外の製品とは導通しない不連続な枠状導体パターン159をNaOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、表面に粗化面158αを形成した(図5(D))。
(25) Next, a discontinuous frame-
(26)前記(25)で得た基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物70γを20μmの厚さで塗布した(図6(A))。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのソーダライムガラス基板を、クロム層が形成された側をソルダーレジスト層に密着させて載置し、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパッドの上面、バイアホールとそのランド部分に開口(開口径 180um)71を設けたソルダーレジスト層70のパターン(厚み20μm)を形成した(図6(B))。ソルダーレジスト組成物70γを硬化させる際に、ワークシート30に応力が発生するが、スリット159Sを備える枠状導体パターン149を構成する銅によりワークシート30の周囲の強度が高められる。これと同時に、スリット159Sを設けることで、製品内と製品外で、銅面積差が減少し、反りを発生させる応力が小さくなり、反りが発生し難い。
(26) A commercially available solder resist composition 70γ was applied to the thickness of 20 μm on both surfaces of the substrate obtained in (25) (FIG. 6A). Next, after drying at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm thick soda lime glass substrate on which a circular pattern (mask pattern) of the solder resist opening was drawn by the chromium layer was applied to the chrome. The side on which the layer was formed was placed in close contact with the solder resist layer, exposed to 1000 mJ / cm @ 2 of ultraviolet light, and DMTG developed. Further, heat treatment was performed at 80 ° C. for 1 hour, 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours, and the top surface of the solder pad, via holes and land portions thereof were opened (opening diameter 180 μm). The pattern (thickness 20 μm) of the solder resist
(27)次に、ソルダーレジスト層70を形成した基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lからなるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム2g/l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ0.03μmの金めっき層74を形成した(図6(C))。
(27) Next, the substrate on which the solder resist
(28)そして、ソルダーレジスト層70の開口部71に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローすることによりはんだバンプ(はんだ体)76U、76Dを形成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造した(図7)。図7に示すワークシート30の平面図を図12に示す。図12中のE−E断面が、図7に対応している。このワークシート30の図中鎖線で示す位置をダイシングすることで、9個の多層プリント配線板(パッケージ基板)を得る。ダイシング後の多層プリント配線板10を図8に示す。
(28) Then, solder paste is printed on the
(実施例2)
A.層間絶縁材用フィルムの作製
(1) ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、商品名:E−1001)40重量部と、フェノールノボラック型エポキシ樹脂(油化シェル製、商品名:E−154)60重量部と、イミダゾール型硬化剤(四国化成製、商品名:2PHZ)5重量部とブチルセロソルブアセテート75重量部とを三本ローラーで攪拌、混合してフィルム前駆体を調整した。
(Example 2)
A. Production of Film for Interlayer Insulating Material (1) 40 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (product name: E-1001) and phenol novolac type epoxy resin (product name: E-154) ) 60 parts by weight, 5 parts by weight of an imidazole type curing agent (trade name: 2PHZ, manufactured by Shikoku Chemicals) and 75 parts by weight of butyl cellosolve acetate were stirred and mixed with a three roller to prepare a film precursor.
(2) このフィルム前駆体をローラーコーター(サーマトロニクス貿易製)を使用して、ポリメチルペンテン(TPX)(三井石油化学工業製、商品名:オピュランX−88,軟化点180℃)製の50μm厚のフィルム上に塗布し、その後、80℃で2時間、120 ℃で5時間、150 ℃で2時間、乾燥硬化させて厚さ40μmの層間絶縁層用樹脂フィルム層を形成した。 (2) Using this film precursor, a roller coater (manufactured by Thermatronics Trading Co., Ltd.), 50 μm made of polymethylpentene (TPX) (manufactured by Mitsui Petrochemical Industry, trade name: Opyran X-88, softening point 180 ° C.) It was applied onto a thick film, and then dried and cured at 80 ° C. for 2 hours, 120 ° C. for 5 hours, and 150 ° C. for 2 hours to form a resin film layer for an interlayer insulating layer having a thickness of 40 μm.
B.スルホール充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社製、分子量:310、YL983U)100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のSiO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−CE)72重量部およびレベリング剤(サンノプコ社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が23±1℃で30〜60Pa・sの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)6.5重量部を用いた。
B. Preparation of resin composition for filling through-hole 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd., molecular weight: 310, YL983U), the average particle size coated with a silane coupling agent on the surface is 1.6 μm, maximum By taking 72 parts by weight of SiO2 spherical particles (Adtech, CRS 1101-CE) having a particle diameter of 15 μm or less and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Senopco Co., Perenol S4) in a container, the viscosity is obtained by stirring and mixing. Prepared a resin filler of 30 to 60 Pa · s at 23 ± 1 ° C. As the curing agent, 6.5 parts by weight of an imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2E4MZ-CN) was used.
C.多層プリント配線板の製造
(1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる絶縁性基板30Aの両面に12μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板(510mm×510mmのワークシート)36を出発材料とした(図1(A))。
C. Manufacture of multilayer printed wiring board (1) Copper-clad laminate (12
(2)まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき、電気めっきを施し、不要部分をエッチングにより除去し、即ち、サブトラクティブ法により、基板30の両面に、図1(B)に示すような複数の配線パターン34、製品とは導通しない連続した枠状導体パターン35、スルーホール36、上面に導体層34P、下面に導体層34Eを形成した。このワークシート30の平面図を図9に示す。第2実施形態では、510mm×510mmのワークシートを用い、40mm×40mmの多層プリント配線板(パッケージ基板)10が縦横10−10で100個同時に製造できるが、図示の便宜上、図9中には、縦横3−3で、9個のみ示してある。図9中のA−A断面が、図1(B)に対応している。製品(1のパッケージ基板を構成する回路パターン群)A3と製品A4との図中の横間隔C、製品A3と製品A5との図中の縦間隔Cは8mm空けられ、枠状導体パターン35の幅Wは10mmに設定されている。
(2) First, this copper-clad laminate is drilled, electroless-plated and electroplated, and unnecessary portions are removed by etching, that is, on both surfaces of the
(3)複数の配線パターン34と製品とは導通しない連続した枠状導体パターン35とスルーホール36を形成した基板30をNaOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、配線パターン34と製品とは導通しない連続した枠状導体パターン35とスルーホール36の表面に粗化面34αを形成した(図1(C))。
(3) A
(4)次に、上記Bで作成したスルホール充填用樹脂組成物40を導体回路34、34間とスルーホール26内に、スキージを用いて充填した後、100℃、20分の条件で乾燥を行った(図1(D))。その基板表面を、導体回路34表面およびスルーホール36のランド表面が露出するまで研磨して平坦化し、100℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理を行うことにより、スルーホール充填用樹脂組成物を硬化させて樹脂充填材層40を形成した(図1(E))。
(4) Next, the
(5)次に、上記Aで作製した層間絶縁材用樹脂フィルム50γを、温度50〜150℃まで昇温しながら、0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付けた(図2(B))。 (5) Next, the interlayer insulating resin film 50γ prepared in A was laminated by vacuum pressure bonding at 0.5 MPa while being heated to a temperature of 50 to 150 ° C. (FIG. 2B). .
(6)次に、三菱社製のCO2レーザ装置にて、下記のレーザ条件で、80um径のバイアホール用開口52を形成した(図2(C))。
「レーザ条件」
マスク径:φ1.4mm
パルス幅:15us
パルスエネルギー:2.0mj/パルス
ショット数:5ショット
(6) Next, an 80 um diameter via
"Laser conditions"
Mask diameter: φ1.4mm
Pulse width: 15us
Pulse energy: 2.0 mj / number of pulse shots: 5 shots
(7)次に、150℃で3時間熱処理を行ない、層間絶縁材用樹脂フィルム50γを完全硬化させて層間樹脂絶縁層50を得た(図2(D))。層間絶縁材用樹脂フィルム50γを硬化させる際に、ワークシート30に応力が発生するが、枠状導体パターン35を構成する銅によりワークシート30の周囲の強度が高められて、反りが発生し難い。
(8)その基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層50の表面に粗化面50αを形成した(図2(E))。粗化面50αは0.1〜5μmの間で形成した。
(7) Next, heat treatment was performed at 150 ° C. for 3 hours to completely cure the interlayer insulating resin film 50γ to obtain an interlayer resin insulating layer 50 (FIG. 2D). When the interlayer insulating resin film 50γ is cured, stress is generated on the
(8) The substrate was immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l permanganic acid for 10 minutes to form a roughened surface 50α on the surface of the interlayer
(9)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate subjected to the roughening treatment (
(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間絶縁層50の表面(バイアホール52と溝53の内壁面とを含む)、および、バイアホール用開口52の壁面に厚さ0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜52を形成した(図3(A))。
〔無電解めっき水溶液〕
硫酸銅 0.800 mol/l
EDTA 0.030 mol/l
HCHO 0.050 mol/l
NaOH 0.100 mol/l
α、α′−ビピリジル 100 mg/l
ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l
〔無電解めっき条件〕
34℃の液温度で40分
(10) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, the surface of the interlayer insulating layer 50 (including the via
[Electroless plating aqueous solution]
Copper sulfate 0.800 mol / l
EDTA 0.030 mol / l
HCHO 0.050 mol / l
NaOH 0.100 mol / l
α, α'-bipyridyl 100 mg / l
Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l
[Electroless plating conditions]
40 minutes at a liquid temperature of 34 ° C
(11)無電解銅めっき膜52が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、現像処理することにより、めっきレジスト54を設けた(図3(B))。図10を参照して後述するように製品外の枠状導体パターンは、連続となるようめっきレジストを形成した。めっきレジストの厚みは、10〜30μmの間を用いた。
(11) A commercially available photosensitive dry film is attached to the substrate on which the electroless
(12)ついで、めっきレジスト非形成部に、以下の条件で、厚さ25μmの電解銅めっき膜56を形成した(図3(C))。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l硫酸銅 0.26 mol/l添加剤 19.5 ml/l(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度 1 A/dm2時間 65 分温度 22±2 ℃
(12) Next, an electrolytic
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan KK, Kaparaside GL)
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1 A / dm2 hour 65
(13)さらに、めっきレジストを5%程度のKOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト54下の無電解めっき膜52を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、複数の配線パターン58及びバイアホール60、製品外の製品とは導通しない連続した枠状導体パターン59とした(図3(D))。このワークシート30の平面図を図10に示す。図10中のB−B断面が、図3(D)に対応している。製品(1のパッケージ基板を構成する回路パターン群)A3と製品A4との図中の横間隔C、製品A3と製品A5との図中の縦間隔Cは8mm空けられ、枠状導体パターン59の幅Wは10mmに設定されている。
(13) Further, after removing the plating resist with about 5% KOH, the
(14)ついで、配線パターン58及びバイアホール60の表面、製品外の製品とは導通しない連続した枠状導体パターン59をNaOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、表面に粗化面58αを形成した(図3(E))。
(14) Next, a continuous frame-
(15)次に、上記Aで作製した層間絶縁材用樹脂フィルム150γを、温度50〜150℃まで昇温しながら、0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付けた(図4(A))。 (15) Next, the interlayer insulating resin film 150γ produced in A was laminated by vacuum pressure bonding at 0.5 MPa while raising the temperature to 50 to 150 ° C. (FIG. 4A). .
(16)次に、層間絶縁材用樹脂フィルム150γに、三菱社製のCO2レーザ装置にて、下記のレーザ条件で、80um径のバイアホール用開口150aを形成した(図4(B))。
「レーザ条件」
マスク径:φ1.4mm
パルス幅:15us
パルスエネルギー:2.0mj/パルス
ショット数:5ショット
(16) Next, an 80 um diameter via
"Laser conditions"
Mask diameter: φ1.4mm
Pulse width: 15us
Pulse energy: 2.0 mj / number of pulse shots: 5 shots
(17)次に、150℃で3時間熱処理を行ない層間絶縁材用樹脂フィルム150γを完全硬化させ層間樹脂絶縁層150を得た(図4(C))。層間絶縁材用樹脂フィルム150γを硬化させる際に、ワークシート30に応力が発生するが、枠状導体パターン59を構成する銅によりワークシート30の周囲の強度が高められて、反りが発生し難い。
(17) Next, a heat treatment was performed at 150 ° C. for 3 hours to completely cure the interlayer insulating resin film 150γ to obtain an interlayer resin insulating layer 150 (FIG. 4C). When the interlayer insulating resin film 150γ is cured, stress is generated on the
(18)その基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層150の表面に粗化面150αを形成した(図4(D))。粗化面150αは0.1〜5μmの間で形成した。
(18) The substrate was immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l permanganic acid for 10 minutes to form a roughened surface 150α on the surface of the interlayer
(19)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
(19) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate subjected to the roughening treatment (
(20)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間絶縁層150γの表面バイアホール用開口152の壁面に厚さ0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜152を形成した(図4(E))。
〔無電解めっき水溶液〕
硫酸銅 0.800 mol/l
EDTA 0.030 mol/l
HCHO 0.050 mol/l
NaOH 0.100 mol/l
α、α′−ビピリジル 100 mg/l
ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l
〔無電解めっき条件〕
34℃の液温度で40分
(20) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and the electroless copper having a thickness of 0.6 to 3.0 μm is formed on the wall surface of the surface via
[Electroless plating aqueous solution]
Copper sulfate 0.800 mol / l
EDTA 0.030 mol / l
HCHO 0.050 mol / l
NaOH 0.100 mol / l
α, α'-bipyridyl 100 mg / l
Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l
[Electroless plating conditions]
40 minutes at a liquid temperature of 34 ° C
(21)無電解銅めっき膜52が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、現像処理することにより、めっきレジスト154を設けた(図5(A))。図13を参照して後述すように製品外の枠状導体パターンは、製品内の製品間を製品外に延長した部分は、全て、製品間の幅と同じ幅で不連続となるようめっきレジストを残した。めっきレジストの厚みは、10〜30μmの間を用いた。
(21) A commercially available photosensitive dry film is attached to the substrate on which the electroless
(22)ついで、めっきレジスト非形成部に、以下の条件で、厚さ25μmの電解銅めっき膜156を形成した(図5(B))。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l硫酸銅 0.26 mol/l添加剤 19.5 ml/l(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度 1 A/dm2時間 65 分温度 22±2 ℃
(22) Next, an electrolytic
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan KK, Kaparaside GL)
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1 A / dm2 hour 65
(23)さらに、めっきレジストを5%程度のKOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、複数の配線パターン群158及びバイアホール160、製品外の製品とは導通しない不連続な枠状導体パターン159とした(図5(C))。このワークシート30の平面図を図13に示す。図13中のD−D断面が、図5(C)に対応している。製品(1のパッケージ基板を構成する回路パターン群)A3と製品A4との図中の横間隔C、製品A3と製品A5との図中の縦間隔Cは8mm空けられ、枠状導体パターン159の幅Wは10mmに設定されている。ここで、最外層の枠状導体パターン159は、スリット159Sを設けることで不連続になっている。スリット159Sの位置は、製品10、10間を製品外に延長した位置で、その数は、製品間全て、その幅は、製品間と同じ幅Cとした。
(23) Further, after removing and removing the plating resist with about 5% KOH, the electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. A discontinuous frame-
(24)ついで、配線パターン群158及びバイアホール160の表面、製品外の製品とは導通しない不連続な枠状導体パターン159をNaOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、表面に粗化面158αを形成した(図5(D))。
(24) Next, a discontinuous frame-
(25)前記(24)で得た基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物70γを20μmの厚さで塗布した(図6(A))。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのソーダライムガラス基板を、クロム層が形成された側をソルダーレジスト層に密着させて載置し、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパッドの上面、バイアホールとそのランド部分に開口(開口径 180um)71を設け、ソルダーレジスト層70のパターン(厚み20μm)を形成した(図6(B))。ソルダーレジスト組成物70γを硬化させる際に、ワークシート30に応力が発生するが、スリット159Sを備える枠状導体パターン149を構成する銅によりワークシート30の周囲の強度が高められる。これと同時に、スリット159Sを設けることで、製品内と製品外で、製品間に相当する位置の銅面積差が減少し、反りを発生させる応力が小さくなり、反りが発生し難い。
(25) A commercially available solder resist composition 70γ was applied to both sides of the substrate obtained in (24) above to a thickness of 20 μm (FIG. 6A). Next, after drying at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm thick soda lime glass substrate on which a circular pattern (mask pattern) of the solder resist opening was drawn by the chromium layer was applied to the chrome. The side on which the layer was formed was placed in close contact with the solder resist layer, exposed to 1000 mJ / cm @ 2 of ultraviolet light, and DMTG developed. Further, heat treatment was performed at 80 ° C. for 1 hour, 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours, and the top surface of the solder pad, via holes and land portions thereof were opened (opening diameter 180 μm). ) 71 and a pattern (thickness 20 μm) of the solder resist
(26)次に、ソルダーレジスト層70を形成した基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lからなるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム2g/l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層15上に厚さ0.03μmの金めっき層74を形成した(図6(C))。
(26) Next, the substrate on which the solder resist
(27)そして、ソルダーレジスト層70の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローすることによりはんだバンプ(はんだ体)76U、76Dを形成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造した(図7)。図7に示すワークシート30の平面図を図12に示す。図12中のE−E断面が、図7に対応している。このワークシート30の図中鎖線で示す位置をダイシングすることで、9個の多層プリント配線板(パッケージ基板)を得る。ダイシング後の多層プリント配線板10を図8に示す。
(27) Then, solder bumps (solder bodies) 76U and 76D were formed by printing solder paste in the openings of the solder resist
(実施例3)
実施例2中(C.多層プリント配線板の製造)の(2)及び(21)を以下に変更した以外は同方法で多層プリント配線板を作製した。
(変更点)
図13を参照して上述した第2実施例の枠状導体パターン159と同様になるよう、めっきレジストは、製品外の枠状導体パターンが、製品内の製品間を製品外に延長した位置は、全て、製品間の幅と同じ幅で不連続となるよう残した。
これにより、全ての導体層、即ち、図14に示すようにワークシート30上の枠状導体パターン35にスリット35Sを設け、また、図15に示すように層間樹脂絶縁層50上の枠状導体パターン59にスリット59Sを設け、図13を参照して上述した第2実施例の枠状導体パターン159と同様にスリット159Sを設けた。スリットにより不連続とした位置は、製品間を製品外に延長した全ての位置で、その幅は、製品間と同幅Cである。
(Example 3)
A multilayer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 2 except that (2) and (21) in (C. Production of multilayer printed wiring board) were changed as follows.
(change point)
In order to be the same as the frame-
Thereby, slits 35S are provided in all the conductor layers, that is, the frame-
(実施例4)
実施例2中(C.多層プリント配線板の製造)の(21)を以下に変更した以外は同方法で多層プリント配線板を作製した。
(変更点)
めっきレジストは、製品外の枠状導体パターンが、製品内の製品間を製品外に延長した位置は、全て、製品間の幅C×0.1の幅で不連続となるよう残した。
これにより、最外層の導体層にて、製品外の製品とは導通しない枠状導体パターンは、実施例2と同じで、不連続となった。不連続となった位置は、実施例2と同じで製品間を製品外に延長した全ての位置である。その幅は、実施例2とは異なり、製品間C×0.1である。
Example 4
A multilayer printed wiring board was produced by the same method except that (21) in Example 2 (C. Production of multilayer printed wiring board) was changed to the following.
(change point)
In the plating resist, all the positions where the frame-shaped conductor pattern outside the product extended between the products inside the product outside the product were left discontinuous with a width C × 0.1 between the products.
Thereby, the frame-like conductor pattern which does not conduct | electrically_connect with the product outside a product in the outermost conductor layer became the same as Example 2, and became discontinuous. The discontinuous positions are the same as those in the second embodiment, and are all positions extending between the products outside the products. Unlike the second embodiment, the width is C × 0.1 between products.
(実施例5)
実施例2中(C.多層プリント配線板の製造)の(21)を以下に変更した以外は同方法で多層プリント配線板を作製した。
(変更点)
めっきレジストは、製品外の枠状導体パターンが、製品内の製品間を製品外に延長した部分は、全て、製品間の幅C×5の幅で不連続となるよう残した。
これにより、最外層の導体層にて、製品外の製品とは導通しない枠状導体パターンは、実施例2と同じで、不連続となった。不連続となった位置は、実施例2と同じで製品間を製品外に延長した全ての位置である。その幅は、実施例2とは異なり、製品間×5である。
(Example 5)
A multilayer printed wiring board was produced by the same method except that (21) in Example 2 (C. Production of multilayer printed wiring board) was changed to the following.
(change point)
In the plating resist, the portion of the frame-shaped conductor pattern outside the product extending outside the product between the products inside the product was left discontinuous with a width of C × 5 between the products.
Thereby, the frame-like conductor pattern which does not conduct | electrically_connect with the product outside a product in the outermost conductor layer became the same as Example 2, and became discontinuous. The discontinuous positions are the same as those in the second embodiment, and are all positions extending between the products outside the products. Unlike the second embodiment, the width is between products × 5.
(実施例6)
実施例2中(C.多層プリント配線板の製造)の(21)を以下に変更した以外は同方法で多層プリント配線板を作製した。
(変更点)
めっきレジストは、製品外の枠状導体パターンが、製品内の製品間を製品外に延長した位置は、一箇所だけ、製品間の幅で不連続となるようめっきレジストを残した。
これにより、最外層の導体層にて、製品外の製品とは導通しない枠状導体パターンは、実施例2と同じで、不連続となった。スリット159Sを設け不連続とした位置は、実施例2とは異なり、図16に示すように製品間を製品外に延長した一箇所のみである。その幅は、実施例2と同じで、製品間の幅Cである。
(Example 6)
A multilayer printed wiring board was produced by the same method except that (21) in Example 2 (C. Production of multilayer printed wiring board) was changed to the following.
(change point)
The plating resist was left so that the frame-like conductor pattern outside the product was discontinuous in the width between the products at the position where the frame-like conductor pattern outside the product extended outside the product.
Thereby, the frame-like conductor pattern which does not conduct | electrically_connect with the product outside a product in the outermost conductor layer became the same as Example 2, and became discontinuous. Unlike the second embodiment, the position where the
(実施例7)
実施例2中(C.多層プリント配線板の製造)の(21)を以下に変更した以外は同方法で多層プリント配線板を作製した。
(変更点)
めっきレジストは、製品外の枠状導体パターンが、製品内の製品間を製品外に延長した位置は、対向する二箇所だけ、製品間の幅で不連続となるようめっきレジストを残した。
これにより、最外層の導体層にて、製品外の製品とは導通しない枠状導体パターンは、実施例2と同じで、不連続となった。不連続となった位置は、実施例2とは異なり、図17に示すように製品間を製品外に延長した対向する二箇所のみである。その幅は、実施例2と同じで、製品間の幅Cである。
(Example 7)
A multilayer printed wiring board was produced by the same method except that (21) in Example 2 (C. Production of multilayer printed wiring board) was changed to the following.
(change point)
The plating resist was left so that the frame-shaped conductor pattern outside the product was discontinuous in the width between the products at the two positions where the frame-like conductor pattern outside the product extended outside the product.
Thereby, the frame-like conductor pattern which does not conduct | electrically_connect with the product outside a product in the outermost conductor layer became the same as Example 2, and became discontinuous. Unlike the second embodiment, the discontinuous positions are only two opposing positions extending between the products outside the products as shown in FIG. The width is the same as that of Example 2 and is the width C between products.
(実施例8)
実施例2中(C.多層プリント配線板の製造)の(21)を以下に変更した以外は同方法で多層プリント配線板を作製した。
(変更点)
めっきレジストは、製品外の枠状導体パターンが、製品内の製品間を製品外に延長した位置は、X−Y方向の対向する4箇所、製品間の幅で不連続となるようめっきレジストを残した。
これにより、最外層の導体層にて、製品外の製品とは導通しない枠状導体パターンは、実施例2と同じで、不連続となった。不連続となった位置は、実施例2とは異なり、図18に示すように製品間を製品外に延長したX−Y方向の対向する4箇所である。その幅は、実施例2と同じで、製品間の幅である。
(Example 8)
A multilayer printed wiring board was produced by the same method except that (21) in Example 2 (C. Production of multilayer printed wiring board) was changed to the following.
(change point)
The plating resist should be placed so that the frame-shaped conductor pattern outside the product extends discontinuously between the products inside the product at four locations in the XY direction, and the width between the products is discontinuous. left.
Thereby, the frame-like conductor pattern which does not conduct | electrically_connect with the product outside a product in the outermost conductor layer became the same as Example 2, and became discontinuous. Unlike the second embodiment, the discontinuous positions are four opposing positions in the XY direction extending between the products outside the products as shown in FIG. The width is the same as that in Example 2 and is the width between products.
(比較例)
実施例2中(C.多層プリント配線板の製造)の(21)を以下に変更した以外は同方法で多層プリント配線板を作製した。
(変更点)
めっきレジストは、製品外の枠状導体パターンが、連続となるようめっきレジストを残した。これにより、全導体層にて、製品外の製品とは導通しない枠状導体パターンは、連続となった。
(Comparative example)
A multilayer printed wiring board was produced by the same method except that (21) in Example 2 (C. Production of multilayer printed wiring board) was changed to the following.
(change point)
The plating resist was left so that the frame-shaped conductor pattern outside the product was continuous. Thereby, in all the conductor layers, the frame-shaped conductor pattern which does not conduct | electrically_connect with the product outside a product became continuous.
実施例1〜実施例8及び比較例の個片加工後の中央部と4角の5製品を抜き取り、C4バンプの平坦度をWYKO SP3200(Veeco社製)で測定した結果を図19中の図表に表す。
また、ヒートサイクル(−55℃⇔125℃)を1000サイクル加えた後の不良率を示す。不良率は1000サイクル後の抵抗変化率が±10%を越えたものである。
本結果から、枠状導体パターンにスリットを設けることで、ICチップと多層プリント配線板との接続信頼性に影響するバンプの平坦度が向上することが分かる。
FIG. 19 shows the results obtained by extracting the center part and the four square products after processing the individual pieces of Examples 1 to 8 and the comparative example, and measuring the flatness of the C4 bumps with WYKO SP3200 (manufactured by Veeco). Expressed in
Moreover, the defect rate after 1000 cycles of heat cycles (-55 ° C. to 125 ° C.) is shown. The defect rate is the rate at which the resistance change after 1000 cycles exceeds ± 10%.
From this result, it can be seen that providing the slits in the frame-shaped conductor pattern improves the flatness of the bumps that affect the connection reliability between the IC chip and the multilayer printed wiring board.
30 ワークシート、コア基板
32 銅箔
34 導体回路
34P 導体層
34E 導体層
35 枠状導体パターン
35S スリット
36 スルーホール
40 樹脂充填層
50 層間樹脂絶縁層(樹脂層)
58 導体回路
59 枠状導体パターン
59S スリット
60 バイアホール
70 ソルダーレジスト層(上層の樹脂層)
71 開口
76U、76D 半田バンプ
150 層間樹脂絶縁層(樹脂層、上層の樹脂層)
159 枠状導体パターン
159S スリット
30 Worksheet,
58
71
159 Frame-shaped
Claims (9)
前記ワークシートに樹脂層を塗布するステップと:
上記ステップにて塗布された樹脂層を硬化させるステップと、を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 A circuit pattern group that constitutes a plurality of printed circuit boards is provided on a substantially rectangular worksheet, and a frame-like conductor pattern that is not electrically connected to the circuit pattern group is provided on the outer periphery of the circuit pattern group that constitutes the plurality of printed circuit boards. Providing a frame-like conductor pattern with slits:
Applying a resin layer to the worksheet;
Curing the resin layer applied in the above step. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising:
前記ワークシートに樹脂層を塗布するステップと:
上記ステップにて塗布された樹脂層を硬化させるステップと、
硬化された樹脂層の上に、前記複数個の多層プリント配線板を構成する回路パターン群を設け、該複数個の多層プリント配線板を構成する回路パターン群の外周に、当該回路パターン群とは導通しない枠状導体パターンを設けるステップと:
前記樹脂層と前記回路パターン群と前記枠状導体パターンとに上層の樹脂層を塗布するステップと:
上記ステップにて塗布された上層の樹脂層を硬化させるステップとを有する多層プリント配線板の製造方法において、
前記ワークシート上の枠状導体パターン又は前記硬化された樹脂層上の枠状導体パターンの少なくとも一方にスリットを設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 A circuit pattern group constituting a plurality of multilayer printed wiring boards is provided on a substantially rectangular worksheet, and a frame that does not conduct to the circuit pattern group on the outer periphery of the circuit pattern group constituting the plurality of multilayer printed wiring boards Providing a conductive pattern with:
Applying a resin layer to the worksheet;
Curing the resin layer applied in the above steps;
A circuit pattern group constituting the plurality of multilayer printed wiring boards is provided on the cured resin layer, and the circuit pattern group is formed on the outer periphery of the circuit pattern group constituting the plurality of multilayer printed wiring boards. Providing a non-conductive frame-like conductor pattern;
Applying an upper resin layer to the resin layer, the circuit pattern group, and the frame-like conductor pattern;
In the method for producing a multilayer printed wiring board, comprising the step of curing the upper resin layer applied in the above step,
A method for producing a multilayer printed wiring board, comprising providing a slit in at least one of the frame-like conductor pattern on the worksheet or the frame-like conductor pattern on the cured resin layer.
前記ワークシート上に樹脂層を設け:
該樹脂層の上に前記複数個の個片多層プリント配線板を構成する回路パターン群を設け、該複数個の個片多層プリント配線板を構成する回路パターン群の外周に、当該回路パターン群とは導通しない枠状導体パターンを設けてなる個片多層プリント配線板の多数個取り用の多層プリント配線板であって、
前記ワークシート上の枠状導体パターン又は前記樹脂層上の枠状導体パターンの少なくとも一方にスリットを設けたことを特徴とする多層プリント配線板。 A circuit pattern group constituting a plurality of individual multilayer printed wiring boards is provided on a substantially rectangular worksheet, and the circuit pattern group is arranged on the outer periphery of the circuit pattern group constituting the plurality of individual multilayer printed wiring boards. Is provided with a frame-shaped conductor pattern that does not conduct:
A resin layer is provided on the worksheet:
A circuit pattern group constituting the plurality of individual multilayer printed wiring boards is provided on the resin layer, and the circuit pattern group is arranged on the outer periphery of the circuit pattern group constituting the plurality of individual multilayer printed wiring boards. Is a multilayer printed wiring board for taking a large number of individual multilayer printed wiring boards provided with a frame-like conductor pattern that is not conductive,
A multilayer printed wiring board, wherein a slit is provided in at least one of the frame-shaped conductor pattern on the worksheet or the frame-shaped conductor pattern on the resin layer.
The width of the slit of the frame-like conductor pattern is not less than 0.1 times and not more than 5 times the width between the circuit pattern group constituting the individual multilayer printed wiring board. The multilayer printed wiring board according to any one of claims 6 to 8.
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