JP2005159207A - 半導体素子形成用板状基体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板3とバッファ領域4とからなる基板5の上にGaNをエピタキシャル成長させて第1の層21を形成する。第1の層21の上にAlNを遅い速度で成長させて第2の層22形成しながら第1の層21の1部をエッチングして凹部13aを得る。第2の層22をエッチングで除去する。凹部13aを有する第1の層21の上に横方向成長を伴ってGaNをエピタキシャル成長させて第3の層を得る。第3の層の上部の転位密度が小さくなる。
【選択図】図4
Description
この問題を解決するための技術として特開2002−343728号公報(以下、特許文献3と言う。)に基板上にGaN層を形成し、この上に金属膜を形成し、次に熱処理を施してGaN層に多数の空隙を形成し、しかる後GaNをエピタキシャル成長させることが開示されている。しかしながら、この技術では、金属膜をエピタキシャル成長工程とは別な蒸着等で形成しなければならず、製造工程が複雑になり、必然的にコスト高になる。
基板を用意する第1の工程と、
前記基板の上にAlを含まない又は第1の割合で含む窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて第1の層を形成する第2の工程と
前記第1の層の形成後に前記第1の割合よりも大きい第2の割合でAlを含む窒化物系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させながら前記第1の層に複数の凹部を生じさせ且つ前記第1の層の上に第2の層を形成する第3の工程と、
前記第2の層の少なくとも一部、換言すれば一部又は全部を除去する第4の工程と、
前記複数の凹部を有する前記第1の層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて前記複数の凹部を埋める部分と前記第1の層の上に配置された部分とを有する第3の層を形成する第5の工程と
を有することを特徴とする半導体素子形成用板状基体の製造方法を有する。
また、前記第3の工程におけるエピタキシャル成長のための雰囲気中の窒素の割合が、前記第2の工程におけるエピタキシャル成長のための雰囲気中の窒素の割合よりも小さいことが望ましい。
また、半導体素子形成用板状基体を、
基板を用意する第1の工程と、
前記基板の上にAlを含まない又は第1の割合で含む窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて第1の層を形成する第2の工程と
前記第1の層の形成後に前記第1の割合よりも大きい第2の割合でAlを含む窒化物系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて複数のクラックを有する第2の層を形成し且つ前記第1の層に複数の凹部を生じさせる第3の工程と、
前記第2の層の全部又は一部を除去する第4の工程と、
前記複数の凹部を有する前記第1の層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて前記複数の凹部を埋める部分と前記第1の層の上に配置された部分とを有する第3の層を形成する第5の工程と
で形成することができる。
また、前記基板は、Si基板、Si化合物基板、ZnO基板、NdGaO3基板、3−5族化合物半導体基板、及びサファイア基板から選択された1つであることが望ましい。
また、前記基板はバッファ領域を有し、前記第1の層は前記バッファ領域の上に形成されていることが望ましい。
また、前記バッファ領域は、前記第1の割合よりも大きい第2の割合でAlを含む窒化物系化合物半導体から成るバッファ層を含み、このバッファ層上に前記第1の層が形成されていることが望ましい。
なた、前記バッファ領域は複数の空所を有するバッファ層を含むことが望ましい。
また、更に、前記第3の層の上に前記第3の層と異なる組成を有する窒化物系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて第4の層を形成する工程を有することが望ましい。
また、前記第1及び第3の層は、
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1
を満足させる数値、
で示される窒化物系化合物半導体から成り、
前記第2の層は、
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
a<x
を満足する数値、
で示される窒化物系化合物半導体から成ることが望ましい。
また、前記バッファ領域の前記第1の層に隣接する前記バッファ層は、
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
a<x
を満足する数値、
で示される窒化物系化合物半導体から成ることが望ましい。
この実施例ではp型のシリコン基板3に対してn型のバッファ領域4が接触しているが、シリコン基板3とバッファ領域4とはヘテロ接合であり且つ両者間に合金化領域(図示せず)が生じているので、順方向バイアス電圧が両者に印加された時の接合部における電圧降下は小さい。なお、p型シリコン基板3の代わりn型シリコン基板を使用し、n型シリコン基板の上にn型のバッファ領域4を形成することも勿論可能である。
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
を満足する数値、
で示される材料に不純物を添加したものであることが望ましい。即ち、第1の窒化物系化合物半導体層L1は、Al(アルミニウム)を含む窒化物系化合物半導体であって、例えばAlN(窒化アルミニウム)、AlInN(窒化インジウム、アルミニウム)、AlGaN(窒化ガリウム アルミニウム)、AlInGaN(窒化ガリウム インジウム アルミニウム)、AlBN(窒化ボロン アルミニウム)、AlBGaN(窒化ガリウム ボロン アルミニウム)及びAlBInGaN(窒化ガリウム インジウム ボロン アルミニウム)から選択された材料から成ることが望ましい。第1の窒化物系化合物半導体層L1の最も好ましい材料は、前記式のAlの割合を示す値xが1とされた材料に相当するAlN(窒化アルミニウム)である。第1の窒化物系化合物半導体層L1の格子定数及び熱膨張係数は第2の層L2よりもシリコン基板3に近い。なお、第1の窒化物系化合物半導体層L1の格子定数が第2の窒化物系化合物半導体層L2の格子定数よりも小さいことが望ましい。第1の窒化物系化合物半導体層L1の好ましい厚みは、0.5nm〜5nm即ち5〜50オングストロ−ムである。第1の窒化物系化合物半導体層L1の厚みが0.5nm未満の場合には上面に形成される主半導体領域6,7,8の平坦性が良好に保てなくなる。第1の窒化物系化合物半導体層L1の厚みが5nmを超えると、量子力学的トンネル効果が得られなくなる。ただし、バッファ領域4に導電性が要求されない時は、第1の窒化物系化合物半導体層L1の厚みを0.5nm〜50nm程度にすることができる。第1の窒化物系化合物半導体層L1の厚みが50nmを超えると、第1の窒化物系化合物半導体層L1と第2の窒化物系化合物半導体層L2との格子不整差、及び第1の窒化物系化合物半導体層L1と基板3との熱膨張係数差に起因して第1の窒化物系化合物半導体層L1内に発生する引っ張り歪みにより、第1の窒化物系化合物半導体層L1内にクラックが発生する恐れがある。
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a<1、
0≦b<1、
a+b≦1、
a<x
を満足させる数値、
で示される材料にn型不純物を添加したもので形成される。即ち、第2の窒化物系化合物半導体層L2は、例えばGaN(窒化ガリウム)、AlInN(窒化インジウム、アルミニウム)、AlGaN(窒化ガリウム アルミニウム)、AlInGaN(窒化ガリウム インジウム アルミニウム)、AlBN(窒化ボロン アルミニウム)、AlBGaN(窒化ガリウム ボロン アルミニウム)及びAlBInGaN(窒化ガリウム インジウム ボロン アルミニウム)から選択された材料から成る。第2の窒化物系化合物半導体層L2におけるAl(アルミニウム)の増大により発生する恐れのあるクラックを防ぐためにAlの割合を示すaを0≦a<0.2を満足する値、即ち0又は0よりも大きく且つ0.2よりも小さくすることが望ましい。また、第2の窒化物系化合物半導体層L2のAlの割合を示すaを、第1の窒化物系化合物半導体層L1のAlの割合を示すxよりも小さくすることが望ましい。なお、この実施例1の第2の窒化物系化合物半導体層L2は、上記化学式におけるa=0に相当するGaNから成る。第2の窒化物系化合物半導体層L2の好ましい厚みは、0.5nm〜500nm即ち5〜5000オングストロ−ムである。第2の層L2の厚みが0.5nm未満の場合には、この第2の窒化物系化合物半導体層L2上の第1の窒化物系化合物半導体層L1、及びバッファ領域4上の主半導体領域6,7,8の平坦性を良好に保つことが困難になる。また、第2の窒化物系化合物半導体層L2の厚みが500nmを超えると、第2の窒化物系化合物半導体層L2と第1の窒化物系化合物半導体層L1との組合せによる応力緩和効果が損なわれ、クラックが発生するおそれがある。第2の窒化物系化合物半導体層L2の厚みを第1の層L1の厚みより大きくするのが望ましい。このようにすれば、第1の窒化物系化合物半導体層L1と第2の窒化物系化合物半導体層L2との格子不整差、及び第1の窒化物系化合物半導体層L1と基板3との熱膨張係数差に起因して第1の窒化物系化合物半導体層L1に歪が発生し、この第1の窒化物系化合物半導体層L1にクラックが発生することを抑えることができる。
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1
を満足させる数値、
で示される窒化物系化合物半導体から成ることが望ましく、GaN等のn型窒化ガリウム系化合物半導体から成ることが更に望ましい。第1の部分11には本発明に従って複数の凹部13が形成されている。第2の部分12は、第1の部分11の凹部13に埋め込まれた下側部分12aと第1の部分11の上を覆う上側部分12bとを有する。図1では下側部分12a と上側部分12bとが鎖線で区別されている。図1の実施例では、第1及び第2の部分11、12の両方を第1の主半導体領域6と呼んでいるが、第2の部分12のみ又は第2の部分12の上側部分12bのみを第1の主半導体領域と呼ぶこともできる。また、図1の実施例では第1の主半導体領域6をnクラッド層として使用しているが、nクラッド層を第1の主半導体領域6の上に独立に形成し、第1の主半導体領域6を補助領域又はバッファ領域とすることもできる。第1の主半導体領域6の詳細及びこの製造方法は後述べる。
化学式 AlxInyGa1-x-yN、
ここでx及びyは0≦x<1、
0≦y<1、を満足する数値、
で示される窒化物系化合物半導体で形成される。この実施例では第2の主半導体領域7が窒化ガリウム インジウム(InGaN)で形成されている。なお、図1では活性層としての第2の主半導体領域7が1つの層で概略的に示されているが、実際には周知の多重量子井戸構造を有している。勿論、活性層としての第2の主半導体領域を1つの層で構成することもできる。また、この実施例では第2の主半導体領域に導電型決定不純物がドーピングされていないが、p型又はn型不純物をドーピングすることができる。
化学式 AlxInyGa1-x-yN、
ここでx及びyは0≦x<1、
0≦y<1、を満足する数値、
で示される窒化物系化合物半導体にp型不純物をドーピングしたものである。この実施例では、第3の半導体領域8が厚さ500nmのp型GaNで形成されており、光透過性を有する。
第2及び第3の主半導体領域7、8は、転位の少ない第1の主半導体領域6の上側部分12bの上に形成されているので、これ等は転位が少なく且つ平坦性が良い領域である。
まず、ミラー指数で示す結晶の面方位において(111)面とされた厚さ500μmを有するp型シリコン基板3を用意する。
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1
を満足させる数値、
で示される窒化物系化合物半導体にn型不純物を添加したものをOMVPE方法でエピタキシャル成長させて第1の層21を得る。この第1の層21はGaN等のn型窒化ガリウム系化合物半導体から成ることが望ましい。GaNから成る第1の層21を形成する時には、GaNから成る第2の窒化物系化合物半導体層L2の形成時と同様にシリコン基板3の温度を例えば1100℃とし、エピタキシャル成長の反応室にTMGを63μmol /min、シランを21nmol /min、アンモニアを0.14 mol/min供給し、例えば500nmの膜厚のGaNを形成する。バッファ領域4には図1及び図3〜図7において点線によって説明的に示されているように転位が存在し、このバッファ領域4の転位が第1の層21に引き継がれる。
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
a<x
を満足する数値、
で示される窒化物系化合物半導体にn型不純物を添加したものをOMVPE方法でエピタキシャル成長させて図4に示す第2の層22を形成する。この第2の層22はAlN等のAlを含む窒化物系化合物半導体から成ることが望ましい。AlNから成る第2の層22を形成する時には、OMVPE反応室にTMAとシランとアンモニアとから成るガスを供給してAlNをエピタキシャル成長させ、5nmの厚さの第2の層22を得る。この第2の層22を形成する時のTMAの供給量はバッファ領域4の前述した第1の窒化物系化合物半導体層L1を作成する時のTMAの供給量の1/10の6.3μmol /min とする。従って、第2の層22のためのAlNの成長レートは第1の窒化物系化合物半導体層L1のためのAlNの成長レートの1/10である。第2の層22のためのAlNの成長レートを極めて低くすると、第2の層22の形成初期にGaNから成る第1の層21の表面上に均一にAlNの結晶が形成されず、分散して形成される。このため、GaNから成る第1の層21にAlN結晶で覆われていない部分が生じ、この部分が反応室内のガスによってエッチングされ、図4に説明的に示す凹部13aが生じる。このエッチングは第1の層21の縦方向即ち厚み方向と横方向との両方に進む。GaNから成る第1の層21のエッチングレートはAlNから成る第1の窒化物系化合筒半導体層L1のエッチングレートよりも大きいので、第1の窒化物系化合物半導体層L1は第1の層21の縦方向エッチングのストッパとして機能する。第2の層22のためのAlNのエピタキシャル成長を続けると、AlNは第2の層22の縦方向のみでなく横方向にも延びるように成長するので、凹部24の入口が徐々に狭くなり、最終的に第2の層22によって凹部13aの入口の全部を図4に示すように覆うことができる。なお、凹部13aは不規則的に形成される。
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1
を満足させる数値、
で示される窒化物系化合物半導体にn型不純物を添加したものをOMVPE方法でエピタキシャル成長させて第3の層23を形成する。この第3の層23は第1の層21と同一の材料で形成することが望ましく、且つGaN等のn型窒化ガリウム系化合物半導体から成ることが望ましい。GaNから成る第3の層23を形成する時には、シリコン基板3の温度を例えば1110℃とし、反応室にTMGを63μmol/min、シラン(SiH4)を21nmol/min、アンモニアを0.28mol/min供給する。これによりn型GaNから成る第3の層23が得られる。
第3の層23の形成時のアンモニア(NH3)の供給量は第2の窒化物系化合物半導体層L2の形成時のアンモニア(NH3)の供給量よりも大きい値、例えば2倍に決定されている。このため、GaNの横方向の成長速度が第2の窒化物系化合物半導体層L2を形成した時よりも速くなる。GaNが横方向の成長を伴って縦方向にも成長すると、前記特許文献1及び2で説明されている原理と同一の原理で、第3の層23の上部における転位密度が小さくなる。即ち、第3の層23の上部を下から上に貫通する転位の密度は1×109cm-2となり、第1の層21の転位密度1×1010cm-2よりも大幅に小さくなる。
図6の第3の層23は図1及び図7の第1の主半導体領域6の第2の部分12に対応している。従って、第3の層23は第1の層21の凹部13aに埋め込まれた下側部分12aと第1の層21の上側の平坦な表面を有する上側部分12bとから成る。上側部分12bの厚みは200nmである。上側部分12bは転位密度が小さく且つ平坦な表面を有するので、発光ダイオード1のn型半導体層として使用することができる。
(1) 第1の主半導体領域6の第2の部分12の上側部分12b並びに第2及び第3の主半導体領域7、8の転位密度が低減し、且つ平坦性が向上した。このため、発光ダイオードの発光波長470nmにおける光出力は、第1及び第2の電極9、10間の電流が20mAの場合に前記特許文献1の約1.5倍になった。
(2) 転位密度の低減に基づいて逆方向漏れ電流が前記特許文献1の発光ダイオードに比べて1/10になった。
(3) 凹部13a を有する第1の層21を、バッファ領域4及び第1、第2及び第3の主半導体領域6、7、8を形成するための反応室を使用して連続的に形成するので、製造工程がさほど複雑にならない。従って、発光ダイオードの製造コストを低減できる。
(4)直径5.08cm(2インチ)の半導体基体2におけるそり量は10μmであり、極めて小さい。従って、発光ダイオードの製造のためのフォトグラフィー工程における不良発生が少なくなる。
(5) バッハァ領域4と第1の主半導体領域6との組み合せによって第2及び第3の主半導体領域7、8の結晶性及び平坦性が大幅に向上する。
従って、図9において第1、第2及び第3の主半導体領域6,7,8を形成するための基板5aはシリコン基板3と変形されたバッファ領域4aとから成る。
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1
を満足させる数値、
で示される材料にn型不純物がドープされたものから成ることが望ましい。即ち、第2及び第4のバッファ領域32,34は、GaN(窒化ガリウム)、InGaN(窒化ガリウム インジウム)、AlInN(窒化インジウム、アルミニウム)、AlGaN(窒化ガリウム アルミニウム)及びAlInGaN(窒化ガリウム インジウム アルミニウム)から選択された材料から成ることが望ましい。
但し、第2及び第4のバッファ領域32,34にAlが含まれる場合には、Alの割合を第1の窒化物系化合物半導体層L1のAlの割合よりも小さくする。また、気相成長時における第2及び第4のバッファ領域32,34のエッチング速度は第1の窒化物系化合物半導体層L1のエッチング速度よりも大きいことが望ましい。応力緩和効果を大きくするためには第2及び第4のバッファ領域32,34の厚みを大きくすることが望ましい。しかし、厚くなり過ぎると、この上の第1の窒化物系化合物半導体層L1の平坦性が悪くなる。従って、第2及び第4のバッファ領域32,34の好ましい厚さは5〜5000nmであり、より好ましい厚さは50〜250nmである。空所36の深さは第2及び第4のバッファ領域32,34の厚さ5〜5000nm以下であり、この入口の最大径又は幅は5〜5000nm程度である。
(1) 空所36を有する第2及び第4のバッファ領域32,34を設けたので、直径が12.7cm(5インチ)の板状基体2aの反り量を50μm以下にすることができる。この反り量は前述の特許文献1の板状基体の反り量よりも大幅に小さい。これにより、フォトリソグラフィー工程等における不良発生が少なくなり、発光ダイオードの製造歩留りが大幅に向上する。
(2)シリコン基板3の表面から主半導体領域8の表面まで貫通する転位密度を大幅に小さくすることができる。
(3)主半導体領域8の表面は、前記特許文献1よりも良い平坦性を有し且つクラックを有さない。
(4)発光ダイオードの発光波長470nmにおける光出力は、第1及び第2の電極9,10間の電流が20mAの場合に前記特許文献1の約2倍になった。また、この時の動作電圧は3.4Vであった。
(5) 空所36を有する第2、及び第4のバッファ領域32、34が板状基体2aの厚み方向に分けて配置され、それぞれの間に空所を有さない第3のバッファ領域33が配置されているので、平坦性及び結晶性を良好に保ちつつ反りを抑制することができる。
(6) 空所36を有する第2、及び第4のバッファ領域32、34を主半導体領域6,7,8と同一の反応室を使用して連続的に形成するので、製造工程がさほど複雑にならない。
(1)本発明は発光ダイオード、HEMT以外のトランジスタ、電界効果トランジスタ、整流ダイオード等の別の半導体素子にも適用できる。
(2)各実施例における各半導体領域の導電型を各実施例と逆にすることができる。
1b HEMT
2、2a、2b 板状基体
3 シリコン基板
4、4a バッファ領域
6,7,8 第1、第2及び第3の主半導体領域
11、12 第1及び第2の部分
13 凹部
13a 空所
21,22,23 第1、第2及び第3の層
Claims (11)
- 基板を用意する第1の工程と、
前記基板の上にAlを含まない又は第1の割合で含む窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて第1の層を形成する第2の工程と
前記第1の層の形成後に前記第1の割合よりも大きい第2の割合でAlを含む窒化物系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させながら前記第1の層に複数の凹部を生じさせ且つ前記第1の層の上に第2の層を形成する第3の工程と、
前記第2の層の少なくとも一部を除去する第4の工程と、
前記複数の凹部を有する前記第1の層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて前記複数の凹部を埋める部分と前記第1の層の上に配置された部分とを有する第3の層を形成する第5の工程と
を有することを特徴とする半導体素子形成用板状基体の製造方法。 - 前記第3の工程におけるエピタキシャル成長速度は、前記第2の工程におけるエピタキシャル成長速度よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。
- 前記第5の工程において前記第3の層を形成するエピタキシャル成長のための雰囲気中の窒素の割合が、前記第2の工程におけるエピタキシャル成長のための雰囲気中の窒素の割合よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。
- 基板を用意する第1の工程と、
前記基板の上にAlを含まない又は第1の割合で含む窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて第1の層を形成する第2の工程と
前記第1の層の形成後に前記第1の割合よりも大きい第2の割合でAlを含む窒化物系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて複数のクラックを有する第2の層を形成し且つ前記第1の層に複数の凹部を生じさせる第3の工程と、
前記第2の層の少なくとも一部を除去する第4の工程と、
前記複数の凹部を有する前記第1の層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて前記複数の凹部を埋める部分と前記第1の層の上に配置された部分とを有する第3の層を形成する第5の工程と
を有することを特徴とする半導体素子形成用板状基体の製造方法。 - 前記基板は、Si基板、Si化合物基板、ZnO基板、NdGaO3基板、3−5族化合物半導体基板、及びサファイア基板から選択された1つであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。
- 前記基板はバッファ領域を有し、前記第1の層は前記バッファ領域の上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。
- 前記バッファ領域は、前記第1の割合よりも大きい第2の割合でAlを含む窒化物系化合物半導体から成るバッファ層を含み、このバッファ層上に前記第1の層が形成されていることを特徴とする請求項6記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。
- 前記バッファ領域は複数の空所を有するバッファ層を含むことを特徴とする請求項6又は7記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。
- 更に、前記第3の層の上に前記第3の層と異なる組成を有する窒化物系化合物半導体を気相でエピタキシャル成長させて第4の層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。
- 前記第1及び第3の層は、
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1
を満足させる数値、
で示される窒化物系化合物半導体から成り、
前記第2の層は、
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
a<x
を満足する数値、
で示される窒化物系化合物半導体から成ることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体素子形成用板状基体の製造方法。 - 前記バッファ領域の前記第1の層に隣接する前記バッファ層は、
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
a<x
を満足する数値、
で示される窒化物系化合物半導体から成ることを特徴とする請求項7記載の半導体素子形成用板状基体。
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