JP2005158672A - 平板表示装置 - Google Patents

平板表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005158672A
JP2005158672A JP2004081618A JP2004081618A JP2005158672A JP 2005158672 A JP2005158672 A JP 2005158672A JP 2004081618 A JP2004081618 A JP 2004081618A JP 2004081618 A JP2004081618 A JP 2004081618A JP 2005158672 A JP2005158672 A JP 2005158672A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
display device
panel display
flat panel
taper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004081618A
Other languages
English (en)
Inventor
Mu-Hyung Kim
茂▲ヒュン▼ 金
Byung Doo Chin
炳斗 陳
Myung-Won Song
明原 宋
Seong-Taek Lee
城宅 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of JP2005158672A publication Critical patent/JP2005158672A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】 コンタクトホール部分とビアホール部分でのピンホール不良及び短絡不良を防ぎ、有機ＥＬ層のパターン不良を防ぎ、稠密なカソード電極を形成して酸素または水分の流入を防ぎ、そして画素の発光領域で暗点を防げる有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】 平板表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第１段差及び第１テーパー角を有する下部薄膜と、前記絶縁基板上に形成され、前記下部膜のテーパー角を緩和させるための上部薄膜を備え、前記上部薄膜は、前記下部薄膜の第１テーパー角よりも小さい第２テーパー角とを有する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、平板表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）に関する。更に詳しく説明すると、基板表面のテーパー角度を緩和させて素子の不良を防ぎ、画質が改選できるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置に関する。
一般的に、アクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ、ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）は、基板上に多数の画素がマトリックス形態に配列され、各画素はアノード電極、有機薄膜層及びカソード電極が積層されているＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に連結されて前記ＥＬ素子を駆動するためのアクティブ素子としてＴＦＴを備える。
図１は、従来の背面発光形有機電界発光表示装置の断面図を示すものである。図１を参照すると、絶縁基板１００上にバッファー層１０５が形成され、バッファー層１０５上にソース／ドレーン領域１１１、１１５を備える半導体層１１０が形成される。ゲート絶縁膜１２０上にゲート１２５が形成され、層間絶縁膜１３０上にコンタクトホール１３１、１３５を通じてソース／ドレーン領域１１１、１１５とそれぞれ連結されるソース／ドレーン電極１４１、１４５が形成される。これで、ＴＦＴが製造される。この時、層間絶縁膜１３０上にデータラインまたは、電源供給ライン等のような配線１４７が形成される。
パッシベイション膜１５０上にビアホール１５５を通じて、前記ソース／ドレーン電極１４１、１４５のうちドレーン電極１４５に連結される下部電極であるアノード電極１７０が形成され、基板上に有機薄膜層１８５及び上部電極であるカソード電極１９０が形成される。これで、有機ＥＬ素子を製造する。
図２は、図１の有機電界発光表示装置において、Ｒ画素の発光領域に限定してＲ−ＥＬ素子の詳細な断面構造を示したことである。図２を参照してＥＬ素子の製造方法を詳しく説明すると次のようである。ビアホール１５５を通じて薄膜トランジスターの前記ドレーン電極に連結されるアノード電極１７０を形成した後、洗浄工程を進行する。続いて、真空蒸着法を利用して基板上に正孔注入層１８５ａとしてＣｕＰｃを６００Åの厚さで形成し、成功輸送層１８５ｂとしてＮＰＢを３００Åの厚さで正孔注入層１８５ａ上に形成する。正孔輸送層１８５ｂ上にＡ１ｑ＋ＤＣＭを２００Åの厚さで蒸着して赤色Ｒ発光層１８５ｃを形成し、Ａ１ｑ３を赤色発光層１８５ｃ上に２００Åの厚さで形成して電子輸送層１８５ｄを形成し有機薄膜層１８５を形成する。最後に、カソード電極１９０としてＬｉｆ／Ａ１を抵抗加熱法により蒸着する。図面では示されてないが、前記赤色発光層１８５ｃと電子輸送層１８５ｄとの間に正孔抑制層を形成するかまたは、電子輸送層１８５ｄ上に電子注入層を形成することもできる。
図２のようなアノード電極１７０上に有機薄膜層１８５及びカソード電極１９０を形成した後、図面上では示されてないが、外部から酸素と水分等の浸透を防ぐために絶縁基板１００上にシーラントを塗布して袋紙基板を接着させて従来の有機電界発光表示装置を製造する。
前述したような構造を有する従来の有機電界発光表示装置は、コンタクトホール１４１、１４５の付近、ビアホール１５５付近及びアノード電極１６０の段差されている部分でピンホール不良が発生されるかまたは、アノード電極とカソード電極の短絡不良が発生するという問題がある。
また、コンタクトホール及びビアホール付近とアノード電極の段差されている部分で有機発光層が蒸着されない部分が発生されるかまたは、均一に蒸着されていないため他の部分よりも薄く蒸着される。従って、アノード電極とカソード電極との間に大きい電圧が印加されると、有機発光層が蒸着されていない部分または、薄く蒸着されている部分で、電流密度が集中されて球形の暗点（ｄａｒｋ ｓｐｏｔ）が発生した。従って、暗点の発生によって発光領域が縮小され画質が低下されるという問題がある。
一方、基板全面に蒸着されるカソード電極は、段差されている部分では細かく成膜されていないため、カソード電極の細かく成膜されていない部分を通って外部から酸素または、水分が容易に流入される。従って、アノード電極とカソード電極との間に大きい電圧が印加されると、細かく成膜されていない部分で電流密度が集中されて電子移動現状（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）によりカソード電極に空隙が発生され、外部の酸素流入による抵抗増加によりたくさんの熱が発生される。従って、上部部分では時間が経過することによって球形の暗点が発生するという問題がある。
このような短絡または、暗点のような不良を防ぐためにはコンタクトホールまたは、ビアホールが低いテーパー角を有するように形成することが望ましいが、高解像度の平板表示装置の場合、デザインルールと工程上の難しさでコンタクトホールとビアホールのテーパー角度を減少させるには限界がある。
一方、米国特許５，６８４，３６５では、アノード電極の一部分を露出させる開口部のエッジ部分でパッシベイション膜のテーパー角度を制限する技術が開示された。図３は、従来の背面発光形有機電界発光表示装置の断面図を示したことである。図３を参照すると、絶縁基板２００上にバッファー層２０５が形成され、バッファー層２０５上にソース／ドレーン領域２１１，２１５を備える半導体層２１０が形成される。ゲート絶縁膜２２０上にゲート２２５が形成され、層間絶縁膜２３０上にコンタクトホール２３１、２３５を通じてソース／ドレーン領域２１１，２１５とそれぞれ連結されるソース／ドレーン電極２４１、２４５が形成される。この場合、層間絶縁膜２３０上にドレーン電極２４５に連結される下部電極であるアノード電極２７０が形成される。
シリコン窒化膜のような絶縁膜からなるパッシベイション膜２５０を０．５ないし１．０μｍの厚さで基板上に蒸着した後、パッシベイション膜２５０を食刻して前記アノード電極２７０の一部分を露出させる開口部２７５を形成する。この場合、パッシベイション膜２５０は、開口部２７５のエッジ部分でアノード電極に対して１０ないし３０゜のテーパー角を有するように形成される。 基板上に有機薄膜層2８５及び 上部電極であるカソード電極2９０を順次形成する。
この時、前記有機薄膜２８５は、図２のように正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇまたは、Ｂ発光層、正孔障壁層、電子輸送層または、電子注入層のうち、少なくとも一つを備える。
一方、米国特許６，２４６，１７９では、ビアホール、コンタクトホール付近及び段差されている部分での不良を防ぐために平坦化機能を有する有機絶縁層を使用する技術が開示された。図４は、従来の前面発光構造を有する有機電界発光表示装置の断面図を示したものである。図４を参照すると、絶縁基板３００上にバッファー層３０５が形成され、バッファー層３０５上にソース／ドレーン領域３１１，３１５を備える半導体層３１０が形成される。ゲート絶縁膜３２０上にゲート３２５が形成され、層間絶縁膜３３０上にコンタクトホール３３１、３３５を通じて前記ソース／ドレーン領域３１１，３１５にそれぞれ連結されるソース／ドレーン電極３４１、３４５が形成される。この場合、層間絶縁膜３３０上にソース／ドレーン電極３４１、３４５が形成される時、データラインまたは、電源供給ライン等のような配線３４７が同時に形成される。
パッシベイション膜３５０上に平坦化膜３６０が形成され、平坦化膜３６０上にビアホール３６５を通じて前記ソース／ドレーン電極３４１、３４５のうちの一つ、例えばドレーン電極３４５に連結される下部電極であるアノード電極３７０が形成される。前記アノード電極３７０の一部分を露出させる開口部３７５を備える画素分離膜３８０が形成され、アノード電極３７０と画素分離膜３８０上に有機薄膜層３８５及び上部電極であるカソード電極３９０が形成される。前記有機薄膜３８５は、図２に示されたように正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇまたは、Ｂ発光層、正孔障壁層、電子輸送層及び電子注入層のうち、少なくとも一つを備える。
前述した従来の有機電界発光表示装置のように、開口部内でアノード電極と接してあるパッシベイション膜のテーパー角を１０ないし３０°に制限するか、画素分離膜のテーパー角を２０ないし８０°に制限して、有機発光層の不良を防ぐ。また、平坦化膜を使用して基板表面の段差問題を解決して有機発光層の不良を防ぐ。
しかし、高解像度の有機電界発光表示装置では、デザインルールと工程上の難しさによりパッシベイション膜、あるいは、画素分離膜のテーパー角を減少させることには限界がある。また、画素分離膜とアノード電極との間のアノードテーパー角によって素子の信頼性が異なるようになるが、テーパー角度が大きい場合は、開口部のエッジ部分で有機発光層とカソード電極がよく劣化し、配線による段差問題と寄生キャパシター問題で画素分離膜の厚さとテーパー角度を減少させるのに限界がある。
その上、基板全面に蒸着されるカソード電極がコンタクトホール付近、ビアホール付近及び段差されている部分が細かに成膜されないため、前記で説明したように暗点が発生されるか、または、コンタクトホール付近、ビアホール付近及び段差されている部分でのピンホールまたは短絡不良が発生するという問題がある。
本発明の目的は、コンタクトホール部分とビアホール部分でのピンホール不良及び短絡不良を防げる有機電界発光表示装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、有機ＥＬ層のパターン不良を防ぎ、画質が改選できる有機電界発光表示装置を提供することにある。
本発明のもう一つの目的は、稠密なカソード電極を形成して酸素または水分の流入を防げる有機電界発光表示装置を提供することにある。
本発明のもう一つの目的は画素の発光領域で暗点を防げる有機電界発光表示装置を提供することにある。
このような本発明の目的を達成するために本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第１段差及び第１テーパー角を有する下部薄膜と、前記絶縁基板上に形成され、前記下部薄膜のテーパー角を緩和させるための上部薄膜とを備え、前記上部薄膜は、前記下部薄膜の第１テーパー角よりも小さい第２テーパー角を有する平板表示装置を提供する。
前記上部薄膜は、段差されている部分でそれ以外部分よりも薄く蒸着されて基板表面の段差を緩和させ、前記第２テーパー角は６０°であり、前記第２テーパー角は４０°以下である。前記上部薄膜は、湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機薄膜として、低分子有機膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択され、高分子有機膜はＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される。
前記平板表示装置は、ソース／ドレーン領域とソース／ドレーン電極及び前記ソース／ドレーン電極を前記ソース／ドレーン領域と連結させるためのコンタクトホールを有する絶縁膜を備える薄膜トランジスターをさらに含み、前記下部薄膜は前記薄膜トランジスターの絶縁膜であり、前記ホールは前記ソース／ドレーン電極と前記ソース／ドレーン領域を連結させるための前記コンタクトホールである。
また、前記平板表示装置は、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、前記ソース／ドレーン電極のうち、一つを露出させるビアホールと、前記ビアホールを通じて、前記露出されている一つの電極に連結される画素電極とをさらに含み、前記下部薄膜は前記絶縁膜であり、前記ホールは前記露出されている一つの電極と画素電極を連結させるための前記ビアホールである。
前記平板表示装置は、下部電極、前記下部電極の一部分を露出させる画素分離膜、有機薄膜層及び上部電極をさらに含み、前記下部薄膜は画素分離膜であり、前記開口部は前記下部電極の一部分を露出させる開口部である。前記有機薄膜層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される少なくとも一つの薄膜層を備え、前記上部薄膜は前記下部電極と発光層との間に形成され、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成されている有機薄膜層、インクジェット方式により形成されている有機薄膜層及び蒸着法により形成されている有機薄膜層から選択される
前記下部電極が透明電極で、前記上部電極が反射電極であれば、前記発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出され、前記下部電極が反射電極で、前記上部電極が透明電極であれば、発光層から発光される光が前記絶縁基板と反対方向に放出され、前記下部電極と上部電極が両方とも透明電極であれば発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出されると同時に絶縁基板と反対方向に放出される。
前記下部電極がアノード電極である場合、前記上部薄膜は、正孔輸送能力を有し、ＨＯＭＯは４．５ｅＶ以上であり、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上である有機薄膜であり、前記下部電極がカソード電極である場合、前記上部薄膜は電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上であり電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上である有機薄膜である。
また、本発明は少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備えた絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される、下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備える有機ＥＬ素子と、前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は、前記ビアホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し、前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜は、前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有する平板表示装置を提供する。
また、本発明は少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備えた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される下部電極と、前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜と開口部上に形成されている有機薄膜層と、前記有機薄膜上に形成されている上部電極と、前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、前記テーパー緩和膜は前記開口部での第２絶縁膜のテーパー角よりも小さいテーパー角を有する平板表示装置を提供する。
また、本発明はソース／ドレーン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン領域に連結されるソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスターの一つの電極に連結される、下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備えるＥＬ素子と、前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、前記コンタクトホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は、コンタクトホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し、前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はビアホールのテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有し、前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第３テーパー角を有する平板表示装置を提供する。
また、本発明はソース／ドレーン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン領域に連結されるソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち露出されている一つの電極に連結される下部電極と、前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜と開口部上に形成されている有機薄膜層上と、前記有機薄膜上に形成されている上部電極と、前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、前記開口部での前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記開口部のテーパー角よりも小さい平板表示装置を提供する。
また、本発明はソース／ドレーン電極を備えた半導体層、前記ソース／ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン領域に連結されるソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、前記ソース／ドレーン電極と同一に第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極と、前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜と開口部上に形成されている有機薄膜層と、前記有機薄膜層上に形成されている上部電極と、前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、前記コンタクトホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はコンタクトホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し、前記開口部での前記テーパー緩和膜は前記開口部のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有する平板表示装置を提供する。 また、本発明は絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第１段差及び第１テーパー角を有する下部薄膜と、前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第２テーパー角を有する前記下部薄膜の第１テーパー角を緩和させるための上部薄膜とを含み、前記下部薄膜の第１テーパー角よりも小さい願 する第２テ−パー角を有するための前記上部薄膜の蒸着厚さのうち前記下部薄膜の段差されている部分に形成される部分の蒸着厚さｄ１とそれ以外の部分に形成される部分の蒸着厚さｄ２及び前記上部薄膜のテーパー角θ２は、下記の式から求められる平板表示装置を提供する。
ｔａｎθ２＝（１−ｄ２／（ｄ１−ｄ０））ｔａｎθ１
ｄ１＝（ｄ１−ｄ０）（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）
ｄ２＝ｄ１（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）
ここで、θ１は下部薄膜の第１テーパー角であり、ｄ１は上部薄膜の第２テーパー角が０°になる場合の上部薄膜の蒸着厚さである。
前述で詳しく説明したように本発明によると、下部電極と有機発光層との間にテーパー角を緩和させることのできる有機薄膜を形成させることによって、コンタクトホール及びビアホール付近と下部電極の段差されている部分での不良及び有機発光層の不良を防ぐことができるため、信頼性及び収率を向上させることができる。
以下、本発明の実施例を添付の図面を参照して説明すると次のようである。
図５は、本発明のテーパー緩和膜の適用によりテーパー角度が緩和されている有機電界発光表示装置の断面構造を示したものである。図５を参照すると、絶縁基板４０は、前記絶縁基板４０の一部分を露出させる開口部４２を備えた下部膜４１を備える。前記下部膜４１は、開口部４２のエッジ部分で基板の上面に対して所定のテーパー角θ１を有する。また、下部膜４１は、基板の上面に対して所定の段差ｄ０を有する。
開口部４２及び下部膜４１上にテーパー角θ２を有するテーパー緩和膜４３が形成されている。この時、テーパー緩和膜４３は、テーパー緩和膜が蒸着される基板表面の段差によってその蒸着厚さが異なる。つまり、基板表面の段差が高い部分に蒸着されるテーパー緩和膜が基板表面の段差が低い部分に蒸着されるテーパー緩和膜よりも薄く蒸着される。従って、テーパー緩和膜４３は、段差ｄ０を有する下部膜上にはｄ２の厚さで蒸着され、基板を露出させる開口部４２上では、ｄ０よりも厚くｄ３の厚さで蒸着されている。また、テーパー緩和膜４３が基板表面の段差によって蒸着の厚さが異なるため、テーパー緩和膜４３は、その下部に形成されている下部膜４１よりもテーパー角が減少される。従って、テーパー緩和膜４３は、下部膜４１のテーパー角θ１よりも小さいテーパー角θ２を有する。
本発明の有機電界発光表示装置において、前記下部膜４１を層間絶縁膜及びゲート絶縁膜のような絶縁膜であるとしたら、前記開口部４２は、ソース／ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールとして作用する。従って、コンタクトホールのテーパー角はθ１となり、コンタクトホールにより基板表面に対して前記絶縁膜に形成される段差はｄ０となる。
前記下部膜４１をパッシベイション膜であるとしたら、前記開口部４２はソース／ドレーン電極の一部分を露出させるビアホールとして作用する。従って、ビアホールのテーパー角は、θ１となり、ビアホールにより基板表面に対してパッシベイション膜に形成される段差はｄ０となる。一方、前記下部膜４１を画素分離膜であるとしたら、前記開口部４２は画素電極の一部分を露出させる開口部として作用する。従って、開口部のエッジ部分で画素分離膜のテーパー角は、θ１となり、開口部により基板表面に対して画素分離膜に形成される段差はｄ０となる。
前記テーパー緩和膜４３は、コンタクトホール、ビアホールまたは、画素電極の開口部内に形成される場合、テーパー緩和膜４３の上、下部に導電膜が形成されるためテーパー緩和膜４３は、導電性物質からなるのが望ましい。できればテーパー緩和膜４３は、湿式コーティングが可能な電荷輸送能力を有する有機膜を使用する。テーパー緩和膜４３は、高分子有機膜と低分子有機膜とのうち、選択される少なくとも一つの有機膜からなる。テーパー緩和膜４３のための低分子有機膜は、カルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択され、高分子有機膜はＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される。
前述したような構造を有する有機電界発光表示装置において、テーパー緩和膜によるテーパー角が緩和される原理を説明すると次のようである。
前記下部膜４１は、コンタクトホール、ビアホールまたは、画素分離膜の開口領域のような開口部４２を有し、基板表面に対してθ１のテーパー角とｄ０の段差を有し、ｔａｎθ１の線形傾きを有すると仮定する。前記テーパー緩和膜４３は、下部膜４１上ではｄ２の厚さで形成され、開口部４２ではｄ３の厚さで形成され、基板表面に対してθ２のテーパー角を有し、ｔａｎθ２の線形傾きを有すると仮定する。また、基板表面を平坦化するのに必要なテーパー緩和膜の最小厚さ、つまり、基板表面に対してテーパー緩和膜４３のテーパー角度θ２が０゜になるために必要なテーパー緩和膜４３の最小厚さをｄ１であると仮定する。
従って、テーパー緩和膜４３により平坦化されたテーパー角度は、開口部４２でのテーパー緩和膜４３のテーパー角であるθ２となり、平坦化される前のテーパー角度は、開口部４２での下部膜４１のテーパー角であるθ１となる。前記下部膜４１のテーパー角θ１により形成されるｔａｎθ１の傾きを有する直線をＬ１とし、テーパー緩和膜４３のテーパー角θ２により形成されるｔａｎθ２の傾きを有する直線をＬ２としたら、Ｌ１とＬ２は下記の式（１）のように示される。この時、基板表面と直線Ｌ１とが交わる点、つまり、開口部４２のエッジ部分を原点０とし、基板の長さ方向をｘ軸方向とし、基板の高さ方向をｙ軸方向とする。
Ｌ１：ｙ１＝ｔａｎθ１ｘ
Ｌ２：ｙ２＝ｔａｎθ２＋ｄ３ ……（１）
直線Ｌ１はｘ軸方向の位置ｘ０からｄ０を通り、Ｌ２はｘ軸方向の位置ｘ０からｄ０＋ｄ２を通る。また、直線Ｌ１とＬ２は、ｘ軸方向の位置ｘ１ですべてｄ１を通る。
従って、関数ｙ１とｙ２に前記ｘ軸方向とｙ軸方向の値を式（１）に代入すると、下記の式となる。
Ｌ１：ｄ０＝ｔａｎθ１ｘ０
Ｌ２：ｄ０＋ｄ２＝ｔａｎθ２ｘ０＋ｄ３
従って、ｄ０＋ｄ２は、下記の式（２）で示される。
ｄ０＋ｄ２＝（ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）ｄ０＋ｄ３ ……（２）
となる。
また、
Ｌ１：ｄ１＝ｔａｎθ１ｘ１
Ｌ２：ｄ１＝ｔａｎθ２ｘ1＋ｄ３
従って、ｄ１は、下記の式（３）で示される。
ｄ１＝（ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）ｄ１＋ｄ３ ……（３）
前記の式（２）と（３）からテーパー緩和膜４３のテーパー角θ２に対する関係式が下記の式（４）のように得られ、下部膜４１上に蒸着されるテーパー緩和膜４３の厚さｄ２と開口部４２に蒸着されるテーパー緩和膜４３の厚さｄ３は、下記の式（５）及び（６）のように得られる。この時、テーパー緩和膜４３のうち、下部膜４１上に形成されている部分の厚さｄ２は、下部膜４１の表面から基板表面が平坦化されるまでの厚さ、つまり、ｄ１−ｄ０まで線形的に増加すると仮定し、テーパー緩和膜４３のうち、開口部４２内に形成される部分の厚さｄ３が開口部４２内の基板表面から平坦化されるまでの厚さｄ１まで線形的に増加すると仮定する。基盤表面を平坦化させるのに必要なテーパー緩和膜４３の最小厚さｄ１は、テーパー緩和膜として使用される有機膜の平坦化能力により決定される値として、溶液の粘度と揮発度、コーティング工程の変数などにより異なる値として、実験的に求められる。
ｔａｎθ２＝（１−ｄ２／（ｄ１−ｄ０））ｔａｎθ１ ……（４）
ｄ２＝(ｄ１−ｄ０)(１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１)＝(ｄ１−ｄ０)(１−ａ) …（５）
ｄ３＝ｄ１（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）＝ｄ１（１−ａ） ……（６）
ここで、ａは、基板上に下部膜だけが形成される場合の基板表面の平坦化精度に対する基板上にテーパー緩和膜が形成されている場合の基板表面の平坦化精度に対する比を示すもので、相対平坦化度と定義され、ａ＝ｔａｎθ２／ｔａｎθ１として示される。
例えば、前記下部膜４１が開口部４２としてビアホールを備えた絶縁膜であり、この厚さｄ０が６０００Åであり、ビアホールでのテーパー角度θ１が７５゜である場合、前記ビアホールを完全に平坦化するのに必要なテーパー緩和膜４３の最小厚さｄ１が８０００Åであることが実験的に分かったとしたら、テーパー緩和膜４３が下部膜４１上で１０００Åの厚さｄ２を有するように蒸着される時、テーパー緩和膜４３により基板表面が平坦化される角度θ２とビアホールでのテーパー緩和膜４３の厚さｄ３は、前記の式（４）と（６）から次のように計算される。
ｔａｎθ２＝（１−１０００／２０００）ｔａｎ７５
＝０．５＊３．７３＝１．８７となる。
ビアホールでのテーパー緩和膜４３のテーパー角度θ２は、
θ２＝ｔａｎ−１（１．８７）＝６２゜となる。
また、ビアホールでのテーパー緩和膜４３の厚さｄ３は、
ｄ３＝ｄ１（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）＝ｄ１＊ｄ２／（ｄ１−ｄ０）
＝８０００＊１０００／２０００＝４０００となる。
従って、ビアホールのテーパー角度が７５゜であり、下部膜４１上に形成されるテーパー緩和膜４３の厚さが１０００Åである時、ビアホール内に形成されるテーパー緩和膜４３の厚さｄ３は４０００Åとなる。
一方、テーパー緩和膜４３により平坦化される角度、つまり、ビアホール内でテーパー緩和膜４３のテーパー角θ２が４０゜以下になるようにテーパー緩和膜４３を蒸着しようとする場合、下部膜４１上に形成されているテーパー緩和膜４３の厚さｄ２とビアホール内に形成されるテーパー緩和膜４３の厚さｄ３は、前記の式（５）と（６）から次のように求められる。
ｄ２＝２０００（１−ｔａｎ４０／ｔａｎ７５）
＝２０００（１−０．２３）＝１５４０となる。
ｄ３＝８０００（１−ｔａｎ４０／ｔａｎ７５）
＝８０００（１−０．２３）＝６１６０となる。
すなわち、ビアホールでのテーパー緩和膜４３が４０゜のテーパー角θ２を有するように形成される場合、テーパー緩和膜４３が下部膜４１上では１５４０Åの厚さで形成され、ビアホールでは、６１６０Åの厚さで形成されることを算出的に求められることができる。
図６は、ビアホールまたは、コンタクトホールのテーパー角度による欠陥個数を示したものである。図６を参照すると、ビアホールまたは、コンタクトホールのテーパー角度が減少することによって素子の欠陥が減少するが、コンタクトホールまたは、ビアホールのテーパー角度が６０゜以下になるまで初期不良が著しく減少して信頼性のある素子の製造が可能であることが分かる。ここで、初期不良というのは、有機電界発光表示装置の駆動前に発生されるダークピクセル（ｄａｒｋ ｐｉｘｅｌ）のような不良を意味する。この時、ビアホールまたは、コンタクトホールのテーパー角度θ２が６０゜である場合、テーパー緩和膜４３は、前記の式（５）と（６）から下部膜４１上に形成される部分の厚さｄ２は１０００Åであり、開口部内に形成される部分の厚さｄ３は４０００Åになる。
図７は、基板上に形成されている下部膜４１が所定のテーパー角θ１と段差ｄ１を有する場合、開口部内に形成されるテーパー緩和膜の厚さｄ３とテーパー緩和膜のテーパー角θ２との関係を示したグラフである。図７を参照すると、下部膜４１が７５゜のテーパー角を有し６０００Åの厚さｄ１で形成され、基板表面が平坦化されるためにテーパー緩和膜４３が最小限８０００Åの厚さｄ１で形成される時、画素分離膜がない場合コンタクトホールまたは、ビアホールのテーパー角度θ２が６０゜以下である場合、画素分離膜がある場合には、開口部のテーパー角度θ２が４０゜以下でないと信頼性のある素子の製造は不可能である。
一方、平坦化特性を有する有機膜であるテーパー緩和膜のテーパー角度を減少させると同時にテーパー緩和膜の使用による発光特性の低下を防ぐためには、下部膜４１上にテーパー緩和膜４３が１０００〜２０００Åの厚さｄ２で形成される時、駆動電圧の大きな上昇があってはいけない。従って、本発明で使われるテーパー緩和膜は、平坦化特性、正孔、または電子を輸送する電荷輸送能力と適当なＨＯＭＯ（最高占有分子オービタル；ｈｉｇｈe sｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）とＬＵＭＯ（最低非占有分子オービタル；ｌｏｗｅｓｔ ｕｎｆｉｌｌｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）値を備えて、テーパー緩和膜の蒸着厚さの増加による素子の駆動電圧を上昇させない方が望ましい。
従って、通常にアノード電極上部と発光層下部にテーパー緩和膜が形成される背面発光または、前面発光構造の有機電界表示装置の場合、前記テーパー緩和膜は、正孔輸送能力を有し、ＨＯＭＯは４．５ｅＶ以上，電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上である有機膜を使用するのが望ましい。一方、カソード電極上部と発光層下部にテーパー緩和膜が形成されるインバーティド構造の有機電界発光表示装置の場合、前記テーパー緩和膜は、電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上，電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上である有機膜を使用するのが望ましい。
図５で、テーパー緩和膜を、開口部を備える絶縁膜に適用してテーパー角を緩和させるのを説明したが、蒸着膜の段差されている部分にもテーパー緩和膜によりテーパー角を緩和させて素子の不良を防ぐことができる。
図８は、本発明の第１実施例によるテーパー緩和膜を備えた背面発光構造の有機電界発光表示装置の断面図を示したものである。図８を参照すると、絶縁基板４００上にバッファー層４０５が形成され、バッファー層４０５上にソース／ドレーン領域４１１、４１５を備える半導体層４１０が形成される。ゲート絶縁膜４２０上にゲート４２５が形成され、層間絶縁膜４３０上にコンタクトホール４３１、４３５を通じて前記ソース／ドレーン領域４１１、４１５に形成されるソース／ドレーン電極４４１、４４５に形成される。層間絶縁膜４３０上にソース／ドレーン電極４４１、４４５に形成される時、データラインまたは、電源供給ラインなどのような配線４４７が同時に形成される。前記コンタクトホール4３１、4３５は、７５゜のテーパー角度と５０００Åの深さを有するように形成される。
パッシベイション膜４５０上にビアホール４５５を通じて前記ソース／ドレーン電極４４１、４４５のうちの一つ、例えばドレーン電極４４５に連結される下部電極であるアノード電極４７０が形成される。この時、ビアホール４５５は８５゜のテーパー角度と５０００Åの深さを有し、アノード電極４７０は、１０００Åの厚さで形成される。アノード電極４７０を形成した後、洗浄工程を実施する。続いて、基板上にテーパー緩和膜４８０、有機薄膜層４８５及びカソード電極４９０を順次形成する。
図９は、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置において、Ｒ画素の発光領域に限定される断面構造の一例を示したものである。図９を参照すると、アノード電極４７０上にテーパー緩和膜４８０が形成され、テーパー緩和膜４８０上部に発光層４８５ｃが形成される構造を有する。
詳しく述べると、アノード電極４７０上にスピンコーティング法で正孔輸送能力を有する高分子有機膜、例えばＰＥＤＯＴを１０００Åの厚さで形成し、２００℃で５分間、ホットプレートを利用してアニリング工程を実施してテーパー緩和膜４８０を形成する。この時、テーパー緩和膜４８０の蒸着厚さは、テーパー緩和膜のテーパー角と、その下部のコンタクトホール及びビアホールの深さ及びテーパー角度、そして画素電極の厚さ及び画素電極のエッジでのテーパー角によって決定される。
次に、真空蒸着法を利用してテーパー緩和膜４８０上に正孔注入層４８５ａとしてＣｕＰｃを６００Åの厚さで、正孔輸送層４８５ｂとしてＮＰＢを３００Åの厚さで順次形成される。正孔輸送層４８５ｂ上に赤色発光層４８５ｃとしてＡｌｑ＋ＤＣＭを２００Åの厚さで蒸着し、電子輸送層４８５ｄとしてＡｌｑ３を発光層４８５ｃ上に２００Åの厚さで蒸着して有機薄膜層４８５を形成する。本発明の実施例で、前記 発光層 ４８５ｃと電子輸送層４８５ｄとの間に正孔抑制層と電子輸送層４８５ｄ上に電子注入層を形成することもできる。最後に、カソード電極４９０としてＬｉＦ／Ａｌを抵抗加熱法により蒸着する。
図９で示したように、有機薄膜層４８５及びカソード電極４９０を形成した後、図面上には示してないが、外部から酸素と水分などの浸透を防ぐために絶縁基板４００上にシーラントを塗布して袋紙基板を接着させて本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置を製造する。
図１０は、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置において、Ｒ画素の発光領域に限定された断面構造の他の例を示したものである。図１０を参照すると、テーパー緩和膜４８０が有機薄膜層４８５の正孔輸送層４８５ｂと発光層４８５ｃとの間で形成される。
詳しく説明すると、絶縁基板４００のアノード電極４７０が形成され、アノード電極４７０上に有機薄膜層４８５のうち、正孔注入層４８５ａと正孔輸送層４８５ｂが順次形成される。正孔輸送層４８５ｂ上にテーパー緩和膜４８０が形成され、その上に有機薄膜層４８５としてＲ発光層４８５ｃと電子輸送層４８５ｄが順次形成され、電子輸送層４８５ｄ上にカソード電極４９０が形成される。
テーパー緩和膜４８０が図９及び図１０で示したように、アノード電極４７０のすぐ上部、そして発光層４８５ｃのすぐ下部に形成されるだけでなく、前記テーパー緩和膜４８０は、アノード電極４７０と有機薄膜層４８５の発光層４８５ｃとの間だけに形成されれば良い。有機薄膜層４８５は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層のうち、ひとつの有機膜を備える。
第１実施例で、テーパー緩和膜４８０の形成前ではコンタクトホールは７５゜のテーパー角θ４１を有し、ビアホールは８５゜のテーパー角θ４２を有する。テーパー緩和膜４８０が形成させた後には、基板表面に対してテーパー角が緩和されてンタクトホールのテーパー角θ４３とビアホールのテーパー角θ４４は６０゜以下のテーパー角を有し、アノード電極はエッジ部分で４０゜以下のテーパー角を有する。また、コンタクトホールとビアホール付近及び配線４４７付近にもテーパー緩和膜の形成によりテーパー角θ４６を緩和させることができる。
一方、テーパー緩和膜４８０の蒸着厚さは、テーパー緩和膜のテーパー角、その下部のコンタクトホールとビアホールの深さ及びテーパー角度、そして画素電極の厚さ及び画素電極のエッジでのテーパー角によって決定される。更に説明すると、ビアホールとコンタクトホールのテーパー角が６０゜以下になるようにテーパー緩和膜を蒸着する場合には、図５及び式（４）〜（６）から、コンタクトホールが形成される絶縁膜、例えば、層間絶縁膜とゲート絶縁膜の厚さとコンタクトホールのテーパー角によってテーパー緩和膜の蒸着厚さが決定され、またビアホールが形成される絶縁膜、例えば、パッシベイション膜の厚さとビアホールのテーパー角によってテーパー緩和膜の蒸着厚さが決定される。一方、画素電極のエッジ部分でテーパー角が４０゜以下になるようにテーパー緩和膜を蒸着する場合には、図５及び式（４）〜（６）から、画素電極の厚さ及び画素電極のエッジ部分でのテーパー角によってテーパー緩和膜の蒸着厚さが決定される。
図１１は、第１実施例による有機電界発光表示装置において、ビアホール付近のＳＥＭ写真である。図１１を参照すると、テーパー緩和膜が段差を有する絶縁膜上部のアノード電極上に形成される部分の厚さｄ７２よりもビアホール内のアノード電極上に形成される部分の厚さｄ７３がもっと厚く蒸着され、ビアホールでのテーパー角が５０゜で緩和されたことを示す。図１２は、第１実施例の有機電界発光表示装置が駆動する時、発光領域でのエッジ不良可否を示す顕微鏡写真である。図１２を参照すると、テーパー緩和膜により基板表面が平坦化されてピクセルのエッジ部分でのテーパー角が減少される場合、発光領域のエッジ部分で不良が発生されなかったことを示す。図１３は、図１及び図２のような構造を有する有機電界発光表示装置を駆動させた場合、発光領域のエッジ部分での不良可否を示す顕微鏡写真である。図１３を参照すると、テーパー緩和膜を使用しない場合、発光領域のエッジ部分で沢山の暗点が発生されたことを示す。この時、図面符号７１は、ビアホール付近で発生された暗点を示し、７２はコンタクトホール付近で発生された暗点を示す。
図１４は、本発明の第２実施例による背面発光形有機電界発光表示装置の断面図を示したものである。図１４を参照すると、絶縁基板５００上にバッファー層５０５が形成され、バッファー層５０５上にソース／ドレーン領域５１１、５１５を備える半導体層５１０が形成される。ゲート絶縁膜５２０上にゲート５２５が形成され、層間絶縁膜５３０上にコンタクトホール５３１，５３５を通じてソース／ドレーン電極５４１、５４５が形成される。この時、層間絶縁膜５３０上にソース／ドレーン電極５４１、５４５が形成される時に、データライン５４７も同時に形成される。
パッシベイション膜５５０上にビアホール５５５を通じて前記ソース／ドレーン電極５４１、５４５のうちの一つ、例えばドレーン電極５４５に連結される下部電極であるアノード電極５７０が形成される。基板全面に画素分離膜５６５を５０００Åの厚さで蒸着した後、６０゜のテーパー角度を有するように食刻して開口部５７５を形成する。画素分離膜５６５形成した後、湿式コーティング可能な正孔輸送能力を有する有機膜としてＰＥＤＯＴを基板上に蒸着してテーパー緩和膜５８０を形成する。この時、前記テーパー緩和膜５８０は、開口部５７５のテーパー角θ５１が４０゜以下になるように形成するのが望ましく、前記テーパー緩和膜５８０の蒸着厚さは、テーパー緩和膜のテーパー角と画素分離膜５８５の厚さ及び開口部５７５のテーパー角度によって決定される。
テーパー緩和膜５８０上に図８の第１実施例のような方法で有機薄膜層５８５を蒸着し、有機薄膜層５８５上にカソード電極５９０としてＬｉＦ／Ａｌを抵抗加熱法により蒸着し、図面には示してないが、袋紙基板で封じて第２実施例による有機電界発光表示装置を製造する。
図１５は、第２実施例による有機電界発光表示装置において、発光領域付近のＳＥＭ写真をそれぞれ示したものである。図１５を参照すると、テーパー緩和膜の形成によって開口部のエッジ部分でのテーパー角が画素分離膜のテーパー角よりも４０゜に緩和されることが示す。図１６は、第２実施例によるテーパー緩和膜が適用された有機電界発光表示装置を駆動させた時の、発光領域のエッジ部分の顕微鏡写真である。図１６を参照すると、画素分離膜上にテーパー緩和膜を形成することで、発光領域のエッジ部分での暗点不良が発生されないことを示している。図１７は、従来のテーパー緩和膜が適用されていない画素分離膜を備えた有機電界発光表示装置を駆動させた時の、発光領域のエッジ部分の顕微鏡写真である。図１７を参照すると、画素分離膜を適用する場合でも開口部のエッジ部分でテーパー角が大きい場合、暗点が発生するということを示している。
図１８は、本発明の第３実施例による前面発光構造を有する有機電界発光表示装置の断面図を示したものである。図１８を参照すると、絶縁基板６００上にバッファー層６０５が形成され、バッファー層６０５上にソース／ドレーン領域６１１、６１５を備える半導体層６１０が形成される。ゲート絶縁膜６２０上にゲート６２５が形成され、層間絶縁膜６３０上にコンタクトホール６３１，６３５を通じてソース／ドレーン電極６４１、６４５が形成される。この時、層間絶縁膜６３０上にソース／ドレーン電極６４１、６４５が形成される時に、データラインまたは、電源供給ラインのような配線６４７が同時に形成される。
パッシベイション膜６５０上に平坦化膜６６０が形成され、平坦化膜６６０上にビアホール６５５を通じて前記ソース／ドレーン電極６４１、６４５のうちの一つ、例えばドレーン電極６４５に連結される下部電極であるアノード電極６７０が形成される。基板上に湿式コーティング可能な正孔輸送能力を有する有機膜としてＰＥＤＯＴを蒸着してテーパー緩和膜６８０を形成する。この時、前記テーパー緩和膜６８０は、前記ビアホールでのテーパー角が６０゜以下になるように形成されることが望ましく、前記テーパー緩和膜６８０の蒸着厚さは、テーパー緩和膜のテーパー角、前記平坦化膜６６０の厚さとビアホールのテーパー角によって決定される。
テーパー緩和膜６８０上に第１実施例と同じ方法で有機薄膜層６８５及び上部電極であるカソード電極６９０が形成され、袋紙基板（図示せず）で封じて第３実施例による有機電界発光表示装置を製造する。
図１９は、本発明の第４実施例による前面発光構造を有する有機電界発光表示装置の断面図を示したものである。図１9を参照すると、絶縁基板７００上にバッファー層７０５が形成され、バッファー層７０５上にソース／ドレーン領域７１１、７１５を備える半導体層７１０が形成される。ゲート絶縁膜７２０上にゲート７２５が形成され、層間絶縁膜７３０上にコンタクトホール７３１，７３５を通じてソース／ドレーン電極７４１、７４５が形成される。この時、層間絶縁膜７３０上にソース／ドレーン電極７４１、７４５が形成される時に、データラインまたは、電源供給ラインのような配線７４７が同時に形成される。
パッシベイション膜７５０上に平坦化膜７６０が形成され、平坦化膜７６０上にビアホール７５５を通じて前記ソース／ドレーン電極７４１、７４５のうちの一つ、例えば、ドレーン電極７４５に連結される下部電極であるアノード電極７７０が形成される。前記アノード電極７７０の一部分を露出させる開口部７７５を備える画素分離膜７６５が形成される。基板上に湿式コーティング可能な正孔輸送能力を有する有機膜としてＰＥＤＯＴを蒸着してテーパー緩和膜７８０を形成する。この時、前記テーパー緩和膜７８０は、開口部７７５でのテーパー角が４０゜以下になるように蒸着されることが望ましく、テーパー緩和膜７８０の蒸着厚さは、テーパー緩和膜のテーパー角、画素分離膜の厚さと画素分離膜のテーパー角によって決定される。
テーパー緩和膜７８０上に第１実施例と同じい方法で有機薄膜層７８５及び上部電極であるカソード電極７９０が形成され、袋紙基板（図示せず）で封じて第４実施例による有機電界発光表示装置を製造する。
図２０は、本発明の第５実施例による前面発光構造を有する有機電界発光表示装置の断面図を示したものである。図２０を参照すると、絶縁基板８００上にバッファー層８０５が形成され、バッファー層８０５上にソース／ドレーン領域８１１、８１５を備える半導体層８１０が形成される。ゲート絶縁膜８２０上にゲート８２５が形成され、層間絶縁膜８３０上にコンタクトホール８３１，８３５を通じてソース／ドレーン電極８４１、８４５が形成される。この時、層間絶縁膜８３０上にソース／ドレーン電極８４１、８４５のうちの一つ、例えば、ドレーン電極８４５に連結されるアノード電極８７０が形成される。
基板上に前記アノード電極８７０の一部分を露出させる開口部８７５を露出させるパッシベイション膜８５０が形成され、開口部８７５及びパッシベイション膜８５０上に湿式コーティング可能な導電性有機膜、例えば、ＰＥＤＯＴでできているテーパー緩和膜８８０が形成される。前記テーパー緩和膜８８０は、前記開口部でのテーパー角が４０゜以下になるように蒸着されることが望ましく、テーパー緩和膜８８０の厚さは、前記テーパー緩和膜８８０のテーパー角、前記パッシベイション膜８５０の厚さと開口部のテーパー角によって決定される。
テーパー緩和膜８８０上に第１実施例と同じ方法で有機薄膜層８８５及び上部電極であるカソード電極８９０が形成され、袋紙基板（図示せず）で封じて第５実施例による有機電界発光表示装置を製造する。
本発明の実施例では、有機薄膜層が正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、またＢ有機発光層及び電子輸送層で構成されることを例示したが、正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、またＢ有機発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層のうち、少なくとも一つ以上の有機薄膜で構成される。
本発明の実施例では、アノード電極上に有機発光層が蒸着される背面発光構造及び前面発光構造を有する有機電界発光表示装置で前記テーパー緩和膜で正孔輸送能力を有する有機膜を使用していることを例示したが、カソード電極上に有機発光層が蒸着されるインバーティド構造を有する有機電界発光表示装置で、前記テーパー緩和膜としての正孔輸送能力を有する有機膜を適用することが可能である。
また、本発明の実施例では、テーパー緩和膜がアノード電極と有機発光層との間で形成されていることを例示したが、前面及び背面発光構造では、アノード電極と有機薄膜層の発光層との間に存在する薄膜層のうち、任意層上に形成することが可能であり、インバーティド構造では、カソード電極と有機薄膜層の発光層との間に存在する薄膜層のうち、任意層上に形成することが可能である。
また、本発明のテーパー緩和膜を適用して基板表面のテーパー角を緩和させる方法は、蒸着法、インクジェット方式または、レーザー熱伝写法などのような多様な方法を利用して有機発光層を形成する有機電界発光表示装置にすべて適用可能である。
前述では、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、前記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させられることが理解できる。
従来の有機電界発光表示装置を示した断面図である。 図１で示した有機電界発光表示装置において、一つの画素の発光領域を示した断面図である。 従来の画素分離膜を備えている有機電界発光表示装置の断面図である。 従来のエッジ部分がテーパーさせたパッシベイション膜を備えている有機電界発光表示装置の断面図である。 本発明のテーパー緩和膜が適用されている有機電界発光表示装置の断面図である。 テーパー緩和膜が適用されていない有機電界発光表示装置において、テーパー角度と不良発生率を示したグラプである。 図３の有機電界発光表示装置において、テーパー緩和膜の厚さとテーパー角度との関係を示したグラプである。 本発明の第１実施例による背面発光形アクティブマトリックス有機電界発光表示装置を示した断面図である。 図８で示した背面発光形アクティブマトリックス有機電界発光表示装置において、一つの画素に対する発光領域を示した断面構造図である。 図８に示された背面発光形アクティブマトリックス有機電界発光表示装置において、一つの画素に対する発光領域を示した他の断面構造図である。 図８の有機電界発光表示装置において、テーパー緩和膜によりテーパー角度が減少されていることを示した図である。 図８の有機電界発光表示装置において、暗点不良が発生していない画素を示した図である。 従来の背面発光形アクティブマトリクス有機電界発光表示装置において、テーパー緩和膜が適用されていない場合に画素に不良が発生したことを示した図である。 本発明の第２実施例による画素分離層を備えた背面発光形アクティブマトリクス有機電界発光表示装置を示した断面図である。 図１４の有機電界発光表示装置において、テーパー緩和膜によりテーパー角度が減少されていることを示した図である。 図１４の有機電界発光表示装置において、暗点不良が発生していない画素を示した図である。 従来の画素分離膜を備えた有機電界発光表示装置において、暗点不良が発生していない画素を示した図である。 本発明の第３実施例による前面発光形アクティブマトリックス有機電界発光表示装置を示した断面構造図である。 本発明の第４実施例による画素分離膜を備えた前面発光形アクティブマトリックス有機電界発光表示装置を示した断面構造図である。 本発明の第５実施例によるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置を示した断面構造図である。
符号の説明
４０、４００、５００、６００、７００、８００ 絶縁基板
４１０、５１０、６１０、７１０、８１０ 半導体層
４１１、５１１、６１１、７１１、８１１ ソース領域
４１５、５１５、６１５、７１５、８１５ ドレーン領域
４２０、５２０、６２０、７２０、８２０ ゲート絶縁膜
４２５、５２５、６２５、７２５、８２５ ゲート電極
４３０、５３０、６３０、７３０、８３０ 層間絶縁膜
４３１、５３１、６３１、７３１、８３１ ソース電極
４３１、４３５、５３１、５３５、６３１、６３５、７３１、７３５、８３１、８３５ コンタクトホール
４３５、５３５、６３５、７３５、８３５ ドレーン電極
４５０、５５０、６５０、７５０、８５０ 層間絶縁膜
４５５、５５５、６５５、７５５ ビアホール
４７０、５７０、６７０、７７０、８７０ アノード電極
４７５、５７５、６７５、７７５、８７５ 開口部
６６０、７６０ 平坦化膜
４３、４８０、５８０、６８０、７８０、８８０ テーパー緩和膜
５６５、７６５ 画素分離膜
４８５、５８５、６８５、７８５、８８５ 有機ＥＬ層
４９０、５９０、６９０、７９０、８９０ カソード電極

Claims (63)

  1. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第１段差及び第１テーパー角を有する下部薄膜と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記下部膜のテーパー角を緩和させるための上部薄膜を備え、
    前記上部薄膜は前記下部薄膜の第１テーパー角より小さい第２テーパー角と、
    を有することを特徴とする平板表示装置。
  2. 請求項１記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜は、段差されている部分で、それ以外の部分よりも薄く蒸着されて基板表面の段差を緩和させることを特徴とする平板表示装置。
  3. 請求項１記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜は、湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。
  4. 請求項１記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜は、高分子有機膜と低分子有機膜から選択される少なくとも一つの薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。
  5. 請求項４記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜の低分子有機膜は、カルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系及びスターバースト系誘導体から選択され、高分子有機膜はＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択されることを特徴とする平板表示装置。
  6. 請求項１記載の平板表示装置において、
    前記下部薄膜は、前記基板の一部分を露出させるホールをさらに備え、前記第１テーパー角は基板表面に対して前記ホールの側面がなす角度であり、前記第２テーパー角は前記ホールで基板表面に対して前記上部薄膜がなす角度であることを特徴とする平板表示装置。
  7. 請求項６記載の平板表示装置において、
    ソース/ドレーン領域及びソース/ドレーン電極及び前記ソース/ドレーン電極を前記ソース/ドレーン領域と連結させるためのコンタクトホールを有する絶縁膜を備える薄膜トランジスターをさらに含み、
    前記下部薄膜は、前記薄膜トランジスターの絶縁膜であり、前記ホールは前記ソース/ドレーン電極と前記ソース/ドレーン領域を連結させるための前記コンタクトホールであることを特徴とする平板表示装置。
  8. 請求項６記載の平板表示装置において、
    少なくともソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、
    前記ソース/ドレーン電極のうち、一つを露出させるビアホールと、
    前記ビアホールを通って前記露出された一つの電極に連結される画素電極とをさらに含み、
    前記下部薄膜は、前記絶縁膜であり、前記ホールは前記露出された一つの電極と画素電極を連結させるための前記ビアホールであることを特徴とする平板表示装置。
  9. 請求項６記載の平板表示装置において、
    前記第２テーパー角は６０°以下であることを特徴とする平板表示装置。
  10. 請求項１記載の平板表示装置において、
    前記下部薄膜は、前記基板の一部分を露出させる開口部をさらに備え、前記第１テーパー角は基板表面に対して前記開口部の側面がなす角度であり、前記第２テーパー角は前記開口部から基板表面に対して前記上部薄膜がなす角度であることを特徴とする平板表示装置。
  11. 請求項１０記載の平板表示装置において、
    前記第２テーパー角は４０°以下であることを特徴とする平板表示装置。
  12. 請求項１０記載の平板表示装置において、
    下部電極、前記下部電極の一部分を露出させる画素分離膜、有機薄膜層及び上部電極をさらに含み、
    前記下部薄膜は画素分離膜であり、前記開口部は前記下部電極の一部分を露出させることを特徴とする平板表示装置。
  13. 請求項１２記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。
  14. 請求項１３記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜は高分子有機膜と低分子有機膜から選択される少なくとも一つの薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。
  15. 請求項１４記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜の低分子有機膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択され、高分子有機膜はＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択されることを特徴とする平板表示装置。
  16. 請求項１２記載の平板表示装置において、
    前記有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層から選択される少なくとも一つの薄膜層を備えることを特徴とする平板表示装置。
  17. 請求項１６記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜は、前記下部電極と発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。
  18. 請求項１７記載の平板表示装置において、
    前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択されることを特徴とする平板表示装置。
  19. 請求項１７記載の平板表示装置において、
    前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として、前記発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出されることを特徴とする平板表示装置。
  20. 請求項１７記載の平板表示装置において、
    前記下部電極は反射電極であり、前記上部電極は透明電極として、発光層から発光される光が前記絶縁基板と反対方向に放出されることを特徴とする平板表示装置。
  21. 請求項１７記載の平板表示装置において、
    前記下部電極と上部電極はすべて透明電極として、発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出されると同時に絶縁基板と反対方向に放出されることを特徴とする平板表示装置。
  22. 請求項１２記載の平板表示装置において、
    前記下部電極がアノード電極である場合、前記上部薄膜は正孔輸送能力を有し、HOMOは４．５eＶ以上であり、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上である有機薄膜であることを特徴とする平板表示装置。
  23. 請求項１２記載の平板表示装置において、
    前記下部電極がカソード電極である場合、前記上部薄膜は電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上であり、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする平板表示装置。
  24. 少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち、一つを露出させるビアホールを備える絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備える有機ＥＬ素子と、
    前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、
    前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記ビアホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し、
    前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。
  25. 請求項２４記載の平板表示装置において、
    有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。
  26. 請求項２５記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。
  27. 請求項２６記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。
  28. 請求項２４記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜の第１テーパー角は６０°以下であり、テーパー緩和膜の第２テーパー角は４０°以下であることを特徴とする平板表示装置。
  29. 請求項２８記載の平板表示装置において、
    絶縁膜はパッシベイション膜と平坦化膜から選択される少なくとも一つの膜でなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜の第１テーパー角及び第２テーパー角、前記パッシベイション膜と平坦化膜の厚さ、前記ビアホールのテーパー及びアノード電極のエッジ部分のテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。
  30. 請求項２４記載の平板表示装置において、
    前記下部電極は反射電極であり、前記上部電極は透明電極として発光層から発光される光が前記絶縁基板と反対方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、ＨＯＭＯは４．５ｅＶ以上、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上であり電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする平板表示装置。
  31. 少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記露出された一つの電極に連結される下部電極と、
    前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜と開口部上に形成される有機薄膜層と、
    前記有機薄膜層上に形成される上部電極と、
    前記下部電極上部に形成されるテーパー緩和膜とを含み、
    前記テーパー緩和膜は前記開口部での第２絶縁膜のテーパー角よりも小さいテーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。
  32. 請求項３１記載の平板表示装置において、
    有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、
    電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。
  33. 請求項３２記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。
  34. 請求項３３記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。
  35. 請求項３１記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜のテーパー角は４０°以下であることを特徴とする平板表示装置。
  36. 請求項３１記載の平板表示装置において、
    第１絶縁膜はパッシベイション膜と平坦膜から選択される少なくとも一つの膜からなり、第２絶縁膜は画素分離膜からなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜のテーパー角、前記画素分離膜の厚さとテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。
  37. 請求項３１記載の平板表示装置において、
    前記下部電極は反射電極であり、前記上部電極は透明電極として発光層から発光される光が前記絶縁基板と反対方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、ＨＯＭＯは４．５ｅＶ以上、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上であり電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする平板表示装置。
  38. ソース／ドレーン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン領域に連結されるソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスターの一つの電極に連結される下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備えるＥＬ素子と、
    前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、
    前記コンタクトホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はコンタクトホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し、
    前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はビアホールのテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有し、
    前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第３テーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。
  39. 請求項３８記載の平板表示装置において、
    有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜かたなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。
  40. 請求項３９記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。
  41. 請求項４０記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。
  42. 請求項３８記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜の第１テーパー角は６０°以下であり、第２テーパー角は６０°以下で、第３テーパー角は４０°以下であることを特徴とする平板表示装置。
  43. 請求項３８記載の平板表示装置において、
    絶縁膜はパッシベイション膜と平坦膜から選択される少なくとも一つの膜からなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜の第１テーパー角ないし第３テーパー角、前記絶縁膜の厚さとビアホール及びコンタクトホールのテーパー角そして、アノード電極の厚さ及びアノード電極のエッジ部分でのテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。
  44. 請求項３８記載の平板表示装置において、
    前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、ＨＯＭＯは４．５ｅＶ以上、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上であり電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする平板表示装置。
  45. ソース／ドレーン領域を備える半導体層、前記ソース／ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備える第１絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン領域に連結されるソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第２絶縁膜と、
    第２絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つの電極に連結される下部電極と、
    前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える第３絶縁膜と、
    前記第３絶縁膜と開口部上に形成されている有機薄膜層と、
    前記有機薄膜上に形成されている上部電極と、
    前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、
    前記開口部での前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記開口部のテーパー角よりも小さいことを特徴とする平板表示装置。
  46. 請求項４５記載の平板表示装置において、
    有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。
  47. 請求項４６記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。
  48. 請求項４７記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。
  49. 請求項４５記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜のテーパー角は４０°以下であることを特徴とする平板表示装置。
  50. 請求項４５記載の平板表示装置において、
    第１絶縁膜は層間絶縁膜であり、第２絶縁膜はパッシベイション膜と平坦膜から選択される少なくとも一つの膜からなり、第３絶縁膜は画素分離膜からなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜のテーパー角、前記画素分離膜の厚さとテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。
  51. 請求項４５記載の平板表示装置において、
    前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として発光層から発光されている光が前記絶縁基板方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、ＨＯＭＯは４．５ｅＶ以上、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上であり電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする平板表示装置。
  52. ソース／ドレーン領域を備える半導体層、前記ソース／ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備える第１絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレーン領域に連結されるソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
    前記ソース／ドレーン電極と同じく第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極と、
    前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜と開口部上に形成される有機薄膜層と、
    前記有機薄膜上に形成される上部電極と、
    前記下部電極上部に形成されるテーパー緩和膜とを含み、
    前記コンタクトホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はコンタクトホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し、前記開口部での前記テーパー緩和膜は前記開口部のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。
  53. 請求項５２記載の平板表示装置において、
    有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。
  54. 請求項５３記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。
  55. 請求項５４記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。
  56. 請求項５２記載の平板表示装置において、
    前記テーパー緩和膜の第１テーパー角は６０°であり、第２テーパー角は４０°以下であることを特徴とする平板表示装置。
  57. 請求項５２記載の平板表示装置において、
    第１絶縁膜は層間絶縁膜であり、第２絶縁膜はパッシベイション膜で、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜の第１テーパー角及び第２テーパー角、前記層間絶縁膜とパッシベイション膜の厚さとコンタクトホール及び開口部のテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。
  58. 請求項５２記載の平板表示装置において、
    前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として発光層から発光されている光が前記絶縁基板方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、ＨＯＭＯは４．５ｅＶ以上、電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、ＬＵＭＯは３．５ｅＶ以上であり電荷移動度は１０−８ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする平板表示装置。
  59. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第１段差及び第１テーパー角を有する下部薄膜と、
    前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第２テーパー角を有する前記下部薄膜の第１テーパー角を緩和させるための上部薄膜とを含み、
    前記下部薄膜の第１テーパー角よりも小さい第２テーパー角を有するための前記上部薄膜の蒸着厚さのうち、前記下部薄膜の段差されている部分に形成される部分の蒸着厚さｄ１とその他の部分に形成される部分の蒸着厚さｄ２及び前記上部薄膜のテーパー角θ２は下記の式から求められることを特徴とする平板表示装置。
    ｔａｎθ２＝（１−ｄ２／（ｄ１−ｄ０））ｔａｎθ１
    ｄ１＝（ｄ１−ｄ０）（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）
    ｄ２＝ｄ１（１−ｔａｎθ２／ｔａｎθ１）
    ここで、θ１は下部膜の第１テーパー角であり、ｄ１は上部薄膜の第２テーパー角が０°になる場合の上部薄膜の蒸着厚さである。
  60. 請求項５９記載の平板表示装置において、
    ソース／ドレーン領域及びソース／ドレーン電極及び前記ソース／ドレーン電極を前記ソース／ドレーン領域と連結させるためのコンタクトホールを有する絶縁膜を備える薄膜トランジスターをさらに含み、
    前記下部薄膜は前記薄膜トランジスターの絶縁膜であり、前記ホールは前記ソース／ドレーン電極とソース／ドレーン領域を連結させるための前記コンタクトホールであり、
    前記テーパー緩和膜の蒸着厚さはテーパー緩和膜のテーパー角、コンタクトホールの深さ及びコンタクトホールのテーパー角によって、前記式から求められることを特徴とする平板表示装置。
  61. 請求項５９記載の平板表示装置において、
    少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、
    前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出さあせるビアホールと、
    前記ビアホールを通じて前記露出された一つの電極に連結される画素電極とをさらに含み、
    前記下部薄膜は前記絶縁膜であり、前記ホールは前記露出された一つの電極と画素電極を連結させるための前記ビアホールであり、
    前記テーパー緩和膜の蒸着厚さはテーパー緩和膜のテーパー角、ビアホールの深さ及びビアホールのテーパー角によって前記式から求められることを特徴とする平板表示装置。
  62. 請求項５９記載の平板表示装置において、
    下部電極、前記下部電極の一部分を露出させる画素分離膜、有機薄膜層及び上部電極をさらに含み、
    前記下部薄膜は画素分離膜であり、前記開口部は前記下部電極の一部分を露出させる開口部であり、
    前記テーパー緩和膜の蒸着厚さはテーパー緩和膜のテーパー角、画素分離膜の厚さ及び開口部のテーパー角によって、前記式から求められることを特徴とする平板表示装置。
  63. 請求項５９記載の平板表示装置において、
    前記上部薄膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機薄膜として、カルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択されることを特徴とする平板表示装置。

JP2004081618A 2003-11-26 2004-03-19 平板表示装置 Pending JP2005158672A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030084746A KR100741962B1 (ko) 2003-11-26 2003-11-26 평판표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005158672A true JP2005158672A (ja) 2005-06-16

Family

ID=34464754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004081618A Pending JP2005158672A (ja) 2003-11-26 2004-03-19 平板表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8063550B2 (ja)
EP (1) EP1536471B1 (ja)
JP (1) JP2005158672A (ja)
KR (1) KR100741962B1 (ja)
CN (2) CN101257038B (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007172873A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Kyocera Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP2007200887A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2007200890A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US7821197B2 (en) 2006-01-27 2010-10-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method of the same
US7825594B2 (en) 2006-01-25 2010-11-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method of the same
US7837530B2 (en) 2006-03-29 2010-11-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of sealing an organic light emitting display by means of a glass frit seal assembly
US7944143B2 (en) 2006-01-25 2011-05-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure bonded to frame
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
WO2011138816A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
WO2011138817A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
US8063561B2 (en) 2006-01-26 2011-11-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8120249B2 (en) 2006-01-23 2012-02-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
US8125146B2 (en) 2006-01-27 2012-02-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion
US8299705B2 (en) 2006-01-26 2012-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
JP2013012492A (ja) * 2012-09-10 2013-01-17 Sony Corp 表示装置
US8415880B2 (en) 2006-01-20 2013-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure
WO2013190847A1 (ja) * 2012-06-20 2013-12-27 パナソニック株式会社 有機発光素子およびその製造方法
US8729796B2 (en) 2006-01-25 2014-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including a gap to improve image quality and method of fabricating the same
JP2014123628A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Japan Display Inc 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100611159B1 (ko) * 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR100683695B1 (ko) * 2004-11-11 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
US7259405B2 (en) * 2004-11-23 2007-08-21 Au Optronics Corporation Organic photoelectric device with improved electron transport efficiency
KR102381391B1 (ko) 2015-04-16 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US8016629B2 (en) * 2005-04-25 2011-09-13 Showa Denko K.K. Method of producing a display device
US7795592B2 (en) * 2005-11-21 2010-09-14 Fujifilm Corporation Image detector and manufacturing method of the same
KR100736577B1 (ko) * 2006-04-07 2007-07-06 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
TWI358964B (en) * 2006-04-12 2012-02-21 Au Optronics Corp Electroluminescence display element and method for
JP2008147418A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ装置、画像表示装置およびその製造方法
KR100870363B1 (ko) 2007-03-15 2008-11-25 삼성에스디아이 주식회사 이차전지용 보호회로 기판과 이를 이용한 이차전지
KR100900444B1 (ko) * 2007-06-27 2009-06-02 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP5489542B2 (ja) * 2008-07-01 2014-05-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
RU2507638C2 (ru) * 2008-10-02 2014-02-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство oled с покрытой шунтирующей линией
US8101699B2 (en) * 2008-12-02 2012-01-24 General Electric Company Electron-transporting polymers
JP5491528B2 (ja) * 2009-02-06 2014-05-14 エルジー・ケム・リミテッド 絶縁された導電性パターンの製造方法及び積層体
CN102308366B (zh) 2009-02-06 2015-08-12 Lg化学株式会社 触摸屏及其制备方法
WO2010090394A2 (ko) 2009-02-06 2010-08-12 주식회사 엘지화학 절연된 도전성 패턴의 제조 방법
JP2010245366A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Fujifilm Corp 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置
TWI401635B (zh) 2009-04-13 2013-07-11 Innolux Corp 顯示面板及應用該顯示面板的影像顯示系統
US20100270537A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 General Electric Company Optoelectronic devices and organic compounds used therein
CN107275372B (zh) * 2009-04-23 2020-06-23 群创光电股份有限公司 显示面板及应用该显示面板的图像显示***
CN103606549B (zh) * 2009-04-23 2017-06-09 群创光电股份有限公司 显示面板及应用该显示面板的图像显示***
JP5726869B2 (ja) 2009-07-16 2015-06-03 エルジー・ケム・リミテッド 伝導体およびその製造方法
KR101084193B1 (ko) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP5677890B2 (ja) * 2010-09-30 2015-02-25 富士フイルム株式会社 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び撮像素子
KR102013893B1 (ko) 2012-08-20 2019-08-26 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR20140046331A (ko) * 2012-10-10 2014-04-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN104425544B (zh) * 2013-09-09 2017-07-07 瀚宇彩晶股份有限公司 有机发光二极管显示器的像素结构
JP6457879B2 (ja) * 2015-04-22 2019-01-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102379194B1 (ko) * 2015-05-11 2022-03-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN104952934B (zh) * 2015-06-25 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板
WO2017077995A1 (ja) * 2015-11-06 2017-05-11 シャープ株式会社 表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法
CN108231673B (zh) * 2018-01-19 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN108400152B (zh) * 2018-03-30 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示屏的制造方法及oled显示屏
CN114460772A (zh) * 2022-01-26 2022-05-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板和显示面板

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001031223A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Murata Mach Ltd 自動倉庫のラック
JP2001131593A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Asahi Kasei Corp 非引火性洗浄剤
JP2001189192A (ja) * 1999-10-12 2001-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2001195016A (ja) * 1999-10-29 2001-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置
JP2001312223A (ja) * 2000-02-22 2001-11-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置及びその作製方法
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2003022892A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2003091246A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2003243171A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2003313655A (ja) * 2002-02-25 2003-11-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP2004234901A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Seiko Epson Corp ディスプレイ基板、有機ｅｌ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950010703A (ko) * 1993-09-23 1995-04-28 박경팔 전계 방출 에미터 및 그 제조방법
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
TW477907B (en) * 1997-03-07 2002-03-01 Toshiba Corp Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
TW439387B (en) 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW483287B (en) 1999-06-21 2002-04-11 Semiconductor Energy Lab EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
KR100325078B1 (ko) * 1999-06-25 2002-03-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
JP4925528B2 (ja) 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP3943900B2 (ja) 2000-11-09 2007-07-11 株式会社東芝 自己発光型表示装置
US6573651B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
SG143942A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4302901B2 (ja) * 2001-02-27 2009-07-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体および発光システム
JP3608613B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP2003131593A (ja) 2001-10-26 2003-05-09 Sharp Corp アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネル
KR100656490B1 (ko) 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP2004031262A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル
KR100469398B1 (ko) * 2002-12-31 2005-02-02 엘지전자 주식회사 전계 방출 소자 및 제조 방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001031223A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Murata Mach Ltd 自動倉庫のラック
JP2001189192A (ja) * 1999-10-12 2001-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2001195016A (ja) * 1999-10-29 2001-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置
JP2001131593A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Asahi Kasei Corp 非引火性洗浄剤
JP2001312223A (ja) * 2000-02-22 2001-11-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置及びその作製方法
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2003022892A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2003091246A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2003243171A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2003313655A (ja) * 2002-02-25 2003-11-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP2004234901A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Seiko Epson Corp ディスプレイ基板、有機ｅｌ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007172873A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Kyocera Corp 画像表示装置およびその製造方法
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
US9004972B2 (en) 2006-01-20 2015-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure
US8415880B2 (en) 2006-01-20 2013-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure
US8120249B2 (en) 2006-01-23 2012-02-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
JP2007200890A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US7944143B2 (en) 2006-01-25 2011-05-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure bonded to frame
US8026511B2 (en) 2006-01-25 2011-09-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US7825594B2 (en) 2006-01-25 2010-11-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method of the same
JP2007200887A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US8729796B2 (en) 2006-01-25 2014-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including a gap to improve image quality and method of fabricating the same
US8164257B2 (en) 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
US8063561B2 (en) 2006-01-26 2011-11-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8299705B2 (en) 2006-01-26 2012-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
US7821197B2 (en) 2006-01-27 2010-10-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method of the same
US8125146B2 (en) 2006-01-27 2012-02-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion
US7837530B2 (en) 2006-03-29 2010-11-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of sealing an organic light emitting display by means of a glass frit seal assembly
US8253131B2 (en) 2010-05-07 2012-08-28 Panasonic Corporation Organic EL display panel and manufacturing method thereof
US8729535B2 (en) 2010-05-07 2014-05-20 Panasonic Corporation Organic EL display panel and method for producing same
WO2011138817A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
WO2011138816A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
WO2013190847A1 (ja) * 2012-06-20 2013-12-27 パナソニック株式会社 有機発光素子およびその製造方法
JPWO2013190847A1 (ja) * 2012-06-20 2016-02-08 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光素子およびその製造方法
JP2013012492A (ja) * 2012-09-10 2013-01-17 Sony Corp 表示装置
JP2014123628A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Japan Display Inc 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101257038B (zh) 2010-07-14
US8063550B2 (en) 2011-11-22
EP1536471B1 (en) 2019-10-02
CN100511753C (zh) 2009-07-08
CN1622699A (zh) 2005-06-01
KR20050051058A (ko) 2005-06-01
US20050116240A1 (en) 2005-06-02
EP1536471A2 (en) 2005-06-01
EP1536471A3 (en) 2007-08-15
CN101257038A (zh) 2008-09-03
KR100741962B1 (ko) 2007-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005158672A (ja) 平板表示装置
KR100611159B1 (ko) 유기전계 발광표시장치
US20160079313A1 (en) Oled lighting device with short tolerant structure
US7887385B2 (en) Organic EL light emitting element, manufacturing method thereof, and display device
JP2004165067A (ja) 有機電界発光パネル
US7928537B2 (en) Organic electroluminescent device
JP2006156374A (ja) 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法
US8564192B2 (en) Process for fabricating OLED lighting panels
WO2019186806A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2006114480A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2001203080A (ja) 表示装置
US7554112B1 (en) Organic electronic device and processes for forming and using the same
KR100462865B1 (ko) 자기정렬된 절연 충전체를 갖는 유기 전계발광장치 및그의 제조방법
KR20160094525A (ko) 유기 발광 소자와 그 제조 방법 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치
JP2009054603A (ja) 有機電界発光パネルの製造方法
KR102263522B1 (ko) 전면 발광형 유기발광소자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시장치
JP2001056650A (ja) 表示装置の製造方法及び表示装置
JP4355795B2 (ja) 有機半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置
JP2003131593A (ja) アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネル
WO2007026586A1 (ja) 有機薄膜半導体素子およびその製造方法
WO2023053451A1 (ja) 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
KR100625969B1 (ko) 전자 발광 소자
JP2009117278A (ja) 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2005310431A (ja) 有機ｅｌアレイ
JP2004055476A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070703

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071003

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071009

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071105

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071109

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080916

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090225

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090311

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110202