JP2003243171A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬディスプレイパネルにおいて画素電
極上に有機ＥＬ層を蒸着形成する際に使用する成膜用メ
タルマスクは製造時中の振動等の外力が加わると容易に
たわみが生じ、成膜用メタルマスクと画素電極、および
形成した有機ＥＬ層とが接触、損傷し、これにより画素
の非点灯不良や輝度低下などの表示不良が生じ、有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルの表示品質を著しく低下させてし
まう。また、これらによって、有機ＥＬディスプレイパ
ネルの製造歩留まりが低下し、製造コストが著しく高騰
するなどの課題があった。 【解決手段】 マトリクス状に配置された個々の画素電
極を分離するように配置された絶縁性の障壁間の画素電
極上に障壁と同じ高さの絶縁性の支柱を配置する。
極上に有機ＥＬ層を蒸着形成する際に使用する成膜用メ
タルマスクは製造時中の振動等の外力が加わると容易に
たわみが生じ、成膜用メタルマスクと画素電極、および
形成した有機ＥＬ層とが接触、損傷し、これにより画素
の非点灯不良や輝度低下などの表示不良が生じ、有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルの表示品質を著しく低下させてし
まう。また、これらによって、有機ＥＬディスプレイパ
ネルの製造歩留まりが低下し、製造コストが著しく高騰
するなどの課題があった。 【解決手段】 マトリクス状に配置された個々の画素電
極を分離するように配置された絶縁性の障壁間の画素電
極上に障壁と同じ高さの絶縁性の支柱を配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用して、有機ＥＬ材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであ
る。
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用して、有機ＥＬ材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯端末、モバイルＰＣ、携帯電
話等の表示デバイスとして有機ＥＬディスプレイパネル
が有望視されている。有機ＥＬディスプレイパネルは画
素自身が自己発光方式のためバックライトが不要で、か
つカラーフィルタを用いずにフルカラー表示が可能なた
め、広視野角、高コントラスト、優れた色再現性といっ
た特長を持ち、加えて高輝度、薄型、応答特性に優れる
などの特性を備えていることから、携帯電話やＰＤＡ
（携帯情報端末）向けに各社で開発が盛んに行われてい
る。
話等の表示デバイスとして有機ＥＬディスプレイパネル
が有望視されている。有機ＥＬディスプレイパネルは画
素自身が自己発光方式のためバックライトが不要で、か
つカラーフィルタを用いずにフルカラー表示が可能なた
め、広視野角、高コントラスト、優れた色再現性といっ
た特長を持ち、加えて高輝度、薄型、応答特性に優れる
などの特性を備えていることから、携帯電話やＰＤＡ
（携帯情報端末）向けに各社で開発が盛んに行われてい
る。
【０００３】有機ＥＬディスプレイパネルは例えば特開
平９−１１５６７２号公報や特開平８−２２７２７６号
公報に記載されているように、マトリクス状に配置され
た個々の画素電極上に有機電界発光素子（以下、有機Ｅ
Ｌ素子と称する）を形成し、画素電極に加えた電圧によ
り陰極から電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、
電子とホールの再結合により発光をさせ表示を行うもの
であり、この発光は、有機電界発光材料層を挟んで陰極
と陽極とが重なり合う部分で生じるものである。
平９−１１５６７２号公報や特開平８−２２７２７６号
公報に記載されているように、マトリクス状に配置され
た個々の画素電極上に有機電界発光素子（以下、有機Ｅ
Ｌ素子と称する）を形成し、画素電極に加えた電圧によ
り陰極から電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、
電子とホールの再結合により発光をさせ表示を行うもの
であり、この発光は、有機電界発光材料層を挟んで陰極
と陽極とが重なり合う部分で生じるものである。
【０００４】図７に従来における有機ＥＬディスプレイ
パネルの構成を示す。透明基板であるガラス基板３０上
にはマトリクス状に並置配列されたインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）から成る複数の島状の透明電極３１と、この
透明電極３１に接続された非線形素子３２、たとえば互
いに接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がフォトリ
ソグラフィーや真空蒸着技術などによって形成されてい
る。非線形素子３２上には平坦化のため感光性樹脂によ
る平坦化膜３９が数ミクロン形成され、平坦化膜３９を
フォトリソグラフィーによって開口した開口部から非線
形素子３２と透明電極３１が電気的に接続されている。
平坦化膜３９上には感光性樹脂から成る突起３８が形成
されている。陽極となる透明電極３１上にはホール輸送
層３３、発光層３４及び電子輸送層３５の有機媒体が薄
膜で形成され、最上層には陰極３６である金属薄膜が形
成されている。これらの薄膜は例えば真空蒸着法で順次
成膜されたもので、陽極である透明電極３１と陰極３６
との間に直流電圧を選択的に印加することによって、透
明電極３１から注入されたホールがホール輸送層３３を
経て、また陰極３６から注入された電子が電子輸送層３
５を経て、それぞれ発光層３４に到達して電子とホール
の再結合が生じ、ここから所定波長の発光３７が生じ、
ガラス基板３０の側から発光表示ができるものである。
また、このとき、赤（３７−Ｒ）、緑（３７−Ｇ）、青
（３７−Ｂ）の各色に発光物質が異なる発光層３４をそ
れぞれ個々に透明電極３１上に並置配列形成することに
よりフルカラー表示を行うことが可能となる。
パネルの構成を示す。透明基板であるガラス基板３０上
にはマトリクス状に並置配列されたインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）から成る複数の島状の透明電極３１と、この
透明電極３１に接続された非線形素子３２、たとえば互
いに接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がフォトリ
ソグラフィーや真空蒸着技術などによって形成されてい
る。非線形素子３２上には平坦化のため感光性樹脂によ
る平坦化膜３９が数ミクロン形成され、平坦化膜３９を
フォトリソグラフィーによって開口した開口部から非線
形素子３２と透明電極３１が電気的に接続されている。
平坦化膜３９上には感光性樹脂から成る突起３８が形成
されている。陽極となる透明電極３１上にはホール輸送
層３３、発光層３４及び電子輸送層３５の有機媒体が薄
膜で形成され、最上層には陰極３６である金属薄膜が形
成されている。これらの薄膜は例えば真空蒸着法で順次
成膜されたもので、陽極である透明電極３１と陰極３６
との間に直流電圧を選択的に印加することによって、透
明電極３１から注入されたホールがホール輸送層３３を
経て、また陰極３６から注入された電子が電子輸送層３
５を経て、それぞれ発光層３４に到達して電子とホール
の再結合が生じ、ここから所定波長の発光３７が生じ、
ガラス基板３０の側から発光表示ができるものである。
また、このとき、赤（３７−Ｒ）、緑（３７−Ｇ）、青
（３７−Ｂ）の各色に発光物質が異なる発光層３４をそ
れぞれ個々に透明電極３１上に並置配列形成することに
よりフルカラー表示を行うことが可能となる。
【０００５】次に、図８、図９に有機ＥＬディスプレイ
パネルの製造方法を示す。図８（ａ）において、ガラス
基板３０上にはマトリクス状に配置した非線形素子３２
が形成される。非線形素子３２はフォトリソグラフィー
や真空蒸着法により形成する。非線形素子３２上には非
線形素子形成による凹凸を緩和するための平坦化膜３９
を形成し、平坦化膜３９上には非線形素子３２と電気的
に接続するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明
電極３１を形成する。そのために平坦化膜３９の一部に
は開口部４０が設けられている。
パネルの製造方法を示す。図８（ａ）において、ガラス
基板３０上にはマトリクス状に配置した非線形素子３２
が形成される。非線形素子３２はフォトリソグラフィー
や真空蒸着法により形成する。非線形素子３２上には非
線形素子形成による凹凸を緩和するための平坦化膜３９
を形成し、平坦化膜３９上には非線形素子３２と電気的
に接続するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明
電極３１を形成する。そのために平坦化膜３９の一部に
は開口部４０が設けられている。
【０００６】図８（ｂ）において、平坦化膜３９および
透明電極３１上に感光性樹脂による突起３８をフォトリ
ソグラフィー法により形成する。この突起３８は後のマ
スク蒸着工程で有機ＥＬ層を形成する際に成膜用マスク
が透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層と接触する
ことによる損傷を防止するために形成される。この突起
３８の厚みは０．５〜１０ミクロンである。
透明電極３１上に感光性樹脂による突起３８をフォトリ
ソグラフィー法により形成する。この突起３８は後のマ
スク蒸着工程で有機ＥＬ層を形成する際に成膜用マスク
が透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層と接触する
ことによる損傷を防止するために形成される。この突起
３８の厚みは０．５〜１０ミクロンである。
【０００７】図８（ｃ）において、個々の透明電極３１
にホール輸送層３３となる有機媒体を形成し、さらにそ
の上に発光層３４、電子輸送層３５を順次形成する（図
８（ｄ）、図９（ａ））。なお、発光層３４は赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光物質が異なる
個々の発光層３４−Ｒ、３４−Ｇ、３４−Ｂを並置配列
するよう形成する。
にホール輸送層３３となる有機媒体を形成し、さらにそ
の上に発光層３４、電子輸送層３５を順次形成する（図
８（ｄ）、図９（ａ））。なお、発光層３４は赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光物質が異なる
個々の発光層３４−Ｒ、３４−Ｇ、３４−Ｂを並置配列
するよう形成する。
【０００８】次に、図９（ｂ）において、ホール輸送層
３３、発光層３３４、電子輸送層３５を覆うようにＡｌ
からなる陰極３６を形成する。最後に、これら有機ＥＬ
層を、湿度の影響による特性劣化を防ぐため、封止する
というものであった。
３３、発光層３３４、電子輸送層３５を覆うようにＡｌ
からなる陰極３６を形成する。最後に、これら有機ＥＬ
層を、湿度の影響による特性劣化を防ぐため、封止する
というものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記したように、有機
ＥＬディスプレイパネルは自己発光のため、高コントラ
スト、広視野角、バックライトレスによる低消費電力、
薄型等の特徴を有している。このため、近年盛んに携帯
電話端末等のモバイル機器に搭載する中小型の有機ＥＬ
ディスプレイパネルの開発が各社で進めらている。一
方、これらの特徴を生かして薄型で壁掛けテレビ等のＡ
Ｖ機器のディスプレイへの適用も検討されている。この
ような場合、パネルサイズはモバイル機器用のディスプ
レイパネルと比較してより大型（大画面化）となり、画
素サイズも大きくなる。ＮＴＳＣ方式テレビモニターの
場合の画面解像度は通常、ＶＧＡクラスが適用され、ピ
クセルのサイズは１６０×５００μｍ程度となり、モバ
イル機器用の中古型ディスプレイパネルのピクセルサイ
ズ（７０×２００μｍ）と比較すると面積で約６倍大き
くなる。このため、有機ＥＬディスプレイパネルをこの
ようなアプリケーションに適用、実現するに際しては製
造上、下記の大きな課題が生じるものである。
ＥＬディスプレイパネルは自己発光のため、高コントラ
スト、広視野角、バックライトレスによる低消費電力、
薄型等の特徴を有している。このため、近年盛んに携帯
電話端末等のモバイル機器に搭載する中小型の有機ＥＬ
ディスプレイパネルの開発が各社で進めらている。一
方、これらの特徴を生かして薄型で壁掛けテレビ等のＡ
Ｖ機器のディスプレイへの適用も検討されている。この
ような場合、パネルサイズはモバイル機器用のディスプ
レイパネルと比較してより大型（大画面化）となり、画
素サイズも大きくなる。ＮＴＳＣ方式テレビモニターの
場合の画面解像度は通常、ＶＧＡクラスが適用され、ピ
クセルのサイズは１６０×５００μｍ程度となり、モバ
イル機器用の中古型ディスプレイパネルのピクセルサイ
ズ（７０×２００μｍ）と比較すると面積で約６倍大き
くなる。このため、有機ＥＬディスプレイパネルをこの
ようなアプリケーションに適用、実現するに際しては製
造上、下記の大きな課題が生じるものである。
【００１０】図１０は従来の有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程における課題を示した工程断面図である。
非線形素子３２上には非線形素子形成によって生じた凹
凸を緩和するための平坦化膜３９と平坦化膜３９の開口
部４０を介して非線形素子３２と電気的に接続するイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明電極３１が形成
されている。その平坦化膜３９および透明電極３１上に
は有機ＥＬ層を蒸着によって形成する際、成膜用マスク
４１と透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層４４と
が接触することによる損傷を防止するための感光性樹脂
による突起３８がフォトリソグラフィー法により形成さ
れている。しかしながら、一般的にはテレビモニターの
画面サイズが大画面化の傾向にあり、個々の画素サイズ
はモバイル機器用のディスプレイパネルと比較して大き
く設計される。これに伴い、有機ＥＬ層を形成する透明
電極の設計サイズも大きくなり、感光性樹脂で形成した
突起３８の間隔幅Ｌも当然ながら長くなる。突起３８の
間隔幅Ｌの長さはモバイル機器用のディスプレイパネル
では２００μｍ程度に対し、ＮＴＳＣ方式のテレビモニ
ターでは５００μｍ程度と極めて長くなる傾向にある。
また、有機ＥＬ層４４の蒸着形成時に用いる成膜用マス
ク４１には厚さが４０〜６０μｍと極めて薄い金属性の
いわゆるシャドウマスクが用いられ、有機ＥＬ層４４を
蒸着形成４２する蒸着装置や成膜用マスク４１に製造時
に振動等の外力が加わると容易にたわみが生じ、成膜用
マスク４１と透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層
４４とが接触４３、損傷し、これにより画素の非点灯不
良や輝度低下などの表示不良が生じ、有機ＥＬディスプ
レイパネルの表示品質を著しく低下させてしまう。ま
た、これによって、有機ＥＬディスプレイパネルの製造
歩留まりが低下し、製造コストが著しく高騰するという
問題点を有しているものであった。
ルの製造工程における課題を示した工程断面図である。
非線形素子３２上には非線形素子形成によって生じた凹
凸を緩和するための平坦化膜３９と平坦化膜３９の開口
部４０を介して非線形素子３２と電気的に接続するイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明電極３１が形成
されている。その平坦化膜３９および透明電極３１上に
は有機ＥＬ層を蒸着によって形成する際、成膜用マスク
４１と透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層４４と
が接触することによる損傷を防止するための感光性樹脂
による突起３８がフォトリソグラフィー法により形成さ
れている。しかしながら、一般的にはテレビモニターの
画面サイズが大画面化の傾向にあり、個々の画素サイズ
はモバイル機器用のディスプレイパネルと比較して大き
く設計される。これに伴い、有機ＥＬ層を形成する透明
電極の設計サイズも大きくなり、感光性樹脂で形成した
突起３８の間隔幅Ｌも当然ながら長くなる。突起３８の
間隔幅Ｌの長さはモバイル機器用のディスプレイパネル
では２００μｍ程度に対し、ＮＴＳＣ方式のテレビモニ
ターでは５００μｍ程度と極めて長くなる傾向にある。
また、有機ＥＬ層４４の蒸着形成時に用いる成膜用マス
ク４１には厚さが４０〜６０μｍと極めて薄い金属性の
いわゆるシャドウマスクが用いられ、有機ＥＬ層４４を
蒸着形成４２する蒸着装置や成膜用マスク４１に製造時
に振動等の外力が加わると容易にたわみが生じ、成膜用
マスク４１と透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層
４４とが接触４３、損傷し、これにより画素の非点灯不
良や輝度低下などの表示不良が生じ、有機ＥＬディスプ
レイパネルの表示品質を著しく低下させてしまう。ま
た、これによって、有機ＥＬディスプレイパネルの製造
歩留まりが低下し、製造コストが著しく高騰するという
問題点を有しているものであった。
【００１１】本発明の目的は、かかる問題点を解消する
べく簡素な構成で非点灯画素による画素欠陥ならびに輝
度低下等の画素不良を低減し、製造歩留まりが高く、信
頼性に優れた有機ＥＬディスプレイパネルを提供するこ
とにある。
べく簡素な構成で非点灯画素による画素欠陥ならびに輝
度低下等の画素不良を低減し、製造歩留まりが高く、信
頼性に優れた有機ＥＬディスプレイパネルを提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明はマトリクス状に
繰り返し形成された個々の第１の突起の間隔に透明電極
３１上に前記第１の突起と同じ高さで第２の突起を設け
ることにより、透明電極に成膜用マスク４１を用いて有
機ＥＬ層４４を蒸着形成４２する際に生じる、成膜用マ
スクたわみを防ぎ、成膜用マスクと透明電極３１、およ
び形成した有機ＥＬ層４４との接触、損傷を皆無とし、
これにより非点灯画素による画素欠陥、経時的な輝度低
下、表示領域の輝度バラツキを低減させ、製造歩留まり
が高く、信頼性に優れ、大画面で高品質な表示特性を得
ることができる有機ＥＬディスプレイパネルを実現、提
供するものである。
繰り返し形成された個々の第１の突起の間隔に透明電極
３１上に前記第１の突起と同じ高さで第２の突起を設け
ることにより、透明電極に成膜用マスク４１を用いて有
機ＥＬ層４４を蒸着形成４２する際に生じる、成膜用マ
スクたわみを防ぎ、成膜用マスクと透明電極３１、およ
び形成した有機ＥＬ層４４との接触、損傷を皆無とし、
これにより非点灯画素による画素欠陥、経時的な輝度低
下、表示領域の輝度バラツキを低減させ、製造歩留まり
が高く、信頼性に優れ、大画面で高品質な表示特性を得
ることができる有機ＥＬディスプレイパネルを実現、提
供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明における実施形態に
ついて図面を用いて説明する。
ついて図面を用いて説明する。
【００１４】（第１の実施形態）図１は本発明における
第１の実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの
断面構成を示したものである。また、図２は本発明にお
ける第１の実施形態での有機ＥＬディスプレイパネルの
平面構成を示したものである。
第１の実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの
断面構成を示したものである。また、図２は本発明にお
ける第１の実施形態での有機ＥＬディスプレイパネルの
平面構成を示したものである。
【００１５】図１において、透明基板であるガラス基板
１上にはマトリクス状に並置配列された非線形素子であ
る薄膜トランジスタ３がフォトリソグラフィーや真空蒸
着技術などによって形成されている。非線形素子には、
必要に応じてコンデンサや配線が接続されており、これ
らを含めて非線形素子回路と呼ぶ。そして、薄膜トラン
ジスタ３を含む非線形素子回路上には薄膜トランジスタ
３自身の膜厚による凹凸を緩和するため、平坦化膜４が
形成塗布されている。平坦化膜４は感光性樹脂でフォト
リソグラフィーによって形成され、形成膜厚は数ミクロ
ンである。そして、平坦化膜４にはフォトリソグラフィ
ーによって開口された開口部７をを設け、この開口部７
を介して薄膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的
に接続された透明電極２が形成されている。この透明電
極２は薄膜トランジスタ３と一対で形成され、薄膜トラ
ンジスタ３と同様にガラス基板１上にマトリクス状に並
置配列される。また、この透明電極２はインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料を用いて形成
され、後の工程で形成される有機ＥＬ層の陽極（アノー
ド電極）となる。
１上にはマトリクス状に並置配列された非線形素子であ
る薄膜トランジスタ３がフォトリソグラフィーや真空蒸
着技術などによって形成されている。非線形素子には、
必要に応じてコンデンサや配線が接続されており、これ
らを含めて非線形素子回路と呼ぶ。そして、薄膜トラン
ジスタ３を含む非線形素子回路上には薄膜トランジスタ
３自身の膜厚による凹凸を緩和するため、平坦化膜４が
形成塗布されている。平坦化膜４は感光性樹脂でフォト
リソグラフィーによって形成され、形成膜厚は数ミクロ
ンである。そして、平坦化膜４にはフォトリソグラフィ
ーによって開口された開口部７をを設け、この開口部７
を介して薄膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的
に接続された透明電極２が形成されている。この透明電
極２は薄膜トランジスタ３と一対で形成され、薄膜トラ
ンジスタ３と同様にガラス基板１上にマトリクス状に並
置配列される。また、この透明電極２はインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料を用いて形成
され、後の工程で形成される有機ＥＬ層の陽極（アノー
ド電極）となる。
【００１６】また、マトリクス状に並置配列された透明
電極２の上には個々の透明電極２との隔壁となる絶縁樹
脂による第１の突起６が設けられる。この第１の突起６
は以降のマスク蒸着工程で有機ＥＬ層を蒸着形成する際
に成膜用マスクが透明電極２および形成された有機ＥＬ
層と接触し、これらが損傷するのを防止するために形成
されるものである。なお、この第１の突起６は感光性を
有した絶縁樹脂であり、平坦化膜４と同材料を用いて形
成できるものである。
電極２の上には個々の透明電極２との隔壁となる絶縁樹
脂による第１の突起６が設けられる。この第１の突起６
は以降のマスク蒸着工程で有機ＥＬ層を蒸着形成する際
に成膜用マスクが透明電極２および形成された有機ＥＬ
層と接触し、これらが損傷するのを防止するために形成
されるものである。なお、この第１の突起６は感光性を
有した絶縁樹脂であり、平坦化膜４と同材料を用いて形
成できるものである。
【００１７】さらに、個々の透明電極２上にはこの第１
の突起６の他に第２の突起８が形成されている。この第
２の突起８は後のマスク蒸着工程で有機ＥＬ層を蒸着形
成する際、個々に形成された第１の突起６の間隔幅Ｌが
長くなった際に振動や外力で４０〜６０μｍの金属薄板
で構成された成膜用マスクがたわんで透明電極２および
形成された有機ＥＬ層と接触し、これらが損傷するのを
防止するために形成されるものである。なお、この第２
の突起８は感光性を有した絶縁樹脂であり、平坦化膜４
や第１の突起６と同材料を用いて形成できるものであ
る。
の突起６の他に第２の突起８が形成されている。この第
２の突起８は後のマスク蒸着工程で有機ＥＬ層を蒸着形
成する際、個々に形成された第１の突起６の間隔幅Ｌが
長くなった際に振動や外力で４０〜６０μｍの金属薄板
で構成された成膜用マスクがたわんで透明電極２および
形成された有機ＥＬ層と接触し、これらが損傷するのを
防止するために形成されるものである。なお、この第２
の突起８は感光性を有した絶縁樹脂であり、平坦化膜４
や第１の突起６と同材料を用いて形成できるものであ
る。
【００１８】なお、第２の突起８の配置については、た
とえば図２に示す配置例がある。図２（ａ）は第２の突
起８の形状が角柱状のもので、図２（ｂ）は第２の突起
８の形状が円柱状のものである。一方、図２（ｃ）は短
手方向の第１の突起６を帯状の第２の突起８でつなげた
構成のものである。なお、第２の突起８の形状は上記に
限られるものではなく、このような種々の形状の第２の
突起はａ−ｂ方向から見た、第１の突起の間隔幅Ｌの中
心に配置されるのが好ましい。
とえば図２に示す配置例がある。図２（ａ）は第２の突
起８の形状が角柱状のもので、図２（ｂ）は第２の突起
８の形状が円柱状のものである。一方、図２（ｃ）は短
手方向の第１の突起６を帯状の第２の突起８でつなげた
構成のものである。なお、第２の突起８の形状は上記に
限られるものではなく、このような種々の形状の第２の
突起はａ−ｂ方向から見た、第１の突起の間隔幅Ｌの中
心に配置されるのが好ましい。
【００１９】次に、有機ＥＬ層の陽極となる透明電極２
上にはホール輸送層９、発光層１０及び電子輸送層１１
の有機媒体が薄膜で順次形成されている。そして、これ
ら有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送
層１１）を覆うように陰極１２となる金属薄膜が最上層
に形成されている。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を
蒸着法等によって形成する。また、この陰極１２は発光
層１０で発光した光をガラス基板１側に反射させ、発光
効率を増大する目的もある。また、反射をより確実にす
るために、さらに別の反射膜を形成することもできる。
これらの薄膜は例えば真空蒸着法で順次成膜されるもの
で、陽極である透明電極２と陰極１２との間に直流電圧
を選択的に印加することによって、透明電極２から注入
されたホールがホール輸送層９を経て、また陰極１２か
ら注入された電子が電子輸送層１１を経て、それぞれ発
光層１０に到達して電子とホールの再結合が生じ、ここ
から所定波長の発光が生じ、ガラス基板１側から発光表
示ができるものである。
上にはホール輸送層９、発光層１０及び電子輸送層１１
の有機媒体が薄膜で順次形成されている。そして、これ
ら有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送
層１１）を覆うように陰極１２となる金属薄膜が最上層
に形成されている。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を
蒸着法等によって形成する。また、この陰極１２は発光
層１０で発光した光をガラス基板１側に反射させ、発光
効率を増大する目的もある。また、反射をより確実にす
るために、さらに別の反射膜を形成することもできる。
これらの薄膜は例えば真空蒸着法で順次成膜されるもの
で、陽極である透明電極２と陰極１２との間に直流電圧
を選択的に印加することによって、透明電極２から注入
されたホールがホール輸送層９を経て、また陰極１２か
ら注入された電子が電子輸送層１１を経て、それぞれ発
光層１０に到達して電子とホールの再結合が生じ、ここ
から所定波長の発光が生じ、ガラス基板１側から発光表
示ができるものである。
【００２０】また、発光した光を上方、すなわち陰極１
２側へ取り出す構成も可能で、この場合は陰極１２を透
明電極とする。そして、陽極側へ出る光を反射させるた
めに、陽極の外側（発光層と反対側）に反射膜を設け
る。
２側へ取り出す構成も可能で、この場合は陰極１２を透
明電極とする。そして、陽極側へ出る光を反射させるた
めに、陽極の外側（発光層と反対側）に反射膜を設け
る。
【００２１】なお、上記実施の形態１での非線形素子は
透明電極２上に形成された有機ＥＬ層（ホール輸送層
９、発光層１０、電子輸送層１１）に加わる電流を制御
し、発光層１０を発光させるもので、これに用いられる
非線形素子としてはｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ、ＣｄＳｅ、Ｔ
ｅ等の薄膜トランジスタを用いることができ、またＭＯ
Ｓ−ＦＥＴを用いた回路も用いることが可能である。さ
らに、３端子タイプではなく、２端子タイプのＭＩＭな
どを用いた回路構成にすることも可能である。
透明電極２上に形成された有機ＥＬ層（ホール輸送層
９、発光層１０、電子輸送層１１）に加わる電流を制御
し、発光層１０を発光させるもので、これに用いられる
非線形素子としてはｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ、ＣｄＳｅ、Ｔ
ｅ等の薄膜トランジスタを用いることができ、またＭＯ
Ｓ−ＦＥＴを用いた回路も用いることが可能である。さ
らに、３端子タイプではなく、２端子タイプのＭＩＭな
どを用いた回路構成にすることも可能である。
【００２２】次に、本発明における第１の実施形態にお
ける有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を図面を用
いて説明する。
ける有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を図面を用
いて説明する。
【００２３】図３（ａ）において、ガラス基板１上に非
線形素子である薄膜トランジスタ３とゲートライン、ゲ
ート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース、ドレ
インライン、信号線等（図示せず）をマトリクス状に配
置形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４を形成
し、平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介して薄
膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接続した
ＩＴＯから成る透明電極２を５００〜１５００オングス
トロームの膜厚で形成する。この透明電極２は後の有機
ＥＬ層の陽極（アノード）となるもので、インジウム錫
酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用いられ
る。
線形素子である薄膜トランジスタ３とゲートライン、ゲ
ート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース、ドレ
インライン、信号線等（図示せず）をマトリクス状に配
置形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４を形成
し、平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介して薄
膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接続した
ＩＴＯから成る透明電極２を５００〜１５００オングス
トロームの膜厚で形成する。この透明電極２は後の有機
ＥＬ層の陽極（アノード）となるもので、インジウム錫
酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用いられ
る。
【００２４】図３（ｂ）において、レジストあるいは感
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に各画素に対応す
る透明電極２同士を分離する隔壁となる絶縁性の第１の
突起６をフォトリソグラフィーによって形成する。この
第１の突起６の高さは透明電極２の表面や、後の有機Ｅ
Ｌ層を成膜する際の成膜用マスク（図示せず）が第１の
突起６に突き合わされた際に成膜用マスクで既に成膜さ
れた有機ＥＬ媒体を傷つけない程度の高さ（０．５μｍ
以上）を有していれば良い。一方、この第１の突起６が
高すぎても壊れやすくなるので１０μｍ以下程度、でき
れば１〜２μｍ程度が望ましい。更に、その後の工程で
成膜する陰極が第１の突起６のテーパー角度によって断
線しないように、第１の突起６の断面が略台形の形状に
なることが望ましい。このときのテーパー角度は６０度
以下が望ましい。なお、このようにマトリクス状に並置
された第１の突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また、第１の突起６の平面形状は、長方形底面
の壁となるように形成しているが、正方形、円形等その
形状は如何なるものでも良い。なお、この第１の突起６
は平坦化膜４と同材料で形成することもできる。
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に各画素に対応す
る透明電極２同士を分離する隔壁となる絶縁性の第１の
突起６をフォトリソグラフィーによって形成する。この
第１の突起６の高さは透明電極２の表面や、後の有機Ｅ
Ｌ層を成膜する際の成膜用マスク（図示せず）が第１の
突起６に突き合わされた際に成膜用マスクで既に成膜さ
れた有機ＥＬ媒体を傷つけない程度の高さ（０．５μｍ
以上）を有していれば良い。一方、この第１の突起６が
高すぎても壊れやすくなるので１０μｍ以下程度、でき
れば１〜２μｍ程度が望ましい。更に、その後の工程で
成膜する陰極が第１の突起６のテーパー角度によって断
線しないように、第１の突起６の断面が略台形の形状に
なることが望ましい。このときのテーパー角度は６０度
以下が望ましい。なお、このようにマトリクス状に並置
された第１の突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また、第１の突起６の平面形状は、長方形底面
の壁となるように形成しているが、正方形、円形等その
形状は如何なるものでも良い。なお、この第１の突起６
は平坦化膜４と同材料で形成することもできる。
【００２５】次に図３（ｃ）において、個々に第１の突
起６が形成されて薄膜トランジスタ３のドレイン電極５
と電気的に接続している透明電極２上に前記第１の突起
６と同じ高さで、かつ絶縁性を有する材料で第２の突起
８を形成する。この第２の突起８は前記平坦化膜４や第
１の突起６と同材料で形成できる。また、フォトリソグ
ラフィーのマスクを共通化することにより第１の突起６
と同時に形成できるものである。さらにはＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。この第
２の突起８を形成することにより、後の工程である透明
電極に成膜用マスク４１を用いて有機ＥＬ層４４を蒸着
形成４２する際に生じる、成膜用マスクたわみを防ぎ、
成膜用マスクと透明電極３１、および形成した有機ＥＬ
層４４との接触、損傷を無くすことができる。
起６が形成されて薄膜トランジスタ３のドレイン電極５
と電気的に接続している透明電極２上に前記第１の突起
６と同じ高さで、かつ絶縁性を有する材料で第２の突起
８を形成する。この第２の突起８は前記平坦化膜４や第
１の突起６と同材料で形成できる。また、フォトリソグ
ラフィーのマスクを共通化することにより第１の突起６
と同時に形成できるものである。さらにはＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。この第
２の突起８を形成することにより、後の工程である透明
電極に成膜用マスク４１を用いて有機ＥＬ層４４を蒸着
形成４２する際に生じる、成膜用マスクたわみを防ぎ、
成膜用マスクと透明電極３１、および形成した有機ＥＬ
層４４との接触、損傷を無くすことができる。
【００２６】次に、図３（ｄ）において有機ＥＬ層の陽
極となる透明電極２上にはホール輸送層９を、図４
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
図４（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層１１
を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して薄膜
で順次形成する。
極となる透明電極２上にはホール輸送層９を、図４
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
図４（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層１１
を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して薄膜
で順次形成する。
【００２７】そして、図４（ｃ）において、これら有機
ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１
１）を覆うように陰極（カソード）１２となる金属薄膜
を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法
等によって形成するものである。その後、透明電極２上
に形成した有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、
電子輸送層１１）の湿度による特性劣化および物質的劣
化による発光特性低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止
するため、ガラス板等を樹脂接着して封止が行われ（図
示せず）、有機ＥＬディスプレイパネルが実現できるも
のである。
ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１
１）を覆うように陰極（カソード）１２となる金属薄膜
を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法
等によって形成するものである。その後、透明電極２上
に形成した有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、
電子輸送層１１）の湿度による特性劣化および物質的劣
化による発光特性低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止
するため、ガラス板等を樹脂接着して封止が行われ（図
示せず）、有機ＥＬディスプレイパネルが実現できるも
のである。
【００２８】なお、平坦化膜の開口部の穴埋めには前記
したように感光性を有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。また、
ペースト状のスクリーン印刷法によっても形成が可能で
ある。
したように感光性を有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。また、
ペースト状のスクリーン印刷法によっても形成が可能で
ある。
【００２９】また、赤、緑、青など発光色の異なる発光
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。
【００３０】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法について図面を用いて説明する。
実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法について図面を用いて説明する。
【００３１】図５、図６は本発明における第２の実施形
態における有機ＥＬディスプレイパネルの工程断面構成
を示したものである。図５（ａ）において、ガラス基板
１上に非線形素子である薄膜トランジスタ３とゲートラ
イン、ゲート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソー
ス、ドレインライン、信号線等（図示せず）をマトリク
ス状に配置形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４
を形成し、平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介
して薄膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接
続したＩＴＯから成る透明電極２を５００〜１５００オ
ングストロームの膜厚で形成する。この透明電極２は後
の有機ＥＬ層の陽極（アノード）となるもので、インジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用
いられる。
態における有機ＥＬディスプレイパネルの工程断面構成
を示したものである。図５（ａ）において、ガラス基板
１上に非線形素子である薄膜トランジスタ３とゲートラ
イン、ゲート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソー
ス、ドレインライン、信号線等（図示せず）をマトリク
ス状に配置形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４
を形成し、平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介
して薄膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接
続したＩＴＯから成る透明電極２を５００〜１５００オ
ングストロームの膜厚で形成する。この透明電極２は後
の有機ＥＬ層の陽極（アノード）となるもので、インジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用
いられる。
【００３２】図５（ｂ）において、レジストあるいは感
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に各画素に対応す
る透明電極２同士を分離する隔壁となる絶縁性の第１の
突起６をフォトリソグラフィーによって形成する。この
第１の突起６の高さは透明電極２の表面や、後の有機Ｅ
Ｌ層を成膜する際の成膜用マスク（図示せず）が第１の
突起６に突き合わされた際に成膜用マスクで既に成膜さ
れた有機ＥＬ媒体を傷つけない程度の高さ（０．５μｍ
以上）を有していれば良い。一方、この第１の突起６が
高すぎても壊れやすくなるので１０μｍ以下程度、でき
れば１〜２μｍ程度が望ましい。更に、その後の工程で
成膜する陰極が第１の突起６のテーパー角度によって断
線しないように、第１の突起６の断面が略台形の形状に
なることが望ましい。このときのテーパー角度は６０度
以下が望ましい。なお、このようにマトリクス状に並置
された第１の突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また、第１の突起６の平面形状は、長方形底面
の壁となるように形成しているが、正方形、円形等その
形状は如何なるものでも良い。なお、この第１の突起６
は平坦化膜４と同材料で形成することもできる。
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に各画素に対応す
る透明電極２同士を分離する隔壁となる絶縁性の第１の
突起６をフォトリソグラフィーによって形成する。この
第１の突起６の高さは透明電極２の表面や、後の有機Ｅ
Ｌ層を成膜する際の成膜用マスク（図示せず）が第１の
突起６に突き合わされた際に成膜用マスクで既に成膜さ
れた有機ＥＬ媒体を傷つけない程度の高さ（０．５μｍ
以上）を有していれば良い。一方、この第１の突起６が
高すぎても壊れやすくなるので１０μｍ以下程度、でき
れば１〜２μｍ程度が望ましい。更に、その後の工程で
成膜する陰極が第１の突起６のテーパー角度によって断
線しないように、第１の突起６の断面が略台形の形状に
なることが望ましい。このときのテーパー角度は６０度
以下が望ましい。なお、このようにマトリクス状に並置
された第１の突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また、第１の突起６の平面形状は、長方形底面
の壁となるように形成しているが、正方形、円形等その
形状は如何なるものでも良い。なお、この第１の突起６
は平坦化膜４と同材料で形成することもできる。
【００３３】次に、図５（ｃ）において、個々に形成さ
れている第１の突起６の透明電極２と薄膜トランジスタ
３のドレイン電極５とを電気的に接続している平坦化膜
４の開口部７を覆うようにして前記第１の突起６と同じ
高さで、かつ絶縁性を有する材料で開口部７上に第２の
突起８を形成する。第２の突起８は前記平坦化膜４や第
１の突起６と同材料で形成できる。また、フォトリソグ
ラフィーのマスクを共通化することにより第１の突起６
と同時に形成できるものである。さらには、ＳｉＯ2や
ＳｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。この
第２の突起８を形成することにより後の工程である透明
電極に成膜用マスク４１を用いて有機ＥＬ層４４を蒸着
形成４２する際に生じる、成膜用マスクたわみを防ぎ、
成膜用マスクと透明電極３１、および形成した有機ＥＬ
層４４との接触、損傷を無くすことができる。
れている第１の突起６の透明電極２と薄膜トランジスタ
３のドレイン電極５とを電気的に接続している平坦化膜
４の開口部７を覆うようにして前記第１の突起６と同じ
高さで、かつ絶縁性を有する材料で開口部７上に第２の
突起８を形成する。第２の突起８は前記平坦化膜４や第
１の突起６と同材料で形成できる。また、フォトリソグ
ラフィーのマスクを共通化することにより第１の突起６
と同時に形成できるものである。さらには、ＳｉＯ2や
ＳｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。この
第２の突起８を形成することにより後の工程である透明
電極に成膜用マスク４１を用いて有機ＥＬ層４４を蒸着
形成４２する際に生じる、成膜用マスクたわみを防ぎ、
成膜用マスクと透明電極３１、および形成した有機ＥＬ
層４４との接触、損傷を無くすことができる。
【００３４】また、このように平坦化膜４の開口部７を
覆うようにして第２の突起８を形成することで有機ＥＬ
層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１１）が
平坦化膜開口部７のエッジ部分での段切れが生じないた
め、画素単位でのＥＬ発光が伴わない非点灯不良を防止
できる効果も同時に有するものである。また、平坦化膜
開口部７のエッジ部分における有機ＥＬ層（ホール輸送
層９、発光層１０、電子輸送層１１）の成膜膜厚が極端
に薄くなることで生じるリークパスが発生しないため、
時間経過に伴う非点灯領域の拡大や消費電力の増加を防
止するなどのすぐれた効果も併せ持つものである。
覆うようにして第２の突起８を形成することで有機ＥＬ
層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１１）が
平坦化膜開口部７のエッジ部分での段切れが生じないた
め、画素単位でのＥＬ発光が伴わない非点灯不良を防止
できる効果も同時に有するものである。また、平坦化膜
開口部７のエッジ部分における有機ＥＬ層（ホール輸送
層９、発光層１０、電子輸送層１１）の成膜膜厚が極端
に薄くなることで生じるリークパスが発生しないため、
時間経過に伴う非点灯領域の拡大や消費電力の増加を防
止するなどのすぐれた効果も併せ持つものである。
【００３５】次に、図５（ｄ）において有機ＥＬ層の陽
極となる透明電極２上にはホール輸送層９を、図６
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
図６（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層１１
を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して薄膜
で順次形成する。
極となる透明電極２上にはホール輸送層９を、図６
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
図６（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層１１
を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して薄膜
で順次形成する。
【００３６】そして、図６（ｃ）において、これら有機
ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１
１）を覆うように陰極（カソード）１２となる金属薄膜
を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法
等によって形成するものである。その後、透明電極２上
に形成した有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、
電子輸送層１１）の湿度による特性劣化および物質的劣
化による発光特性低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止
するため、ガラス板等を樹脂接着して封止が行われ（図
示せず）、有機ＥＬディスプレイパネルが実現できるも
のである。
ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１
１）を覆うように陰極（カソード）１２となる金属薄膜
を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法
等によって形成するものである。その後、透明電極２上
に形成した有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、
電子輸送層１１）の湿度による特性劣化および物質的劣
化による発光特性低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止
するため、ガラス板等を樹脂接着して封止が行われ（図
示せず）、有機ＥＬディスプレイパネルが実現できるも
のである。
【００３７】なお、平坦化膜の開口部の穴埋めには前記
したように感光性を有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。また、
ペースト状のスクリーン印刷法によっても形成が可能で
ある。
したように感光性を有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。また、
ペースト状のスクリーン印刷法によっても形成が可能で
ある。
【００３８】また、赤、緑、青など発光色の異なる発光
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。
【００３９】
【発明の効果】マトリクス状に繰り返し形成された個々
の第１の突起の間隔に前記第１の突起と同じ高さで第２
の突起を透明電極上に設けることにより、透明電極に成
膜用マスクを用いて有機ＥＬ層を蒸着形成する際に生じ
る、成膜用マスクたわみを防ぎ、成膜用マスクと透明電
極および蒸着形成した有機ＥＬ層との接触、損傷が皆無
となり、これによって非点灯画素による画素欠陥、経時
的な輝度低下、非点灯領域の拡大による消費電力の増
加、表示領域の輝度バラツキを低減させることが可能と
なる。また、大画面の有機ＥＬディスプレイパネルの製
造歩留まりを著しく向上でき、表示信頼性に優れた大画
面で高品質な表示特性を得ることができる有機ＥＬディ
スプレイパネルを実現、提供することが可能となる。
の第１の突起の間隔に前記第１の突起と同じ高さで第２
の突起を透明電極上に設けることにより、透明電極に成
膜用マスクを用いて有機ＥＬ層を蒸着形成する際に生じ
る、成膜用マスクたわみを防ぎ、成膜用マスクと透明電
極および蒸着形成した有機ＥＬ層との接触、損傷が皆無
となり、これによって非点灯画素による画素欠陥、経時
的な輝度低下、非点灯領域の拡大による消費電力の増
加、表示領域の輝度バラツキを低減させることが可能と
なる。また、大画面の有機ＥＬディスプレイパネルの製
造歩留まりを著しく向上でき、表示信頼性に優れた大画
面で高品質な表示特性を得ることができる有機ＥＬディ
スプレイパネルを実現、提供することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの構造断面図
プレイパネルの構造断面図
【図２】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルにおける第１および第２の突起の形状、配
置例を示した平面図
プレイパネルにおける第１および第２の突起の形状、配
置例を示した平面図
【図３】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
【図４】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
【図５】本発明の第２の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
【図６】本発明の第２の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図
【図７】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイパ
ネルの断面構造図
ネルの断面構造図
【図８】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイパ
ネルの製造工程を示す工程断面図
ネルの製造工程を示す工程断面図
【図９】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイパ
ネルの製造工程を示す工程断面図
ネルの製造工程を示す工程断面図
【図１０】本発明の従来例の問題点を示した有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの断面構造図
ィスプレイパネルの断面構造図
１ ガラス基板
２ 透明電極
３ 薄膜トランジスタ
４ 平坦化膜
５ ドレイン電極
６ 第１の突起
７ 開口部
８ 第２の突起
９ ホール輸送層
１０ 発光層
１１ 電子輸送層
１２ 陰極
３０ ガラス基板
３１ 透明電極
３２ 非線形素子
３３ ホール輸送層
３４ 発光層
３５ 電子輸送層
３６ 陰極
３７ 発光
３８ 突起
３９ 平坦化膜
４０ 開口部
４１ 成膜用マスク
４２ 有機ＥＬ層の蒸着形成
４３ 接触
４４ 有機ＥＬ層
Claims (31)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の非線形
素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している有
機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであっ
て、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発光
部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上に
形成された透明基板において、前記非線形素子回路上に
形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記第
１の表示電極上に突出する電気絶縁性を有した第１の突
起と、前記第１の突起より露出する前記第１の表示電極
上に第２の突起が形成され、前記第１の表示電極の各々
上に形成された少なくとも１層の有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体の薄膜の上に共通に形成された第２の表示電極
とからなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記非線形素子回路は互いに接続された
薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴と
する請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネル。 - 【請求項３】 前記基板及び前記第１表示電極が透明で
あることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記第２表示電極上に形成された反射膜
を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項５】 前記第２表示電極が透明であることを特
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記第１表示電極の外側に形成された反
射膜を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項７】 前記第１および第２の突起が感光性樹脂
であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項８】 前記第１および第２の突起の高さが同じ
であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項９】 前記第２の突起が角柱状であることを特
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項１０】 前記第２の突起が円柱状であることを
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項１１】 前記第２の突起が絶縁体であることを
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項１２】 前記第２の突起が導電体であることを
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項１３】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであ
って、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発
光部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上
に形成された透明基板において、前記非線形素子回路上
に形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記
第１の表示電極上に突出する電気絶縁性を有した第１の
突起と、前記非線形素子回路と前記第１の表示電極との
コンタクト領域を覆うようにして第２の突起が形成さ
れ、前記第１の表示電極の各々上に形成された少なくと
も１層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜と、
前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜の上に共
通に形成された第２の表示電極とからなることを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。 - 【請求項１４】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項１５】 前記基板及び前記第１表示電極が透明
であることを特徴とする請求項１３記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項１６】 前記第２表示電極上に形成された反射
膜を有することを特徴とする請求項１３記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項１７】 前記第２表示電極が透明であることを
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項１８】 前記第１表示電極の外側に形成された
反射膜を有することを特徴とする請求項１３記載の有機
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項１９】 前記第１および第２の突起が感光性樹
脂であることを特徴とする請求項１３記載の有機エレク
トロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２０】 前記第１および第２の突起の高さが同
じであることを特徴とする請求項１３記載の有機エレク
トロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２１】 前記第２の突起が角柱状であることを
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項２２】 前記第２の突起が円柱状であることを
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項２３】 前記第２の突起が絶縁体であることを
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項２４】 前記第２の突起が導電体であることを
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項２５】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記第１表示電極上に電気絶縁性を有した
第１の突起を形成する工程と、前記第１表示電極上に電
気絶縁性を有した第２の突起を形成する工程と、前記第
１表示電極部を露出せしめる複数の開口を有するマスク
を、前記突起の上面に載置し、有機エレクトロルミネッ
センス媒体を前記開口を介して前記突起内の前記第１表
示電極の各々上に堆積させ、少なくとも１層の有機エレ
クトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光層形成
工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜
の上に第２表示電極を共通に形成する工程とを含むこと
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項２６】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項２５記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２７】 １つの前記開口が１つの前記第１表示
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
２５記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項２８】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記第１の表示電極上に電気絶縁性を有し
た第１の突起を形成する工程と、前記第１表示電極上に
導電性を有した第２の突起を形成する工程と、前記第１
表示電極部を露出せしめる複数の開口を有するマスク
を、前記突起の上面に載置し、有機エレクトロルミネッ
センス媒体を前記開口を介して前記突起内の前記第１表
示電極の各々上に堆積させ、少なくとも１層の有機エレ
クトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光層形成
工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜
の上に第２表示電極を共通に形成する工程とを含むこと
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項２９】 前記突起と前記絶縁体を同時に形成す
ることを特徴とする請求項２８記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３０】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項２８記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３１】 １つの前記開口が１つの前記第１表示
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
２８記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002039498A JP2003243171A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002039498A JP2003243171A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243171A true JP2003243171A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27780502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002039498A Withdrawn JP2003243171A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243171A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002039498A patent/JP2003243171A/ja not_active Withdrawn
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| US11552145B2 (en) | 2004-09-29 | 2023-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US11778870B2 (en) | 2004-09-29 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
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| US10937847B2 (en) | 2004-09-29 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US10403697B2 (en) | 2004-09-29 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
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