JP2007242925A - 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の一形態では、炭化珪素半導体基板1上にドリフト層2が形成されている。また、ドリフト層2の表面内に高濃度ウエル領域3bが形成されている。また、ドリフト層2の表面内に形成されており、断面視において高濃度ウエル領域3bに隣接しており、高濃度ウエル領域3bよりも不純物濃度が低く、チャネルが形成される、低濃度ウエル領域3aが形成されている。また、高濃度ウエル領域3bの上面内にソース領域5が形成されている。また素子外周部に、JTEまたはガードリング(高耐圧保持可能領域4)が形成されている。さらに、低濃度ウエル領域3aと高耐圧保持可能領域4とは、同じ不純物分布を有する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本実施の形態に係わる製造方法の結果形成される、炭化珪素電界効果型トランジスタ(以下、炭化珪素半導体装置と称する)の構成を示す断面図である。
本実施の形態は、実施の形態1で説明した各構成(断面視において、低濃度ウエル領域3aとソース領域5とが接している構成は除く)に係わる炭化珪素半導体装置の製造方法に適用できる。
本実施の形態は、実施の形態1で説明した各構成に係わる炭化珪素半導体装置の製造方法に適用できる。
本実施の形態は、実施の形態1で説明した各構成に係わる炭化珪素半導体装置の製造方法に適用できる。
Claims (9)
- 第一の導電型である炭化珪素半導体基板と、
前記炭化珪素半導体基板上に形成される、第一の導電型であるドリフト層と、
前記ドリフト層の表面のチャネル領域に形成される、第二の導電型である第1のウエル領域と、
前記ドリフト層の表面のチャネル領域に形成される、第二の導電型である第2のウエル領域と
を備え、
前記第1のウエル領域は、前記第2のウエル領域に隣接し、かつ、前記第1のウエル領域の不純物濃度は、前記第2のウエル領域の不純物濃度よりも低いこと
を特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記第2のウエル領域の表面の所定箇所に形成される、第一の導電型であるソース領域を備えること
を特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記炭化珪素半導体装置自体を囲むように、前記炭化珪素半導体装置の周縁部の前記ドリフト層の表面に形成される、第2の導電型である高耐圧保持可能領域を備え、
前記高耐圧保持可能領域は、前記第1のウエル領域と略同一の不純物濃度であること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。 - (A)第一の導電型を有する炭化珪素半導体基板上に、第一の導電型となるドリフト層を形成する工程と、
(B)前記ドリフト層の表面に、第二の導電型となる所定の不純物濃度の第1のウエル領域を形成する工程と、
(C)前記ドリフト層の表面の前記第1のウエル領域に隣接するように、第二の導電型となり、かつ、前記第1のウエル領域よりも不純物濃度の高い第2のウエル領域を形成する工程と
を備える炭化珪素半導体装置の製造方法。 - (D)前記第2のウエル領域の表面の所定箇所に、第一の導電型となるソース領域を形成する工程と
を更に備える請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素半導体装置自体を囲むように、前記炭化珪素半導体装置の周辺部に第2の導電型となる高耐圧保持可能領域を、前記工程(C)により形成する
請求項4又は請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(B)の後に、
(E)所定の形状を有する第一の膜を、前記ドリフト層上に形成する工程と
を備え、
前記工程(C)は、前記第一の膜をマスクとして用いて、前記第2のウエル領域を形成する
請求項4から6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(A)の後に、
(F)所定の形状を有する第二の膜を、前記ドリフト層上に形成する工程と、
前記工程(B)の後に、
(G)前記第二の膜を熱酸化処理する工程と
を備え、
前記工程(B)は、前記第二の膜をマスクとして用いて、前記第1のウエル領域を形成し、
前記工程(C)は、前記熱酸化処理された第二の膜をマスクとして用いて、前記第2のウエル領域を形成する
請求項4から6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(A)の後に、
(F)所定の形状を有する第二の膜を、前記ドリフト層上に形成する工程と、
前記工程(B)の後に、
(H)前記第二の膜上、及び前記ドリフト層上に第三の膜を形成する工程と、
(I)前記第三の膜を異方性エッチング処理する工程と
を備え、
前記工程(B)は、前記第二の膜をマスクとして用いて、前記第1のウエル領域を形成し、
前記工程(C)は、前記異方性エッチング処理された第三の膜をマスクとして用いて、前記第2のウエル領域を形成する
請求項4から6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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