JP2005129797A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】補正パラメータを適切に管理して常に高精度な装置状態を維持する。
【解決手段】露光装置の駆動を補正するための補正量を取得し、取得された補正量の有効期限を設定する（Ｓ１１、Ｓ１２）。露光装置による所定の露光処理単位の実行（Ｓ１３）に先だって、当該露光処理の終了時が前記有効期限を過ぎるか否かを判定し（Ｓ１５、Ｓ１６）、終了時間が前記有効期限を過ぎる場合は新たな補正量とその有効期限を取得させる（Ｓ１６、Ｓ１１、Ｓ１２）。
【選択図】 図９

Description

本発明は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子、液晶基板、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスを製造するための露光技術に関するものである。

従来、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極微細パターンから形成される半導体素子の製造工程において、マスクに描かれた回路パターンを感光剤が塗布された基板上に縮小露光して焼き付け成形する縮小投影露光装置（以下、単に露光装置という）が使用されている。半導体素子の実装密度の向上に伴い、パターンのより一層の微細化が要求されており、露光装置についても微細化への対応がなされてきた。

極微細パターンを露光装置で形成するには、例えば、縮小投影レンズの結像面（焦点面）に基板（ウエハ）面を合致させるフォーカス精度、複数工程に渡る各パターンを正確に重ね合わせるアライメント精度等の加工精度を、常に高い状態で維持することが必要となっている。このため露光装置は、基板（ウエハ）露光処理に先立って調整可能な補正パラメータを予め計測、設定し、組織化された構成部品（ユニット）を当該パラメータに基づき制御しながら運転している。

しかしながら、補正パラメータを事前に計測して調整した場合であっても、例えば、露光装置を稼動する間の振動、気圧・温度等の環境変化、露光熱による熱要因等により、時間が経過するにつれて補正パラメータの適正値（真値）は変動する。即ち、補正パラメータは適正値から離れたものとなってしまう。従って、各構成部品の補正パラメータの適正値が変動した量だけ、適宜、補正する必要がある。

ここで従来の運転制御の補正方法を説明する。露光装置により基板（ウエハ）を露光するに先立ち、オペレータは半導体素子の回路パターンに応じて作成する露光装置のレシピ（動作パラメータ）を設定する。露光装置は設定されたレシピ（動作パラメータ）に従って構成部品（ユニット）を制御しながら基板（ウエハ）を順次露光処理する。図５に露光装置で基板（ウエハ）を露光するタイムチャートの一例を示す。横軸は時間を、四角は大まかな処理単位をあらわしている。図５は、基板（ウエハ）を繰り返し露光する間に、縮小投影レンズに照射される露光熱等により投影レンズ結像面位置が設計値から変動する量（補正パラメータ）を所定ウエハ枚数（図５では３枚）毎に計測・補正する例を示している。

基板（ウエハ）３枚を露光するたびに投影レンズ結像面位置（補正パラメータ）の変動を計測・補正するようにレシピ指定し露光装置の生産を開始すると、１枚目の基板（ウエハ）露光前に投影レンズ結像面変動を計測し、変動を調整できる構成部品（ユニット）を補正値に応じて適正に制御する。次に、基板（ウエハ）の露光処理を３枚繰り返した後、再度、投影レンズ結像面位置変動を計測・補正する。以後同様に、基板（ウエハ）３枚の露光処理毎に計測・補正を繰り返しながら装置加工精度の状態を維持している（例えば、特許文献１の段落００６３を参照）。
特許第０３２１８６３１号公報

露光装置における近年の微細化デバイスへの対応は、更に装置状態を高精度に維持することを必要としている。現状でも数百種におよぶ補正パラメータがあるが、この補正パラメータを更に増やして装置精度を維持する傾向にある。また、個々の補正値の許容変動量も一層厳しくなる傾向にある。

このような状況の中、上記従来技術のように、補正パラメータの修正タイミングをウエハ枚数単位で設定した場合、補正パラメータと適正値の差がウエハ処理中に閾値を越えてしまう可能性がある。処理中にこのような事態が生じると、当該ウエハの露光品質を保証できなくなってしまい、歩留まりの低下を招く。

また、補正パラメータ種類の増加により補正パラメータの計測／補正に要する時間は長くなり、許容変動量が厳しくなるとそのような計測／補正を短時間に繰り返す必要が生じ、露光装置の生産性低下を招く。従って、補正パラメータの精度を維持しつつ、露光装置の生産性低下を防止することが重要な課題となっている。また、前述した従来例のように、オペレータが補正パラメータ個々の補正周期（補正時期）を予め決めるには、非常に多くの手間と時間を要するという不都合が生じる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、必要な露光精度を維持しつつ、露光処理の不要な生産性低下を抑制することを目的とする。

上記の目的を達成するための本発明に係る露光装置は、
基板にパターンを露光する露光装置であって、
前記露光装置における処理に必要なパラメータを補正する補正手段と、
前記補正手段により補正されたパラメータの有効期限を設定する設定手段と、
前記有効期限に基づいて、前記補正手段による補正を実行させる制御手段と
を備えることを特徴とする。

また、本発明に係るデバイス製造方法は、上記露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とする。

以上のような本発明によれば、必要な露光精度を維持しつつ、露光処理の不要な生産性低下を抑制することができる。

以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態に係わるステップ・アンド・スキャン型露光装置の概略構成を示す図である。図１において、１０１は例えばＫｒＦ等のガスが封入され、レーザ光を発光させるパルスレーザ光源である。このパルスレーザ光源１０１は、遠紫外領域の波長２４８ｎｍの光を発光する。また、パルスレーザ光源１０１には、共振器を構成するフロントミラー、露光波長を狭帯化するための回折格子、プリズム等からなる狭帯化モジュール、波長の安定性、スペクトル幅をモニタするための分光器やディテクタ等からなるモニタモジュール、及びシャッター等（いずれも不図示）が設けられている。パルスレーザ光源１０１のガス交換動作、あるいは波長安定化のための制御、放電印加電圧の制御等は、レーザ制御装置１０２により制御される。第１実施形態では、レーザ制御装置１０２のみによる単独制御は行わず、インタフェースケーブルで接続した露光装置全体を制御する主制御装置１０３からの命令で制御できるようにしてある。

パルスレーザ光源１０１より射出したビームは、照明光学系１０４のビーム整形光学系（不図示）を介して所定のビーム形状に整形された後、オプティカルインテグレータ（不図示）に入射される。オプティカルインテグレータは後述するマスク１０９を均一な照度分布で照明するために多数の２次光源を形成する。照明光学系１０４の開口絞り１０５の開口部の形状はほぼ円形であり、照明系制御装置１０８によってその開口部の直径、ひいては照明光学系の開口数（ＮＡ）を所望の値に設定できるようになっている。この場合、後述する縮小投影レンズ１１０の開口数に対する照明光学系開口数の比の値がコヒーレンスファクタ（σ値）であるため、照明系制御装置１０８は照明系の開口絞り１０５を制御することで、σ値を設定できることになる。照明光学系１０４の光路上にはハーフミラー１０６が配置され、マスク１０９を照明する露光光の一部がこのハーフミラーにより反射され取り出される。ハーフミラー１０６の反射光の光路上には紫外光用のフォトセンサ１０７が配置され、露光光の強度（露光エネルギー）に対応した出力を発生する。フォトセンサ１０７の出力は、パルスレーザ光源１０１のパルス発光毎に積分を行う積分回路（不図示）によって１パルスあたりの露光エネルギーに変換され、照明系制御装置１０８を介して露光装置本体を制御する主制御装置１０３に入力されている。

レチクル（またはマスク）１０９には焼き付けを行う半導体素子の回路パターンが形成されており、照明光学系１０４より露光光が照射される。可変ブラインド（不図示）は、光軸に直交方向の面に遮光板を配置し、マスク１０９の回路パターン面の照射領域を任意に設定可能にしている。図２にマスク１０９を照明している状態を示す。マスク１０９の回路パターン２０２の一部はスリット状光束２０３によってスリット照明されており、図１に示す投影レンズ１１０によってフォトレジストが塗布されたウエハ１１５上に回路パターン２０２の一部を縮小倍率β（βは例えば１／４）で縮小露光する。このとき、図１に示す矢印（Scan）のように、マスク１０９及びウエハ１５を投影レンズ１１０とスリット状光束２０３に対し、投影レンズ１１０の縮小比率βと同じ速度比率で互いに逆方向にスキャンさせながら、パルスレーザ光源１０１からのパルス発光による多パルス露光を繰り返す。こうして、マスク１０９の回路パターン２０２の全面をウエハ１１５上の１チップ領域または複数チップ領域に転写する。

投影レンズ１１０の瞳面（レチクルに対するフーリエ変換面）上には、開口部がほぼ円形である投影レンズの開口絞り１１１が配置され、モータ等の駆動ユニット１１２によって開口部の直径を制御することで、所望の絞り値に設定できる。また、フィールドレンズ駆動装置１１３は、投影レンズ１１０中のレンズ系の一部を構成しているフィールドを、空気圧や圧電素子などを利用して投影レンズの光軸方向に移動させるものであり、投影レンズの諸収差の悪化を防止しつつ、投影倍率や歪曲誤差を良好に保つ。

ウエハステージ１１６は３次元方向に移動可能であり、投影レンズ１１０の光軸方向（Ｚ方向）及び、この方向に直交する面内（Ｘ-Ｙ面）を移動できる。ウエハステージ１１６に固定された移動鏡１１７との間の距離をレーザ干渉計１１８で計測することでウエハステージ１１６のＸ-Ｙ面位置が検出される。露光装置の主制御装置１０３の制御下にあるウエハステージ制御装置１２は、レーザ干渉計１１８によりウエハステージ１１６の位置を検出し、モータ等の駆動ユニット１１９を制御することで、ウエハステージ１１６を所定のＸ-Ｙ面位置へ移動させる。

本実施形態では所謂ステップ・アンド・スキャン方式を採用している。即ち、マスク１０９とウエハ１１５を所定の関係となるように位置決めした後、主制御装置１０３からの同期信号に基づいてレーザ制御装置１０２、ウエハステージ制御装置１２０およびマスクステージ制御装置１２４は、マスク２０３上の回路パターン２０２の全面をウエハ１１５のチップ領域へ転写するスキャン露光のための制御を行う。その後、ウエハ１１５をウエハステージ１１６により所定量Ｘ−Ｙ平面内において駆動させ、ウエハ１１５の他の領域を順次同じように投影露光する。

次に、補正パラメータの一例である投影レンズのフォーカス位置の変動を、投影レンズ１１０を通して焦点面を検出する、所謂、スルーザレンズオートフォーカスシステム（TTLAF）を図３及び図４を参照して説明する。図３及び図４において、マスク１０９上に透光性をもつ透光部３０１と遮光性をもつ遮光部３０２により、合焦用マーク３０３を構成している。はじめに、基準平面ミラー３０４が投影レンズ１１０のフォーカス位置にある場合について図３を用いて説明する。マスク１０９上の透光部３０１を通った光は、投影レンズ１１０を介して基準平面ミラー３０４上に集光し反射される。反射された光は往路と同一の光路をたどり、投影レンズ１１０を介してマスク１０９に集光し、マスク１０９上の透光部３０１を通過する。このとき、計測光はマスク１０９の遮光部３０２にけられることなく、全部の光束が透光部３０１を通過する。

一方、基準平面ミラー３０４が投影レンズ１１０のフォーカス位置からずれた場合について図４を用いて説明する。マスク１０９上の透光部３０１を通った光は、投影レンズ１１０を介して基準平面ミラー３０４上に達する。しかしながら、基準平面ミラー３０４は投影レンズ１１０のフォーカス面にないので、計測光は広がった光束として基準平面ミラー３０４で反射される。このため、反射された光は往路と異なる光路をたどって投影レンズ１１０を通り、マスク１０９上に集光することなく、基準平面ミラー３０４の投影レンズ１１０のフォーカス面からのずれ量に対応した広がりをもった光束となってマスク１０９上に達する。このとき、光束はマスク１０９上の遮光部３０２によって一部の光がケラレを生じ、全部の光束が透光部３０１を通過することはできない。すなわち、フォーカス面に合致したときとそうでないときではマスク１０９を通しての反射光量に差が生じるのである。

投影レンズ１１０のフォーカス位置（像面位置）の検出を行うときには、予めウエハステージ１１６に取り付けられた基準平面ミラー３０４を投影レンズ１１０の真下へ移動する。次に、基準平面ミラー３０４を投影レンズ１１０の光軸方向にステップ駆動し、TTLAF（不図示）により基準平面ミラー３０４を照射して反射光を計測する。このステップ駆動と反射光の計測を繰り返しながら反射光量プロファイルを得て、フォーカス位置（像面位置）を検出する。

以上のような構成の露光装置における、補正パラメータの管理について、以下、説明する。

補正パラメータを計測・補正する時期を自動で計画する具体的な制御方法について、図６（ａ）〜（ｃ）のタイムチャート及び図９のフローチャートを参照して説明する。図６の（ａ）〜（ｃ）は、ウエハ露光処理と装置補正を実施する順番（流れ）を模式的に示している。本実施形態での装置補正は、前述した投影レンズのフォーカス位置（以下、像面補正値）を補正パラメータとして計測するものである。

露光装置での生産が開始されると、ウエハ露光処理に先立ち、像面補正値の計測を実行する（図９のステップＳ１１、図６（ａ）のＳ６０１）。最適値（設計値）からの変動量を像面補正パラメータとして求め、構成部品（ユニット）であるフィールドレンズ駆動ユニット１１３とウエハステージ制御ユニット１１９を補正制御する。補正制御した後に像面補正パラメータに有効期限（Ts）を設定し、像面補正後の経過時間（Tr）の計測を開始する（ステップＳ１２）。なお、この有効期限（Ts）は、計測した補正値を用いて補正が可能な時間（変動量の経時変化が許容範囲にある時間）を表すパラメータである。有効期限（Ts）は半導体素子の回路パターンの微細度（加工精度）で異なってくるので、本実施形態では、予め補正値の経時変化量を実験で求め、回路パターン微細度を数段階に区分して、許容する時間をテーブル（図９の９０１）に登録しておく。露光装置は、当該微細度に関する情報を、予め露光装置に入力されたレシピ情報、またはオペレータによる個別の入力情報に基づいて認識可能である。なお、図６では、像面補正有効期限は基板（ウエハ）を１．５枚露光処理する時間に相当するものとして、以下の説明を行なう。

ステップ・アンド・スキャン方式のウエハ露光処理を繰り返して、１枚目のウエハ露光を行なう（ステップＳ１３）。ウエハ露光処理が終了すると、引き続き次のウエハを処理するか否かを判定し（ステップＳ１４）、次のウエハを処理するのであればステップＳ１５へ進む。ステップＳ１５では、次の露光処理単位、すなわち２枚目のウエハ露光が終了する時間（時刻）を予測計算する（図６（ｂ）のＳ６０２）。次ウエハ終了時間は次の（式１）で表される。
[次ウエハ終了時間]＝[経過時間(Tr)]＋[次ウエハ加工予測時間(Tn)] …（式１）
本実施形態では、（式１）の「次ウエハ加工予測時間（Tn）」を１枚目の加工実績時間（Tr）で置き換えた（式２）を用い、実績値を反映して予測精度を高めることもできる。
[次ウエハ終了時間]＝[経過時間（Tr）]×ｎ …（式２）
但し、（式２）においてｎは次ウエハがｎ枚目のウエハであることを示す。

ステップＳ１６では次の露光処理単位の処理完了時刻が現在設定されている補正パラメータの有効期限前（有効期間内）であるか否かを判定し、期限内であればステップＳ１３へ戻り、そのまま次の露光処理単位を処理する。一方、期限内でなければ、ステップＳ１１へ戻り、補正計測と補正値の設定をやり直す。図６の例で説明すると、次ウエハ終了時間が有効期限（Ts）を超えない場合、ウエハ２枚目の露光処理へ進む。以後はウエハ１枚露光が終了する度に次ウエハ終了予想時刻が有効期限前であるか否かを判定し、補正パラメータの再計測が必要なタイミングを監視する。次ウエハ終了時間が有効期限を越える場合は、次ウエハ露光途中で有効期限が切れると判定し、次のウエハの露光処理を開始する前に、装置補正を実施する（図６（ｃ）のＳ６０３）。Ｓ６０３ではＳ６０１と同様に、像面補正値の計測と構成部品（ユニット）を補正制御した後、この時点を基準として経過時間（Tr）の計測を再度開始する。

以上説明したように、第１実施形態の露光装置は、素子回路パターン加工精度に応じて補正値に関して有効期限を設定し、当該有効期限に基づいて次の補正タイミングを決定している。なお、図６の例では、図９でいう露光処理単位を１枚のウエハの露光とした、即ち、１枚のウエハの露光毎に補正要否判断を実施したが、例えば、露光処理単位を、Ｎ枚（Ｎ≧２）のウエハの露光毎、または１チップもしくは１ショット露光毎としてもよいことは言うまでもない。

＜第２実施形態＞
第２実施形態では、上記第１実施形態における露光処理単位の実行中（ステップＳ１３）に露光処理が停止した場合を考慮する。本実施形態では、そのような停止が発生した場合に、残りの露光処理を実行した場合に補正値の有効期限が切れるか否かを判定し、必要に応じて補正値の計測をやり直す。

図７は第２実施形態による露光処理一時停止後のタイミングチャートを示す。また、図１０は第２実施形態による露光処理の手順を説明するフローチャートである。図９のステップＳ１３の処理が開始されると、まずステップＳ２１で当該露光処理単位の処理を開始する。そして、ステップＳ２２で当該露光処理単位の処理が終了したと判定されたならば、そのままステップＳ１３の処理が終了する。露光処理中であればステップＳ２３へ進み停止指示が入力されたかを判定する。停止指示が入力されていなければ上記ステップＳ２２、Ｓ２３が繰り返される。そして、露光処理中に停止指示が入力されると、ステップ２４ａで当該露光処理を停止し、ステップＳ２４ｂで露光処理の再開が指示されたかを判定する。再開が指示されるまでは停止時状態が維持されることになる。

再開が指示されると、ステップＳ２５へ進み、当該露光処理単位に対する露光処理の残時間を計算し処理終了予想時刻を算出する。ステップＳ２６では、処理終了予想時刻が有効期限前か否かを判定し、有効期限前であればステップＳ２９で処理を再開し、ステップＳ２２へ戻る。一方、終了予想時刻が有効期限を越える場合は、ステップＳ２７へ進み、再度補正計測及び補正値の設定を行ない、ステップＳ２８で新たに補正値の有効期限を設定する。なお、ステップＳ１２で設定した有効期限がそのまま利用できるのであれば、それを用いるようにしてもよい。そして、ステップＳ２９で処理を再開し、ステップＳ２２へ戻る。

図７（ａ）は図６（ｃ）で像面補正実施した後、２枚目のウエハ露光途中に（Ｓ７０１）で装置が停止した場合を示している。図７（ｂ）はｔ秒間停止後に露光装置を再開した場合である。この処理の再開にあたり、加工中のウエハである２枚目のウエハが終了する時間を（式３）にて予測計算する。
[現ウエハ終了時間]＝[経過時間(Tr)]＋[２枚目（加工中ウエハ）加工残時間(Tn)] …（式３）
ここで（式３）を、１枚目の加工実績時間（Tr[1]）と実測停止時間（ｔ）を使った（式４）を用いて書き換え、実測値を反映して現ウエハ終了時間の予測精度を高めることもできる。
[現ウエハ終了時間]＝[１枚目の加工実績時間(Tr[1])]×ｎ＋[停止時間(t)] …（式４）
ここで、ｎは現在のウエハがｎ枚目であることを示す。

現ウエハ終了時間が有効期限（Ts）を超えない場合、ウエハ２枚目の途中から露光処理を再開するが、有効期限（Ts）を超える場合は、図７（ｃ）のように装置補正を実施する（Ｓ７０３、Ｓ２７、Ｓ２８）。そして、装置補正を実施した後、ウエハ２枚目の途中から露光処理を再開する。

＜第３実施形態＞
第１及び第２実施形態では、ステップＳ１２及びステップＳ２８における有効期限の設定において、回路パターン微細度に関する情報に基づいて有効期限を登録したテーブルを参照した。第３実施形態では、補正パラメータの有効期限を動的に調整する。補正パラメータの経過時間と有効期限とを比較しながら、自動的に計測・補正する方法は、第１及び第２実施形態の図６、図７と同様である。本実施形態の相違点は、予測補正量と実測補正量とから、次に補正する有効期限を演算で決定する点である。つまり、予め実験で求めた有効期限をそのまま使用するのではなく、生産中に計測した補正量を、次の補正時期に係る有効期限の決定にフィードバック（反映）することで、装置状態に適した補正時期（有効期限）を計画（決定）することができる。

図８を参照し、計測した補正量を次の有効期限へフィードバックする一例を説明する。図８（ａ）は予め実験で求めた補正値の経時変化特性を直線８０１で表わしている。この例は、補正値（変動量）を経過時間の一次関数としてモデル化した場合である。変動量Fthが許容限界であるとすると、特性線８０１と変動許容値Fthとの交点８０２までの経過時間Tsが有効期限（有効期間）として予め登録される。

図８（ｂ）は、生産中に計測した補正値が予測値より小さい場合の例である。有効期限Ts内のある時点Tr1で計測した補正量がFr1であった時、点８０３を通る直線８０４が現在の装置状態に係る特性を表している。直線８０４に限界変動量Fthを代入して得る時間Ts1が新たな有効期限として設定される。実測補正値が予測補正値より小さい場合は、"Ts1−Ts"だけ次の有効期限（有効期間）が延びることになる。

次に図８（ｃ）は、（ｂ）と反対に、生産中に計測した補正値が予測値より大きい場合の例である。この場合も（ｂ）と同様に、有効期限Ts内のある時点Tr2で計測した補正量がFr2であった時、点８０６を通る直線８０７を近似し、ここに限界変動量Fthを代入して得る時間Ts2を新たな有効期限とする。実測補正値が予測補正値より大きい場合は、差分"Ts−Ts2"だけ次の有効期限（有効期間）が短くなる。

図８の例では、補正値の経時変化を一次関数として予測したが、例えば、露光熱の要因が支配的である補正パラメータ等は、指数関数で予測することが望ましく、その場合の定式化も容易である。

以上、３つの実施形態で投影露光装置の補正計画方法について説明した。ここでは、一つ（一種類）の補正パラメータに関して述べてきたが、複数（複数種類）の補正パラメータに関しても、全パラメータ単位で、所定のパラメータ群単位で、または1パラメータ単位で、本実施形態の方法を適用することができる。

また、有効期限を回路パターンの微細度に応じて数段階に区分して登録しておく場合、オペレータが作成する露光装置のレシピ（動作パラメータ）の中に回路パターン微細度に関するパラメータを設定するようにすれば、当該パラメータに基づいて補正パラメータの有効期限を自動的に設定することが可能である。

以上の実施形態によれば、多数の補正パラメータに対しても、オペレータが逐一有効期限を設定する必要がなく、装置の操作性、生産性の観点で効果的である。また、高精度が要求され比較的短期間に補正を繰り返す必要がある場合であっても、装置状態に基づく適切な補正時期に補正することが可能になり、したがって、必要な露光精度を維持しつつ、露光処理の不要な生産性低下を抑制することが出来る。

次に、上述した露光装置を利用して、マイクロデバイス等のデバイスの一例としての半導体デバイスを製造するプロセスを説明する。図１１は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。

一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。

上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

第１実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。 図１に示した露光装置による露光処理を説明する図である。 第１実施形態の露光装置における、基準反射ミラーと投影レンズの像面が一致している場合の反射光の様子を示す説明図である。 第１実施形態の露光装置における、基準反射ミラーと投影レンズの像面がずれている場合の反射光の様子を示す説明図である。 従来の装置補正動作を示すタイミングチャートである。 第１実施形態による装置補正動作を説明するタイミングチャートである。 第２実施形態による装置補正動作を説明するタイミングチャートである。 第３実施形態による補正値の有効期限の設定方法を説明する図である。 第１実施形態による装置補正動作を説明するフローチャートである。 第２実施形態による装置補正動作を説明するフローチャートである。 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。

Claims (8)

1. 基板にパターンを露光する露光装置であって、
   前記露光装置における処理に必要なパラメータを補正する補正手段と、
   前記補正手段により補正されたパラメータの有効期限を設定する設定手段と、
   前記有効期限に基づいて、前記補正手段による補正を実行させる制御手段とを備えることを特徴とする露光装置。
2. 前記制御手段は、前記露光装置における所定の処理単位の実行に先立って、前記有効期限に基づいて、前記補正手段による補正を実行させるか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記設定手段は、処理に要求される精度と前記有効期限とを対応付けたテーブルと、前記精度に関する情報とに基づいて、前記パラメータの有効期限を設定することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
4. 前記制御手段は、前記処理単位の実行が、その途中で停止された後に、再開される場合、当該処理単位の残りの処理の終了予想時刻に基づいて、前記補正手段による補正を実行させるか否かを判断することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
5. 前記設定手段は、前記補正手段により補正されたパラメータの補正量と補正時刻とに基づいて、当該パラメータに対する有効期限を設定することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
6. 前記補正手段による補正対象となる前記パラメータが複数種類あることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の露光装置。
7. 前記パラメータは、前記パターンの結像位置を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の露光装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。

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