JP2000049088A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置およびデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP2000049088A JP2000049088A JP10227558A JP22755898A JP2000049088A JP 2000049088 A JP2000049088 A JP 2000049088A JP 10227558 A JP10227558 A JP 10227558A JP 22755898 A JP22755898 A JP 22755898A JP 2000049088 A JP2000049088 A JP 2000049088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- job
- lot
- exposure
- processing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Library & Information Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロット間における処理移行の時間を短縮す
る。 【解決手段】 装置本体に転送されるジョブに従い、ま
た、所定のキャリブレーション処理を行って、原版のパ
ターンを基板に露光転写する露光装置において、今回の
ロットの基板の露光処理で使用するジョブおよび原版が
前回のロットの基板の露光処理で使用したジョブおよび
原版と同一である場合、今回のロットの露光処理につい
ては装置本体へのジョブの再転送（Ｓ１０７）または前
記キャリブレーション（Ｓ１０９）のいずれかあるいは
両方の処理をバイパスする機能（Ｓ１０３）を設ける。
る。 【解決手段】 装置本体に転送されるジョブに従い、ま
た、所定のキャリブレーション処理を行って、原版のパ
ターンを基板に露光転写する露光装置において、今回の
ロットの基板の露光処理で使用するジョブおよび原版が
前回のロットの基板の露光処理で使用したジョブおよび
原版と同一である場合、今回のロットの露光処理につい
ては装置本体へのジョブの再転送（Ｓ１０７）または前
記キャリブレーション（Ｓ１０９）のいずれかあるいは
両方の処理をバイパスする機能（Ｓ１０３）を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ
等の半導体デバイスを製造する半導体製造装置等の露光
装置およびこれを用いたデバイス製造方法に関する。
等の半導体デバイスを製造する半導体製造装置等の露光
装置およびこれを用いたデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リソグラフィ工程で使用される
複数台の半導体露光装置は、半導体デバイスの製造動作
におけるロットの処理を迅速かつ効率良く行うため、各
露光装置側のコンピュータの上位の関係にあるホストコ
ンピュータまたはパソコンによって統括制御されてい
る。そして通常は、あるロットを処理するために必要な
ジョブを、動作パラメータが格納されているデータベー
スから選択してから露光処理の開始の指示がなされる。
複数台の半導体露光装置は、半導体デバイスの製造動作
におけるロットの処理を迅速かつ効率良く行うため、各
露光装置側のコンピュータの上位の関係にあるホストコ
ンピュータまたはパソコンによって統括制御されてい
る。そして通常は、あるロットを処理するために必要な
ジョブを、動作パラメータが格納されているデータベー
スから選択してから露光処理の開始の指示がなされる。
【０００３】また、半導体デバイスの製造動作の自動化
に伴い、半導体工場の各露光装置毎に稼働率を高め、ク
リーンルーム内の無人化を図るためにも、各露光装置の
前後の工程で用いられる塗布および現像装置とのインラ
イン化を図り、ホストコンピュータまたはパソコンによ
って統括制御する傾向にある。
に伴い、半導体工場の各露光装置毎に稼働率を高め、ク
リーンルーム内の無人化を図るためにも、各露光装置の
前後の工程で用いられる塗布および現像装置とのインラ
イン化を図り、ホストコンピュータまたはパソコンによ
って統括制御する傾向にある。
【０００４】露光処理に際しては、通常、１キャリア
（２５枚のウエハ）＝１ロットとして処理されることが
多く、少量多品種の製品であれば、ロット毎に使用する
ジョブまたは使用するレチクルが異なるのが通例であ
る。しかし、大量少品種の製品では、連続して２、３ロ
ットで同じジョブ・レチクルを使用することがあり得
る。このような状況下において、半導体デバイスの製造
動作の自動化を図り、各露光装置毎の稼働率を上げ、か
つ効率良く作業するためには、ロットとロットの切替え
処理を迅速に行わなければならない。従来の場合は、連
続して２、３ロットを同じジョブ・レチクルで処理する
場合でも、ロットとロットとの間では、データベースか
ら選択したジョブを露光装置本体へ転送し、かつキャリ
ブレーション処理を必ず実行している。
（２５枚のウエハ）＝１ロットとして処理されることが
多く、少量多品種の製品であれば、ロット毎に使用する
ジョブまたは使用するレチクルが異なるのが通例であ
る。しかし、大量少品種の製品では、連続して２、３ロ
ットで同じジョブ・レチクルを使用することがあり得
る。このような状況下において、半導体デバイスの製造
動作の自動化を図り、各露光装置毎の稼働率を上げ、か
つ効率良く作業するためには、ロットとロットの切替え
処理を迅速に行わなければならない。従来の場合は、連
続して２、３ロットを同じジョブ・レチクルで処理する
場合でも、ロットとロットとの間では、データベースか
ら選択したジョブを露光装置本体へ転送し、かつキャリ
ブレーション処理を必ず実行している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例によれば、連続して２、３ロットで同じジョブ・レチ
クルを使用するにも関わらず、ロットとロットとの間
で、ジョブの再転送およびキャリブレーションのための
再計測を行っているため、露光装置の実質稼働率を下
げ、ロットとロットとの切替え時に無駄な時間を費やし
ているという問題がある。
例によれば、連続して２、３ロットで同じジョブ・レチ
クルを使用するにも関わらず、ロットとロットとの間
で、ジョブの再転送およびキャリブレーションのための
再計測を行っているため、露光装置の実質稼働率を下
げ、ロットとロットとの切替え時に無駄な時間を費やし
ているという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法に
おいて、同一のジョブおよびレチクルを使用するロット
を連続して処理する場合における、ロットとロットの切
替え時に費やしている無駄な時間を排除してロット間の
切替え時間を短縮し、もって露光装置の実質稼働率を向
上させることにある。
鑑み、露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法に
おいて、同一のジョブおよびレチクルを使用するロット
を連続して処理する場合における、ロットとロットの切
替え時に費やしている無駄な時間を排除してロット間の
切替え時間を短縮し、もって露光装置の実質稼働率を向
上させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、装置本体に転送されるジョブに従い、
また、所定のキャリブレーション処理を行って、原版の
パターンを基板に露光転写する露光装置において、今回
のロットの基板の露光処理で使用するジョブおよび原版
が前回のロットの基板の露光処理で使用したジョブおよ
び原版と同一である場合、今回のロットの露光処理につ
いては装置本体へのジョブの再転送または前記キャリブ
レーションのいずれかあるいは両方の処理をバイパスす
る機能を具備することを特徴とする。
め、本発明では、装置本体に転送されるジョブに従い、
また、所定のキャリブレーション処理を行って、原版の
パターンを基板に露光転写する露光装置において、今回
のロットの基板の露光処理で使用するジョブおよび原版
が前回のロットの基板の露光処理で使用したジョブおよ
び原版と同一である場合、今回のロットの露光処理につ
いては装置本体へのジョブの再転送または前記キャリブ
レーションのいずれかあるいは両方の処理をバイパスす
る機能を具備することを特徴とする。
【０００８】これによれば、同一のジョブおよび原版を
使用するロットを連続して処理する場合は、ジョブの再
転送またはキャリブレーション処理のいずれか一方また
は双方がバイパスされて、不要な処理が省略され、前回
のロットから今回のロットへの切替え時に無駄な時間を
費やすことがなくなる。したがって、同一のジョブおよ
び原版を使用するロットを連続して処理する場合はロッ
ト間の切替え時間が短縮し、露光装置の実質稼働率が向
上する。なお、ジョブの再転送やキャリブレーション処
理がバイパスされる場合、前回のロットで使用したジョ
ブやキャリブレーション値が今回のロットの処理ヘ継承
される。
使用するロットを連続して処理する場合は、ジョブの再
転送またはキャリブレーション処理のいずれか一方また
は双方がバイパスされて、不要な処理が省略され、前回
のロットから今回のロットへの切替え時に無駄な時間を
費やすことがなくなる。したがって、同一のジョブおよ
び原版を使用するロットを連続して処理する場合はロッ
ト間の切替え時間が短縮し、露光装置の実質稼働率が向
上する。なお、ジョブの再転送やキャリブレーション処
理がバイパスされる場合、前回のロットで使用したジョ
ブやキャリブレーション値が今回のロットの処理ヘ継承
される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、前回のロットまたは基板の露光処理が終了してか
ら今回のロットまたは基板の露光処理を開始するまでの
時間が、予め設定された時間を越えている場合は、前回
と今回のジョブおよび原版が同一であっても、今回のロ
ットまたは基板の露光処理を行う前に前記キャリブレー
ション処理を行い、露光精度の劣化を防止するようにし
ている。
ては、前回のロットまたは基板の露光処理が終了してか
ら今回のロットまたは基板の露光処理を開始するまでの
時間が、予め設定された時間を越えている場合は、前回
と今回のジョブおよび原版が同一であっても、今回のロ
ットまたは基板の露光処理を行う前に前記キャリブレー
ション処理を行い、露光精度の劣化を防止するようにし
ている。
【００１０】キャリブレーション処理としては、たとえ
ばチルトパターンオフセット計測およびフォーカスパタ
ーンオフセット計測が含まれる。キャリブレーション処
理を今回のロットの露光処理を行う前に行うときは、今
回のロットの最初の基板を使用してキャリブレーション
処理を行う。
ばチルトパターンオフセット計測およびフォーカスパタ
ーンオフセット計測が含まれる。キャリブレーション処
理を今回のロットの露光処理を行う前に行うときは、今
回のロットの最初の基板を使用してキャリブレーション
処理を行う。
【００１１】前記ジョブの再転送またはキャリブレーシ
ョンのいずれかあるいは両方の処理をバイパスするか否
かの判定は、装置のコンソールあるいはホストコンピュ
ータまたはパソコンからの指示を考慮して行うようにし
てもよい。より具体的には、実際の判断はホストコンピ
ュータ等が行い、露光装置はこの判断結果に従ってバイ
パスを行うか否かを判定するようにしてもよい。
ョンのいずれかあるいは両方の処理をバイパスするか否
かの判定は、装置のコンソールあるいはホストコンピュ
ータまたはパソコンからの指示を考慮して行うようにし
てもよい。より具体的には、実際の判断はホストコンピ
ュータ等が行い、露光装置はこの判断結果に従ってバイ
パスを行うか否かを判定するようにしてもよい。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体露光装
置の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この
半導体露光装置は、装置本体の制御を行うＣＰＵを有す
るＥＷＳ本体１０６、ならびに、装置における所定の情
報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２、装置本
体において撮像手段を介して得られる画像情報を表示す
るモニタＴＶ１０５、装置に対し所定の入力を行うため
の操作パネル１０３、ＥＷＳ用キーボード１０４等を含
むコンソール部を備えている。図中、１０７はＯＮ−Ｏ
ＦＦスイッチ、１０８は非常停止スイッチ、１０９は各
種スイッチ、マウス等、１１０はＬＡＮ通信ケーブル、
１１１はコンソール機能からの発熱の排気ダクト、そし
て１１２はチャンバの排気装置である。半導体露光装置
本体はチャンバ１０１の内部に設置される。
置の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この
半導体露光装置は、装置本体の制御を行うＣＰＵを有す
るＥＷＳ本体１０６、ならびに、装置における所定の情
報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２、装置本
体において撮像手段を介して得られる画像情報を表示す
るモニタＴＶ１０５、装置に対し所定の入力を行うため
の操作パネル１０３、ＥＷＳ用キーボード１０４等を含
むコンソール部を備えている。図中、１０７はＯＮ−Ｏ
ＦＦスイッチ、１０８は非常停止スイッチ、１０９は各
種スイッチ、マウス等、１１０はＬＡＮ通信ケーブル、
１１１はコンソール機能からの発熱の排気ダクト、そし
て１１２はチャンバの排気装置である。半導体露光装置
本体はチャンバ１０１の内部に設置される。
【００１３】ＥＷＳ用ディスプレイ１０２は、ＥＬ、プ
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ１０１前面に納められ、ＬＡＮケーブル１１０に
よりＥＷＳ本体１０６と接続される。操作パネル１０
３、キーボード１０４、モニタＴＶ１０５等もチャンバ
１０１前面に設置し、チャンバ１０１前面から従来と同
様のコンソール操作が行えるようにしてある。
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ１０１前面に納められ、ＬＡＮケーブル１１０に
よりＥＷＳ本体１０６と接続される。操作パネル１０
３、キーボード１０４、モニタＴＶ１０５等もチャンバ
１０１前面に設置し、チャンバ１０１前面から従来と同
様のコンソール操作が行えるようにしてある。
【００１４】図２は、図１の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。レチクル２０２の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系２８１が配置される。ウエハステージ２０９の
上方に、投影レンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微
鏡２８２が配置されている。オフアクシス顕微鏡２８２
は内部の基準マークとウエハ２０３上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行うのが主たる役割である。ま
た、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレチ
クルライブラリ２２０やウエハキャリアエレベータ２３
０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬送
装置２２１およびウエハ搬送装置２３１によって本体に
搬送される。尚、レチクルがレチクル搬送装置２２１に
よってレチクルライブラリ２２０または本体に搬送され
る際、レチクルカセットバーコードリーダ２２２により
レチクルカセット上のバーコードを読み込む。
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。レチクル２０２の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系２８１が配置される。ウエハステージ２０９の
上方に、投影レンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微
鏡２８２が配置されている。オフアクシス顕微鏡２８２
は内部の基準マークとウエハ２０３上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行うのが主たる役割である。ま
た、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレチ
クルライブラリ２２０やウエハキャリアエレベータ２３
０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬送
装置２２１およびウエハ搬送装置２３１によって本体に
搬送される。尚、レチクルがレチクル搬送装置２２１に
よってレチクルライブラリ２２０または本体に搬送され
る際、レチクルカセットバーコードリーダ２２２により
レチクルカセット上のバーコードを読み込む。
【００１５】チャンバ１０１は、主に空気の温度調節を
行う空調装置２１０および微小異物を濾過し清浄空気の
均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また装
置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調気室２１０内にある冷
却器２１５および再熱ヒータ２１６により温度調節され
た空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介して
ブース２１４内に供給される。このブース２１４に供給
された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０に
取り込まれチャンバ１０１内を循環する。通常、このチ
ャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブース
２１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブ
ース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外気
導入口ｏａより送風機を介して導入している。このよう
にしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温度を一
定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしてい
る。また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷却やレー
ザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気口ｅ
ａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が光源装置
２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた専用の排
気ファンを介して工場設備に強制排気されている。ま
た、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィル
タｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよびリタ
ーン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
行う空調装置２１０および微小異物を濾過し清浄空気の
均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また装
置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調気室２１０内にある冷
却器２１５および再熱ヒータ２１６により温度調節され
た空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介して
ブース２１４内に供給される。このブース２１４に供給
された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０に
取り込まれチャンバ１０１内を循環する。通常、このチ
ャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブース
２１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブ
ース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外気
導入口ｏａより送風機を介して導入している。このよう
にしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温度を一
定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしてい
る。また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷却やレー
ザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気口ｅ
ａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が光源装置
２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた専用の排
気ファンを介して工場設備に強制排気されている。ま
た、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィル
タｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよびリタ
ーン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
【００１６】図３は、図１の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１、ウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は前記ディスプレイ１０２、キーボード１０４等を有す
るコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ３２１にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行うためのものである。３３１はコンソ
ールＣＰＵ、３３２はパラメータ等を記憶する外部メモ
リである。
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１、ウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は前記ディスプレイ１０２、キーボード１０４等を有す
るコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ３２１にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行うためのものである。３３１はコンソ
ールＣＰＵ、３３２はパラメータ等を記憶する外部メモ
リである。
【００１７】図４はユーザセットアップパラメータを設
定する画面を示す。オペレータは、装置の入力手段（タ
ッチパネル１０３、キーボード１０４、不図示のマウス
等）により、ユーザセットアップパラメータの設定画面
を選択すると、ディスプレイ（およびタッチパネル）１
０２上に図４に示される画面（ウィンドウ）が表示され
る。図４の画面には、実際には他にも多数のパラメータ
が表示されるが、図４では、本発明に関するパラメータ
だけを表示している。同一ジョブ・レチクルを使用する
連続したロットであっても、ロットとロットとの間の時
間がある一定時間を越えた場合はキャリブレーションを
行う必要がある。図４に示される“Ｃａｌｉｂｒａｔｉ
ｏｎ Ｔｉｍｅ”は、その判定を行うために使用するパ
ラメータである。また、このパラメータは、ロット内の
各ウエハ間の時間の判定にも使用する。すなわち、この
“Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ”で設定する時間
は、ロット間あるいはウエハ間において、キャリブレー
ションを行う必要が発生するまでの時間である。もし設
定時間を“０”にすると、ロット間およびウエハ間の時
間監視を行わないことを意味する。
定する画面を示す。オペレータは、装置の入力手段（タ
ッチパネル１０３、キーボード１０４、不図示のマウス
等）により、ユーザセットアップパラメータの設定画面
を選択すると、ディスプレイ（およびタッチパネル）１
０２上に図４に示される画面（ウィンドウ）が表示され
る。図４の画面には、実際には他にも多数のパラメータ
が表示されるが、図４では、本発明に関するパラメータ
だけを表示している。同一ジョブ・レチクルを使用する
連続したロットであっても、ロットとロットとの間の時
間がある一定時間を越えた場合はキャリブレーションを
行う必要がある。図４に示される“Ｃａｌｉｂｒａｔｉ
ｏｎ Ｔｉｍｅ”は、その判定を行うために使用するパ
ラメータである。また、このパラメータは、ロット内の
各ウエハ間の時間の判定にも使用する。すなわち、この
“Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ”で設定する時間
は、ロット間あるいはウエハ間において、キャリブレー
ションを行う必要が発生するまでの時間である。もし設
定時間を“０”にすると、ロット間およびウエハ間の時
間監視を行わないことを意味する。
【００１８】次に、図５を参照し、図１の装置の動作す
なわち本発明に従ったジョブの再転送およびキャリブレ
ーション処理を含む実施例を説明する。図５は、図１の
露光装置のロット処理内容のシーケンスフローを示す。
同図に示すように、露光装置がロット待ちの状態（ステ
ップＳ１０１）において、オペレータが、ディスプレイ
（およびタッチパネル）１０２上のＳｔａｒｔボタン
（不図示）あるいはＣｏｎｔｉｎｕｅボタン（不図示）
を押し、ロット処理を開始すると（このロット処理開始
の指令は、ホストコンピュータまたはパソコンからＳｔ
ａｒｔ指令あるいはＣｏｎｔｉｎｕｅ指令として行って
も良い）、露光装置は、次のステップＳ１０３におい
て、このホストコンピュータまたはパソコンあるいは図
３のコンソール１０２からの指令内容を判断し、Ｓｔａ
ｒｔ指令であればステップＳ１０７へ進み、Ｃｏｎｔｉ
ｎｕｅ指令であればステップＳ１０５へ進む。
なわち本発明に従ったジョブの再転送およびキャリブレ
ーション処理を含む実施例を説明する。図５は、図１の
露光装置のロット処理内容のシーケンスフローを示す。
同図に示すように、露光装置がロット待ちの状態（ステ
ップＳ１０１）において、オペレータが、ディスプレイ
（およびタッチパネル）１０２上のＳｔａｒｔボタン
（不図示）あるいはＣｏｎｔｉｎｕｅボタン（不図示）
を押し、ロット処理を開始すると（このロット処理開始
の指令は、ホストコンピュータまたはパソコンからＳｔ
ａｒｔ指令あるいはＣｏｎｔｉｎｕｅ指令として行って
も良い）、露光装置は、次のステップＳ１０３におい
て、このホストコンピュータまたはパソコンあるいは図
３のコンソール１０２からの指令内容を判断し、Ｓｔａ
ｒｔ指令であればステップＳ１０７へ進み、Ｃｏｎｔｉ
ｎｕｅ指令であればステップＳ１０５へ進む。
【００１９】ステップＳ１０５では、前のロット処理の
終了時から今回の指令を受けるまでの時間が図４に示さ
れる“Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ”として設定
した時間を越えているか否かをチェックする。このと
き、設定時間を越えていると判定した場合は、キャリブ
レーションを行う必要があるため、処理をステップＳ１
０７へ進む。設定した時間を越えていないと判定した場
合は、ステップＳ１１１へ進む。
終了時から今回の指令を受けるまでの時間が図４に示さ
れる“Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ”として設定
した時間を越えているか否かをチェックする。このと
き、設定時間を越えていると判定した場合は、キャリブ
レーションを行う必要があるため、処理をステップＳ１
０７へ進む。設定した時間を越えていないと判定した場
合は、ステップＳ１１１へ進む。
【００２０】ステップＳ１０７では、図３の本体ＣＰＵ
３２１ヘジョブを転送し、次にステップＳ１０９のキャ
リブレーション処理において、チルトパターンオフセッ
ト計測やフォーカスパターンオフセット計測等を行い、
そしてステップＳ１１１へ進む。ステップＳ１１１で
は、アライメント動作ならびに露光動作を行う。このよ
うにして１枚のウエハの露光動作が終了すると（ステッ
プＳ１１３）、ステップＳ１１５において、処理したウ
エハがロットの最終ウエハか否かを判定する。処理した
ウエハが最終ウエハ（ロット処理終了）であれば、ステ
ップＳ１０１へ戻り、露光装置は次のロットのロット待
ち状態となる。
３２１ヘジョブを転送し、次にステップＳ１０９のキャ
リブレーション処理において、チルトパターンオフセッ
ト計測やフォーカスパターンオフセット計測等を行い、
そしてステップＳ１１１へ進む。ステップＳ１１１で
は、アライメント動作ならびに露光動作を行う。このよ
うにして１枚のウエハの露光動作が終了すると（ステッ
プＳ１１３）、ステップＳ１１５において、処理したウ
エハがロットの最終ウエハか否かを判定する。処理した
ウエハが最終ウエハ（ロット処理終了）であれば、ステ
ップＳ１０１へ戻り、露光装置は次のロットのロット待
ち状態となる。
【００２１】ステップＳ１１５において、処理したウエ
ハが最終ウエハでないと判定した場合はステップＳ１１
７へ進み、次のウエハの搬入を待つ。その後、次のウエ
ハが搬入されると、ステップＳ１１９において、前のウ
エハの露光動作の終了時から今回のウエハ搬入までの時
間が図４に示される“Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍ
ｅ”として設定した時間を越えているか否かをチェック
する。このとき、設定時間を越えていると判定した場合
は、キャリブレーションを行う必要があるため、ステッ
プＳ１０９へ進む。一方、設定時間を越えていない場合
は、ステップＳ１１１へ戻り、アライメント動作ならび
に露光動作を行う。このようにして、ステップＳ１１５
において、処理したウエハがロットの最終ウエハである
と判定されるまで、繰り返し露光処理を行う。
ハが最終ウエハでないと判定した場合はステップＳ１１
７へ進み、次のウエハの搬入を待つ。その後、次のウエ
ハが搬入されると、ステップＳ１１９において、前のウ
エハの露光動作の終了時から今回のウエハ搬入までの時
間が図４に示される“Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍ
ｅ”として設定した時間を越えているか否かをチェック
する。このとき、設定時間を越えていると判定した場合
は、キャリブレーションを行う必要があるため、ステッ
プＳ１０９へ進む。一方、設定時間を越えていない場合
は、ステップＳ１１１へ戻り、アライメント動作ならび
に露光動作を行う。このようにして、ステップＳ１１５
において、処理したウエハがロットの最終ウエハである
と判定されるまで、繰り返し露光処理を行う。
【００２２】これによれば、ステップＳ１０３において
判定される、ホストコンピュータ等からの指令がＣｏｎ
ｔｉｎｕｅ指令すなわち前回のロットと同一のジョブお
よびレチクルを用いる場合であって、かつ前回のロット
の処理の終了から今回のロットの処理の開始までの時間
が設定時間を越えていなければ、ステップＳ１０７およ
びＳ１０９をバイパスしてジョブの転送およびキャリブ
レーション処理を行わないようにしているため、前回の
ロットから今回のロットの処理への移行時間を短縮する
ことができる。
判定される、ホストコンピュータ等からの指令がＣｏｎ
ｔｉｎｕｅ指令すなわち前回のロットと同一のジョブお
よびレチクルを用いる場合であって、かつ前回のロット
の処理の終了から今回のロットの処理の開始までの時間
が設定時間を越えていなければ、ステップＳ１０７およ
びＳ１０９をバイパスしてジョブの転送およびキャリブ
レーション処理を行わないようにしているため、前回の
ロットから今回のロットの処理への移行時間を短縮する
ことができる。
【００２３】図６は、本発明の他の実施例に係る半導体
露光装置の動作を示すフローチャートである。装置の構
成は、図１〜３と同様である。この場合、露光装置がロ
ット待ちの状態（ステップＳ２０１）において、オペレ
ータが、ディスプレイ（およびタッチパネル）１０２上
のＳｔａｒｔボタン（不図示）あるいはＣｏｎｔｉｎｕ
ｅボタン（不図示）を押すとともに、付加情報として、
「キャリブレーション有り」、あるいは「キャリブレー
ション無し」の指示を与えることによってロット処理が
開始される。このロット処理開始の指令や指示は、ホス
トコンピュータまたはパソコンから行ってもよい。この
指令を受けると露光装置は、ステップＳ２０３において
指令の内容を判断し、Ｓｔａｒｔ指令であれば、ステッ
プＳ２０４において図３の本体ＣＰＵ３２１ヘジョブを
転送してからステップＳ２０５へ進む。Ｃｏｎｔｉｎｕ
ｅ指令であれば、ステップＳ２０４をバイパスしてステ
ップＳ２０５へ進む。
露光装置の動作を示すフローチャートである。装置の構
成は、図１〜３と同様である。この場合、露光装置がロ
ット待ちの状態（ステップＳ２０１）において、オペレ
ータが、ディスプレイ（およびタッチパネル）１０２上
のＳｔａｒｔボタン（不図示）あるいはＣｏｎｔｉｎｕ
ｅボタン（不図示）を押すとともに、付加情報として、
「キャリブレーション有り」、あるいは「キャリブレー
ション無し」の指示を与えることによってロット処理が
開始される。このロット処理開始の指令や指示は、ホス
トコンピュータまたはパソコンから行ってもよい。この
指令を受けると露光装置は、ステップＳ２０３において
指令の内容を判断し、Ｓｔａｒｔ指令であれば、ステッ
プＳ２０４において図３の本体ＣＰＵ３２１ヘジョブを
転送してからステップＳ２０５へ進む。Ｃｏｎｔｉｎｕ
ｅ指令であれば、ステップＳ２０４をバイパスしてステ
ップＳ２０５へ進む。
【００２４】ステップＳ２０５では、上述の付加情報と
しての指示内容を判定し、「キャリブレーション有り」
の指示であればステップＳ２０９へ進み、「キャリブレ
ーション無し」の指示であればステップＳ２０７へ進
む。ステップＳ２０７では、前のロット処理の終了時か
ら今回の指令を受けるまでの時間が図４に示される“Ｃ
ａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ”として設定した時間
を越えているか否かをチェックする。このとき、設定時
間を越えていると判定した場合は、キャリブレーション
を行う必要があるため、ステップＳ２０９へ進む。設定
した時間を越えていないと判定した場合は、ステップＳ
２１１へ進む。ステップＳ２０９では、チルトパターン
オフセット計測やフォーカスパターンオフセット計測等
のキャリブレーション処理を行い、その後、ステップＳ
２１１へ進む。
しての指示内容を判定し、「キャリブレーション有り」
の指示であればステップＳ２０９へ進み、「キャリブレ
ーション無し」の指示であればステップＳ２０７へ進
む。ステップＳ２０７では、前のロット処理の終了時か
ら今回の指令を受けるまでの時間が図４に示される“Ｃ
ａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ”として設定した時間
を越えているか否かをチェックする。このとき、設定時
間を越えていると判定した場合は、キャリブレーション
を行う必要があるため、ステップＳ２０９へ進む。設定
した時間を越えていないと判定した場合は、ステップＳ
２１１へ進む。ステップＳ２０９では、チルトパターン
オフセット計測やフォーカスパターンオフセット計測等
のキャリブレーション処理を行い、その後、ステップＳ
２１１へ進む。
【００２５】ステップＳ２１１以降では、図５の場合と
同様にして、ロットの最終ウエハに至るまで、繰り返し
露光処理を行う。
同様にして、ロットの最終ウエハに至るまで、繰り返し
露光処理を行う。
【００２６】これによれば、ステップＳ２０３において
判定される、ホストコンピュータ等からの指令がＣｏｎ
ｔｉｎｕｅ指令すなわち前回のロットと同一のジョブお
よびレチクルを用いる場合は、ステップＳ２０４のジョ
ブの転送がバイパスされる。また、ホストコンピュータ
等からの指示が「キャリブレーション無し」でかつ前回
のロットの処理の終了から今回のロットの処理の開始ま
での時間が設定時間を越えていなければ、ステップＳ２
０９をバイパスしてキャリブレーション処理は行われな
い。したがって、前回のロットから今回のロットの処理
への移行に際して無駄な時間を費やすことがなくなる。
判定される、ホストコンピュータ等からの指令がＣｏｎ
ｔｉｎｕｅ指令すなわち前回のロットと同一のジョブお
よびレチクルを用いる場合は、ステップＳ２０４のジョ
ブの転送がバイパスされる。また、ホストコンピュータ
等からの指示が「キャリブレーション無し」でかつ前回
のロットの処理の終了から今回のロットの処理の開始ま
での時間が設定時間を越えていなければ、ステップＳ２
０９をバイパスしてキャリブレーション処理は行われな
い。したがって、前回のロットから今回のロットの処理
への移行に際して無駄な時間を費やすことがなくなる。
【００２７】＜デバイス製造方法の実施例＞次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回
路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ
２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマス
クを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシ
リコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ス
テップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用
意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製
されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイ
スの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こ
うした工程を経て、半導体デバイスが完成し、これが出
荷（ステップ７）される。
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回
路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ
２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマス
クを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシ
リコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ス
テップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用
意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製
されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイ
スの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こ
うした工程を経て、半導体デバイスが完成し、これが出
荷（ステップ７）される。
【００２８】図８は上記ウエハプロセス（ステップ４）
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンが形成される。
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００２９】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、同
一のジョブおよび原版を使用するロットの処理を連続し
て行う場合、ジョブの再転送またはキャリブレーション
のいずれかあるいは両方の処理をバイパスするようにし
たため、ロット間での処理の移行に要する時間を短縮
し、露光装置の実質稼働率を向上させることができる。
一のジョブおよび原版を使用するロットの処理を連続し
て行う場合、ジョブの再転送またはキャリブレーション
のいずれかあるいは両方の処理をバイパスするようにし
たため、ロット間での処理の移行に要する時間を短縮
し、露光装置の実質稼働率を向上させることができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。
観を示す斜視図である。
【図２】 図１の装置の内部構造を示す図である。
【図３】 図１の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。
である。
【図４】 図１の装置におけるユーザセットアップパラ
メータの設定画面の一例を示す図である。
メータの設定画面の一例を示す図である。
【図５】 図１の装置においてジョブ再転送およびキャ
リブレーション処理をバイパスする動作を示すフローチ
ャートである。
リブレーション処理をバイパスする動作を示すフローチ
ャートである。
【図６】 本発明の他の実施例に係る半導体露光装置の
動作を示すフローチャートである。
動作を示すフローチャートである。
【図７】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図８】 図７中のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
【符号の説明】 １０１：温調チャンバ、１０２：ＥＷＳ用ディスプレイ
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ・マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハ、２０４：光源
装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レンズ、２０
７：レチクルステージ、２０９：ウエハステージ、２８
１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕微鏡、２
１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、２１４：
ブース、２１７：送風機、ｇ：エアフィルタ、ｃｆ：化
学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リターン
口、３２１：本体ＣＰＵ、３３０：コンソール、３３
１：コンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ。
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ・マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハ、２０４：光源
装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レンズ、２０
７：レチクルステージ、２０９：ウエハステージ、２８
１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕微鏡、２
１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、２１４：
ブース、２１７：送風機、ｇ：エアフィルタ、ｃｆ：化
学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リターン
口、３２１：本体ＣＰＵ、３３０：コンソール、３３
１：コンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ。
Claims (5)
- 【請求項１】 装置本体に転送されるジョブに従い、ま
た、所定のキャリブレーション処理を行って、原版のパ
ターンを基板に露光転写する露光装置において、今回の
ロットの基板の露光処理で使用するジョブおよび原版が
前回のロットの基板の露光処理で使用したジョブおよび
原版と同一である場合、今回のロットの露光処理につい
ては装置本体へのジョブの再転送または前記キャリブレ
ーションのいずれかあるいは両方の処理をバイパスする
機能を具備することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前回のロットまたは基板の露光処理が終
了してから今回のロットまたは基板の露光処理を開始す
るまでの時間が、予め設定された時間を越えている場合
は、前回と今回のジョブおよび原版が同一であっても、
今回のロットまたは基板の露光処理を行う前に前記キャ
リブレーション処理を行うことを特徴とする請求項１に
記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記キャリブレーション処理は、チルト
パターンオフセット計測およびフォーカスパターンオフ
セット計測を含み、前記キャリブレーション処理を今回
のロットの露光処理を行う前に行うときは、今回のロッ
トの最初の基板を使用して前記キャリブレーション処理
を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の露光
装置。 - 【請求項４】 前記ジョブの再転送またはキャリブレー
ションのいずれかあるいは両方の処理をバイパスするか
否かの判定は、装置のコンソールあるいはホストコンピ
ュータまたはパソコンからの指示を考慮して行うことを
特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の露光装
置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかの露光装置を用
い、装置本体に転送されるジョブに従い、また、所定の
キャリブレーション処理を行って、原版のパターンを基
板に露光転写してデバイスを製造するに際し、今回のロ
ットの基板の露光処理で使用するジョブおよび原版が前
回のロットの基板の露光処理で使用したジョブおよび原
版と同一である場合、今回のロットの露光処理について
は装置本体へのジョブの再転送または前記キャリブレー
ションのいずれかあるいは両方の処理をバイパスして、
今回のロットの基板の露光処理を行うことを特徴とする
デバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227558A JP2000049088A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US09/356,698 US6320646B1 (en) | 1998-07-29 | 1999-07-20 | Exposure apparatus, method of controlling same, and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227558A JP2000049088A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049088A true JP2000049088A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16862797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10227558A Withdrawn JP2000049088A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6320646B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000049088A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311373A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nikon Corp | 露光方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000074118A1 (fr) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, procede de dispositif de fabrication, et procede de traitement ecologique du systeme d'exposition |
| JP2002217095A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-08-02 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場及び露光装置の保守方法並びに位置検出装置 |
| JP2002252161A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体製造システム |
| JP2003173958A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
| JP4126189B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2008-07-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査条件設定プログラム、検査装置および検査システム |
| JP2004158510A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Canon Inc | デバイス製造装置 |
| JP3833209B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2006-10-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN113406864B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-10-28 | 上海顺灏新材料科技股份有限公司 | 光刻机***设备集成监测***及监测方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3336436B2 (ja) * | 1991-04-02 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法 |
| US6002987A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-14 | Nikon Corporation | Methods to control the environment and exposure apparatus |
| JPH1055944A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Toshiba Corp | パターン転写装置 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP10227558A patent/JP2000049088A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-07-20 US US09/356,698 patent/US6320646B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311373A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nikon Corp | 露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6320646B1 (en) | 2001-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6593045B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| JP4365934B2 (ja) | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH11204390A (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3237854B2 (ja) | 処理ステーションの管理装置 | |
| JP2008198820A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP4365914B2 (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| US6819398B2 (en) | Exposure apparatus and control method therefor, and semiconductor device manufacturing method | |
| EP1278231A2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate precessing method, and exposure apparatus | |
| JP2000049088A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| WO2005057633A1 (ja) | 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置 | |
| JPH07142356A (ja) | レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム | |
| JPH1098086A (ja) | 半導体製造装置および露光制御方法 | |
| JPH11150061A (ja) | 半導体露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000031030A (ja) | 露光装置、データ管理方法およびデバイス製造方法 | |
| JPH08153674A (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH08167565A (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH11265845A (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000124123A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2003115445A (ja) | 露光装置管理システムおよびデバイス製造方法 | |
| JPH10256140A (ja) | デバイス露光装置および方法 | |
| US20030061596A1 (en) | Exposure apparatus, method of controlling same, and method of manufacturing devices | |
| JP2009076579A (ja) | 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法 | |
| JPH08153672A (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH11184589A (ja) | 制御装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2008306030A (ja) | マーク設計装置および位置検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050729 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061227 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070221 |