JP2005072076A - 露光装置及びケミカルフィルタ並びにデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】清浄な環境を備えた露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１０の複数の箇所に、可視光応答型光触媒層８０及びその可視光応答型光触媒を活性化させるための可視光光源６４を設ける。具体的には、筐体１４の内面、レチクル室１６の内面、ウエハ室１８の内面、予備室１６ａ、１８ａの内面、ケミカルフィルタ４３、レチクルステージＲＳＴの表面、ウエハステージＷＳＴの表面に可視光応答型光触媒層８０を設ける。また、可視光光源６４は、前記各可視光応答型光触媒層８０に可視光を照射できるように、筐体１４内、レチクル室１６内、ウエハ室１８内、予備室１６ａ、１８ａ内、ケミカルフィルタ４３内に設ける。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子等、各種デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置、及び、その露光装置に好適なケミカルフィルタ、並びに、その露光装置を使用した各種デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の露光装置では、露光光源から発せられた露光光をフォトマスク、レチクル等のマスクに照射するために、複数の光学素子を備えた照明光学系が設けられている。そして、前記マスクにより形成された露光パターンを、感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレート等の基板に投影するために、複数の光学素子を備えた投影光学系が設けられている。これら照明光学系及び投影光学系を構成するレンズ等の光学素子はそれぞれ照明系鏡筒、投影系鏡筒に収容されている。
【０００３】
半導体素子の高度集積化のため、即ちより微細なパターンを投影するためにはより短波長の露光光を用いることが有効とされている。そのため、ｇ線（λ＝４３６ｎｍ）からｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（λ＝１５７ｎｍ）へと露光光の短波長化が進んでいる。
【０００４】
しかし、ＡｒＦエキシマレーザ及びＦ_２レーザを露光光源として用いる場合には、酸素、水蒸気、アンモニウム塩、硫酸塩、炭化水素ガス等が露光光が通過する空間内に存在する場合、それらの物質は露光光を吸収する吸光物質となる。また、有機ガスは露光光と反応して、光学素子の表面に曇りを生じさせる。ここで、露光装置内に光学素子、ステージ等を駆動する駆動機構が存在する場合には、その駆動機構への給電、信号伝達のための配線の被覆物質等から極微量ながら揮発する有機質等も、吸光物質となる。さらに、前記光学素子、それら光学素子を収容する鏡筒の内壁に付着していた付着物の揮発物等、いわゆる脱ガスも吸光物質となり得る。
【０００５】
特にＦ_２レーザを露光光源として用いる場合には、ＡｒＦエキシマレーザを用いる場合に比べて、前記吸光物質による吸収が大きく、前記基板に到達するまでにそのエネルギが著しく低下することがある。このように、露光光自体のエネルギが低下したり、光学素子の曇りによって露光光の透過率が低下したりすると、露光装置の露光効率が低下し、製品の歩留まりが低下することになる。
【０００６】
そこで、近年、不活性ガス、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等のガスを用いて前記露光光が通過する前記鏡筒内をパージする露光装置が開発されている。すなわち、ガスを鏡筒に供給して、前記吸光物質を含むガスを鏡筒に排出するものである。
【０００７】
さらに、前記ガスから有機物等の化学物質を取り除くためにケミカルフィルタが使用されている。ガスがケミカルフィルタを通過する際に化学物質が捕捉、除去され、その後、前記鏡筒内に供給される。なお、ケミカルフィルタとしては、イオン交換樹脂や活性炭等を使用したものが用いられる。
【０００８】
前述のように、露光光の露光効率をより良くするためには、露光光が通過する空間及びそのまわりの空間をより清浄にすることが必要である。
前記鏡筒の内部をより清浄に保つために、紫外光に応答する光触媒の酸化チタン層を設けた露光装置も提案されている（例えば、特許文献１）。光触媒は光を吸収すると、汚染物質、特には有機物を分解するための触媒作用を発揮する。特許文献１に記載の露光装置においては、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等を露光光源とし、紫外光に応答する酸化チタン層を露光装置を構成する一部の部材に設けている。この構成では、前記露光光の迷光を、光触媒を機能させるための光源としている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−１１１６０６号公報（明細書の段落番号［００４７］〜［００８１］、図２〜図７）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
前記鏡筒には部材同士の継目や、その内部と外部とをつなぐ配線等があるため鏡筒外部からの不純物の進入をわずかながら許してしまう。そのため、鏡筒の内部をより清浄にするためには、例えば、鏡筒だけではなく、露光装置の筐体の内部を全体的により清浄にすることが考えられる。
【００１１】
ところが、特許文献１に記載の露光装置は、紫外光に応答する光触媒層を設けたものであるため、その光触媒層を光学素子を収容する鏡筒の外側に設けることはできなかった。というのも、前記鏡筒の外側に紫外光に応答する光触媒層を設けるということは、露光光源とは別に、前記鏡筒の外側に光触媒を作用させるための紫外光光源を設ける必要がある。ここで、その光触媒を作用させるための紫外光は、前記鏡筒の外部に設けられた露光装置の動作を制御するための配線等に損傷を与えることがあるからである。加えて、その紫外光が、鏡筒に漏れ込むと、基板上の感光性材料に照射されてしまい露光精度が低下する虞もある。
【００１２】
本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的としては、清浄な環境を備えた露光装置、及びガスをより清浄にすることができるケミカルフィルタ、並びに高集積度のデバイスを効率よく製造可能なデバイスの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、露光光のもとで、マスク上に形成されたパターンの像を基板上に露光する露光装置本体を備える露光装置であって、前記露光装置本体と、該露光装置本体を収容する筐体と、露光装置本体を収容する筐体内に配置される部材との少なくとも一部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００１４】
この発明では、可視光応答型光触媒層に可視光が照射されると、その可視光応答型光触媒層に付着していた汚染物質が分解され、露光装置の内部及び周囲の雰囲気を清浄にすることができる。例えば、筐体外面に可視光応答型光触媒層を設けた場合においては、クリーンルームに設けられた可視光光源からの可視光が照射されるため、新たな可視光光源を設ける必要がない。また、筐体の内部に可視光応答型光触媒層を設けた場合においては、その可視光応答型光触媒層を機能させるための光が可視光であるため、紫外光の場合とは異なり、筐体内に設けられた配線等に及ぼす影響を大幅に低減することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明において、前記筐体内に、前記可視光応答型光触媒層を触媒として機能させるための可視光光源を設けたことを特徴とする。
【００１６】
この発明では、請求項１に記載の発明の作用に加えて、筐体内に可視光光源を設けることにより、筐体内をより清浄な雰囲気にすることができる。
請求項３に記載の発明では、請求項２に記載の発明において、少なくとも前記筐体の内面に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００１７】
この発明では、請求項２に記載の発明の作用に加えて、筐体内面に付着した汚染物質が分解される。筐体には、配線や部材同士の継目が存在するため、汚染物質が筐体外部から筐体内部へとわずかながら侵入し、筐体の内面に付着する場合がある。また、筐体内の配線の被覆からの揮発物が筐体の内面に付着する場合もある。筐体の内面に可視光応答触媒層を設けることによりそのような汚染物質を分解し、筐体内を清浄にすることができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の発明において、少なくとも前記筐体の外面に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００１９】
この発明では、請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の発明の作用に加えて、筐体外面に付着した汚染物質が分解される。筐体の外部には多くの汚染物質があるため、筐体外面には汚染物質が付着しやすい。筐体の外面に可視光応答型光触媒層を設けることによりそのような汚染物質を分解することができて、露光装置の設置環境を清浄にすることができる。
【００２０】
請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の発明において、前記露光装置本体内に供給するガス中に混入している化学物質を除去するケミカルフィルタを備え、前記ケミカルフィルタのフィルタ本体と、そのフィルタ本体を囲むハウジングとの少なくとも１つに可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００２１】
この発明では、請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の発明の作用に加えて、ケミカルフィルタで除去される化学物質の一部を光触媒で分解できるのでケミカルフィルタの寿命が延びる。従って、露光装置本体内に供給するガスを長期間にわたってより清浄にすることができる。
【００２２】
請求項６に記載の発明では、請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の発明において、前記筐体内に供給するガス中に混入している化学物質を除去するケミカルフィルタを備え、前記ケミカルフィルタのフィルタ本体と、そのフィルタ本体を囲むハウジングとの少なくとも１つに可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００２３】
この発明では、請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の発明の作用に加えて、フィルタ本体の上流側に可視光応答型光触媒層を設けることで、ケミカルフィルタに供給されるガス中の汚染物質の一部が分解されるため、ケミカルフィルタに到達するガスが清浄化され、ケミカルフィルタの寿命が延びる。従って、筐体内に供給するガスを長期間にわたってより清浄にすることができるとともに、露光装置本体をより清浄な雰囲気とすることができる。
【００２４】
請求項７に記載の発明では、請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の発明において、前記マスクを載置するマスク載置部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００２５】
この発明では、請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の発明の作用に加えて、マスク載置部に付着した汚染物質が分解される。これにより、マスクをより清浄な雰囲気下に載置することができ、マスクの汚染による露光効率の低下を抑制することができる。
【００２６】
請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７のうちいずれか一項に記載の発明において、前記基板を載置する基板載置部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００２７】
この発明では、請求項１〜請求項７のうちいずれか一項に記載の発明の作用に加えて、基板載置部に付着した汚染物質が分解される。ここで、基板載置部は、基板に塗布された感光性材料からの揮発物等で、比較的汚染されやすい環境にある。このため、基板載置部の汚染物質が分解され、基板載置部が清浄化されることで、その基板載置部に近接して配置される露光装置本体における投影光学系先端の光学素子の汚染を効率よく抑制することができる。
【００２８】
請求項９に記載の発明では、フィルタ本体及び前記フィルタ本体を囲むハウジングとを有して化学物質を除去するケミカルフィルタであって、前記フィルタ本体と、前記ハウジングとの少なくとも１つに可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする。
【００２９】
この発明では、ケミカルフィルタに付着した化学物質が分解され、ケミカルフィルタを通過した後のガスを長期にわたってより清浄にすることができる。
請求項１０に記載の発明では、請求項９に記載の発明において、前記フィルタ本体又は、前記ハウジングに、前記可視光応答型光触媒層を触媒として機能させるための可視光光源を設けたことを特徴とする。
【００３０】
この発明では、請求項９に記載の発明の作用に加え、ハウジングに設けた可視光光源からの可視光が可視光応答型光触媒層に照射される。そのため、可視光がより確実に可視光応答型光触媒層に照射され、可視光応答型光触媒層をより確実に機能させることができる。
【００３１】
請求項１１に記載の発明では、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程で請求項１〜請求項８のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とする。
【００３２】
この発明では、高集積度のデバイスを歩留まりよく製造することができる。
次に、前記各請求項に記載の発明に含まれる技術的思想について以下に例示する。
【００３３】
（１） 前記マスクを載置するマスク載置部を内部に有するマスク室を備え、前記マスク室の内部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項８のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【００３４】
このように構成すれば、マスク室内部に付着した汚染物質が分解され、マスク室内部を清浄にすることができる。マスク室内部は露光光が通過する空間であるため、清浄であることが好ましい。加えて、マスク室が清浄であることにより、マスクへの汚染物質の付着が抑制される。このため、露光装置本体の露光効率を向上させることができる。
【００３５】
（２） 前記基板を載置する基板載置部を内部に有する基板室を備え、前記基板室の内部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項８、前記（１）のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【００３６】
このように構成すれば、基板室内部に付着した汚染物質が分解される。ここで、基板室の内面は、基板に塗布された感光性材料からの揮発物を含む汚染物質が付着しやすい。これに対して、基板室内部に可視光応答型光触媒層を設けることにより、そのような汚染物質が分解され、基板室内部を清浄にすることができる。そして、基板室内に露出する露光装置本体における投影光学系の先端の光学素子の汚染を効率よく抑制することができる。
【００３７】
（３） 前記マスクを交換するときに一時的にマスクが収容されるマスク予備室を備え、前記マスク予備室の内部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項８、前記（１），（２）のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【００３８】
このように構成すれば、マスク予備室内部に付着した汚染物質が分解される。なお、マスク予備室は、マスク交換の際、一時的に筐体外部に開放される。そのため、筐体外部からの汚染物質が侵入しやすく、マスク予備室内部には汚染物質が付着しやすい。これに対して、マスク予備室内部に可視光応答型光触媒層を設けることにより、筐体内への汚染物質の侵入が効果的に抑制され、ひいては、マスクをより清浄な状態に保つことができる。
【００３９】
（４） 前記基板を交換するときに一時的に基板が収容される基板予備室を備え、前記基板予備室の内部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項８、前記（１）〜前記（３）のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【００４０】
このように構成すれば、基板予備室内部に付着した汚染物質が分解される。なお、基板予備室は、基板交換の際、一時的に筐体外部に開放される。そのため、筐体外部からの汚染物質が侵入しやすく、基板予備室内部には汚染物質が付着しやすい。これに対して、基板予備室内部に可視光応答型光触媒層を設けることにより、筐体内への汚染物質の侵入が効果的に抑制され、ひいては、露光装置本体における基板の周辺の雰囲気を清浄にすることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明を半導体素子製造用の露光装置に具体化した一実施の形態を図１及び図２に従って説明する。
【００４２】
図１に示すように、露光装置１０は、光源としての露光光源１１と露光装置本体１２とビーム・マッチング・ユニット（以下、「ＢＭＵ」という。）１３とを備える。前記露光装置本体１２は、筐体１４内に収容され、照明系鏡筒１５、マスク室としてのレチクル室１６、投影系鏡筒１７、及び基板室としてのウエハ室１８とからなっている。前記露光光源１１は、露光光ＥＬとして、例えばＦ_２レーザ光（λ＝１５７ｎｍ）を出射するレーザ光源となっている。前記ＢＭＵ１３は複数の光学素子で構成され、これら複数の光学素子はＢＭＵ室１９に収容される。このＢＭＵ１３は、露光光源１１と露光装置本体１２とを光学的に接続し、このＢＭＵ１３を介して露光光源１１から出射された露光光ＥＬが露光装置本体１２内に導かれるようになっている。
【００４３】
露光装置１０は、露光光ＥＬの照射により、マスクとしてのレチクルＲ上に形成されたパターンの像を基板としてのウエハＷ上に転写するものである。以下に、露光装置１０の概略について説明する。
【００４４】
筐体１４の内部には、照明系鏡筒１５、マスク室としてのレチクル室１６、投影系鏡筒１７、及び基板室としてのウエハ室１８が、前記ＢＭＵ１３を介して導入された露光光ＥＬの光軸方向に順次配置されている。これら鏡筒１５，１７、両室１６，１８及び前記ＢＭＵ室１９は、露光光源１１からウエハＷに至る露光光ＥＬの光路を含む空間を形成している。
【００４５】
前記照明系鏡筒１５内には、前記レチクルＲを照明するための照明光学系２３が収容されている。この照明光学系２３は、複数のミラー２４、オプティカルインテグレータをなすフライアイレンズ（ロッドインテグレータでもよい）２５、コンデンサレンズ２６等の光学素子からなっている。前記フライアイレンズ２５は、前記露光光源１１からの露光光ＥＬの入射により、その後方面に前記レチクルＲを均一な照度分布で照明する多数の二次光源を形成する。そのフライアイレンズ２５の後方には、前記露光光ＥＬの形状を整形するためのレチクルブラインド２７が配置されている。
【００４６】
前記照明系鏡筒１５は、露光光ＥＬの光軸方向に複数の照明気密室２９に区画されており、照明系鏡筒１５の両端及び各照明気密室２９の間における露光光ＥＬの光路上には光学素子として平行平板ガラス２８が装着されている。この平行平板ガラス２８は、露光光ＥＬを透過する物質（合成石英、蛍石など）により形成されている。
【００４７】
また、前記ＢＭＵ室１９の開口部１９ａにも、前記平行平板ガラス２８が装着されている。そして、ＢＭＵ室１９の端部と、照明系鏡筒１５のＢＭＵ室１９側端部とを繋ぐように設けられた蛇腹２１によって、ＢＭＵ室１９と、照明系鏡筒１５とが連結された状態となっている。また、各照明気密室２９には、前記ミラー２４、前記フライアイレンズ２５、及びコンデンサレンズ２６の各光学素子や、前記レチクルブラインド２７が単独であるいはいくつか組み合わされて収容されている。
【００４８】
また、前記投影系鏡筒１７内には、前記照明光学系２３によって照明されるレチクルＲ上のパターンの像を前記ウエハＷ上に投影するための投影光学系３２が収容されている。この投影光学系３２は、光学素子として複数（この例では２つ）のカバーガラス３３と、複数のレンズエレメント３４とからなっている。各レンズエレメント３４は、１つ又はいくつか組み合わされて鏡筒ユニット３６に収容されている。そして、投影系鏡筒１７は、複数の鏡筒ユニット３６が積み重ねられて構成され、その内部には、前記投影系鏡筒１７の内壁及び前記カバーガラス３３によって、投影気密室３５が区画形成されている。
【００４９】
レチクル室１６には、マスク載置部としてのレチクルステージＲＳＴが配置されている。このレチクルステージＲＳＴにより、レチクルＲが前記露光光ＥＬの光軸と直交する面内で移動可能に保持されるようになっている。ウエハ室１８には、基板載置部としてのウエハステージＷＳＴが配置されている。ウエハステージＷＳＴにより、前記露光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布された前記ウエハＷが、その露光光ＥＬの光軸と直交する面内において移動可能、かつその光軸に沿って微動可能に保持されるようになっている。
【００５０】
前記レチクルステージＲＳＴの端部には、干渉計（図示略）からのレーザビームを反射する移動鏡が固定されている。そして、レチクルステージＲＳＴは、この干渉計によって走査方向の位置が常時検出され、主制御系２０の制御のもとで、所定の走査方向に駆動されるようになっている。
【００５１】
また、ウエハステージＷＳＴの端部には、干渉計（図示略）からのレーザビームを反射する移動鏡が固定されており、ウエハステージＷＳＴが可動する平面内での位置は干渉計によって常時検出される。そして、ウエハステージＷＳＴは、主制御系２０の制御のもとで、前記走査方向の移動のみならず、走査方向に垂直な方向にも移動可能に構成されている。これにより、ウエハＷ上の各ショット領域毎に走査露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が可能になっている。
【００５２】
ここで、ステップ・アンド・スキャン方式により、レチクルＲ上の回路パターンをウエハＷ上のショット領域に走査露光する場合、レチクルＲ上の照明領域が、前記レチクルブラインド２７で長方形（スリット）状に整形される。この照明領域は、レチクルＲの走査方向に対して垂直な方向に長手方向を有するものとなっている。そして、レチクルＲを露光時に所定の速度Ｖｒで走査することにより、前記レチクルＲ上の回路パターンを前記スリット状の照明領域で一端側から他端側に向かって順次照明する。これにより、前記照明領域内におけるレチクルＲ上の回路パターンが、前記投影光学系３２を介してウエハＷ上に投影され、投影領域が形成される。
【００５３】
ここで、ウエハＷはレチクルＲとは倒立結像関係にあるため、前記レチクルＲの走査方向とは反対方向に前記レチクルＲの走査に同期して所定の速度Ｖｗで走査される。これにより、ウエハＷのショット領域の全面が露光可能となる。走査速度の比Ｖｗ／Ｖｒは投影光学系３２の縮小倍率に応じたものになっており、レチクルＲ上の回路パターンがウエハＷ上の各ショット領域上に正確に縮小転写される。
【００５４】
露光装置１０には２つのガス供給系４０，５０が設けられている。ガス供給系５０には送風機４７が設けられており、前記送風機４７より、ガスとしてのクリーンルーム内の空気が筐体１４内に供給されるようになっている。
【００５５】
また、前記ＢＭＵ室１９、各照明気密室２９、レチクル室１６、投影気密室３５及びウエハ室１８の壁部に形成された開口３９には、ガス供給系４０が接続されている。そして、前記ＢＭＵ室１９及び各室２９，１６，３５，１８には、前記ガス供給系４０及び各開口３９を介して、マイクロデバイス工場のユーティリティプラント内のタンク４１より、ガスとしての不活性ガスが供給されるようになっている。ここで、前記不活性ガスとは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の中から選択された単体のガス、あるいはその混合ガスである。
【００５６】
ここで、クリーンルーム内の空気や不活性ガス中には、前記ミラー２４，フライアイレンズ２５、コンデンサレンズ２６、平行平板ガラス２８、カバーガラス３３及びレンズエレメント３４等の光学素子の表面上に、露光光ＥＬの照射下で堆積して曇り現象を生させる汚染物質が不純物として含まれることがある。
【００５７】
このため、前記ガス供給系４０の給気配管４２中には、ガス中に含まれる上記汚染物質や吸光物質を含む不純物を除去するためのケミカルフィルタ４３及び不活性ガスを所定の温度に調整するとともにガス中の水分を除去する温調乾燥器４４が介装されている。また、ガス供給系５０の給気配管４２中には、前記ケミカルフィルタ４３と、筐体１４内をほぼ一定の温湿度雰囲気に調節するための調湿調温器４９が介装されている。
【００５８】
筐体１４は、その筐体１４内の空気やＢＭＵ室１９及び露光装置本体１２の各室１６，１８，２９，３５に供給されたガスを排気するための排気口４８を備えており、前記排気口４８は半導体素子製造工場の排気ダクト４６に接続されている。これにより、筐体１４、前記ＢＭＵ室１９、各室２９，１６，３５，１８内に供給されたガスは、前記排気ダクト４６を介して、工場の外部に排出されるようになっている。なお、前記ＢＭＵ室１９及び各室２９，１６，３５，１８は、ガス排出管４５を介して前記排気口４８に接続されている。
【００５９】
なお、筐体１４及びＢＭＵ室１９並びに各室２９，１６，３５，１８内に存在する前記汚染物質としては、例えば有機ケイ素化合物、アンモニウム塩、硫酸塩、ウエハＷ上のレジストからの揮発物、駆動部を有する構成部品に使用される摺動性改善剤からの揮発物、筐体１４内の電気部品に給電あるいは信号供給するための配線の被覆層からの揮発物等がある。
【００６０】
また、露光装置１０には、前記レチクル室１６と隣接するようにマスク予備室としての予備室１６ａが設けられている。この予備室１６ａは、前記レチクル室１６と連通及び遮断可能であるとともに、筐体１４の外部と連通及び遮断可能な構造になっている。さらに、この予備室１６ａにも、前記ガス供給系４０及びガス排出管４５が接続されている。
【００６１】
レチクルＲの交換は、予備室１６ａを介して行われる。レチクルＲの交換に際し、予備室１６ａと露光装置１０の外部とを連通させる場合は、レチクル室１６は予備室１６ａと遮断された状態にする。そして、予備室１６ａとレチクル室１６とを連通させる場合は、予備室１６ａは、露光装置１０の外部から遮断された状態にするとともに、不活性ガスで置換した状態にする。レチクル室１６内のレチクルＲの交換は、必ず不活性ガスにより所定のガス状態に調整された予備室１６ａを介して行われるようになっており、レチクル室１６を外部に直接開放することがない。
【００６２】
また露光装置１０には、前記ウエハ室１８と隣接するように基板予備室としての予備室１８ａが設けられている。この予備室１８ａは、前記ウエハ室１８と連通及び遮断可能であるとともに、筐体１４の外部に対しても連通及び遮断可能な構造になっている。さらに、この予備室１８ａにも、前記ガス供給系４０及びガス排出管４５が接続されている。
【００６３】
ウエハＷの交換は、前記レチクルＲの交換の過程に準じた過程を通じて行われる。すなわち、前記ウエハＷの交換を、不活性ガスにより所定のガス状態に調整された前記予備室１８ａを介して行うことで、この交換がウエハ室１８を外部に直接開放することなく行われるようになっている。
【００６４】
露光装置１０においては、複数の箇所に可視光応答型光触媒層８０と、その可視光応答型光触媒層８０を触媒として機能させるための可視光光源６４とが設けられている。この可視光光源６４からは、ウエハＷに塗布されたフォトレジストに影響を与えない波長域の可視光が発せられるため、仮に、可視光光源６４からの可視光が迷光としてウエハＷ上に到達したとしても、問題はない。なお、図においては薄膜である可視光応答型光触媒層８０の厚さを誇張して表現している。
【００６５】
筐体１４の内面には、そのほぼ全面を覆うように可視光応答型光触媒層８０が設けられている。この可視光応答型光触媒層８０は、例えば、ブルッカイト型酸化チタン、窒素ドープ型酸化チタン、硫黄ドープ型酸化チタン、酸化タングステン、ニッケルドープＩｎＴａＯ_４、ＩｎＶＯ_４、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｍ（ＢａＯ）_ｎ等からなる薄膜からなっている。また、筐体１４の内部には、その可視光応答型光触媒層８０を触媒として機能させるための、複数（図１においては、１つのみ図示している）の可視光光源６４が設けられている。
【００６６】
レチクル室１６の内面と、レチクルステージＲＳＴの表面には可視光応答型光触媒層８０が設けられている。また、レチクル室１６内には、その可視光応答型光触媒層８０を機能させるための可視光光源６４が設けられている。
【００６７】
ウエハ室１８の内面及びウエハステージＷＳＴの表面には可視光応答型光触媒層８０が設けられるとともに、ウエハ室１８内にはその可視光応答型光触媒層８０を機能させるための可視光光源６４が設けられている。
【００６８】
予備室１６ａ，１８ａの内面にも可視光応答型光触媒層８０が設けられており、予備室１６ａ，１８ａ内にはその可視光応答型光触媒層８０を機能させるための可視光光源６４が設けられている。
【００６９】
次に、ケミカルフィルタ４３の構成について図２に従って説明する。
ケミカルフィルタ４３はフィルタ本体６１とハウジング６２とシート６３とからなる。フィルタ本体６１は、例えば、イオン交換樹脂を含有しており、この場合はイオン交換樹脂がそれを通過するガス中の化学物質を捕捉する。前記フィルタ本体６１は、前記ハウジング６２内に着脱可能に装着されている。ハウジング６２は、フィルタ本体６１の両側面に、対向するように２つの開口６７ａ，６７ｂが設けられており、このケミカルフィルタ４３においては、開口６７ａからガスが流入し、開口６７ｂからガスが流出するようになっている。
【００７０】
ハウジング６２内部において、不活性ガス又は空気の上流側、つまり開口６７ａ側（図２における左側）には通気性を有するシート６３が設けられている。このシート６３は、フィルタ本体６１の一面を覆うようにして、ハウジング６２の内面に固着されている。前記シート６３における上流側面には、可視光応答型光触媒層８０が設けられている。また、ハウジング６２内には、前記可視光応答型光触媒層８０を機能させるための可視光光源６４が設けられている。
【００７１】
次に、露光装置１０の作用のうち、可視光応答型光触媒層８０に関する作用について説明する。
筐体１４には、筐体１４を構成する部材同士の継目、ＢＭＵ室１９との継目、給気配管４２との継目等の継目が存在する。その継目にシール部材を配設したとしても、そのシール性が低下すると、筐体１４内へと汚染物質が侵入し、筐体１４の内面に汚染物質が付着することになる。また、筐体１４内に設けられた、例えば、配線被覆の有機材料からの揮発物が、筐体１４の内面に汚染物質として付着することもある。
【００７２】
レチクル室１６には、鏡筒１５，１７との継目、予備室１６ａとの継目等の継目が存在する。ここでも、その継目のシール部材のシール性が低下すると、レチクル室１６内へと汚染物質が侵入し、レチクルステージＲＳＴやレチクル室１６の内面に汚染物質が付着することになる。
【００７３】
ウエハ室１８には、投影系鏡筒１７との継目、予備室１８ａとの継目等の継目が存在する。ここでも、その継目のシール部材のシール性が低下すると、ウエハ室１８内へと汚染物質が侵入し、ウエハステージＷＳＴやウエハ室１８の内面に汚染物質が付着することになる。また、ウエハＷに塗布されたフォトレジストからの揮発物が汚染物質としてウエハステージＷＳＴやウエハ室１８の内面に付着することもある。
【００７４】
予備室１６ａや予備室１８ａは、レチクルＲやウエハＷの交換の際に、露光装置１０の外部と連通される。その時に、露光装置１０の外部から予備室１６ａや予備室１８ａ内へと汚染物質が侵入し、予備室１６ａや予備室１８ａの内部に汚染物質が付着することがある。
【００７５】
不活性ガス又は空気は、開口６７ａからケミカルフィルタ４３に流入し、シート６３とフィルタ本体６１とを通過して、開口６７ｂから流出する。このとき、流入する不活性ガス又は空気中に汚染物質が微量ながら含まれていることがある。この汚染物質は、シート６３の表面に設けられた可視光応答型光触媒層８０に付着する。この、可視光応答型光触媒層８０上の汚染物質は、可視光光源６４からの可視光の照射により分解される。これにより、フィルタ本体６１に供給される不活性ガス又は空気が一部清浄化される。また、シート６３により捕捉されず、フィルタ本体６１内に侵入した汚染物質は、フィルタ本体６１のイオン交換樹脂により捕捉される。これにより、さらに清浄化された不活性ガス又は空気が、露光装置本体１２又は筐体１４内に供給される。
【００７６】
そして、極微量ながら露光装置本体１２又は筐体１４内に侵入した、あるいは内部で発生した汚染物質は、各所に設けた可視光光源６４を用いて、可視光応答型光触媒層８０に可視光の照射を行うと、可視光応答型光触媒層８０上で分解され、各所が清浄な状態となる。
【００７７】
この実施の形態では次の効果を有する。
（イ） 筐体１４の内面に可視光応答型光触媒層８０を設けるとともに、筐体１４内に可視光光源６４を設けている。これにより、部材同士の継目から筐体１４内に侵入した汚染物質や配線の被覆からの揮発物が、筐体１４の内面に付着して、可視光光源６４からの可視光により可視光応答型光触媒層８０が活性化され、前記の汚染物質が分解される。従って、筐体１４内を清浄に保つことができる。これにより、筐体１４内から露光装置本体１２内への汚染物質の侵入が抑制され、露光装置本体１２内を長期間にわたってより清浄に保つことができる。
【００７８】
また、可視光応答型光触媒層８０に照射される光が可視光であるため、汚染物質の分解に紫外光を利用する場合に比べ、筐体１４内の配線等に及ぼす影響を大幅に低減することができる。また、筐体１４内に可視光光源６４を設けたことで、筐体１４の内部に、例えば、クリーンルーム等の筐体１４外部から可視光を導入する必要がない。このため、筐体１４を必ずしも透光性を有する材料で形成する必要がなく、例えば、強度に優れ、材料自体からの揮発物が少なくて清浄性に優れた金属材料で形成することができる。
【００７９】
（ロ） ケミカルフィルタ４３に、可視光応答型光触媒層８０を備えたシート６３及び可視光光源６４を設けている。開口６７ａから流入した、不活性ガスや空気に含まれる汚染物質がシート６３に付着し、可視光光源６４からの可視光により可視光応答型光触媒層８０の光触媒が活性化され、前記の汚染物質が分解される。従って、筐体１４内に供給される空気、及び各室１６，１６ａ，１８，１８ａ，１９，２９，３５に供給される不活性ガスをより清浄にすることができる。また、フィルタ本体６１に供給される汚染物質が低減され、フィルタ本体６１も清浄に保つことができ、フィルタ本体６１における汚染物質の捕捉性能の低下が抑制され、ケミカルフィルタ４３の寿命が長くなる。
【００８０】
（ハ） レチクルステージＲＳＴの表面と、レチクル室１６の内面とに可視光応答型光触媒層８０を設けるとともに、レチクル室１６内に可視光光源６４を設けている。前述のように、レチクル室１６内には、わずかながら汚染物質が侵入しても、可視光光源６４からの可視光により可視光応答型光触媒層８０上で前記汚染物質が分解される。従って、レチクルステージＲＳＴ及びレチクル室１６の内面及び内部を清浄に保つことができる。また、レチクルＲの置かれる環境が清浄となるため、レチクルＲに付着する汚染物質が減少し、レチクルＲ上の露光パターンを正確にウエハＷ上に再現することができ、露光精度及び露光効率を高く保つことができる。
【００８１】
（ニ） ウエハステージＷＳＴ及びウエハ室１８の内面に可視光応答型光触媒層８０を設けるとともに、ウエハ室１８内に可視光光源６４を設けている。ウエハステージＷＳＴ及びウエハ室１８の内面には、ウエハ室１８の外部から侵入してきた汚染物質に加えて、ウエハＷに塗布されたフォトレジストからの揮発物も汚染物質として付着する。しかしながら、可視光光源６４からの可視光により可視光応答型光触媒層８０が活性化され、前記汚染物質が分解される。従って、ウエハステージＷＳＴ及びウエハ室１８の内面、ウエハ室１８内部を清浄にすることができる。
【００８２】
（ホ） 予備室１６ａ，１８ａの内面に可視光応答型光触媒層８０を設けるとともに、予備室１６ａ，１８ａ内に可視光光源６４を設けている。予備室１６ａ，１８ａはレチクルＲやウエハＷを交換する際に外部に開放されるため、外部からの汚染物質が進入しやすく、予備室１６ａ，１８ａの内面には汚染物質が付着しやすい。しかし、可視光光源６４からの可視光により、可視光応答型光触媒層８０上の前記汚染物質が分解される。従って、予備室１６ａ，１８ａを清浄にすることができて、レチクルＲやウエハＷを清浄に保つことができる。
【００８３】
（へ） （イ）〜（ホ）において述べたように、可視光応答型光触媒層８０の触媒作用によって汚染物質が分解され、露光装置１０内が全体的に清浄となり、ひいては、露光光ＥＬの通過する露光装置本体１２内の空間を清浄な状態とすることができる。これにより、露光光ＥＬを吸収する汚染物質が低減され、露光光ＥＬの露光エネルギが低下するのを抑制することができる。従って、露光装置１０の露光効率を向上させることができる。
【００８４】
（ト） 可視光応答型光触媒層８０は可視光で活性化され、一方、ウエハＷに塗布されたフォトレジストは可視光とは波長が大きく異なるＦ_２レーザで露光される。従って、可視光光源６４から発せられる可視光が露光光ＥＬの光路内に漏れ込んで、その可視光がウエハＷに照射されたとしても、レチクルＲのパターンの像の転写に影響を及ぼす虞がない。そのため、露光装置１０の動作中、即ち、露光光ＥＬがウエハＷに照射されている間も、可視光光源６４から可視光応答型光触媒層８０へと可視光を常に照射することができる。
【００８５】
（チ） 露光光源１１とは別に、可視光応答型光触媒層８０を機能させるための可視光光源６４を設けている。従って、露光光源１１を起動させていない場合においても、可視光光源６４のみを点灯させて可視光応答型光触媒層８０に可視光を照射することで、露光装置１０内を清浄に保つことができる。ちなみに、露光装置１０を装置メーカーの工場での製造完了から、半導体製造工場のクリーンルーム内での露光装置１０の立ち上げの完了までには約１〜２ヶ月間の期間を要することがある。その間、可視光光源６４のみを点灯させておくことで、露光装置１０の内部を清浄に保つことができる。特に、露光装置１０を航空機で輸送する場合には、露光装置１０の内部に常に清浄なガスを供給して、その露光装置１０の内部を清浄な状態に保つことは困難である。これに対して、本発明の露光装置１０では、可視光光源６４をバッテリー等の電源に接続することで、容易に可視光光源６４を点灯することができる。これにより、輸送中においても、露光装置１０の内部を容易に正常な状態に保つことができる。
【００８６】
（リ） 可視光光源６４を設けているため、作業者が目視で確認をしながら、露光装置１０内部のメンテナンスを行う場合において、可視光光源６４を点灯させることによって露光装置１０の内部を明るくして、そのメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００８７】
実施の形態は前記に限らず、例えば次のように具体化してもよい。
（変形例）
・ 可視光応答型光触媒層８０を設ける部分は前記の部分に限らず、例えば、鏡筒１５，１７の外面に可視光応答型光触媒層８０を設けてもよい。特に、投影系鏡筒１７のウエハ室１８に収容される先端部分は、ウエハＷ上に塗布されたフォトレジストからの揮発物が付着しやすく、比較的汚染されやすい状況にある。ここで、この投影系鏡筒１７の先端部分の外面に可視光応答型光触媒層８０を設けることで、この外面上の汚染物質を効率よく分解することができる。
【００８８】
また、可視光応答型光触媒層８０を筐体１４の外面に設けてもよい。この場合、露光装置１０の置かれたクリーンルームの可視光光源から可視光が照射されるため、新たな可視光光源を設ける必要はない。筐体１４の外面に付着した汚染物質が可視光応答型光触媒層８０により分解され、また、クリーンルーム内における露光装置１０近傍の雰囲気の清浄化を図ることができて、クリーンルームから筐体１４の内部への汚染物質の侵入を効果的に抑制することができる。
【００８９】
・ 露光光ＥＬはＦ_２レーザ光に限らず、例えば、ｇ線（λ＝４３６ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、Ｋｒ_２レーザ（λ＝１４６ｎｍ）、Ａｒ_２レーザ（λ＝１２６ｎｍ）等を用いてもよい。また、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いてもよい。これらのうちで、Ｆ_２レーザ光より長波長の光を露光光ＥＬとする場合は、Ｆ_２レーザ光を露光光ＥＬとする場合に比べると、鏡筒１５，１７やレチクル室１６、ウエハ室１８の密閉性はそれほど必要ではなく、それらの密閉性は低く構成されている。また、場合によってはレチクル室１６やウエハ室１８を装備していないこともある。そのため、筐体１４内から露光装置本体１２内へと汚染物質が侵入しやすくなっている。このため、特に、好適に鏡筒１５，１７内への汚染物質の付着を抑制することができる。
【００９０】
・ ケミカルフィルタ４３において、可視光応答型光触媒層８０をフィルタ本体６１の下流側に設けてもよい。また、フィルタ本体６１として、イオン交換樹脂と可視光応答型光触媒とが共存するようなものを用いてもよい。また、可視光応答型光触媒層８０をハウジング６２の外面に設けてもよい。ハウジング６２の外面に付着した汚染物質が分解され、ケミカルフィルタ４３のハウジング６２の周囲の雰囲気を清浄化することができて、給気配管４２と開口６７ａとの継目からハウジング６２の内部へと侵入することが抑制される。このため、ケミカルフィルタ４３を通過するガスをより清浄なものとすることができる。
【００９１】
・ ケミカルフィルタ４３の構成は前記のものに限らず、例えば、図３に示すように構成してもよい。図３に示すケミカルフィルタ４３は、フィルタ本体６５の上流部６５ａが可視光応答型光触媒とイオン交換樹脂とを含有し、下流部６５ｂはイオン交換樹脂のみを含有し、可視光応答型光触媒を含まない構成となっている。そして、可視光光源６４からの可視光により上流部６５ａにおいて捕捉されたガス状の汚染物質を分解することができる構成となっている。
【００９２】
・ ケミカルフィルタ４３を筐体１４の外部に設けてもよい。
・ 筐体１４及びハウジング６２の少なくとも一部が可視光を透過する材質、例えばガラス、透明樹脂で構成してもよい。この場合、筐体１４及びハウジング６２の内部に可視光光源６４を設けることなく、筐体１４及びハウジング６２の外部から入射してくる可視光により可視光応答型光触媒層８０を活性化させることができる。
【００９３】
・ 可視光応答型光触媒層８０及び可視光光源６４を有するケミカルフィルタ４３を、所定のガスを所定の温度及び湿度状態に調整して、露光装置１０内に供給するガス調整装置内に設けてもよい。
【００９４】
・ ケミカルフィルタは、露光装置に使用するものに限らず、例えば、クリーンルームや、他の半導体製造装置等に供給するガスを清浄にするために使用するものであってもよい。
【００９５】
・ 前記各実施形態において、投影光学系３２としては、屈折タイプに限らず、反射屈折タイプ、反射タイプであってもよい。また、露光装置としては、少なくとも１つの光学素子を含む露光装置であればよく、例えば投影光学系３２を用いることなく、マスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するコンタクト露光装置、マスクと基板とを近接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも本発明を同様に適用することができる。
【００９６】
・ 本発明の露光装置は、縮小露光型の露光装置に限定されるものではなく、例えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置であってもよい。
・ また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては、石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、または水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置などでは、透過型マスク（ステンシルマスク、メンバレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
【００９７】
・ また、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いらる露光装置に具体化してもよい。デバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などにも、本発明を適用することができる。
【００９８】
・ また、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の一括露光型の露光装置にも、本発明を適用することができる。
【００９９】
なお、前記実施形態の露光装置は、大略、例えば次のように製造される。
すなわち、まず、投影光学系３２を構成する複数のレンズエレメント３４及びカバーガラス３３等を、前記各実施形態の投影系鏡筒１７に収容する。また、ミラー２４及び各レンズ２５，２６等の光学素子からなる照明光学系２３を照明系鏡筒１５内に収容する。そして、これらの照明光学系２３及び投影光学系３２を露光装置本体１２に組み込み、光学調整を行う。次いで、多数の機械部品からなるウエハステージＷＳＴ（スキャンタイプの露光装置の場合は、レチクルステージＲＳＴも含む）を露光装置本体１２に取り付けて配線を接続する。そして、露光光ＥＬの光路内にガスを供給するガス供給系４０，５０の配管を接続した上で、さらに総合調整（電気調整、動作確認など）を行う。
【０１００】
ここで、前記各鏡筒１５，１７を構成する各部品は、超音波洗浄などにより、加工油や、金属物質などの不純物を落としたうえで、組み上げられる。なお、露光装置の製造は、温度、湿度や気圧が制御され、かつクリーン度が調整されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
【０１０１】
次に、上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
図４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【０１０２】
図４に示すように、まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、デバイス（マイクロデバイス）の機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レクチルＲ等）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラスプレート等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【０１０３】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入等）等の工程が必要に応じて含まれる。
【０１０４】
最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１０５】
図５は、半導体デバイスの場合における、図４のステップＳ１０４の詳細なフローの一例を示す図である。図５において、ステップＳ１１１（酸化ステップ）では、ウエハＷの表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）では、ウエハＷ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）では、ウエハＷ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）では、ウエハＷにイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜Ｓ１１４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１０６】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハＷに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、先に説明したリソグラフィシステム（露光装置）によってマスク（レチクルＲ）の回路パターンをウエハＷ上に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）では露光されたウエハＷを現像し、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【０１０７】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハＷ上に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップＳ１１６）において、真空紫外域の露光光ＥＬにより解像力の向上が可能となり、露光量制御を高精度に行うことができる。従って、露光精度を向上することができて、最小線幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まりよく製造することができる。
【０１０８】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１に記載の発明によれば、露光装置の内部及び周囲の雰囲気を清浄にすることができる。
【０１０９】
また、請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加えて、筐体内をより清浄な雰囲気にすることができる。
また、請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明の効果に加えて、筐体内を清浄にすることができる。
【０１１０】
また、請求項４に記載の発明によれば、請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の発明の効果に加えて、露光装置の設置環境を清浄にすることができる。
【０１１１】
また、請求項５に記載の発明によれば、請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の発明の効果に加えて、露光装置本体内に供給するガスをより清浄にすることができる。
【０１１２】
また、請求項６に記載の発明によれば、請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の発明の効果に加えて、筐体内に供給するガスをより清浄にすることができる。
【０１１３】
また、請求項７に記載の発明によれば、請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の発明の効果に加えて、マスクをより清浄な雰囲気下に載置することができる。
【０１１４】
また、請求項８に記載の発明によれば、請求項１〜請求項７のうちいずれか一項に記載の発明の効果に加えて、基盤載置部を清浄にすることができる。
また、請求項９に記載の発明によれば、ケミカルフィルタを通過した後のガスをより清浄にすることができる。
【０１１５】
また、請求項１０に記載の発明によれば、請求項９に記載の発明の効果に加えて、可視光応答型光触媒層をより確実に機能させることができる。
また、請求項１１に記載の発明によれば、高集積度のデバイスを歩留まりよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施の形態の露光装置を示す概略図。
【図２】ケミカルフィルタの断面図。
【図３】変更例のケミカルフィルタの断面図。
【図４】デバイスの製造工程を示すフローチャート。
【図５】半導体素子の製造工程を示すフローチャート。
【符号の説明】
１０…露光装置、１２…露光装置本体、１４…筐体、１５…露光装置本体を構成する照明系鏡筒、１６…同じくマスク室としてのレチクル室、１６ａ…マスク予備室としての予備室、１７…露光装置本体を構成する投影系鏡筒、１８…同じく基板室としてのウエハ室、１８ａ…基板予備室としての予備室、２４…光学素子としてのミラー、２５…同じくフライアイレンズ、２６…同じくコンデンサレンズ、２７…同じくレチクルブラインド、３４…光学素子としてのレンズエレメント、４３，６０…ケミカルフィルタ、６１，６５…フィルタ本体、６２…ハウジング、６４…可視光光源、８０…可視光応答型光触媒層、Ｒ…マスクとしてのレチクル、Ｗ…基板としてのウエハ、ＥＬ…露光光、ＲＳＴ…マスク載置部としてのレチクルステージ、ＷＳＴ…基板載置部としてのウエハステージ。

Claims (11)

1. 露光光のもとで、マスク上に形成されたパターンの像を基板上に露光する露光装置本体を備える露光装置であって、
   前記露光装置本体と、該露光装置本体を収容する筐体と、露光装置本体を収容する筐体内に配置される部材との少なくとも一部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする露光装置。
2. 前記筐体内に、前記可視光応答型光触媒層を触媒として機能させるための可視光光源を設けたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 少なくとも前記筐体の内面に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 少なくとも前記筐体の外面に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の露光装置。
5. 前記露光装置本体内に供給するガス中に混入している化学物質を除去するケミカルフィルタを備え、前記ケミカルフィルタのフィルタ本体と、そのフィルタ本体を囲むハウジングとの少なくとも１つに可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の露光装置。
6. 前記筐体内に供給するガス中に混入している化学物質を除去するケミカルフィルタを備え、前記ケミカルフィルタのフィルタ本体と、そのフィルタ本体を囲むハウジングとの少なくとも１つに可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の露光装置。
7. 前記マスクを載置するマスク載置部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
8. 前記基板を載置する基板載置部に可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項７のうちいずれか一項に記載の露光装置。
9. フィルタ本体及び前記フィルタ本体を囲むハウジングとを有して化学物質を除去するケミカルフィルタであって、
   前記フィルタ本体と、前記ハウジングとの少なくとも１つに可視光応答型光触媒層を設けたことを特徴とするケミカルフィルタ。
10. 前記フィルタ本体又は、前記ハウジングに、前記可視光応答型光触媒層を触媒として機能させるための可視光光源を設けたことを特徴とする請求項９に記載のケミカルフィルタ。
11. リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
    前記リソグラフィ工程で請求項１〜請求項８のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うデバイスの製造方法。

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