JP2005064443A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウエハWを保持する支持基板101と、該支持基板を加熱制御するヒーター部102と、ウエハW表面にオゾンガス106とオゾン水107を配管104及び105を通して連結された散布部103から散布する機構と、該散布部103から供給されたガス及び水等を配管108に通して排出した排出物109とから構成されて成るアッシング処理部を具備する基板処理装置等を用いて、ウエハ等に形成されたレジスト膜をオゾンガス処理に引き続いてオゾン水処理を施すことにより汚染も無く安全に完全除去すると共に、金属汚染やパーティクルの発生並びにウォーターマークの抑制が行う。
【選択図】図1
Description
1. ウエハを反応室に移送
2. 反応室内圧力を10Torrに減圧
3. オゾンガス吹付け(下記4の加熱開始とほぼ同時)
・ オゾン濃度:15%〜100%(100%オゾンガスは液体オゾンからの蒸発による)
・ 処理時間:約20秒(傾斜加熱反応)
・ 反応室内圧力:約800Torrに制御
4. 加熱開始(上記3のオゾンガス吹付けとほぼ同時)
・ 昇温時間:約20秒(傾斜加熱)
・ 加熱温度:約250℃に制御
・ オゾン水吹付け(下記6の加熱温度変更とほぼ同時)
・ オゾン濃度:30ppm以上
・ 処理時間:約10秒(傾斜冷却反応)
・ オゾン水流量:0.1リットル/分
・ 反応室内圧力:常圧
5. 加熱温度変更(上記5のオゾン水吹付けとほぼ同時)
・ 加熱温度:約80℃に制御
・ 処理時間:約10秒
・ 冷却時間:約10秒以内(常温のオゾン水吹付けによる傾斜冷却)
6. ウエハを反応室に移送
7. 反応室を密閉する
8. 希弗酸処理(酸化膜エッチング処理)
・ 弗酸濃度:0.1%〜0.3%
・ 流量:0.5リットル/分程度
・ 時間:10〜20秒吹付け
・ ウエハ回転:30〜50rpm
10. 超純水処理
・ 流量:2リットル/分程度
・ 時間:30〜50秒
・ ウエハ回転:30〜50rpm
11. クリーン窒素(N2)ガス吹付け
・ 流量:0.5リットル/分程度
・ 時間:15〜20秒
・ ウエハ回転:30〜50rpm
・
12. 乾燥処理
・ クリーンホット窒素(N2)ガス吹付け
・ 窒素(N2)ガス温度:160℃(ウエハ昇温)
・ ウエハ回転・時間:2,000rpm・2〜3秒
13. 加減圧パージ乾燥
・ 加圧力・時間:1.5kg/cm2・7〜9秒
・ 減圧力・時間:0.5kg/cm2・7〜9秒
・ 常温N2パージ:1サイクル処理
14. 処理室から取出し
101,201, 支持基板
102 ヒーター部
103,203 散布部
104,105,108,206,207,208 配管
106 オゾンガス
107 オゾン水
109,209 排出物
202 回転
206 エッチング液,超純水
207 窒素ガス,ホット窒素ガス
301:本体
302:処理系
303:アッシング部
304:加熱支持台
305:基板支持部
306:洗浄・乾燥部
307:支持台
308:基板支持部
309:基板搬送部
310:基板カセット入力部
311:基板カセット出力部
312:基板移送部
313:クリーンユニット系
314:排気系
315:薬液系
316:オゾン系
317:制御系
318:オゾナイザ系(オゾンガス,オゾン水)
Claims (6)
- 処理容器内に収容された被処理基板を加熱処理しながら高濃度オゾンガスを供給する第一の工程と、引き続いて高濃度オゾン水を供給しながら温度を制御する第二の工程を有することを特徴とする基板処理方法。
- 請求項1に示された基板にはレジスト膜が形成されており、かつ基板処理とは該レジスト膜の除去処理、いわゆるアッシング処理であることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項1に示された第一の工程の加熱処理とは、常温から250℃程度まで20秒間程度で昇温しながら高濃度オゾンガスを供給する傾斜昇温処理であり、第二の工程の温度制御とは、第一の工程での傾斜温度処理後に高濃度オゾン水を供給しながら250℃程度から80℃程度までに10秒間程度で傾斜冷却する温度制御処理であることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項1に示された高濃度オゾンガス中のオゾン濃度は15%以上100%程度までであり、高濃度オゾン水中のオゾン濃度は30ppm以上であることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項1ないし4に示された基板処理を経た被処理基板はその他の処理容器に移送され、前記被処理基板に形成された酸化物等をエッチング除去処理する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給して被処理基板表面を洗浄するリンス工程と、前記被処理基板に乾燥気体を供給して被処理基板表面表面に付着する水分を除去する乾燥工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
- 請求項1ないし4に示された密閉容器内で基板処理を経た被処理基板は、その他の処理容器等への移送工程を経て、前記被処理基板に形成された酸化物等をエッチング除去処理する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給して被処理基板表面を洗浄するリンス工程と、前記被処理基板に乾燥気体を供給して被処理基板表面表面に付着する水分を除去する乾燥工程とを具備することを特徴とする基板処理装置。
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JP2003329036A JP2005064443A (ja) | 2003-08-18 | 2003-08-18 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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JP2003329036A JP2005064443A (ja) | 2003-08-18 | 2003-08-18 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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JP2005064443A5 JP2005064443A5 (ja) | 2005-08-25 |
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JP2003329036A Pending JP2005064443A (ja) | 2003-08-18 | 2003-08-18 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006289750A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像処理方法及び装置並びにこれを備えた画像形成装置 |
JP2009515366A (ja) * | 2005-11-08 | 2009-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式フォトレジスト乾式剥離・アッシングシステム及び方法 |
JP2014009143A (ja) * | 2012-07-02 | 2014-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | ガラス基板エッチング装置およびガラス基板エッチング方法 |
-
2003
- 2003-08-18 JP JP2003329036A patent/JP2005064443A/ja active Pending
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