JP5181085B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Description
2 被処理物
3 保持手段
4 活性原子供給手段
5 薬液供給手段
Claims (17)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、被処理物を保持する保持手段と、
前記チャンバー内に誘導結合プラズマ法を用いて生成した活性原子を供給する活性原子供給手段と、
前記チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段とを有し、
前記活性原子供給手段と前記薬液供給手段とが一体化されており、
前記活性原子供給手段の供給口が、前記被処理物の表面に対向するように配置され、前記活性原子供給手段の供給口の周囲に前記薬液供給手段の供給口が前記被処理物の表面に対向するように配置され、
前記チャンバー内を大気圧から100Paの間の圧力で、前記被処理物の表面に対し、前記活性原子供給手段の供給口から供給される活性原子によるドライ処理及び前記薬液供給手段の供給口から供給される薬液によるウェット処理を行なうことを特徴とする処理装置。 - 前記活性原子供給手段は、大気圧下で前記活性原子を前記チャンバー内に供給することを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記保持手段は、保持した被処理物を回転可能であり、
前記活性原子供給手段の供給口は、前記被処理物の回転中心から半径方向に移動可能に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の処理装置。 - 前記薬液は硫酸を含み、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記薬液は水酸化アンモニウム、塩化水素酸、硫酸又は弗化水素酸を含み、前記活性原子は酸素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記被処理物は処理表面に半導体を含み、前記活性原子は水素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記薬液はリン酸を含み、前記活性原子はフッ素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記被処理物は処理表面にレジスト膜を有し、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含み、前記被処理物のレジスト膜を除去することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の処理装置。
- チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、被処理物を保持する保持手段と、
前記チャンバー内に誘導結合プラズマ法を用いて生成した活性原子を供給する活性原子供給手段と、
前記チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段とを有し、
前記活性原子供給手段と前記薬液供給手段とが一体化されており、
前記活性原子供給手段の供給口が、前記被処理物の表面に対向するように配置され、前記活性原子供給手段の供給口の周囲に前記薬液供給手段の供給口が前記被処理物の表面に対向するように配置された処理装置において、
前記チャンバー内を大気圧から100Paの間の圧力で、前記被処理物の表面に対し、前記活性原子供給手段の供給口から供給される活性原子によるドライ処理及び前記薬液供給手段の供給口から供給される薬液によるウェット処理を同時に又は連続して行なうことを特徴とする処理方法。 - 前記ドライ処理は、大気圧下で行なわれることを特徴とする請求項9に記載の処理方法。
- 前記被処理物の表面の全体に、前記薬液供給手段の供給口から供給される薬液を供給しつつ、前記被処理物の表面の一部に対し前記活性原子供給手段の供給口から供給される活性原子を供給することを特徴とする請求項9又は10に記載の処理方法。
- 前記被処理物を回転させながら、前記活性原子供給手段の供給口を前記被処理物の回転中心から半径方向に移動させつつ前記活性原子を供給することを特徴とする請求項9乃至11の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記薬液は硫酸を含み、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含むことを特徴とする請求項9乃至12の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記薬液は水酸化アンモニウム、塩化水素酸、硫酸又は弗化水素酸を含み、前記活性原子は酸素原子を含むことを特徴とする請求項9乃至12の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記被処理物は処理表面に半導体を含み、前記活性原子は水素原子を含むことを特徴とする請求項9乃至12の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記薬液はリン酸を含み、前記活性原子はフッ素原子を含むことを特徴とする請求項9乃至12の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記被処理物は処理表面にレジスト膜を有し、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含み、前記被処理物のレジスト膜を除去することを特徴とする請求項9乃至12の何れか1項に記載の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007092044A JP5181085B2 (ja) | 2006-06-22 | 2007-03-30 | 処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006172388 | 2006-06-22 | ||
JP2006172388 | 2006-06-22 | ||
JP2007092044A JP5181085B2 (ja) | 2006-06-22 | 2007-03-30 | 処理装置及び処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011237273A Division JP2012049560A (ja) | 2006-06-22 | 2011-10-28 | レジスト膜除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008028365A JP2008028365A (ja) | 2008-02-07 |
JP5181085B2 true JP5181085B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=45904007
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007092044A Active JP5181085B2 (ja) | 2006-06-22 | 2007-03-30 | 処理装置及び処理方法 |
JP2011237273A Pending JP2012049560A (ja) | 2006-06-22 | 2011-10-28 | レジスト膜除去方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011237273A Pending JP2012049560A (ja) | 2006-06-22 | 2011-10-28 | レジスト膜除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5181085B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9059104B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-06-16 | Tel Fsi, Inc. | Process for selectively removing nitride from substrates |
JP6199155B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-09-20 | 株式会社Screenホールディングス | 犠牲膜除去方法および基板処理装置 |
JP6584355B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7160642B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2022-10-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、3次元メモリデバイスの製造方法および基板処理装置 |
JP7407607B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2024-01-04 | 株式会社Screenホールディングス | プラズマ発生装置および基板処理装置 |
JP7427475B2 (ja) | 2020-02-28 | 2024-02-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP2021152585A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2022040737A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
WO2022202420A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、プラズマ発生装置およびプラズマ発生装置の設計方法 |
JP2023107358A (ja) * | 2022-01-24 | 2023-08-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0775229B2 (ja) * | 1990-06-26 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
JPH11345797A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 2流体噴出ノズル及びこれを使用した2流体噴流洗浄装置並びに2流体噴流洗浄方法 |
JP4294816B2 (ja) * | 1999-11-11 | 2009-07-15 | スピードファム株式会社 | シリコンウエハの表面処理方法,無臭シリコンウエハ製造方法,シリコンウエハの酸化膜形成方法,酸化シリコンウエハ製造方法,酸素活性種雰囲気形成装置,及び平坦化処理システム |
JP2001237212A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Nissin High Voltage Co Ltd | 電子線処理方法および電子線処理装置 |
JP2002151478A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sekisui Chem Co Ltd | ドライエッチング方法及びその装置 |
US6546938B2 (en) * | 2001-03-12 | 2003-04-15 | The Regents Of The University Of California | Combined plasma/liquid cleaning of substrates |
JP2005142367A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 膜剥離方法 |
JP2005276618A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Japan Science & Technology Agency | マイクロプラズマ生成装置および方法 |
US20050241767A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Ferris David S | Multi-piece baffle plate assembly for a plasma processing system |
JP2006073612A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Rohm Co Ltd | レジスト除去方法 |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007092044A patent/JP5181085B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-28 JP JP2011237273A patent/JP2012049560A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008028365A (ja) | 2008-02-07 |
JP2012049560A (ja) | 2012-03-08 |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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