JP2005052956A - Nano-structure, and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、量子デバイス、ナノインプリント用モールドとして用いられるナノ構造体及びその製造方法、また、磁気記録媒体に関する。 The present invention relates to a quantum device, a nanostructure used as a mold for nanoimprinting, a manufacturing method thereof, and a magnetic recording medium.
金属及び半導体の薄膜、細線、ドットなどでは、ある特徴的な長さより小さいサイズにおいて、電子の動きが閉じ込められることにより、特異な電気的、光学的、化学的性質を示すことがある。このような観点から、機能性材料として、１００ナノメータ（ｎｍ）より微細な構造を有する材料（ナノ構造体）への関心が高まっている。 Metal and semiconductor thin films, thin wires, dots, and the like may exhibit unique electrical, optical, and chemical properties by confining the movement of electrons in a size smaller than a certain characteristic length. From such a viewpoint, as a functional material, interest in a material (nanostructure) having a structure finer than 100 nanometers (nm) is increasing.
ナノ構造体の製造方法としては、例えば、フォトリソグラフィを始め、電子線露光、Ｘ線露光等の微細パターン描画技術を始めとする半導体加工技術による作製が挙げられる。 Examples of the manufacturing method of the nanostructure include fabrication by semiconductor processing techniques including fine pattern drawing techniques such as photolithography, electron beam exposure, and X-ray exposure.
また、このような作製法のほかに、自然に形成される規則的な構造、すなわち、自己組織的に形成される構造をベースに、新規なナノ構造体を実現しようとする試みがある。これらの手法は、ベースとして用いる微細構造によっては、従来の方法を上まわる微細で特殊な構造を作製できる可能性があるため、多くの研究が行われ始めている。 In addition to such a manufacturing method, there is an attempt to realize a novel nanostructure based on a regular structure that is naturally formed, that is, a self-organized structure. Many of these methods have begun to be studied because there is a possibility that a fine and special structure can be produced that exceeds the conventional method depending on the fine structure used as a base.
自己組織的に形成される特異な構造、特に試料表面から垂直方向に細孔が得られる例としては、陽極酸化アルミナ皮膜が挙げられる（例えば下記非特許文献１等参照）。Ａｌ板を酸性電解液中で陽極酸化すると、多孔質酸化皮膜が形成される。この多孔質酸化皮膜の特徴は、直径（２ｒ）が数ｎｍ〜数１００ｎｍの極めて微細な細孔（円柱状ナノホール）が、数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの間隔（２Ｒ）で平行に配列するという特異的な幾何学的構造を有することにある。この円柱状の細孔は、高いアスペクト比を有し、断面の径の一様性にも優れている。またこの細孔の直径２ｒ及び間隔２Ｒは、陽極酸化の際の電流、電圧を調整することによりある程度の制御が可能である。 An example of a unique structure formed in a self-organized manner, in particular, pores in the vertical direction from the sample surface, is an anodized alumina film (see, for example, Non-Patent Document 1 below). When an Al plate is anodized in an acidic electrolyte, a porous oxide film is formed. The characteristic of this porous oxide film is that the extremely fine pores (cylindrical nanoholes) having a diameter (2r) of several nanometers to several hundreds of nanometers are arranged in parallel at intervals (2R) of several tens of nanometers to several hundreds of nanometers. It has a simple geometric structure. This cylindrical pore has a high aspect ratio and is excellent in the uniformity of the cross-sectional diameter. The diameter 2r and the interval 2R of the pores can be controlled to some extent by adjusting the current and voltage during anodization.
また、シリコンの陽極化成では、マクロ的に見た場合、細孔は膜面に対して垂直に形成されているが、より詳細に観察すると、ランダム又は樹状に細孔を伸ばした構造となっているため、細孔の形状が一定でなくなり、単電子メモリ、単電子トランジスタなどの量子効果デバイスに適応する際に不都合が生じる(下記非特許文献２参照)。 In addition, in the anodization of silicon, when viewed macroscopically, the pores are formed perpendicular to the film surface. However, when observed in more detail, the pores are random or dendritic structures. For this reason, the shape of the pores is not constant, which causes inconvenience when applied to quantum effect devices such as single-electron memories and single-electron transistors (see Non-Patent Document 2 below).
一方、近年の情報処理の飛躍的な増大に伴って、磁気ディスク装置などの情報記録技術も大幅な大容量化が求められている。特にハードディスクにおいては現在単位面積当たりの記録情報量が年率６０％を超える勢いで増加している。今後も情報記録量の増大が望まれており、また携帯用などの記録装置としても小型化、高密度化が望まれている。 On the other hand, with the dramatic increase in information processing in recent years, information recording technology such as a magnetic disk device is also required to have a large capacity. Particularly in hard disks, the amount of recorded information per unit area is increasing at a rate exceeding 60% per year. In the future, it is desired to increase the amount of information recorded, and it is also desired to reduce the size and increase the density of portable recording devices.
従来利用されてきたハードディスク用磁気記録媒体は水平磁気記録方式であり、磁化はディスク表面に平行に記録されている。この水平磁気記録方式では高密度化に伴い磁区内の反磁界を抑え、且つ磁化状態を検出させるため媒体上方に磁界を出すために磁気記録層を薄くしていく必要がある。そのため磁性微粒子1つ当たりの体積が極度に小さくなり、超常磁性効果が発生し易い傾向にある。すなわち磁化方向を安定させているエネルギが熱エネルギより小さくなり、記録された磁化が時間とともに変化し、記録を消してしまうことが起こる。このため近年では水平磁気記録に代わって記録層の膜厚を大きくとれる垂直磁気記録方式へ移行する研究が盛んに行われている。 Conventionally used magnetic recording media for hard disks are of the horizontal magnetic recording system, and the magnetization is recorded parallel to the disk surface. In this horizontal magnetic recording system, it is necessary to reduce the thickness of the magnetic recording layer in order to suppress the demagnetizing field in the magnetic domain as the density increases and to detect the magnetic state above the medium in order to detect the magnetization state. Therefore, the volume per magnetic fine particle becomes extremely small, and the superparamagnetic effect tends to occur easily. That is, the energy that stabilizes the magnetization direction becomes smaller than the thermal energy, the recorded magnetization changes with time, and the recording is erased. For this reason, in recent years, research has been actively conducted to shift to a perpendicular magnetic recording method in which the thickness of the recording layer can be increased in place of horizontal magnetic recording.
垂直磁気記録媒体においては、磁性粒子を均一に小さくすること、特に１０ｎｍ以下、望ましくは４〜８ｎｍの粒径を有する磁性粒子を薄い隔壁を介して均一に基板上に分散させることが重要となっている。また、結晶磁気異方性の作用を持たせる為に、特定の結晶軸を基板垂直方向に向ける努力もなされている。磁化は基板面に垂直方向を向くようになる。例としてＣｏＰｔ，ＦｅＰｔ，ＦｅＰｄなどのＬ１0規則合金をグラニュラ化し、磁性粒子の微細化に伴う超常磁性効果に耐えうる媒体も提案されている(下記特許文献１参照)。ここでＬ１0規則合金とは、例えばＣｏとＰｔが[１００]面に交互に並んだ構造をしており、結晶磁気異方性は積層と垂直方向に強くなっているものである。
上記従来技術において、Ａｌなどの２０ｎｍ以下のドットやワイヤを作製するのは困難であった。リソグラフィ技術を用いても、直径１０ｎｍ以下の微細な突起状柱状構造体を、均一に高密度に形成することは非常に困難であった。 In the above prior art, it is difficult to produce dots or wires of 20 nm or less such as Al. Even if the lithography technique is used, it has been very difficult to form a fine protruding columnar structure having a diameter of 10 nm or less uniformly and at a high density.
本発明は、ナノメータサイズのドットやワイヤの構造体や製法を提供するものである。また、この構造体を利用したモールドや磁気記録媒体を提供するものである。 The present invention provides a nanometer-sized dot or wire structure or manufacturing method. The present invention also provides a mold and a magnetic recording medium using this structure.
上述の課題を解決するため、本発明は、基板又は下地層を有する基板上に形成されたナノ構造体であって、柱状の第１の部材と前記第１の部材を取り囲むように形成した第２の部材を備え、前記第２の部材が共晶を形成し得る２種類以上の材料を含有し、且つ前記材料の１種類が半導体材料であり、前記第１の部材が前記第２の部材よりも突出していることを特徴とする構造体を提供することにある。 In order to solve the above-described problem, the present invention is a nanostructure formed on a substrate or a substrate having an underlayer, and is formed to surround a columnar first member and the first member. 2 members, wherein the second member contains two or more materials capable of forming a eutectic, and one of the materials is a semiconductor material, and the first member is the second member. It is in providing the structure characterized by protruding rather than.
また、本発明は基板又は下地層を有する基板の上に、柱状の第１の部材と前記第１の部材を取り囲むように形成した第２の部材とを備え、前記第２の部材が共晶を形成し得る２種類以上の材料を含有した構造体を形成する工程と、前記第１の部材を除去し、孔を形成する工程と、前記孔中に金属及び合金を含有する材料を充填する工程と、前記第２の部材を一部又は全部除去する工程とを備えることを特徴とするナノ構造体の製造方法を提供することにある。 Further, the present invention includes a columnar first member and a second member formed so as to surround the first member on a substrate or a substrate having an underlayer, and the second member is a eutectic crystal. Forming a structure containing two or more kinds of materials capable of forming a material, removing the first member to form a hole, and filling the hole with a material containing a metal and an alloy It is providing the manufacturing method of the nanostructure characterized by including the process and the process of removing a part or all of said 2nd member.
本発明は、Ａｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）の構造体をエッチングにより加工してＡｌを主成分とした柱状構造体を形成することにより、Ａｌのナノドットやナノワイヤを形成可能である。このようなナノ構造体は電子デバイスとして利用できるばかりでなく、上部に磁性膜を形成することにより磁気記録媒体として利用可能であり、磁気記録再生装置、情報処理装置も駆動可能である。また従来困難とされてきたナノサイズの構造体が比較的簡単に得られ、表面にＮｉ等の硬質材料を成膜することによりモールドとしても利用可能である。 In the present invention, Al nanodots and nanowires can be formed by processing an Al— (Si, Ge) structure by etching to form a columnar structure mainly composed of Al. Such a nanostructure can be used not only as an electronic device but also as a magnetic recording medium by forming a magnetic film on the upper part, and can drive a magnetic recording / reproducing apparatus and an information processing apparatus. In addition, a nano-sized structure that has been considered difficult can be obtained relatively easily, and can be used as a mold by forming a hard material such as Ni on the surface.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
＜ナノ構造体の構成＞
図１は、本発明の実施形態におけるナノ構造体の一例を示す模式図である。
<Configuration of nanostructure>
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a nanostructure in an embodiment of the present invention.
図１（ａ）はＡｌを主成分とする柱状構造体が円柱状の場合であり、図１（ｂ）は突出部が円錐状の場合である。図１において、１はＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）ナノ構造体であり、１１はＡｌを主成分とする柱状構造体、１２は柱状構造体１１を取り囲む（Ｓｉ，Ｇｅ）を主成分とするマトリックス領域であり、１３は基板、１４は柱状構造埋め込み部、１５は柱状構造突出部、１６は変形柱状構造突出部である。 FIG. 1A shows a case where the columnar structure having Al as a main component is cylindrical, and FIG. 1B shows a case where the projecting portion is conical. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an Al— (Si, Ge) nanostructure, 11 denotes a columnar structure having Al as a main component, and 12 denotes a matrix having (Si, Ge) as a main component surrounding the columnar structure 11. 13 is a substrate, 14 is a columnar structure embedded portion, 15 is a columnar structure protruding portion, and 16 is a deformed columnar structure protruding portion.
基板１３上に形成された本発明の構造体において、Ａｌ突出部を除いた部分の膜状のＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）ナノ構造体１は、その全量に対するＳｉとＧｅの合計の割合が２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下。好ましくは、２５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下、更に好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下である。なお、Ｓｉ＋Ｇｅの割合が上記範囲内であれば、マトリックス領域１２内に柱状構造体１１が分散したＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜が得られる。 In the structure of the present invention formed on the substrate 13, the film-like Al— (Si, Ge) nanostructure 1 excluding the Al protruding portion has a total ratio of Si and Ge to the total amount of 20 atomic. % To 70 atomic%. Preferably, they are 25 atomic% or more and 65 atomic% or less, More preferably, they are 30 atomic% or more and 60 atomic% or less. If the ratio of Si + Ge is within the above range, an Al— (Si, Ge) mixed film in which the columnar structures 11 are dispersed in the matrix region 12 is obtained.
上記割合（ａｔｏｍｉｃ％）とは、原子量比率であり、例えば誘導結合型プラズマ発光分析法でＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜中のＳｉ、ＧｅとＡｌの量を定量分析したときの値である。ｗｔ％を単位として用いる場合には、例えば、２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下とは２０．６５ｗｔ％以上７０．８４ｗｔ％以下となる（Ａｌの原子量を２６．９８２、Ｓｉの原子量を２８．０８６として換算している）。 The above ratio (atomic%) is an atomic weight ratio, for example, a value when the amounts of Si, Ge and Al in the Al— (Si, Ge) mixed film are quantitatively analyzed by inductively coupled plasma emission spectrometry. . When using wt% as a unit, for example, 20 atomic% or more and 70 atomic% or less is 20.65 wt% or more and 70.84 wt% or less (converted assuming that the atomic weight of Al is 26.982 and the atomic weight of Si is 28.086). doing).
なお、ＳｉとＡｌとＧｅの全量に対するＳｉとＧｅの総量の割合とは、モル比で（Ｓｉ＋Ｇｅ）／（Ｓｉ＋Ｇｅ＋Ａｌ）×１００で表される値のことである。つまり、Ｓｉ＋Ｇｅ＋Ａｌを１００ａｔｏｍｉｃ％としたときに、その中のＳｉ＋Ｇｅの割合である。 The ratio of the total amount of Si and Ge to the total amount of Si, Al, and Ge is a value represented by a molar ratio of (Si + Ge) / (Si + Ge + Al) × 100. That is, when Si + Ge + Al is 100 atomic%, the ratio is Si + Ge.
柱状構造体１１の組成は、Ａｌを主成分とするが、柱状構造の微細構造体が得られていれば、Ｓｉ、Ｇｅ、酸素、アルゴン、窒素、水素などの他の元素を含有していてもよい。 The composition of the columnar structure 11 is mainly composed of Al. However, if a microstructure having a columnar structure is obtained, it contains other elements such as Si, Ge, oxygen, argon, nitrogen and hydrogen. Also good.
また、柱状構造体の周囲を取り囲んでいる（Ｓｉ，Ｇｅ）領域部の組成は、ＳｉやＧｅを主成分とするが、Ａｌを主成分とする柱状構造体の周囲を囲んでさえいれば、Ａｌ、酸素、アルゴン、窒素、水素などの各種の元素を含有してもよい。 Further, the composition of the (Si, Ge) region portion surrounding the periphery of the columnar structure is mainly composed of Si or Ge, but only has to surround the periphery of the columnar structure mainly composed of Al. Various elements such as Al, oxygen, argon, nitrogen, and hydrogen may be contained.
なお、マトリックス領域１２は、非晶質、あるいは微（多）結晶を用いることができる。但し、前記マトリックス領域１２が非晶質（Ｓｉ，Ｇｅ）である方が絶縁性という観点からは好ましい。その理由は、非晶質（Ｓｉ，Ｇｅ）とすることで結晶質Ｓｉ、Ｇｅに比べて、バンドギャップが増加し、柱状構造体を隔てる母体材料の電気的な絶縁性が向上するからである。また、絶縁性や耐薬品性を考慮するとマトリックス領域はＳｉ又はＡｌを含んだＳｉであることが有効である。 The matrix region 12 can be amorphous or fine (poly) crystal. However, the matrix region 12 is preferably amorphous (Si, Ge) from the viewpoint of insulation. The reason is that by using amorphous (Si, Ge), the band gap is increased as compared with crystalline Si and Ge, and the electrical insulation of the base material separating the columnar structures is improved. . In consideration of insulation and chemical resistance, it is effective that the matrix region is Si or Si containing Al.
なお、ここで用いている混合体とは、マトリックス領域とその中に柱状構造体が成長している状態を示している。 In addition, the mixture used here has shown the state which the columnar structure has grown in the matrix area | region and it.
Ａｌを含む柱状構造体１１は、膜上面から見たその平面形状は円形、あるいは楕円形である。もちろん、マトリックス１２に前記柱状構造体１１が適度に分散していれば、任意の形状であってもよい。 The columnar structure 11 containing Al has a circular shape or an elliptical shape as viewed from above the film. Of course, as long as the columnar structures 11 are appropriately dispersed in the matrix 12, any shape may be employed.
本発明に係るナノ構造体における柱状構造体１１の径としては、径が２０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、更に好ましくは８ｎｍ以下であるのがよい。なお、楕円等の場合は、最も長い外径部が、上記範囲内であればよい。 The diameter of the columnar structure 11 in the nanostructure according to the present invention is 20 nm or less, preferably 10 nm or less, and more preferably 8 nm or less. In the case of an ellipse or the like, the longest outer diameter portion may be within the above range.
また、柱状構造体１１の平均直径は（Ｓｉ，Ｇｅ）の総量が大きいほど小さくなる傾向があり、また（Ｓｉ，Ｇｅ）の総量が同じ場合にはＳｉの比率が大きい方が微細な柱状構造体となる。したがって、（Ｓｉ，Ｇｅ）の総量、又はマトリックス領域にＳｉとＧｅの混合物を用いる場合にはＳｉの比率を制御することで柱状構造体の直径を制御可能である。 Also, the average diameter of the columnar structures 11 tends to decrease as the total amount of (Si, Ge) increases, and when the total amount of (Si, Ge) is the same, the larger the ratio of Si, the finer the columnar structure Become a body. Therefore, when the total amount of (Si, Ge) or a mixture of Si and Ge is used for the matrix region, the diameter of the columnar structure can be controlled by controlling the ratio of Si.
ところで、ナノメートルサイズのナノ構造体（概ねサブｎｍ〜１００ｎｍの範囲）においては、ある特徴的な長さ（平均自由行程等）より小さいサイズとなることで、特異な電気的、光学的、化学的性質を示すことがある。このような観点から、機能性材料としてナノ構造体は有用であり、本発明に係るナノ構造体においても、当該混合体を構成する柱状構造体の径が２０ｎｍ以下、特に１０ｎｍ以下である場合には、ナノ構造体として種々の利用が可能である。 By the way, nanometer-sized nanostructures (substantially in the range of sub-nm to 100 nm) are smaller in size than a certain characteristic length (mean free path, etc.), and thus have unique electrical, optical, and chemical properties. May exhibit specific properties. From this point of view, the nanostructure is useful as a functional material, and also in the nanostructure according to the present invention, the diameter of the columnar structure constituting the mixture is 20 nm or less, particularly 10 nm or less. Can be used in various ways as a nanostructure.
また、複数の柱状構造体１１の間隔、すなわち中心間距離は、３０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍであるのがよい。 The interval between the plurality of columnar structures 11, that is, the center-to-center distance may be 30 nm or less, preferably 15 nm or less, more preferably 10 nm.
もちろん、間隔は柱状構造体同士が接触しない間隔を有する。例えば、柱状構造をした前記Ａｌ柱状構造体の径が１〜２０ｎｍであり、且つ、前記Ａｌ柱状構造体の間隔が５〜３０ｎｍであり、且つ、前記Ａｌ柱状構造体の高さと径の比、すなわちアスペクト比が０．１〜１０００００であり、且つ、前記Ａｌ柱状構造体が基板に対してほぼ垂直である微細構造体などが挙げられる。 Of course, the interval has an interval at which the columnar structures do not contact each other. For example, the diameter of the Al columnar structure having a columnar structure is 1 to 20 nm, the interval between the Al columnar structures is 5 to 30 nm, and the ratio between the height and the diameter of the Al columnar structure, That is, a fine structure having an aspect ratio of 0.1 to 100,000 and having the Al columnar structure substantially perpendicular to the substrate can be used.
また、柱状構造体１１の基板断面からみた形状は、図１（ａ）のように長方形形状でもよいし、正方形や台形など形状が可能である。柱状構造体１１の長さとしては、１ｎｍ〜１００μｍの範囲で適用できる。 Further, the shape of the columnar structure 11 viewed from the cross section of the substrate may be a rectangular shape as shown in FIG. 1A, or may be a square shape or a trapezoidal shape. The length of the columnar structure 11 can be applied in the range of 1 nm to 100 μm.
特に、柱状構造体１１の径が例えば１〜１０ｎｍであり、その中心間距離が１０ｎｍ〜１５ｎｍである場合に、長さを１ｎｍ〜数μｍの範囲で制御する場合を考える。長さが数ｎｍ〜数十ｎｍのとき（長さと径の比が低いとき）、柱状構造体１はアルミニウム量子ドット（０次元）として作用し、それよりも大きい場合はアルミニウム量子細線（１次元）として作用する。 In particular, let us consider a case where the length is controlled in the range of 1 nm to several μm when the diameter of the columnar structure 11 is, for example, 1 to 10 nm and the center-to-center distance is 10 nm to 15 nm. When the length is several nanometers to several tens of nanometers (when the ratio of length to diameter is low), the columnar structure 1 acts as an aluminum quantum dot (0 dimension), and when larger than that, the aluminum quantum wire (one dimension) ).
また、前記アルミニウム含有の柱状構造体１１は、図１に示されているように（Ｓｉ，Ｇｅ）を主成分とするマトリックス１２により互いに分離されている。すなわち、複数の柱状構造体１１が（Ｓｉ，Ｇｅ）領域中に分散している。 The aluminum-containing columnar structures 11 are separated from each other by a matrix 12 containing (Si, Ge) as a main component as shown in FIG. That is, the plurality of columnar structures 11 are dispersed in the (Si, Ge) region.
柱状構造体１１は、特定方向に整列しているのがよい。図１（ａ）に示すように、特に基板に対して垂直方向に整列しているのがよい。 The columnar structures 11 are preferably aligned in a specific direction. As shown in FIG. 1 (a), it is particularly preferable to align in a direction perpendicular to the substrate.
また、Ａｌを主成分とする柱状突出部分１５は目的に応じてどの程度突出していても構わないが、５０ｎｍ以下であると形状が崩れにくい。突出部は図１（ｂ）のように先端が変形していても構わない。 In addition, the columnar protruding portion 15 containing Al as a main component may protrude to any extent depending on the purpose, but if it is 50 nm or less, the shape is not easily broken. The tip of the protrusion may be deformed as shown in FIG.
図２は、本発明の実施形態におけるナノ構造体の他の例を示す模式図である。 FIG. 2 is a schematic view showing another example of the nanostructure in the embodiment of the present invention.
マトリックス部の厚みは図２（ａ）に示したように柱状構造体１１より薄ければ良く、図２（ｂ）に示したように無くても構わない。この場合にはマトリックス１２をエッチング除去することによって得られるものである。 The thickness of the matrix portion only needs to be thinner than the columnar structure 11 as shown in FIG. 2A, and may not be as shown in FIG. In this case, the matrix 12 is obtained by etching away.
また、柱状構造体１１として図２（ｃ）のように柱状構造体１１をマスクとして基板をエッチングし、基板凸部２１を形成した状態でも、更には図２（ｄ）に示すようにＡｌを主成分とした柱状構造体を除去して残る基板表面の柱状構造体でも利用可能である。 Further, as shown in FIG. 2D, even when the substrate is etched by using the columnar structure 11 as a mask as shown in FIG. The columnar structure on the substrate surface remaining after removing the columnar structure as a main component can also be used.
また、本発明において基板とは表面に膜が形成されているものも含まれる。すなわち、図２（ｅ）に示すように基板表面層を基板表面層凸部２２として柱状構造体にすることも可能である。 In the present invention, the substrate includes those having a film formed on the surface. That is, as shown in FIG. 2E, the substrate surface layer can be used as the substrate surface layer convex portion 22 to form a columnar structure.
基板１３としては、特に限定されるものではないが、石英ガラスやプラスチックなどの絶縁性基板、シリコン基板、ゲルマニウム基板、ガリウム砒素、あるいはインジウム燐などの半導体基板、あるいは支持部材としての基板上に混合膜が形成できるのであれば、フレキシブルな基板（例えばポリイミド樹脂など）も用いることができる。更には、支持基板上に一層以上の膜が形成されているものを使用してもかまわない。 The substrate 13 is not particularly limited, but is mixed on an insulating substrate such as quartz glass or plastic, a semiconductor substrate such as a silicon substrate, germanium substrate, gallium arsenide, or indium phosphorus, or a substrate as a support member. If a film can be formed, a flexible substrate (for example, a polyimide resin) can also be used. Further, a substrate in which one or more films are formed on the support substrate may be used.
＜ナノ構造体の作製方法＞
次に、本発明に係るナノ構造体の作製方法について説明する。
<Method for producing nanostructure>
Next, a method for producing a nanostructure according to the present invention will be described.
図３は、本発明のナノ構造体の製法の一例を示す模式図である。 FIG. 3 is a schematic view showing an example of a method for producing a nanostructure of the present invention.
図中、１３は基板、３１は柱状構造体、３２はＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜、３３はＳｉ、Ｇｅを主成分とするマトリックス、３４は柱状構造埋め込み部、３５は柱状構造突出部、３６は基板凸部である。 In the figure, 13 is a substrate, 31 is a columnar structure, 32 is an Al- (Si, Ge) mixed film, 33 is a matrix mainly composed of Si and Ge, 34 is a columnar structure embedded portion, and 35 is a columnar structure protruding portion. , 36 are substrate projections.
まず、成膜法として、非平衡状態で物質を形成する成膜法であるマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜を形成した例について述べる。 First, an example in which an Al— (Si, Ge) mixed film is formed by magnetron sputtering, which is a film forming method for forming a substance in a non-equilibrium state, will be described.
原料としてのターゲットは、Ａｌのターゲット基板上にＳｉチップやＧｅチップを配することで達成される。ＳｉチップあるいはＧｅチップは、複数に分けて配置できるが、もちろんこれに限定されるものではない。また、所定量のＡｌと（Ｓｉ，Ｇｅ）との粉末を焼成して作製したＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）焼成物を成膜のターゲット材として用いることもできる。このようなターゲットを用いることにより、膜組成のばらつきの少ない、均質な膜を形成することが可能となる。 The target as a raw material is achieved by arranging a Si chip or a Ge chip on an Al target substrate. The Si chip or the Ge chip can be divided into a plurality of parts, but is not limited to this. Alternatively, an Al- (Si, Ge) fired product prepared by firing a predetermined amount of Al and (Si, Ge) powder can be used as a film forming target material. By using such a target, it is possible to form a homogeneous film with little variation in film composition.
また、Ａｌターゲット、Ｓｉターゲット、Ｇｅターゲットを別々に用意し、同時に各々のターゲットをスパッタリングする方法を用いてもよい。 Alternatively, a method of separately preparing an Al target, a Si target, and a Ge target and simultaneously sputtering each target may be used.
形成される膜中の（Ｓｉ，Ｇｅ）の合計総量は、Ａｌと（Ｓｉ，Ｇｅ）の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、好ましくは２５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下、更に好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下である。 The total total amount of (Si, Ge) in the formed film is 20 atomic% or more and 70 atomic% or less, preferably 25 atomic% or more and 65 atomic% or less, more preferably 30 atomic%, based on the total amount of Al and (Si, Ge). % Or more and 60 atomic% or less.
また、基板温度としては３００℃以下であり、好ましくは２００℃以下であるのがよい。また、室温あるいはそれ以下でも構わない。（Ｓｉ，Ｇｅ）の合計量が斯かる温度範囲内で作製されれば、（Ｓｉ，Ｇｅ）領域内に柱状構造体が分散したナノ構造体が得られる。３００℃以下の基板温度でＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）を非平衡状態で物質を形成する成膜法で形成することにより、作製されたＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜は、Ａｌと（Ｓｉ，Ｇｅ）が共晶型組織と類似の組織となり、Ａｌが数ｎｍレベルのナノ柱状構造体を形成し、（Ｓｉ，Ｇｅ）領域と自己形成的に分離する。ここで共晶と類似と述べたのは、（Ｓｉ，Ｇｅ）はアモルファスである場合が多く、結晶として存在しているとは限らないからである。また、いわゆる共晶点より組成は（Ｓｉ，Ｇｅ）が多く含まれていることも本発明には重要である。また、少なくとも３００℃以上の試料温度でＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）を成膜すると、作製されたＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜は、Ａｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）が３００℃以下で形成される構造より、より安定な界面の面積が少ない大きな結晶へと成長を始め、数ｎｍレベルのナノ柱状構造体を形成しない。 The substrate temperature is 300 ° C. or lower, preferably 200 ° C. or lower. Further, it may be room temperature or lower. If the total amount of (Si, Ge) is produced within such a temperature range, a nanostructure in which columnar structures are dispersed in the (Si, Ge) region can be obtained. The Al— (Si, Ge) mixed film formed by forming the material in a non-equilibrium state at a substrate temperature of 300 ° C. or lower is formed using Al— (Si, Ge) mixed film. , Ge) becomes a structure similar to the eutectic structure, Al forms a nano-columnar structure having a level of several nanometers, and is separated from the (Si, Ge) region in a self-forming manner. The reason why it is similar to a eutectic here is that (Si, Ge) is often amorphous and does not always exist as a crystal. It is also important for the present invention that the composition contains more (Si, Ge) than the so-called eutectic point. Further, when Al— (Si, Ge) is deposited at a sample temperature of at least 300 ° C., the Al— (Si, Ge) mixed film is formed at a temperature of 300 ° C. or less. It starts to grow into a large crystal with a smaller area of a more stable interface than the structure to be formed, and does not form a nano-columnar structure of several nm level.
Ａｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合体の（Ｓｉ，Ｇｅ）の総量は、例えばＡｌターゲット上に置くＳｉチップあるいはＧｅチップの量を変えることや、ＡｌとＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）の粉末の混合量を変えて作製したターゲットを用いることにより制御できる。 The total amount of (Si, Ge) in the Al- (Si, Ge) mixture can be changed, for example, by changing the amount of Si chip or Ge chip placed on the Al target, or mixing of Al and Al- (Si, Ge) powder. It can be controlled by using a target prepared by changing the amount.
非平衡状態で成膜を行う場合、特にスパッタリング法の場合は、アルゴンガスを流したときの反応装置内の圧力は、０．２〜１Ｐａ程度がよい。しかし、特に、これに限定されるものではなく、アルゴンプラズマが安定に形成される圧力であればよい。 When film formation is performed in a non-equilibrium state, particularly in the case of sputtering, the pressure in the reaction apparatus when argon gas is flowed is preferably about 0.2 to 1 Pa. However, it is not particularly limited to this, and any pressure may be used as long as argon plasma is stably formed.
基板１３としては、例えば石英ガラスを始めとする絶縁体基板やシリコンやガリウム砒素を始めとする半導体基板などの基板や、これらの基板の上に１層以上の膜を形成したものが挙げられる。なお、Ａｌの柱状構造体の形成に不都合がなければ、基板の材質、厚さ、機械的強度などは特に限定されるものではない。また、基板の形状としては平滑な板状のものに限らず、曲面を有するもの、表面にある程度の凹凸や段差を有するものなどが挙げられるが、アルミニウムのナノ柱状構造体に不都合がなければ、特に限定されるものではない。 Examples of the substrate 13 include a substrate such as an insulating substrate such as quartz glass, a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, and a substrate in which one or more layers are formed on these substrates. The substrate material, thickness, mechanical strength, and the like are not particularly limited as long as there is no problem in forming the Al columnar structure. In addition, the shape of the substrate is not limited to a flat plate-like shape, but includes a curved surface, a surface having a certain degree of irregularities and steps, etc., but if there is no problem with the aluminum nanocolumnar structure, It is not particularly limited.
非平衡状態で物質を形成する成膜法は、スパッタリング法が好ましいが蒸着法（抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着等）、イオンプレーティング法を始めとする任意の非平衡状態で物質を形成する成膜法が適用可能である。 The film forming method for forming the material in a non-equilibrium state is preferably a sputtering method, but the material is formed in any non-equilibrium state including a vapor deposition method (resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, etc.) and an ion plating method. A membrane method is applicable.
また、成膜の仕方としては、Ａｌ、（Ｓｉ，Ｇｅ）を同時に形成する同時成膜プロセスを用いてもよいし、Ａｌ、（Ｓｉ，Ｇｅ）を数原子層づつ積層する積層成膜プロセスを用いてもかまわない。 As a method of film formation, a simultaneous film formation process in which Al and (Si, Ge) are simultaneously formed may be used, or a layer film formation process in which several atomic layers of Al and (Si, Ge) are stacked. You can use it.
次に、このＡｌの柱状構造体３１をＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）膜から突出させる方法について説明する。この突出部を形成するにはドライエッチプロセスが有効である。ドライエッチプロセスではＡｌに対するＳｉ，Ｇｅのエッチングレートが早ければ構わないが、エッチングレートの差は大きい方が好ましい。このエッチングにはＣＦ4によるプラズマエッチングやＳＦ6によるプラズマエッチングが有効である。エッチングレートは装置やプラズマ条件等により大きく変化するが、例えばＣＦ4の場合にはＡｌのエッチングレートに対するＳｉのエッチングレートの比は約１０倍程度、ＳＦ6の場合には１００倍程度まで大きくすることが可能である。 Next, a method of projecting the Al columnar structure 31 from the Al- (Si, Ge) film will be described. A dry etch process is effective for forming this protrusion. In the dry etching process, the etching rate of Si and Ge with respect to Al may be fast, but it is preferable that the difference in etching rate is large. For this etching, plasma etching using CF 4 or plasma etching using SF 6 is effective. The etching rate varies greatly depending on the apparatus and plasma conditions. For example, in the case of CF 4 , the ratio of the Si etching rate to the Al etching rate is about 10 times, and in the case of SF 6 it is increased to about 100 times. It is possible.
これらのドライエッチングによりエッチング前は図３（ａ）に示すように平坦な膜３２中にＡｌを主成分とした柱状構造体３１が形成されているのに対し、エッチングを始めると図３（ｂ）に示すようにＳｉ，Ｇｅマトリックス３３が柱状構造体３１よりも優先的にエッチングが進行していく。そして、最終的にはＳｉ，Ｇｅマトリックス３３が消失して図３（ｃ）に示すようにＡｌを主成分とした柱状構造体３１のみが基板表面に残る。 As shown in FIG. 3A, the columnar structure 31 mainly composed of Al is formed in the flat film 32 by dry etching before the etching. On the other hand, when etching is started, FIG. As shown in FIG. 5, the Si and Ge matrix 33 is etched more preferentially than the columnar structure 31. Finally, the Si and Ge matrix 33 disappears and only the columnar structure 31 mainly composed of Al remains on the substrate surface as shown in FIG.
この状態から更にエッチングを進めると、例えば基板１３がＳｉ基板の場合などでは図３（ｄ）に示すように柱状構造体３１がマスクの役割をして基板表面に基板凸部３６が形成される。ここでエッチングガスを切り替えても構わない。更にエッチングを進めたり、又は柱状構造体のみをウェットエッチングなどすると図３（ｅ）のように基板表面には基板凸部３６のみが得られる。 When etching is further advanced from this state, for example, when the substrate 13 is a Si substrate, the columnar structure 31 serves as a mask to form the substrate convex portion 36 on the substrate surface as shown in FIG. . Here, the etching gas may be switched. When the etching is further advanced, or only the columnar structure is wet-etched, only the substrate convex portion 36 is obtained on the substrate surface as shown in FIG.
このように作製されたナノ構造体はそのままでもＡｌ量子ドットやＡｌナノワイヤとしての機能を有するが、この構造体の上部に更に機能的な膜を成長させることにより機能性を高められる。例えば磁気記録用の薄膜を成膜することにより粒径が揃った媒体を作製することができる。 The nanostructure thus produced has a function as an Al quantum dot or Al nanowire as it is, but the functionality can be enhanced by growing a more functional film on the structure. For example, a medium having a uniform particle diameter can be produced by forming a thin film for magnetic recording.
図４は、本発明の表面に薄膜を形成する場合のナノ構造体を示す模式図である。 FIG. 4 is a schematic diagram showing a nanostructure when a thin film is formed on the surface of the present invention.
図４（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、図３（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）に対応して表面に薄膜４１を形成した場合を示すものである。
4A, 4B, 4C, and 4D show the case where the
このような膜としてはＣｏ合金膜やＣｏ／Ｐｔ，Ｃｏ／Ｐｄ積層膜、ＦｅＰｔやＣｏＰｔの規則化合金膜などが有効である。 As such a film, a Co alloy film, a Co / Pt, Co / Pd laminated film, an ordered alloy film of FePt or CoPt, and the like are effective.
本発明において、ナノ構造体の上部に磁性体の薄膜を形成したものにおいては、磁気記録媒体として有効になる。また、このような磁気記録媒体を磁気記録再生装置に用いることもできる。 In the present invention, a magnetic thin film formed on the nanostructure is effective as a magnetic recording medium. Such a magnetic recording medium can also be used in a magnetic recording / reproducing apparatus.
図６は、本発明の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を示す模式図である。 FIG. 6 is a schematic diagram showing a magnetic recording / reproducing apparatus using the magnetic recording medium of the present invention.
上記磁気記録媒体６１以外に、モータなどの磁気記録媒体駆動部６２、読み取り書き込み用磁気ヘッド６３、磁気ヘッド駆動部６４、信号処理部６５、防塵ケース等を組み込むことが必要である。しかし、磁気記録再生装置において、磁気記録媒体の駆動は回転のみ、磁気ヘッドの駆動は円周上のスライドのみに限定されるものではない。 In addition to the magnetic recording medium 61, it is necessary to incorporate a magnetic recording medium driving unit 62 such as a motor, a read / write magnetic head 63, a magnetic head driving unit 64, a signal processing unit 65, a dustproof case, and the like. However, in the magnetic recording / reproducing apparatus, the driving of the magnetic recording medium is not limited to the rotation, and the driving of the magnetic head is not limited to the slide on the circumference.
また、このような磁気記録再生装置を用いて情報処理装置を構成することができる。 Further, an information processing apparatus can be configured using such a magnetic recording / reproducing apparatus.
図７は、本発明の磁気記録再生装置を用いた情報処理装置の概念図である。 FIG. 7 is a conceptual diagram of an information processing apparatus using the magnetic recording / reproducing apparatus of the present invention.
磁気記録再生装置部７２、演算部７３、メモリ部分７４、電源７５、外部入出力部７６とこれらをつなぐ配線７７を格納容器７１に収めた情報処理装置を構成することが可能である。
It is possible to configure an information processing apparatus in which the magnetic recording / reproducing device unit 72, the
また、微小な穴を転写法により他の基板上に作製するナノインプリント法にも応用可能である。 Further, it can be applied to a nanoimprint method in which a minute hole is formed on another substrate by a transfer method.
図５は、本発明のナノ構造体をモールドとして用いた場合の模式図である。 FIG. 5 is a schematic view when the nanostructure of the present invention is used as a mold.
本発明で得られたナノ構造体をモールド５１として、基板５３上に形成されたレジスト５２にプレスを行うことによりレジスト表面には転写孔５４が形成される。この場合には柱状構造体の上に硬質膜５６を形成しておくことや、離型剤をつけておくことが有効である。 By using the nanostructure obtained in the present invention as a mold 51 and pressing a resist 52 formed on a substrate 53, transfer holes 54 are formed on the resist surface. In this case, it is effective to form the hard film 56 on the columnar structure or to attach a release agent.
また、本発明は、量子ドットや量子細線などのアルミニウムのナノ柱状構造体をさまざまな形態で応用することを可能とするものであり、その応用範囲を著しく広げるものである。本発明における構造体は、それ自体機能材料として使用可能であるが、さらなる新規なナノ構造体の母材、鋳型などとして用いることもできる。 In addition, the present invention makes it possible to apply aluminum nanocolumnar structures such as quantum dots and quantum wires in various forms, and remarkably expand the application range. Although the structure in the present invention can be used as a functional material itself, it can also be used as a base material, a template, or the like of a further novel nanostructure.
以下に実施例を挙げて、本発明を説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.
「実施例１」
本実施例においては、Ａｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）膜からのＡｌを主成分とする柱状構造体を作製する方法に関するものである。
"Example 1"
The present embodiment relates to a method for producing a columnar structure mainly composed of Al from an Al- (Si, Ge) film.
本発明のナノ構造体、及びその製法について図３を用いて説明する。なお、図３において、１３が基板で、３２がＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜、３１がＡｌを主成分とするナノ柱状構造体である。また、３３は（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリックス、３４、３５はそれぞれＡｌを主成分とするナノ柱状構造体の柱状構造埋め込み部と柱状構造突出部であり、また、３６は基板凸部である。 The nanostructure of this invention and its manufacturing method are demonstrated using FIG. In FIG. 3, 13 is a substrate, 32 is an Al— (Si, Ge) mixed film, and 31 is a nano-columnar structure mainly composed of Al. Reference numeral 33 denotes a (Si, Ge) matrix, 34 and 35 denote columnar structure embedded portions and columnar structure protruding portions of nanocolumnar structures each having Al as a main component, and 36 denotes a substrate convex portion.
＜Ａｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）成膜＞
基板にＳｉウェハを用い、その上にＡｌ0.6（Ｓｉ1-xＧｅx）0.4においてｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６、０．８、１．０の組成比の膜を成膜した。ここでターゲットにはＡｌを用い、その上にＳｉとＧｅのチップを置いて組成を変化させた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量を５０ｓｃｃｍ、放電圧力を０．７Ｐａ、投入電力を３００Ｗとし、基板温度は室温として、膜厚を約１００ｎｍにした。
<Al- (Si, Ge) film formation>
A Si wafer is used as the substrate, and a composition ratio of x = 0.0, 0.2 , 0.4 , 0.6, 0.8, 1.0 in Al 0.6 (Si 1-x Ge x ) 0.4 is formed thereon. This film was formed. Here, Al was used as a target, and Si and Ge chips were placed thereon to change the composition. The sputtering conditions were an RF power source, an Ar flow rate of 50 sccm, a discharge pressure of 0.7 Pa, an input power of 300 W, a substrate temperature of room temperature, and a film thickness of about 100 nm.
その結果、図３（ａ）に示したようにＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜３２にはアモルファス（Ｓｉ，Ｇｅ）を主成分とする（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリックス３３と（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリックス３３中に基板垂直方向に成長したＡｌを主成分とする柱状構造体３１が成長した。柱状構造体３１の直径は約３〜２０ｎｍであり、柱状構造体の間隔は約６〜３０ｎｍであった。ここで柱状構造体３１の直径はＳｉとＧｅの比に依存し、Ｓｉの組成比が大きいほど柱状構造体３１の径は小さくなる傾向があった。 As a result, as shown in FIG. 3A, the Al— (Si, Ge) mixed film 32 has (Si, Ge) matrix 33 and (Si, Ge) matrix mainly composed of amorphous (Si, Ge). A columnar structure 31 mainly composed of Al grown in the direction perpendicular to the substrate was grown in 33. The diameter of the columnar structures 31 was about 3 to 20 nm, and the interval between the columnar structures was about 6 to 30 nm. Here, the diameter of the columnar structure 31 depends on the ratio of Si and Ge, and the diameter of the columnar structure 31 tends to decrease as the Si composition ratio increases.
なお、ここではターゲットとしてはチップを載せたターゲットでなくても、混合ターゲットやＡｌ、Ｓｉ、Ｇｅの各ターゲットを用いて同時スパッタリングをしても組成比が所望の値になればよい。 Here, the target may not be a target on which a chip is placed, but the composition ratio may be a desired value even if simultaneous sputtering is performed using a mixed target or Al, Si, and Ge targets.
更に、ここではスパッタリング法としてＲＦスパッタリング法を用いたが、これに限定されるものではなく、ＥＣＲスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法でよい。更に、スパッタリング条件は装置に依存しており、これに限定されるものではない。 Furthermore, although the RF sputtering method is used here as the sputtering method, the present invention is not limited to this, and an ECR sputtering method, a DC sputtering method, or an ion beam sputtering method may be used. Furthermore, the sputtering conditions depend on the apparatus, and are not limited thereto.
＜エッチング＞
次に、得られたＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）膜３２をエッチング装置によりドライエッチングを施した。エッチング条件としてＣＦ4流量を２０ｓｃｃｍとし、投入電力を１５０Ｗ、圧力を４．５Ｐａとした。
<Etching>
Next, the obtained Al— (Si, Ge) film 32 was dry-etched with an etching apparatus. As etching conditions, the CF 4 flow rate was 20 sccm, the input power was 150 W, and the pressure was 4.5 Pa.
まず、エッチングを２分行ったところ、（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリックス３３の約半分がエッチングされており、またＡｌを主成分とする柱状構造体３１はほとんど変化しておらず、図３（ｂ）に示す構造となっていた。 First, when etching was performed for 2 minutes, about half of the (Si, Ge) matrix 33 was etched, and the columnar structure 31 containing Al as a main component was hardly changed, and FIG. It became the structure shown in.
更に３分間エッチングをしたところ、（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリックス３３のほとんどがエッチングされており、図３（ｃ）に示す構造となっていた。このとき、柱状構造体３１の先端は先鋭化される場合もあった。 Further etching for 3 minutes revealed that most of the (Si, Ge) matrix 33 was etched, resulting in the structure shown in FIG. At this time, the tip of the columnar structure 31 may be sharpened.
更にエッチングを継続すると、柱状構造体３１がマスクとなって、上に柱状構造体３１が無い部分のＳｉ基板がエッチングされて図３（ｄ）に示す構造となっていた。 When the etching is further continued, the columnar structure 31 is used as a mask, and the Si substrate in the portion where the columnar structure 31 is not formed is etched to obtain the structure shown in FIG.
更にエッチングを継続させるか、又はリン酸などでウェットエッチングすることにより柱状構造体３１をエッチング除去することができ、図３（ｅ）に示す構造が得られた。 Further, the columnar structure 31 can be removed by continuing etching or wet etching with phosphoric acid or the like, and the structure shown in FIG. 3E is obtained.
ここで、柱状構造体の突出部３５が５０ｎｍを越えると、条件によっては若干柱状構造体突出部３５が曲がる場合があった。 Here, when the protruding portion 35 of the columnar structure exceeds 50 nm, the columnar structure protruding portion 35 may be slightly bent depending on conditions.
また、（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリックスは概ねアモルファス状態であり、Ａｌが含まれている場合があった。 In addition, the (Si, Ge) matrix is almost in an amorphous state and may contain Al.
（比較例）
また、比較試料Ａとして、Ａｌ1-yＳｉy組成の膜で同様の実験をした。その結果ｙが０．２〜０．７以外の膜では柱状構造体が得られず目的の突出構造体は得られなかった。このことは、ＳｉとＧｅの混合組成やＧｅのみで行っても同様な結果であった。ＡｌとＳｉとＧｅの全量に対するＳｉとＧｅ含有量を、少なくとも２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下に調整することで、（Ｓｉ，Ｇｅ）中にＡｌの柱状構造体を形成することが可能であり、また、直線性に優れたＡｌ細線の作製が可能になる。
(Comparative example)
Further, as a comparative sample A, a similar experiment was performed using a film having an Al 1-y Si y composition. As a result, a columnar structure cannot be obtained with a film having y other than 0.2 to 0.7, and the target protruding structure cannot be obtained. This was the same result even when the mixed composition of Si and Ge or only Ge was used. By adjusting the content of Si and Ge with respect to the total amount of Al, Si and Ge to at least 20 atomic% to 70 atomic%, it is possible to form an Al columnar structure in (Si, Ge). This makes it possible to produce an Al thin wire having excellent linearity.
更に、比較試料Ｂとして、Ｓｉ基板上に、組成Ａｌ60Ｓｉ40の混合比のターゲットを用いて混合膜を約２００ｎｍ形成した。ここで、基板温度は３２０℃とした。この試料を基板真上方向から見た試料表面には、円形あるいは楕円形をしたアルミニウム柱状構造を確認することができなかった。つまり、Ａｌの柱状構造体を確認することができなかった。すなわち、基板温度が高すぎると、より安定な状態に変化してしまうため、図３に示したようなＡｌの柱状構造体を形成する膜成長ができていないと考えられる。 Further, as a comparative sample B, a mixed film of about 200 nm was formed on a Si substrate using a target having a composition ratio of Al 60 Si 40 . Here, the substrate temperature was 320 ° C. A circular or elliptical aluminum columnar structure could not be confirmed on the sample surface when the sample was viewed from directly above the substrate. That is, an Al columnar structure could not be confirmed. That is, if the substrate temperature is too high, the state changes to a more stable state, and it is considered that the film growth for forming the Al columnar structure as shown in FIG. 3 is not completed.
「実施例２」
本実施例では、エッチング条件を変えた場合について説明する。ここでＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜３２にはＡｌ0.6Ｓｉ0.4組成のものを用いた。
"Example 2"
In this embodiment, the case where the etching conditions are changed will be described. Here, the Al- (Si, Ge) mixed film 32 has an Al 0.6 Si 0.4 composition.
得られたＡｌＳｉ膜３２をエッチング装置によりドライエッチングを施した。エッチング条件としてＳＦ6流量を２０ｓｃｃｍとし、投入電力を１５０Ｗ、圧力を５．０Ｐａとした。 The obtained AlSi film 32 was dry-etched with an etching apparatus. As etching conditions, the SF 6 flow rate was 20 sccm, the input power was 150 W, and the pressure was 5.0 Pa.
まず、エッチングを２０秒行ったところ、Ｓｉマトリックス３３の約半分がエッチングされており、またＡｌを主成分と柱状構造体３１はほとんど変化しておらず、図３（ｂ）に示す構造となっていた。 First, when etching was performed for 20 seconds, about half of the Si matrix 33 was etched, and the main component of Al and the columnar structure 31 remained almost unchanged, resulting in the structure shown in FIG. It was.
更に２０分間エッチングをしたところ、Ｓｉマトリックス３３のほとんどがエッチングされており、図３（ｃ）に示す構造となっていた。 Further etching for 20 minutes revealed that most of the Si matrix 33 was etched, resulting in the structure shown in FIG.
更にエッチングを継続すると、柱状構造体３１がマスクとなって、上に柱状構造体３１が無い部分のＳｉ基板がエッチングされて図３（ｄ）に示す構造となっていた。 When the etching is further continued, the columnar structure 31 is used as a mask, and the Si substrate in the portion where the columnar structure 31 is not formed is etched to obtain the structure shown in FIG.
以上のようにＳＦ6流ガスの方がエッチング時間を短くすることができた。 As described above, the SF 6 flow gas can shorten the etching time.
ここで比較例としてＡｒのイオンミリング法でエッチングを施したところ、柱状構造体３１が突出部を形成することはなかった。 Here, as a comparative example, etching was performed by an ion milling method of Ar. As a result, the columnar structure 31 did not form a protrusion.
「実施例３」
次に柱状構造突出部上に成膜した場合の実施例を説明する。
"Example 3"
Next, an example in which a film is formed on the columnar structure protrusion will be described.
本実施例では、実施例２と同様にＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜３２にはＡｌ0.6Ｓｉ0.4組成のものを用いＳＦ6で基板までドライエッチして図３（ｅ）のナノ構造体を作製した。 In this example, the Al— (Si, Ge) mixed film 32 having an Al 0.6 Si 0.4 composition is used for the Al— (Si, Ge) mixed film 32 as in Example 2, and the substrate is dry-etched with SF 6 to the nanostructure shown in FIG. Was made.
そして、Ｃｏ／Ｐｔの積層膜をＣｏ＝０．５ｎｍ、Ｐｔ＝１．０ｎｍの厚みで膜厚３０ｎｍ成膜した。 Then, a Co / Pt laminated film was formed to a thickness of 30 nm with a thickness of Co = 0.5 nm and Pt = 1.0 nm.
得られた膜の磁気特性を測定したところ基板垂直方向に磁化容易軸があることを確認した。 When the magnetic properties of the obtained film were measured, it was confirmed that there was an easy axis of magnetization in the direction perpendicular to the substrate.
また、走査型電子顕微鏡で観察したところ、結晶粒は基板の凸部を反映して均一に微小化されていた。 When observed with a scanning electron microscope, the crystal grains were uniformly miniaturized reflecting the convex portions of the substrate.
以上より本発明のナノ構造体は磁気デバイス、特に磁気記録媒体として有効であることがわかる。また、Ｃｏ／Ｐｔの積層膜の代わりにＣｏ／Ｐｄの積層膜や、基板上にＰｔ（００１）を形成しておきＰｔ（００１）のナノサイズの柱状構造体を形成し、上部にＦｅＰｔやＣｏＰｔなどのＬ１0構造の磁性膜を形成しておくことも磁気記録媒体として有効である。 From the above, it can be seen that the nanostructure of the present invention is effective as a magnetic device, particularly as a magnetic recording medium. Further, instead of the Co / Pt laminated film, a Co / Pd laminated film, or Pt (001) is formed on the substrate to form a nano-sized columnar structure of Pt (001), and FePt or it is also effective as a magnetic recording medium to be formed of the magnetic film of the L1 0 structure such as CoPt.
図８は、基板上にＰｔ層を形成したナノ構造体の例を示す図である。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a nanostructure in which a Pt layer is formed on a substrate.
図８（ａ）に示すように、基板８３の上部に、Ｐｔ層８３ａを形成しておき、Ａｌを主成分と柱状構造体８１を形成した後、図８（ｂ）に示すように、柱状構造体８１をマスクとしてＰｔ層８３ａをエッチングにより除去し、最後に柱状構造体８１を除去してナノ構造体を作製することができる。
As shown in FIG. 8A, after a
また、基板の上部に軟磁性層を形成しておき、柱状構造体の下部に軟磁性層を配置することもできる。 It is also possible to form a soft magnetic layer on the upper part of the substrate and arrange the soft magnetic layer on the lower part of the columnar structure.
「実施例４」
本実施例は、磁気記録再生装置に関するものである。実施例３で記載の磁気記録媒体は記録再生できる特性があるため、図６に示すように磁気記録媒体６１は、他に磁気記録媒体駆動部６２、磁気ヘッド６３、磁気ヘッド駆動部６４、信号処理部６５などを備えた磁気記録再生装置において利用することが可能である。
"Example 4"
The present embodiment relates to a magnetic recording / reproducing apparatus. Since the magnetic recording medium described in the third embodiment has recording and reproducing characteristics, the magnetic recording medium 61 includes a magnetic recording medium driving unit 62, a magnetic head 63, a magnetic head driving unit 64, a signal, as shown in FIG. The present invention can be used in a magnetic recording / reproducing apparatus including a processing unit 65 and the like.
「実施例５」
本実施例は、情報処理装置に関するものである。
"Example 5"
The present embodiment relates to an information processing apparatus.
前記、実施例４に記載の磁気記録再生装置は、情報の出し入れが可能であるため、図７に示すように、磁気記録再生装置部７２、演算部７３、メモリ部分７４、電源７５、外部入出力部７６とこれらをつなぐ配線７７を格納容器７１に収めた情報処理装置を構成することが可能である。
Since the magnetic recording / reproducing apparatus described in the fourth embodiment can input and output information, as shown in FIG. 7, the magnetic recording / reproducing apparatus part 72, the
「実施例６」
本実施例では、本発明のナノ構造体をモールドとして用いた実施例について説明する。
"Example 6"
In this example, an example using the nanostructure of the present invention as a mold will be described.
図９は、本発明のモールドとして用いたナノ構造体の例を示す図である。 FIG. 9 is a diagram showing an example of a nanostructure used as a mold of the present invention.
ガラス基板上に実施例１と同様にＡｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜３２を１００ｎｍを形成した。ここでＡｌ（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜にはＡｌ0.6Ｓｉ0.4組成のものを用いＣＦ4でＳｉマトリックス部を約５０ｎｍドライエッチングしＡｌを主成分とする柱状構造突出部８５を約４０ｎｍ作製した。このとき柱状構造突出部９５の直径は約５ｎｍでありその間隔は約９ｎｍであった。柱状構造突出部３５の上に硬質膜としてのＮｉ層９６を約１５ｎｍ形成して図９に示す構造とした。
An Al— (Si, Ge) mixed film 32 having a thickness of 100 nm was formed on a glass substrate in the same manner as in Example 1. Here, an Al (Si, Ge) mixed film having an Al 0.6 Si 0.4 composition was used, and the Si matrix portion was dry-etched with CF 4 by about 50 nm to produce about 40 nm of columnar structure protrusions 85 containing Al as a main component. At this time, the diameter of the
得られたナノ構造体表面に剥離剤を塗布してモールド５１として図５に示したように、Ｓｉ基板５３上にレジスト５２としてＰＭＭＡを３０ｎｍ塗布した基板５３へ押し付けた。 As shown in FIG. 5, a release agent was applied to the surface of the obtained nanostructure and pressed against the substrate 53 on which PMMA was applied to the Si substrate 53 as a resist 52 by 30 nm.
モールドをとって基板上ＰＭＭＡ表面を走査型プローブ顕微鏡で観察したところ、モールド表面のナノサイズ突起の跡が、ＰＭＭＡへ微細孔として残っていた。 When the mold was removed and the surface of the PMMA on the substrate was observed with a scanning probe microscope, the traces of nano-sized protrusions on the mold surface remained as fine holes in the PMMA.
１ ナノ構造体
１１ 柱状構造体
１２ マトリックス
１３ 基板
１４ 柱状構造埋め込み部
１５ 柱状構造突出部
１６ 変形柱状構造突出部
２１ 基板凸部
２２ 基板表面層凸部
３１ 柱状構造体
３２ Ａｌ−（Ｓｉ，Ｇｅ）混合膜
３３ （Ｓｉ，Ｇｅ）マトリックス
３４ 柱状構造埋め込み部
３５ 柱状構造突出部
３６ 基板凸部
４１ 表面膜
５１ モールド
５２ レジスト
５３ 基板
５６ 硬質膜
６１ 磁気記録媒体
８１ 柱状構造体
８３ 基板
８３ａ Ｐｔ層
９１ モールド
９５ 柱状構造突出部
９６ Ｎｉ層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Nanostructure 11 Columnar structure 12 Matrix 13 Substrate 14 Columnar structure embedding part 15 Columnar structure protrusion 16 Deformation columnar structure protrusion 21 Substrate convex part 22 Substrate surface layer convex part 31 Columnar structure 32 Al- (Si, Ge) Mixed film 33 (Si, Ge) matrix 34 Columnar structure embedded portion 35 Columnar structure protruding portion 36 Substrate
Claims (10)
柱状の第１の部材と前記第１の部材を取り囲むように形成した第２の部材を備え、前記第２の部材が共晶を形成し得る２種類以上の材料を含有し、且つ前記材料の１種類が半導体材料であり、前記第１の部材が前記第２の部材よりも突出していることを特徴とする構造体。 A nanostructure formed on a substrate or a substrate having an underlayer,
A columnar first member and a second member formed so as to surround the first member, the second member containing two or more materials capable of forming a eutectic; One type is a semiconductor material, and the first member protrudes from the second member.
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006326723A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | Method for manufacturing nano-structure and nano-structure |
| JP2006326724A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | Method for manufacturing nano-structure and nano-structure |
| JP2007111816A (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | National Institute For Materials Science | Multifunctional nanowire, method of manufacturing same, and concentration method using multifunctional nanowire |
| KR100803213B1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | Patterned magnetic recording media and manufacturing method thereof |
| JP2008037089A (en) * | 2006-03-17 | 2008-02-21 | Canon Inc | Manufacturing process of mold with rugged structure and mold for optical element, and optical element |
| JP2009004061A (en) * | 2006-08-11 | 2009-01-08 | Canon Inc | Patterned media, method of manufacturing magnetic recording medium, and method of manufacturing base |
| JP2009536688A (en) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method for producing member having multiple nanocylinders on substrate and use of the member |
| JP2011509510A (en) * | 2008-01-11 | 2011-03-24 | ライトラブ・スウェーデン・エービー | Field emission display |
| US7936536B2 (en) | 2006-08-25 | 2011-05-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium having lands with curved upper surfaces and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP2011530803A (en) * | 2008-08-05 | 2011-12-22 | スモルテック アーベー | Templates and methods for producing high aspect ratio templates for lithography, and use of templates to drill substrates at the nanoscale |
| JP2013125554A (en) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Showa Denko Kk | Method for manufacturing magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device |
| JP2014106996A (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Toshiba Corp | Perpendicular magnetic recording medium, and manufacturing method of the same |
| CN104795079A (en) * | 2014-01-17 | 2015-07-22 | 株式会社东芝 | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing same, and magnetic recording reproduction apparatus |
| WO2023038158A1 (en) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | Ordered alloy ferromagnetic nanowire structure and method for producing same |
-
2003
- 2003-08-07 JP JP2003288940A patent/JP4383796B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4681938B2 (en) * | 2005-05-24 | 2011-05-11 | キヤノン株式会社 | Method for producing nanostructure |
| JP2006326724A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | Method for manufacturing nano-structure and nano-structure |
| JP4681939B2 (en) * | 2005-05-24 | 2011-05-11 | キヤノン株式会社 | Method for producing nanostructure |
| JP2006326723A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | Method for manufacturing nano-structure and nano-structure |
| JP2007111816A (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | National Institute For Materials Science | Multifunctional nanowire, method of manufacturing same, and concentration method using multifunctional nanowire |
| JP2008037089A (en) * | 2006-03-17 | 2008-02-21 | Canon Inc | Manufacturing process of mold with rugged structure and mold for optical element, and optical element |
| JP2009536688A (en) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method for producing member having multiple nanocylinders on substrate and use of the member |
| KR100803213B1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | Patterned magnetic recording media and manufacturing method thereof |
| JP2009004061A (en) * | 2006-08-11 | 2009-01-08 | Canon Inc | Patterned media, method of manufacturing magnetic recording medium, and method of manufacturing base |
| US7936536B2 (en) | 2006-08-25 | 2011-05-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium having lands with curved upper surfaces and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP2011509510A (en) * | 2008-01-11 | 2011-03-24 | ライトラブ・スウェーデン・エービー | Field emission display |
| JP2011530803A (en) * | 2008-08-05 | 2011-12-22 | スモルテック アーベー | Templates and methods for producing high aspect ratio templates for lithography, and use of templates to drill substrates at the nanoscale |
| US9028242B2 (en) | 2008-08-05 | 2015-05-12 | Smoltek Ab | Template and method of making high aspect ratio template for lithography and use of the template for perforating a substrate at nanoscale |
| JP2013125554A (en) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Showa Denko Kk | Method for manufacturing magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device |
| JP2014106996A (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Toshiba Corp | Perpendicular magnetic recording medium, and manufacturing method of the same |
| CN104795079A (en) * | 2014-01-17 | 2015-07-22 | 株式会社东芝 | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing same, and magnetic recording reproduction apparatus |
| JP2015135713A (en) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 株式会社東芝 | Perpendicular magnetic recording medium, perpendicular magnetic recording medium manufacturing method, and magnetic recording-reproducing apparatus |
| WO2023038158A1 (en) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | Ordered alloy ferromagnetic nanowire structure and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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