JP7246590B1 - 半導体レーザ光源装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第一の支持ブロックの前記温度制御モジュールに固定されている側に、前記第一面から、前記温度制御モジュールの前記第一の支持ブロックが固定されている面と平行な方向に延びる第一の台座部が形成され、前記第二のグランド電極パターンと前記第一の台座部とを電気的に接続する導電性ワイヤを備えたものである。
また、前記第一の支持ブロックの前記温度制御モジュールに固定されている側に、前記第一面から、前記温度制御モジュールの前記第一の支持ブロックが固定されている面と平行な方向に延びる第一の台座部が形成され、前記第一の金属膜と前記第一の台座部とが導電性接着剤により電気的に接続されているものである。
また、裏面と表面とを貫通して固定されたリードピンを複数有する金属ステムと、前記金属ステムの表面に固定された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールの前記金属ステムに固定された面と反対側の面に固定され、前記金属ステムの表面に対して垂直な第一面を有する金属製の第一の支持ブロックと、前記第一の支持ブロックの前記第一面に裏面が固定され、表面に半導体光変調素子が固定されるとともに、第一のグランド電極パターンと、片端が前記半導体光変調素子と電気的に接続された第一の信号線路とが形成された第一の誘電体基板と、前記金属ステムの表面に固定され、前記第一の支持ブロックの前記第一面と平行な第二面を有する金属製の第二の支持ブロックと、前記第二の支持ブロックの前記第二面に裏面が固定され、表面に、第二の信号線路、および前記第一のグランド電極パターンと電気的に接続された第二のグランド電極パターンが形成され、前記第二の信号線路の一端が前記リードピンのうちの一のリードピンに電気的に接続され、前記第二の信号線路の他端が前記第一の信号線路の他端と電気的に接続された第二の誘電体基板と、を備え、前記第二の誘電体基板の、前記第一の誘電体基板の側に位置する側面の少なくとも半分以上の長さの領域に前記第二のグランド電極パターンと電気的に接続された第一の金属膜が形成され、前記第二の誘電体基板の前記金属ステムとは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第二の金属膜が形成され、前記第一の金属膜が形成されている側面とは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第三の金属膜が形成され、前記第一の誘電体基板の前記金属ステムとは反対側に位置する側面の少なくとも半分以上の長さの領域に、前記第一のグランド電極パターンと前記第一の支持ブロックとを電気的に接続する第四の金属膜が形成され、前記第二の金属膜と前記第四の金属膜が導電性ワイヤで接続されているものである。
図1は、実施の形態1による半導体レーザ光源装置の構成を概略的に示す斜視図である。図1には、3次元の方向を示すため、x軸、y軸、z軸を記載している。図1に示されるように、半導体レーザ光源装置は、表面と裏面を貫通する複数のリードピン2a、2b、2c、2d、2eを有する金属ステム1の表面側に、半導体光変調素子6、および半導体光変調素子6を駆動するための部材が実装されている。複数のリードピン2a、2b、2c、2d、2eは、金属ステム1上に実装されている各電気部品と外部とを電気接続するために用いられる。半導体光変調素子6は、第一の誘電体基板5の表面に実装されている。第一の誘電体基板5は、第一の支持ブロック4の、金属ステム1の表面に対して垂直に延びる表面(第一面とも称する)に固定されている。この第一の支持ブロック4は、金属ステム1に固定された温度制御モジュール3に固定されており、第一の支持ブロック4の温度制御モジュール3に固定されている側には、温度制御モジュール3の第一の支持ブロックが固定される面と平行な方向に延びる第一の台座部4aと第二の台座部4bが形成されている。第一の台座部4aと第二の台座部4bとは互いに反対方向に延びている。第一の誘電体基板5が実装されている側に形成されている第一の台座部4aには、半導体光変調素子6の背面から出射される光を受光するための受光素子7が固定されている。第一の台座部4aと反対方向に延びる第二の台座部4bには温度をモニターするための温度センサ8が固定されている。
図4は、実施の形態2による半導体レーザ光源装置の要部の拡大図である。図4に示されるように、第一の支持ブロック4と側面に形成された第一の金属膜13を接続する方法として導電性接着剤15を用いている。
図6は、実施の形態3による半導体レーザ光源装置の第二の誘電体基板10の斜視図である。図6に示されるように、第二の誘電体基板10のz軸正方向(金属ステム1の表面とは反対側)の側面、およびx軸負方向(第一の誘電体基板5が位置する側と反対側)の側面には、それぞれ、第二の誘電体基板10の裏面に形成されている裏面グランド電極13cと接続される第二の金属膜13aおよび第三の金属膜13bが形成され、これら第二の金属膜13aおよび第三の金属膜13bを介して第二のグランド電極パターン10aと第二の支持ブロック9が電気的に接続されている。
図8は、実施の形態4による半導体レーザ光源装置の要部の拡大図である。図8に示されるように、第一の誘電体基板5のz軸正方向(金属ステムの表面とは反対側に位置する)側面には、第一のグランド電極パターン5aと第一の誘電体基板5の裏面に形成されている裏面グランド電極とを接続する第四の金属膜16が形成されており、第一の誘電体基板5の表面に形成された第一のグランド電極パターン5aと第一の支持ブロック4とを電気的に導通している。
Claims (6)
- 裏面と表面とを貫通して固定されたリードピンを複数有する金属ステムと、
前記金属ステムの表面に固定された温度制御モジュールと、
前記温度制御モジュールの前記金属ステムに固定された面と反対側の面に固定され、前記金属ステムの表面に対して垂直な第一面を有する金属製の第一の支持ブロックと、
前記第一の支持ブロックの前記第一面に裏面が固定され、表面に半導体光変調素子が固定されるとともに、第一のグランド電極パターンと、片端が前記半導体光変調素子と電気的に接続された第一の信号線路とが形成された第一の誘電体基板と、
前記金属ステムの表面に固定され、前記第一の支持ブロックの前記第一面と平行な第二面を有する金属製の第二の支持ブロックと、
前記第二の支持ブロックの前記第二面に裏面が固定され、表面に、第二の信号線路、および前記第一のグランド電極パターンと電気的に接続された第二のグランド電極パターンが形成され、前記第二の信号線路の一端が前記リードピンのうちの一のリードピンに電気的に接続され、前記第二の信号線路の他端が前記第一の信号線路の他端と電気的に接続された第二の誘電体基板と、を備えた半導体レーザ光源装置において、
前記第二の誘電体基板の、前記第一の誘電体基板の側に位置する側面の少なくとも半分以上の長さの領域に前記第二のグランド電極パターンと電気的に接続された第一の金属膜が形成されているとともに、
前記第一の支持ブロックの前記温度制御モジュールに固定されている側に、前記第一面から、前記温度制御モジュールの前記第一の支持ブロックが固定されている面と平行な方向に延びる第一の台座部が形成され、前記第二のグランド電極パターンと前記第一の台座部とを電気的に接続する導電性ワイヤを備えた半導体レーザ光源装置。 - 裏面と表面とを貫通して固定されたリードピンを複数有する金属ステムと、
前記金属ステムの表面に固定された温度制御モジュールと、
前記温度制御モジュールの前記金属ステムに固定された面と反対側の面に固定され、前記金属ステムの表面に対して垂直な第一面を有する金属製の第一の支持ブロックと、
前記第一の支持ブロックの前記第一面に裏面が固定され、表面に半導体光変調素子が固定されるとともに、第一のグランド電極パターンと、片端が前記半導体光変調素子と電気的に接続された第一の信号線路とが形成された第一の誘電体基板と、
前記金属ステムの表面に固定され、前記第一の支持ブロックの前記第一面と平行な第二面を有する金属製の第二の支持ブロックと、
前記第二の支持ブロックの前記第二面に裏面が固定され、表面に、第二の信号線路、および前記第一のグランド電極パターンと電気的に接続された第二のグランド電極パターンが形成され、前記第二の信号線路の一端が前記リードピンのうちの一のリードピンに電気的に接続され、前記第二の信号線路の他端が前記第一の信号線路の他端と電気的に接続された第二の誘電体基板と、を備えた半導体レーザ光源装置において、
前記第二の誘電体基板の、前記第一の誘電体基板の側に位置する側面の少なくとも半分以上の長さの領域に前記第二のグランド電極パターンと電気的に接続された第一の金属膜が形成されているとともに、
前記第一の支持ブロックの前記温度制御モジュールに固定されている側に、前記第一面から、前記温度制御モジュールの前記第一の支持ブロックが固定されている面と平行な方向に延びる第一の台座部が形成され、前記第一の金属膜と前記第一の台座部とが導電性接着剤により電気的に接続されている半導体レーザ光源装置。 - 裏面と表面とを貫通して固定されたリードピンを複数有する金属ステムと、
前記金属ステムの表面に固定された温度制御モジュールと、
前記温度制御モジュールの前記金属ステムに固定された面と反対側の面に固定され、前記金属ステムの表面に対して垂直な第一面を有する金属製の第一の支持ブロックと、
前記第一の支持ブロックの前記第一面に裏面が固定され、表面に半導体光変調素子が固定されるとともに、第一のグランド電極パターンと、片端が前記半導体光変調素子と電気的に接続された第一の信号線路とが形成された第一の誘電体基板と、
前記金属ステムの表面に固定され、前記第一の支持ブロックの前記第一面と平行な第二面を有する金属製の第二の支持ブロックと、
前記第二の支持ブロックの前記第二面に裏面が固定され、表面に、第二の信号線路、および前記第一のグランド電極パターンと電気的に接続された第二のグランド電極パターンが形成され、前記第二の信号線路の一端が前記リードピンのうちの一のリードピンに電気的に接続され、前記第二の信号線路の他端が前記第一の信号線路の他端と電気的に接続された第二の誘電体基板と、を備えた半導体レーザ光源装置において、
前記第二の誘電体基板の、前記第一の誘電体基板の側に位置する側面の少なくとも半分以上の長さの領域に前記第二のグランド電極パターンと電気的に接続された第一の金属膜が形成され、
前記第二の誘電体基板の前記金属ステムとは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第二の金属膜が形成され、
前記第一の金属膜が形成されている側面とは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第三の金属膜が形成され、
前記第一の誘電体基板の前記金属ステムとは反対側に位置する側面の少なくとも半分以上の長さの領域に、前記第一のグランド電極パターンと前記第一の支持ブロックとを電気的に接続する第四の金属膜が形成され、
前記第二の金属膜と前記第四の金属膜が導電性ワイヤで接続されている半導体レーザ光源装置。 - 前記第二の誘電体基板の前記金属ステムとは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第二の金属膜が、前記第一の金属膜が形成されている側面とは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第三の金属膜が形成されている請求項1に記載の半導体レーザ光源装置。
- 前記第二の誘電体基板の前記金属ステムとは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第二の金属膜が、前記第一の金属膜が形成されている側面とは反対側の側面に当該側面の長さの半分以上の領域に第三の金属膜が形成されている請求項2に記載の半導体レーザ光源装置。
- 前記金属ステムの表面側を覆う気密封止用キャップを備えた請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体レーザ光源装置。
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