JP2004537175A - レーザーを使用した化学的機械的研磨パッドの製造方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 21
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 19
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 16
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 10
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 description 1
- 239000001814 pectin Substances 0.000 description 1
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
- B23K26/0861—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane in at least in three axial directions
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
- B23K26/389—Removing material by boring or cutting by boring of fluid openings, e.g. nozzles, jets
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
- B24D11/001—Manufacture of flexible abrasive materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/34—Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract
【解決手段】本発明の方法は、研磨パッド上に形成されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔のパターンを決定する工程、該決定されたパターンをコンピュータ数値制御(CNC)コントローラに入力する工程、および該CNCコントローラの制御下で、レーザービームを照射するように適合されたレーザー装置、および研磨パッドを支持しながら3次元移動および回転を行うように適合されたテーブルを駆動させ、それにより、該入力されたパターンに従って該テーブルを移動させながら、該テーブルにより支持された該研磨パッド上に該レーザー装置からのレーザービームを照射して、該決定されたパターンに対応するパターンを有するマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔を該研磨パッド上に形成する方法である。
【選択図】図8
Description
【0001】
本発明は化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing) プロセスにおいて使用される研磨パッドに関し、そしてより特別には、レーザーにより研磨パッドにマイクロ孔(micro-holes) 、貫通孔(perforations)またはグルーブ(grooves) を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
一般に、化学的機械的研磨(CMP)は、半導体装置製造プロセスにおいてグローバル平坦化(global planarization)を得るために使用される超精密/鏡面研磨方法である。そのようなCMPに従うと、スラリーが研磨パッドと研磨されるウェハとの間に供給されて、該ウェハの表面を化学的にエッチングする。該研磨パッドを使用して、該ウェハのエッチングされた表面が機械的に研磨される。
【0003】
図1を参照すると、参照番号1により示される典型的なCMP装置が模式的に示されている。同様に、CMP装置1を使用するCMP方法が図2で模式的に示されている。該CMP法は、化学的エッチング反応プロセスと、機械的研磨プロセスとを含み、該プロセスはCMP装置1中に含まれる研磨パッド10を使用して行われる。該化学的エッチング反応はスラリー42により行われる。即ち、スラリー42は研磨されるウエハ30の表面と化学反応して、それにより、該化学的エッチング反応に続く該機械的研磨プロセスが容易に行われることを可能にする役割を果たす。該機械的研磨プロセスにおいて、圧盤20上に固定して取り付けられた研磨パッド10は回転する。保持リング32により堅固に保持されたウエハ30は、振動しながら回転する。研磨粒子を含有するスラリーが、スラリー供給手段40により研磨パッド10に供給される。供給されたスラリーは、研磨パッド10とウエハ30との間に導入される。導入された研磨粒子は、研磨パッド10とウエハ30との間の相対回転速度の差により、ウエハ30と摩擦接触して、機械的研磨を行う。スラリー42は、ナノメートル大の粒度を有する研磨粒子を含有するコロイド液である。このスラリー42が、該研磨プロセスの間に研磨パッド10上に散布される。研磨パッド10が該研磨プロセスの間に回転すると、研磨パッド10上に供給されたスラリー42は、研磨パッド10の回転により引き起こされる遠心力のために、研磨パッド10の周囲から外側に排出される。向上した研磨効率を達成するために、多量の研磨粒子が所望の長時間、研磨パッド10の上表面上に残存して、該ウエハの研磨に参加するべきである。即ち、研磨パッド10は、スラリー42をその表面上に可能な限り長時間保持させるべきである。
【0004】
前記スラリーを前記研磨パッド上に長時間保持させるために、マイクロメートル(μm)大の寸法を有する球形マイクロセル(microcells)を形成する方法、または該研磨パッドの表面で貫通孔またはグルーブを形成する方法が使用され得る。そのようなマイクロセル、貫通孔およびグルーブは、前記研磨プロセスの間に連続的に供給される該スラリーの流動および分布を制御するために作用する。
【0005】
従来、前記研磨パッドでのマイクロセルの形成は、物理的方法および化学的方法を使用して達成されている。該物理的方法としては、各々空洞を有する中空マイクロエレメントをポリマー性マトリクス中に混入して、マイクロセルを形成する方法が有る。該化学的方法としては、気泡を化学的に形成して、マイクロセルを形成する発泡方法が有る。
【0006】
ポリマー性マトリクス中へのマイクロエレメントの混入は、各々空洞を有する多量のマイクロエレメントをポリマー性マトリクス中に、該マイクロエレメントが該ポリマー性マトリクス中で均一に分布するような方法で含浸させ、それによりマイクロセルを形成することにより達成される。該ポリマー性マトリクスは、硬化剤を、ウレタン、ポリエステル、フッ化炭化水素またはそれらの混合物のような樹脂と混合することにより生成される。マイクロエレメントについては、無機塩、糖、水溶性ガムまたは樹脂が主に使用される。そのようなマイクロエレメントは、ポリビニルアルコール、ぺクチン、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリウレタンまたはそれらの組合から製造される。そのようなマイクロエレメントは、約150μmの平均直径を有する。該マイクロエレメントは、高剪断混合プロセスに従い該ポリマーマトリクスにわたり均一に分布されて、均一なマイクロセルを形成する。図3を参照すると、該空洞体を使用して形成されたマイクロセルが示されている。上述の方法においてマイクロセルが形成されたパッドを、次いで各々所望の厚さを有する片に切断して、研磨パッドを得る。各切断片において、該パッド中にランダムに分布したマイクロセルは、切断片の切断面で開口されて、円形または楕円形の形態で該切断片の切断面で露出される。各研磨パッドの研磨面で露出されたマイクロセル断面の寸法および位置はランダムである。そのような露出されたマイクロセル断面のランダムな寸法および位置は、研磨パッド間の所望の均質性を悪化させる役割を果たす。
【0007】
セルが発泡プロセスを使用して形成される前記化学的方法に従うと、ポリマー性マトリクスは、硬化剤を、低い沸点を有する液相ポリウレタン形成物質と混合することにより形成される。直接化学反応に関与して気体を発生する水または液化気体もまた発泡剤として使用され、それにより気泡を生成して該ポリマーマトリクス中にセルを形成する。気泡の生成は、高剪断混合操作により引き起こされる核形成により達成される。表面張力の減少を達成する役割を果たす界面活性剤もまた、マイクロセルの寸法を調節するために使用され、それにより所望の均一なマイクロセルを達成する。該発泡プロセスを使用して形成されたマイクロセルを図4に示す。しかしながら、セルが発泡プロセスに従って形成される場合、該セルがCMPパッドに適用するには大き過ぎたり、それらのセルが不均一な分布を有したり、また該セルの寸法および分布を調節することが可能な方法が無いという問題が有る。
【0008】
各々空洞を有するマイクロエレメントまたは発泡プロセスを使用して形成された前記マイクロセルは、円形または楕円形の断面形状を有する球状構造を有する。そのような形状のために、該マイクロセルは、前記研磨パッドの厚さ方向に変化する断面を有する。この理由のために、該研磨パッドの研磨面で露出された各々のマイクロセルの断面は、研磨パッドが研磨プロセスの間に摩耗すると変化する。言い換えると、該研磨パッドの研磨面で露出された円形または楕円形のマイクロセルは、前記研磨プロセスの進行と共に徐々に直径が減少し、そして最終的に消滅する。結果として、露出されること無く該研磨パッドの表面の下側に存在するマイクロセルが、該研磨パッドの研磨面で新たに露出される。
【0009】
それ故、前記研磨パッドの研磨面で露出された各マイクロセルの断面は、前記研磨プロセスの間に該研磨パッドの厚さが変化すると共に変化する。この理由のために、研磨率が不均一であるという問題が有る。
【0010】
前記研磨パッドの研磨面で貫通孔またはグルーブを形成するために、切削またはフライス削りのプロセスを使用する機械加工方法が使用されていた。
【0011】
図5aを参照すると、グルーブを形成するためのカッター70が示されている。研磨パッドが、旋盤上の工具ダイに取り付けられたカッター70を使用し、該研磨パッドが回転されるような条件下で機械加工されるとき、グルーブは、図5bに示されるように、該研磨パッドの上表面上に同心円の形態で形成される。図5cは、図5bのA−A線に沿った断面図である。図5cを参照すると、該カッターを使用して形成されたグルーブの例示的な形態が示されている。図5cにおいて、該グルーブは参照番号75により示されている。同心円の形態を有するグルーブの例は、米国特許第5984769号明細書において開示されている。
【特許文献1】
米国特許第5984769号明細書
【0012】
図6aを参照すると、切削鋸82およびスぺーサー83が取り付けられた水平フライス削り装置81が示されている。切削鋸82は、X軸方向に移動するように配設されている。機械加工される研磨パッド10は、Y軸方向に移動される。これらの移動に従い、第一方向に延びるグルーブ85が、研磨パッド10の上表面上に形成される。グルーブ85の形成後、研磨パッド10は90°回転される。この状態で、該第一方向と直交する第二方向に延びるグルーブが、研磨パッド10がY軸方向に移動されると形成される。それ故、格子の形態で配設されたグルーブが、図6bおよび6cに示されるように研磨面上に形成される。
【0013】
図7aを参照すると、研磨パッドで貫通孔を加工する役割を果たす穿孔ピンが示されている。穿孔操作が、該穿孔ピンを使用して該研磨パッドがY軸方向に移動される条件下で行われるとき、貫通孔が、図7bに示されるように該研磨パッドの研磨面上に形成される。そのような貫通孔の例は、米国特許第5853317号明細書において開示されている。
【特許文献2】
米国特許第5853317号明細書
【0014】
研磨パッドでグルーブまたは貫通孔を形成するために使用される慣用の方法は、旋盤またはフライス削りにより行われる切削プロセスを利用するので、該グルーブは、同心円または格子のような定まったパターンを有する。この理由のために、スラリーの流動を効率良く制御することが可能なグルーブパターンを形成することは困難である。穿孔ピンを使用する貫通孔の形成方法に従うと、該貫通孔は定まった形状を有する。同様に、該貫通孔は、穿孔ピンがX軸方向またはY軸方向に単に移動されて形成される。この理由のために、該貫通孔は、単純かつ定まったパターンを有する。それ故、CMPプロセスにおいて所望される効率的な孔パターンを得ることは困難である。
【0015】
機械的手段を使用してグルーブまたは貫通孔を有するよう機械加工された研磨パッドにおいて、機械加工プロセスの間に発生したデブリが、該グルーブまたは貫通孔中に残存し得る。そのようなデブリは、CMPプロセスの間に研磨される表面上にスクラッチを形成し得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0016】
従って、本発明は、各々空洞を有するマイクロエレメントまたは発泡プロセスを使用して形成されたマイクロセル、並びに機械的手段を使用して形成されたグルーブまたは貫通孔に関連する問題を解決するために成された。本発明は、効率的かつ多種類のパターンを有するマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔を研磨パッド上に容易に形成することが可能な方法を提案する。
【0017】
本発明の目的は、各々空洞を有するマイクロエレメントまたは発泡プロセスを使用する慣用の方法に関連する欠点、即ち、研磨プロセスの研磨率における低下または不均一性を生じるマイクロセルの寸法および分布における不均一性を解消するために、制御された均一な分布および制御された均一な寸法を有しながら、マイクロセルと同じ機能を有するマイクロ孔を形成する方法を提供することである。
【0018】
本発明の他の目的は、慣用の機械的方法に関連する欠点、即ち、定まった形状またはパターンのグルーブまたは貫通孔ゆえのスラリーの流動についての不十分な制御を解消するために、研磨プロセスの間のスラリーの流動を効率良く制御する様々な形状、寸法およびパターンを有するグルーブまたは貫通孔を形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0019】
これらの目的を果たすために、本発明は、レーザー機械加工原理に従い、研磨パッド上に、使用者により所望される様々なパターンを有するマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔を形成する方法を提供する。
【0020】
本発明のある態様に従い、化学的機械的研磨パッドの製造方法であって、研磨パッド上に形成されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔のパターンを決定する工程、該決定されたパターンをコンピュータ数値制御(CNC)コントローラに入力する工程、および該入力されたパターンに基づく該CNCコントローラの制御下で、レーザービームを照射するように適合されたレーザー装置、および該研磨パッドを支持しながら3次元移動および回転を行うように適合されたテーブルを駆動させ、それにより、該入力されたパターンに従って該テーブルを移動させながら、該テーブルにより支持された該研磨パッド上に該レーザー装置からのレーザービームを照射して、該決定されたパターンに対応するパターンを有するマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔を該研磨パッド上に形成する工程、からなる方法を提供する。
【0021】
図1は、典型的なCMP装置の配置および該CMP装置を使用して行う研磨方法を示す概略図であり、
図2は、CMP法の概念を示す概略図であり、
図3は、各々空洞を有するマイクロエレメントを使用して形成されたマイクロセルの写真であり、
図4は、発泡方法を使用して形成されたマイクロセルの写真であり、
図5aは、グルーブを形成するための慣用のカッターを示す概略図であり、
図5bは、慣用のカッターを使用して同心円の形態で形成されたグルーブを有する研磨パッドを示す概略図であり、
図5cは、図5bのA−A線に沿った断面図であり、
図6aは、慣用の切削鋸およびスぺーサーが取り付けられた慣用の水平フライス削り装置により格子パターンを有するグルーブが形成された研磨パッドを示す概略断面図であり、
図6bは、慣用の水平フライス削り装置により格子の形態で形成されたグルーブを有する研磨パッドを示す概略図であり、
図6cは、慣用の水平フライス削り装置により形成された格子形状グルーブの一つを示す断面図であり、
図7aは、研磨パッド上に貫通孔を形成するために適合された慣用の穿孔ピンを示す斜視図であり、
図7bは、慣用の穿孔ピンによる貫通孔の形成を示す平面図であり、
図7cは、慣用の穿孔ピンにより形成された貫通孔を有する研磨パッドを示す断面図であり、
図8は、本発明に従う機械加工方法において使用されるレーザーシステムを示す概略図であり、
図9aは、本発明の態様に従い、レーザーにより形成されたマイクロ孔の断面構造を表す写真であり、
図9bは、本発明の態様に従い、レーザーにより形成されたマイクロ孔の平面構造を表す写真であり、
図10は、本発明の態様に従い、レーザーにより形成されたマイクロ孔を有する研磨パッドを示す概略図であり、
図11は、本発明の他の態様に従い、レーザーにより形成された貫通孔を有する研磨パッドを示す概略図であり、そして
図12は、本発明の他の態様に従い、レーザーにより形成されたグルーブを有する研磨パッドを示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下、本発明を、その構成および作用に関し、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【0023】
本発明は、研磨パッド上のマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔の形成においてレーザー機械加工原理を利用する。該レーザー機械加工方法は、熱変形を受ける層の範囲を減じる特徴を有している。同様に、該レーザー機械加工方法は非接触式で行われて、工具の摩耗が無い。該レーザー機械加工方法は同様に、複雑な形状を有する物品を正確に機械加工し、騒音および振動の発生を解消し、また清浄な作業環境を維持することが可能である。レーザービームが研磨パッドの研磨面上に照射されると、該研磨パッドの表面温度が急激に上昇する。結果として、該研磨パッドの材料が、レーザービームが該研磨パッド上に照射されている表面領域で溶融および蒸発させられる。該研磨パッドの材料が上記した方式においてレーザー照射された領域で除去されると、マイクロ孔、グルーブまたは貫通孔の機械加工が完了する。
【0024】
図8を参照すると、本発明に従うレーザー機械加工方法を行うために使用されるレーザー機械加工システムが示されている。図8に表されるように、該レーザー機械加工システムは、レーザービームを照射するレーザー装置100、回転運動および三次元運動を行うテーブル104、並びにレーザー装置100およびテーブル104を制御するコンピュータ数値制御(CNC)コントローラ102を含む。研磨される研磨パッド10は、テーブル104上に取り付けられる。
【0025】
操作者は、研磨パッド上に形成されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔のパターン、即ち、それらマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔の寸法、深さおよび間隔を自由に決定することができる。
【0026】
以下の説明は、マイクロ孔の形成のみに関してなされる。当然に、グルーブまたは貫通孔の形成は、マイクロ孔における方法と同様な方法で行われる。
【0027】
前記操作者は、円形、楕円形、三角形、および四角形または正方形のような様々な形状から所望の形状のマイクロ孔を選択することができる。同様に、該操作者は、該マイクロ孔の直径、幅または深さを自由に決定することができる。前記研磨面に対する該マイクロ孔の傾きおよび該マイクロ孔の配置もまた、該操作者により決定することができる。
【0028】
前記操作者により決定されたマイクロ孔のパターンは、CNCコントローラ102に入力される。該パターン入力は、走査法、CADまたは他の手段を使用して達成され得る。CNCコントローラ102は、該入力されたパターンを認識し、そしてレーザー装置100およびテーブル104を制御する。
【0029】
レーザー装置100およびテーブル104がCNCコントローラ102の制御下で駆動されると、レーザービームがテーブル104上に取り付けられた研磨パッド10上に照射され、それにより、CNCコントローラ102に入力されたパターンに対応するパターンを有するマイクロ孔を形成する。
【0030】
即ち、レーザー装置100は、研磨パッド10上に、CNCコントローラ102の制御下で、CNCコントローラ102に入力されたものと対応する形状、寸法および間隔をそれぞれ有するマイクロ孔を形成する。円形、楕円形、三角形、または四角形もしくは正方形のような各々のマイクロ孔の形状は、研磨パッド10上に焦点を結ぶレーザースポットの形状を調節することにより決定することができる。同様に、研磨パッド10上に形成される各マイクロ孔の直径または幅は、該レーザースポットの寸法を調節することにより制御することができる。例えば、該レーザースポットの寸法を10ないし150μmに調節すると、10ないし150μmの直径を有するマイクロ孔を形成することができる。同様に、該レーザースポットの寸法を1ないし100μmに調節すると、1ないし100μmの直径を有するマイクロ孔を形成することができる。該レーザービームの進行方向における各マイクロ孔の長さ並びに互いに隣接して配設されたマイクロ孔の間の間隔は同様に、該レーザービームの連続的/断続的な照射期間を制御することにより調節することができる。各マイクロ孔の深さは、該レーザービームの出力を制御することにより調節することができる。
【0031】
ところで、研磨パッド10が取り付けられたテーブル104は、R軸の回りを回転しながら、3次元方向、即ち、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向に移動させることができる。前記マイクロ孔の所望のパターンが、研磨パッド10上に照射された該レーザービームにより、入力されたマイクロ孔パターンに基くCNCコントローラ102の制御下でのX軸、Y軸およびZ軸に沿ったテーブル104の3次元移動並びにテーブル104の回転に従って形成される。該マイクロ孔は、前記研磨面に対して所望の角度を有し得る。該マイクロ孔の密度および配置もまた、テーブル104の移動および回転の速度を制御することにより調節され得る。
【0032】
それ故、様々なパターンより選択された所望のパターンを有するマイクロ孔を、前記研磨パッド上に、レーザー装置100についての制御およびテーブル104についての制御の組み合わせに従って形成することができる。グルーブまたは貫通孔の形成は、該マイクロ孔の形成において使用された方法と同じ方法を使用して達成される。そのようなマイクロ孔、グルーブおよび貫通孔は、研磨パッド10上に選択的に形成され得る。さもなくば、それらは組み合わせたパターンの形態で形成され得る。後者の場合、マイクロ孔、グルーブおよび貫通孔は、連続してまたは同時に形成され得る。
【0033】
図9aおよび9bはそれぞれ、本発明に従い形成されたマイクロ孔の写真を表す。
【0034】
図9aおよび9bで表されるように、本発明に従って形成されたマイクロ孔は、滑らかな表面を有しながら、均一な直径および均一な分布を有する。しかしながら、各々空洞を有するマイクロエレメントを使用する慣用の方法、または発泡方法に従って形成された図3および図4のマイクロセルは、不均一な分布および不均一な寸法を有する。この理由のために、研磨プロセスが進行するにつれて露出されるマイクロセルは、不均一な断面を有する。本発明のマイクロ孔は、慣用のマイクロセルと同じ機能を有し、研磨プロセスの間に生成されるデブリを収集しながら研磨粒子を供給し、そして前記研磨パッドが再生されるときに収集したデブリを放出する。加えて、本発明のマイクロ孔は均一な分布および均一な寸法を有する。従って、本発明のマイクロ孔は、慣用のマイクロセルの効果を超える顕著に優れた効果を有する。本発明に従うと、マイクロ孔の分布、密度および寸法が、所望により自由に決定され得る。
【0035】
図3に示す写真の右下部分での対角斜線領域は、慣用の穿孔ピンを使用して研磨パッド上に形成された貫通孔を表す。図3に示されるように、該貫通孔は粗い表面を有し、該貫通孔中にデブリを残存させる。そのようなデブリは、CMPプロセスの間に研磨される表面上にスクラッチを形成し得る。しかしながら、そのような問題は、貫通孔またはグルーブがレーザー機械加工プロセスにより滑らかな表面を有するので、本発明に従い形成された貫通孔またはグルーブでは生じない。本発明に従うと、様々なパターンを有する貫通孔またはグルーブが、所望により自由に形成され得る。
【0036】
図10、図11および図12は、本発明に従い形成されたマイクロ孔、貫通孔およびグルーブの例をそれぞれ示す概略図である。
【0037】
図10は、本発明に従い形成されたマイクロ孔が配設された研磨パッドを示す概略図である。図10で表される研磨パッドは、異なる半径領域で異なる密度を有するマイクロ孔を有する。各半径領域において、該マイクロ孔は均一な密度および均一な寸法を有する。
【0038】
図11は、本発明に従い形成された貫通孔が配設された研磨パッドを示す概略図である。図12は、本発明に従い形成されたグルーブが配設された研磨パッドを示す概略図である。図11または図12で示される場合では、前記機械加工プロセスは、前記テーブルを回転しながら、該テーブルをX軸方向およびY軸方向に移動させることにより行われる。図5b、図6bまたは図7bに表されるように、定まったパターンのグルーブまたは貫通孔のみが慣用の機械加工方法に従って形成されるけれども、定まっていない様々なパターンのマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔を、本発明に従いCNCコントローラおよびレーザービームを使用して自由に形成することができる。
【0039】
本発明に従い、前記研磨パッドは、図10、図11および図12に図示されるパターンに限定されること無く、様々なパターンを有するマイクロ孔、貫通孔またはグルーブを有することができる。同様に、該研磨パッドは、マイクロ孔、貫通孔およびグルーブのパターンの組み合わせであるパターンを有し得る。例えば、該研磨パッドは、マイクロ孔と貫通孔、マイクロ孔とグルーブ、貫通孔とグルーブ、またはマイクロ孔と貫通孔とグルーブの組み合わせパターンを有し得る。
【産業上の利用可能性】
【0040】
上記の説明から明らかなように、本発明は、レーザーにより、様々なパターンを有するマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔を容易に加工することが可能な方法を提供する。本発明に従い、均一な分布および均一な寸法を有するマイクロ孔が研磨パッド上にレーザーにより形成され、それにより、不均一なマイクロセルを有する慣用の研磨パッドと比較して、研磨パッドの研磨効率を極大化する。本発明はまた、機械加工効率における向上および製造費用における削減の効果も提供する。本発明に従い、正確かつ様々なパターンを有する貫通孔およびグルーブを形成することができる。従って、研磨パッド上のスラリーの流動を効率的に制御することが可能である。
【0041】
本発明に従い、様々な形状、寸法および深さを有する所望のパターンのマイクロ孔、貫通孔およびグルーブ、並びにそれらの組み合わせを、研磨パッド上にレーザーにより、短時間で、与えられた研磨条件に基き、正確かつ効率的に形成することができる。従って、製造効率における向上および製造費用における削減を達成することが可能である。
【0042】
本発明の好ましい態様が、レーザー機械加工プロセスの使用によりマイクロ孔、貫通孔またはグルーブが形成された研磨パッドの製造方法に関して、説明目的のために開示されたけれども、特許請求の範囲に開示された発明の範囲および思想から逸脱すること無く、様々な変更、追加および置換が可能であると当業者は考えるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【図1】図1は、典型的なCMP装置の配置および該CMP装置を使用して行う研磨方法を示す概略図である。
【図2】図2は、CMP法の概念を示す概略図である。
【図3】図3は、各々空洞を有するマイクロエレメントを使用して形成されたマイクロセルの写真を示す図である。
【図4】図4は、発泡方法を使用して形成されたマイクロセルの写真を示す図である。
【図5a】図5aは、グルーブを形成するための慣用のカッターを示す概略図である。
【図5b】図5bは、慣用のカッターを使用して同心円の形態で形成されたグルーブを有する研磨パッドを示す概略図である。
【図5c】図5cは、図5bのA−A線に沿った断面図である。
【図6a】図6aは、慣用の切削鋸およびスぺーサーが取り付けられた慣用の水平フライス削り装置により格子パターンを有するグルーブが形成された研磨パッドを示す概略断面図である。
【図6b】図6bは、慣用の水平フライス削り装置により格子の形態で形成されたグルーブを有する研磨パッドを示す概略図である。
【図6c】図6cは、慣用の水平フライス削り装置により形成された格子形状グルーブの一つを示す断面図である。
【図7a】図7aは、研磨パッド上に貫通孔を形成するために適合された慣用の穿孔ピンを示す斜視図である。
【図7b】図7bは、慣用の穿孔ピンによる貫通孔の形成を示す平面図である。
【図7c】図7cは、慣用の穿孔ピンにより形成された貫通孔を有する研磨パッドを示す断面図である。
【図8】図8は、本発明に従う機械加工方法において使用されるレーザーシステムを示す概略図である。
【図9a】図9aは、本発明の態様に従い、レーザーにより形成されたマイクロ孔の断面構造を表す写真である。
【図9b】図9bは、本発明の態様に従い、レーザーにより形成されたマイクロ孔の平面構造を表す写真である。
【図10】図10は、本発明の態様に従い、レーザーにより形成されたマイクロ孔を有する研磨パッドを示す概略図である。
【図11】図11は、本発明の他の態様に従い、レーザーにより形成された貫通孔を有する研磨パッドを示す概略図である。
【図12】図12は、本発明の他の態様に従い、レーザーにより形成されたグルーブを有する研磨パッドを示す概略図である。
Claims (5)
- 化学的機械的研磨パッドの製造方法であって、
研磨パッド上に形成されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔のパターンを決定する工程、
該決定されたパターンをコンピュータ数値制御(CNC)コントローラに入力する工程、および
該入力されたパターンに基づく該CNCコントローラの制御下で、レーザービームを照射するように適合されたレーザー装置、および該研磨パッドを支持しながら3次元移動および回転を行うように適合されたテーブルを駆動させ、それにより、該入力されたパターンに従って該テーブルを移動させながら、該テーブルにより支持された該研磨パッド上に該レーザー装置からのレーザービームを照射して、該決定されたパターンに対応するパターンを有するマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔を該研磨パッド上に形成する工程、
からなる方法。 - レーザービームスポットの寸法を調節して、該研磨パッド上に形成される前記マイクロ孔、グルーブまたは貫通孔の直径または幅を調節する、請求項1記載の方法。
- 前記レーザービームの連続的および断続的な照射期間を制御して、前記研磨パッド上に形成されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔の長さ、並びに該レーザービームの進行方向において互いに隣接して配設されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔の間の間隔を調節する、請求項1記載の方法。
- 前記レーザービームの出力を制御して、前記研磨パッド上に形成されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔の深さを調節する、請求項1記載の方法。
- 前記テーブルをX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向に移動させて、前記研磨パッド上に形成されるマイクロ孔、グルーブまたは貫通孔が該研磨パッドの研磨面に対して成す角度を調節する、請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20010046795 | 2001-08-02 | ||
PCT/KR2001/001462 WO2003011520A1 (en) | 2001-08-02 | 2001-08-29 | Method for fabricating chemical mechanical polishing pad using laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004537175A true JP2004537175A (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=19712815
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003516740A Pending JP2004537175A (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-29 | レーザーを使用した化学的機械的研磨パッドの製造方法 |
JP2003516742A Pending JP2004536716A (ja) | 2001-08-02 | 2002-08-02 | レーザービームおよびマスクを使用した研磨パッドの作製方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003516742A Pending JP2004536716A (ja) | 2001-08-02 | 2002-08-02 | レーザービームおよびマスクを使用した研磨パッドの作製方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6794605B2 (ja) |
EP (2) | EP1412129A4 (ja) |
JP (2) | JP2004537175A (ja) |
KR (1) | KR100442807B1 (ja) |
CN (2) | CN1328009C (ja) |
TW (1) | TW590855B (ja) |
WO (2) | WO2003011520A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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- 2001-08-29 US US10/110,800 patent/US6794605B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 WO PCT/KR2001/001462 patent/WO2003011520A1/en active Application Filing
- 2001-08-29 EP EP01963599A patent/EP1412129A4/en not_active Withdrawn
- 2001-08-29 CN CNB018235999A patent/CN1328009C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 JP JP2003516740A patent/JP2004537175A/ja active Pending
- 2001-10-15 TW TW090125416A patent/TW590855B/zh not_active IP Right Cessation
-
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- 2002-08-02 KR KR10-2002-0045832A patent/KR100442807B1/ko active IP Right Grant
- 2002-08-02 US US10/485,679 patent/US20040232121A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-02 JP JP2003516742A patent/JP2004536716A/ja active Pending
- 2002-08-02 CN CNB028171632A patent/CN1328010C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-02 WO PCT/KR2002/001469 patent/WO2003011522A1/en active Application Filing
- 2002-08-02 EP EP02753279.5A patent/EP1412131B1/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003011522A1 (en) | 2003-02-13 |
CN1328010C (zh) | 2007-07-25 |
US20040232121A1 (en) | 2004-11-25 |
TW590855B (en) | 2004-06-11 |
EP1412131B1 (en) | 2015-06-10 |
CN1549756A (zh) | 2004-11-24 |
EP1412131A4 (en) | 2006-05-17 |
CN1328009C (zh) | 2007-07-25 |
US6794605B2 (en) | 2004-09-21 |
EP1412131A1 (en) | 2004-04-28 |
JP2004536716A (ja) | 2004-12-09 |
US20030132207A1 (en) | 2003-07-17 |
EP1412129A4 (en) | 2008-04-02 |
KR20030011722A (ko) | 2003-02-11 |
KR100442807B1 (ko) | 2004-08-04 |
CN1545441A (zh) | 2004-11-10 |
EP1412129A1 (en) | 2004-04-28 |
WO2003011520A1 (en) | 2003-02-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060920 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070912 |