JP2004532522A - 水素環境中のアニールにより炭化珪素層上に酸化物層を作製する方法 - Google Patents
水素環境中のアニールにより炭化珪素層上に酸化物層を作製する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004532522A JP2004532522A JP2002581576A JP2002581576A JP2004532522A JP 2004532522 A JP2004532522 A JP 2004532522A JP 2002581576 A JP2002581576 A JP 2002581576A JP 2002581576 A JP2002581576 A JP 2002581576A JP 2004532522 A JP2004532522 A JP 2004532522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide layer
- annealing
- oxide
- layer
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 64
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 61
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 31
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- -1 silicon carbide metal oxide Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 23
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 3
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 2
- 239000007845 reactive nitrogen species Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- SUBDBMMJDZJVOS-DEOSSOPVSA-N esomeprazole Chemical compound C([S@](=O)C1=NC2=CC=C(C=C2N1)OC)C1=NC=C(C)C(OC)=C1C SUBDBMMJDZJVOS-DEOSSOPVSA-N 0.000 description 1
- 231100000206 health hazard Toxicity 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
- H01L21/02323—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen
- H01L21/02326—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen into a nitride layer, e.g. changing SiN to SiON
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/049—Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/3143—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers
- H01L21/3145—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers formed by deposition from a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7838—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate without inversion channel, e.g. buried channel lateral MISFETs, normally-on lateral MISFETs, depletion-mode lateral MISFETs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
Description
【0001】
本発明は、半導体デバイスの製造に関し、より詳細には、炭化珪素(SiC)上に酸化物層を作製する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
本発明は、「炭化珪素層上に酸化物層をN2O成長する方法(METHOD OF N2O GROWTH OF AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER)」の名称で2001年10月1日出願(弁理士登録番号5308−157IP)された米国特許出願シリアル番号 の部分継続出願であり、「炭化珪素層上に酸化物層をN2O成長する方法(METHOD OF N2O GROWTH OF AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER)」の名称で2001年5月30日暫定出願された米国特許出願シリアル番号60/294,307号に優先権主張するものであり、「炭化珪素層上の酸化物層をN2Oアニールする方法(METHOD OF N2O ANNEALING AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER)」の名称で2001年4月12日出願された米国特許出願シリアル番号09/834,283号に優先権主張し、部分継続出願するものである。上に述べた各出願の開示は、完全に本明細書に提示されるように参照により組み込まれている。
【0003】
政府の権利の主張
本発明は、少なくとも部分的に、米国空軍ライト研究所(United States Air Force Wright Labs)の契約番号F33615−99−C−2914の支援によって行われた。米国政府は本発明に一定の権利を有し得る。
【0004】
従来、炭化珪素から製造されるデバイスは一般にデバイスの露出したSiC表面を保護するため、および/または他の理由によってSiO2などの酸化物層で不動態化(passivate)される。しかし、SiCとSiO2の間の界面は電子の高い表面移動度を得るには不十分であろう。より詳細には、SiCとSiO2の間の界面は従来高い界面状態密度を示し、これは電子の移動度を低下させるであろう。
【0005】
最近、酸化窒素(NO)環境中の熱酸化物のアニールが、pウェル(p-well)を必要としないプレーナ4H−SiC MOSFET構造に有望であることが示されている。たとえば、非特許文献1、および、刊行を許可された非特許文献2を参照のこと。これらの開示は、完全に本明細書に提示されるように参照により組み込まれている。このアニールは伝導帯端近くの界面状態密度を大きく低下させることを示した。非特許文献3の開示は、完全に本明細書に提示されるように参照により組み込まれている。改善されたMOS界面によって、表面反転層中での高い電子移動度(35〜95cm2/Vs)が得られる。
【0006】
悪いことには、NOは全国防火協会(NFPA)の健康危険等級3に定められており、一般に、ポスト酸化アニールが行われるデバイスはクリーンルームの大気に開放されている。それらは多くの場合排気されるが、室内にNOが安全基準を超える危険性は無視できない。
【0007】
非特許文献4に記載されているように、酸化物をN2O中で成長させることが可能であり、その開示は完全に本明細書に提示されるように参照により組み込まれている。Xuらは、SiCを純N2O環境中1100℃で360分酸化し、N2中1100℃で1時間アニールすることを記載している。
【0008】
また、N2O中1100℃の温度による6H−SiC上の酸化物の成長後窒化(post-growth nitridation)もLaiらによって研究されており(たとえば、非特許文献5参照)、その開示は完全に本明細書に提示されるように参照により組み込まれている。しかし、Laiらはその処理が界面の品質を劣化させ、その品質は、N2O中の窒化によって誘発された損傷を修復する、後続のO2中の湿式または乾式アニールによって改善することができると結論付けている。さらに、Laiによれば、後続のO2アニールによっても、N2O中の窒化を行わない場合に比較して顕著な界面状態密度の低下は見られなかった。
【0009】
NOおよびN2Oの成長およびアニールに加えて、他の環境中での後アニールも研究された。たとえば、Suzukiらは、水素中でのポスト酸化アニールを研究した(たとえば、非特許文献6参照)。これらの研究者は、フラットバンド電圧シフトおよび界面状態密度がアルゴン中および水素中の両方のポスト酸化アニールによって改善することができると報告した。この研究では、4H−SiCは乾燥O2中1200℃で酸化された。次いで、ポスト酸化アニールが、アルゴンまたは水素中で400、700、800、1000℃で30分間行われた。しかし、他の研究者は、水素中のポスト酸化アニールは他のガス中のポスト酸化アニールよりも大きな利点は提供しないと報告した(たとえば、非特許文献7参照)。
【0010】
【特許文献1】
米国特許第6,246,076号
【特許文献2】
米国特許第5,972,801号
【非特許文献1】
M. K. Das, L. A. Lipkin, J. W. Palmour, G. Y. Chung, J. R. Williams, K. McDonald, and L. C. Feldman, "High Mobility 4H-SiC Inversion mode MOSFETs Using Thermally Grown, NO Annealed SiO2" IEEE Device Research Conference, Denver, CO, June 19-21, 2000
【非特許文献2】
G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, R. A. Weller, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, M. K. Das, and J. W. Palmour, "Improved Inversion Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Following High Temperature Anneals in Nitric Oxide," IEEE Electron Device Letters
【非特許文献3】
G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, M. Di. Ventra, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, and R. A. Weller, "Effect of nitric oxide annealing on the interface trap densities near the band edges in the 4H polytype of silicon carbide," Applied Physics Letters, Vol. 76, No. 13, pp. 1713-1715, March 2000
【非特許文献4】
J. P. Xu, P. T. Lai, C. L. Chan, B. Li, and Y. C. Cheng,"Improved Performance and Reliability of N2O-Grown Oxynitride on 6H-SiC," IEEE Electron Device Letters, Vol. 21, No. 6, PP. 298-300, June 2000
【非特許文献5】
P. T. Lai, Supratic Chakraborty, C. L Chan, and Y. C. Cheng, "Effect of nitridation and annealing on interface properties of thermally oxidized SiO2/SiC metal-oxide-semiconductor system" Applied Physics Letters, Vol. 76, No. 25, pp. 3744-3746, June 2000
【非特許文献6】
Suzuki et al, "Effect of Post-oxidation-annealing in Hydrogen on SiO2/4H-SiC Interface," Material Science Forum, Vols. 338-342, pp. 1073-1076, 2000
【非特許文献7】
Mrinal Das, "Fundamental Studies of the Silicon Carbide MOS Structure," Doctoral Thesis, Purdue University, submitted December 1999
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明の実施形態は、炭化珪素上に窒化酸化物層を作製し、水素を含む環境中で窒化酸化物層をアニールすることによって炭化珪素構造を作製することを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0012】
その窒化酸化物層の作製は酸化窒素、亜酸化窒素および/または反応性窒素種を含む環境の少なくとも1つの中で酸化物層を形成し、アニールし、または、形成とアニールを行うことによって提供することができる。別法として、窒化酸化物層は、その上に窒化物層を作製する窒化酸化物層を提供するために、酸化物層を作製しその酸化物層の上に窒化物層を作製することによって提供することができる。その窒化物層の形成は、水素が窒化物層形成の副産物になり得るので、窒化酸化物層を提供し、その窒化酸化物層を水素化することができる。さらに、その実施形態では、酸化物層の水素アニールは窒化物層の作製ステップと実質上同時に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
本発明の特定の実施形態では、炭化珪素層は4Hポリタイプの炭化珪素を含む。炭化珪素層は非炭化珪素基板上の炭化珪素層、炭化珪素基板上の炭化珪素層、および/または炭化珪素基板の一部であってもよい。
【0014】
さらに本発明の実施形態では、酸化物層のアニールは、別のアニールステップの一部または他のその処理ステップのいずれかで、後続の処理ステップ酸化物層を水素含有環境中で約400℃以上の温度に加熱することによって提供される。本発明の他の実施形態では、酸化物層は水素含有環境中で約400℃以上の温度でアニールされる。また酸化物層は水素含有環境中で約400℃から約1000℃の間の温度でアニールすることもできる。本発明の特定の実施形態では、酸化物層は水素含有環境中で約900℃未満の温度でアニールされる。酸化物層は、水素含有環境中で約400℃から約800℃の間の温度でアニールすることが好ましい。加えて、アニールは約2分間以上実施することができる。
【0015】
本発明のさらに他の実施形態では、水素含有環境中のアニールに続く処理ステップも水素含有環境中で高温処理ステップが行われる。
【0016】
本発明のさらなる実施形態では、水素アニールに先立って、酸化物層に結合した、半導体デバイスのメタライゼーション形成が行われる。この実施形態では、酸化物層の水素アニールは酸化物層を水素含有環境中で約900℃未満の温度でアニールすることによって提供される。この実施形態では、酸化物層の水素アニールは接触アニール(contact anneal)であってもよい。加えて、炭化珪素金属酸化物半導体デバイスは、金属酸化物半導体デバイスのゲート酸化物として酸化物層を有するように形成することができる。
【0017】
本発明の特定の実施形態では、窒化酸化物は約4%の水素および約96%の不活性ガスを有するフォーミングガス中でアニールされる。
【0018】
本発明のさらなる実施形態では、炭化珪素層上の酸化物層は炭化珪素層上の酸化物層を酸化窒素および亜酸化窒素の少なくとも1つで窒化し、窒化酸化物層を水素含有環境中で約400℃から約900℃の間の温度で少なくとも約2分間アニールすることによって作製される。
【0019】
本発明を、発明の好ましい実施形態が示されている添付の図面を参照して、以下により完全に説明する。しかし、この発明は、多くの異なる形で実施することができ、本明細書に記載された実施形態に制限されるものと解釈すべきではなく、むしろ、これらの実施形態は、この開示が詳細で完全であり、当業者に発明の範囲を完全に伝えるように提供されるものである。図面の中で、層の厚さおよび領域は明確さのために誇張されている。同じ数字は一貫して同じ要素を指す。層、領域または基板などの要素が他の要素の「上に」と表される場合にはそれは他の要素の上に直接存在することができ、あるいは介在要素が存在することもできる。対照的に、要素が他の要素の「上に直接」と表される場合には、介在要素は存在しない。
【0020】
本発明の実施形態は、酸化物層とSiC間の界面を、その界面を含むいかなるデバイスにおいても改善する方法を提供する。これらの方法は、特にSiC上に作製される金属酸化物半導体(MOS)の製造に有利である。本発明の実施形態を用いて、SiCの伝導帯に近いエネルギーレベルの界面状態を劇的に減少させることができる。これらの欠陥はMOSデバイスの効率的な表面チャンネル移動度を制限するので、その欠陥が減少することは有利である。
【0021】
本発明の実施形態を、本発明の特定の実施形態による作業を示すフロー図である図1Aおよび図1Bを参照して説明する。図1Aに示すように、本発明の実施形態は、窒化酸化物層のアニールを用いて、炭化珪素酸化物境界の界面状態密度をさらに減少させる。本明細書で使用する窒化酸化物層という用語は、酸化窒素(NO)および/または亜酸化窒素(N2O)を含む、窒素前躯体などの化学的に反応性のある窒素原子を生成する雰囲気中で形成され、または(別のアニールステップ、および/または窒化物または酸化窒化物層堆積などの後続の処理によって)継続してアニールされ、および/または反応性窒素種が副産物であって、それによって窒素を層中に導入する処理ステップの一部としてアニールされた酸化物層を指す。
【0022】
図1Aに戻り、炭化珪素層が提供される(ブロック70)。SiC層はエピタキシャル層および/または基板であってもよい。窒化酸化物層は炭化珪素層(ブロック72)の上に提供される。本明細書に記載したように、窒化はN2Oおよび/またはNO環境中の成長および/またはアニールによって提供することができる。同様に酸化物層の窒化は、たとえば酸化物−窒化物(ON)または酸化物−窒化物−酸化物(ONO)構造に、酸化物層上に窒化物層を堆積させる処理ステップによって提供することができる。ONOおよびON構造は、一般に譲渡された米国特許(たとえば、特許文献1参照)に記載されており、その開示は完全に本明細書に提示されるように参照により組み込まれている。窒化酸化物層がアニールによって提供される実施形態では、酸化物層は、低圧化学気相成長(LPCVD)などの堆積、熱酸化プロセスによる熱成長によって形成することができ、および/または他の技術を用いて形成することができる。酸化物層は、たとえば特許文献2に記載された湿式再酸化プロセスを用いて形成するのが好ましく、その開示は完全に本明細書に提示されるように参照により組み込まれている。
【0023】
窒化酸化物層は水素含有環境中でアニールされる(ブロック74)。そのアニールは別の処理ステップとすることができ、あるいは後続の堆積の部分とすることができ、またはたとえば湿式環境中で酸化物層上に窒化物層を堆積させる他のプロセスは、窒化およびアニールの両方を提供することができる。アニールは約400℃以上の温度および約1000℃未満の温度で行うことが好ましい。アニールは約400℃から約800℃の温度で行うことが好ましい。アニールは約2分間以上行うことが好ましい。
【0024】
水素含有環境中のアニールは窒化の直後に行うことができ、またはアニールの前に介在ステップを実施することができる。すなわち、図1Bに示したように、アニールは接触アニールを提供する後続の処理ステップとして提供することができる。図1Bに見られるように、窒化酸化物層はSiC層の上に提供される(ブロック80および82)。さらにデバイスの作製を実施して炭化珪素半導体デバイスを提供することができる(ブロック84)。デバイス作製の部分としてまたは分離してデバイスに接触金属が作製される(ブロック86)。接触メタライゼーションは次いで水素含有環境中で好ましくは約400℃以上および900℃未満の温度で接触アニールされる(ブロック88)。このように、接触アニールは少なくとも水素含有環境中の窒化酸化物層のアニールの部分を提供する。次いで、後続の高温処理ステップも水素含有環境中で行われる(ブロック90)。
【0025】
たとえば、炭化珪素金属酸化物半導体デバイスでは、アニールは、デバイスのメタライゼーションに続いて、水素含有環境中で約900℃未満の温度で実施することによって提供することができる。したがって、たとえば酸化物層は金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のゲート酸化物を提供することができる。接触アニールは、窒化酸化物のアニールと同時にデバイスの接触アニールを提供することができる。作製工程で窒化酸化物層のアニールが起きるときはいつでも、後続の高温処理(すなわち約400℃以上の温度での処理)は水素含有環境中で行うことが好ましい。
【0026】
本明細書で使用する用語「水素含有環境」は、単独の水素および/または水素前躯体、または他のガスとの混合物を指す。たとえば、水素4%およびアルゴン96%のフォーミングガスを水素アニールに用いることができる。同様に、水素はNH3などの水素前躯体によって提供することができ、および/または処理ステップの副産物であってもよい。したがって、本発明は純粋な水素環境に制限されるものと解釈すべきではなく、水素および/または他のガスと共に構成ガスとしての水素前躯体を含む。
【0027】
図2は窒化酸化物層を提供する本発明の特定の実施形態に使用するのに適した炉管を示す。図2に見られるように、炉管10には、その上にSiO2などの酸化物層が形成された、またはその上に酸化物層が形成されることになる複数のSiCウェーハ12が入れられている。SiCウェーハは4H−SiCであることが好ましい。ウェーハ12は、キャリア14の上に、一般に炉管10中に固定位置を有するように置かれる。キャリア14はウェーハが炉管10の入口からL1+L2の距離にあり、炉管10中をL3の距離に延びるように配置される。N2Oおよび/またはNOを含むことのできる投入ガス16は、炉管10の中を通過し、それが距離L1を移動すると、予め設定した温度プロファイルに基づいて加熱され、加熱されたガス18を提供する。加熱されたガス18は予め設定した温度プロファイルに基づく温度に保たれ、距離L2を横切ってウェーハ12の1番目に到達する。加熱されたガス18は、それが排気ガス20として出口を通って炉管10を離れるまで、連続して炉管10を通過する。すなわち、加熱されたガス18は距離L3を移動する。加熱されたガス18は、距離L2およびL3で実質上一定の温度を保つことが好ましいが、しかし、本開示に照らして当業者には認識されるであろうように、種々の温度プロファイルを用いることもできる。そのプロファイルは時間および/または距離に関する温度変化を含むことができる。しかし、窒化酸化物層がN2Oアニールおよび/または酸化によって提供される実施形態では、予め設定した温度プロファイルが約1100℃以上のアニール温度または少なくとも1200℃の酸化温度のいずれかを含むべきである。
【0028】
図2に見られるように、加熱されたガス18は、距離L1の終端でそのN2Oが構成成分に分解し始める温度に達することができる。この距離は、炉管10の物理特性、予め設定した温度プロファイル、および流量プロファイルに依存するであろう。加熱されたガス18はまたウェーハ12に到達する前にL2の距離を移動する。加熱されたガス18がウェーハ12に到達するのにかかる時間は、本明細書では「初期滞留時間」と呼ぶ。加熱されたガスは、初期滞留時間の間、約1100℃以上のアニール温度または少なくとも約1200℃の酸化温度と一致する実質上一定の温度に保たれることが好ましい。しかし、当業者には認識されるように、初期滞留時間を増加あるいは減少させる、異なる加熱プロファイルを用いることができよう。しかし、加熱されたガス18が距離L3を移動する前に、約1100℃以上のアニール温度または少なくとも1200℃の酸化温度に保たれる時間と初期滞留時間が実質上等しい程度に、加熱プロファイルが急速であることが好ましい。
【0029】
加熱されたガス18がL2+L3の距離を移動するのにかかる時間の総計は、本明細書では「総滞留時間」と呼ぶ。本開示に照らして当業者には明らかであろうように、これらの滞留時間は、加熱されたガス18の流量および炉管10の断面積に基づいて定めることのできる、加熱されたガス18の炉管10を通る速度に依存する。その速度は、たとえば乱流が得られるならば平均速度、またはたとえば層流システムの実際の速度とすることができる。したがって用語「速度」は本明細書では平均および実際の速度の両方を指すために使用される。
【0030】
上で論じたように、窒化酸化物層は他の方法の中でも、NOおよび/またはN2O環境中の成長および/またはアニールによって提供することができる。上述のように、NO成長および/またはアニールは単独で用いることができ、またはN2O成長および/またはアニールの組合せで用いることができる。窒化酸化物層がN2O環境中で成長および/またはアニールによって提供される場合、その成長および/またはアニールは、本明細書に記載したような予め設定した温度および予め設定した流量で行うことが好ましい。
【0031】
N2Oアニールでは、酸化物は、予め設定した流量限度内の流速プロファイルでN2Oが供給される室内で、約1100℃以上のアニール温度を含む予め設定した温度プロファイルを用いてアニールすることが好ましい。アニールの温度は約1175℃またはそれよりも高いことが好ましく、さらに好ましくは約1200℃を用い得ることである。N2Oの流量限度はプロセスが適用される特定のデバイスに基づいて選定することができる。しかし、特定の実施形態では、N2Oの流量限度は約2標準リットル/分(SLM)ほどに低く、または約8SLMほどに高くすることができる。さらに他の実施形態では約3から約5SLMの流量限度であることが好ましい。図2に示した特定の炉では約0.37cm/秒ほどに低い速度または約1.46cm/秒ほどに高い速度、または約0.55cm/秒から約0.95cm/秒の速度が適切であり得る。詳細には、約30.48cm(12インチ)の距離L2、および約45.72cm(18インチ)の距離L3に対して、その速度では初期滞留時間が約11秒から約45秒、および総滞留時間が約28秒から約112秒になる。特に好ましい実施形態では、初期滞留時間が約16秒から約31秒、および総滞留時間が約41秒から約73秒である。N2Oおよび/またはNOアニールは約3時間行うことができ、しかし約30分間から約6時間のアニールも使用することができるが、より長い時間も使用することができる。
【0032】
N2O成長には、SiCウェーハ12は予め設定した流量限度内の流速プロファイルでN2Oが供給される室内で、約1200℃以上の酸化温度を含む予め設定した温度プロファイルを用いて酸化することが好ましい。酸化の温度は約1300℃であることが好ましい。N2Oの流量限度はプロセスが適用される特定のデバイスに基づいて選定することができる。しかし、特定の実施形態では、N2Oの流量限度は約2標準リットル/分(SLM)ほどに低く、または約6SLM以上に高くすることができる。さらに他の実施形態では約3.5SLMから約4SLMの流量限度であることが好ましい。したがって、特定のデバイスでは、約0.37cm/秒ほどに低い速度または約1.11cm/秒ほどに高い速度を使用することができるが、約0.65cm/秒から約0.74cm/秒の速度が好ましい。詳細には、約30.48cm(12インチ)の距離L2、および約45.72cm(18インチ)の距離L3に対して、その速度では初期滞留時間が約11秒から約33秒、および総滞留時間が約28秒から約84秒になる。特に好ましい実施形態では、初期滞留時間が約19秒から約22秒、および総滞留時間が約49秒から約56秒である。N2O酸化は望ましい厚さの酸化物層に応じた時間行うことができる。たとえば、約3時間以上の酸化時間を使用することができる。本明細書に使用したN2Oは、純粋なN2Oまたは蒸気、O2、および/または不活性ガスと混合したN2Oを指す。
【0033】
NOおよび/またはN2O環境中の酸化、および/またはNOおよび/またはN2O環境中のアニールに続いて、不活性ガス、またはアルゴンおよび/またはN2、またはその混合物中で任意選択的にアニールすることができる。そのアニールは、約1時間行うことができるが、しかし約3時間までまたはそれ以上のアニールも使用することができる。
【0034】
図3から6までは本発明の実施形態を用いて得られた結果を示している。図3は後続の水素含有環境中のアニールを行わないN2O成長およびN2Oアニールで得られた結果を示す。図4A、4B、5、および6は窒化酸化物層の水素アニールで得られた結果を示す。
【0035】
図3に示すように、実線は窒化させないで熱成長させた酸化物を示す。低温(1100℃)で存在する酸化物をN2Oに暴露すると、熱酸化を示す太い実線と1100℃のN2Oアニールにさらした同じ熱酸化物との比較によって示されるように、界面状態密度が増加する。1200℃では、熱酸化物はN2Oアニールで大きく改善される。湿式環境中で行った酸化は、黒丸のデータと白丸のデータの比較で分かるように、1200℃N2Oアニールによってより改善することができる。さらに改善された結果が、1300℃N2Oアニール工程(乾燥−1300線)および1300℃N2O成長工程(1300成長線)を用いて得られた。この温度では、SiCの酸化は顕著である。したがって、存在する酸化物のN2O中アニールに加えて、N2O環境中で酸化物がいくらか成長した(3時間で500Åが成長した)。N2O中で酸化物を成長させることは、酸化ステップを省略することによって、存在する酸化物をN2O中でアニールするよりも処理時間を約9時間節約することができる。乾燥−1300線と1300成長線を比較することによって図3に見られるように、酸化物がN2O処理の前に成長したか、またはN2O中で成長したかにかかわらず、実質上同じ結果が得られた。
【0036】
図4Aおよび4Bは、N2Oアニールした酸化物の界面状態密度を水素4%と不活性ガス96%のフォーミンガス中800℃でアニールする前後に測定したグラフである。図4Aに示したように、線180はアニール前の酸化物の界面トラップ密度を、線182はアニール後を示す。図4Bにおいて、線184はアニール前の酸化物の界面トラップ密度を、線186はアニール後を示す。線180および184は、4H−SiC MOS界面上のDITの最も低い記録された値を示すものであろう。フォーミングガス中に存在する4%の水素は、バンドギャップの上部(図4B)および下部(図4A)の半分でこの結果をさらに改善する。
【0037】
図5は、1300℃でN2Oアニールした酸化物を有するキャパシタの電圧に対するキャパシタンスを、水素4%と不活性ガス96%のフォーミングガス中800℃でアニールする前後に測定したグラフである。図5において、線190はアニール前の酸化物のキャパシタンスを、線192はアニール後を示す。図5に見られるように、フォーミングガスアニールはフラットバンド電圧を4.5ボルト低下させ、これは有効酸化物電荷(effective oxide charge)1.7E12cm-2に相当する。
【0038】
図6は、1300℃でN2Oアニールしたゲート酸化物を有するMOSFETのゲート電圧に対する電界効果移動度を、水素4%と不活性ガス96%のフォーミングガス中800℃でアニールする前後に測定したグラフである。図6において、線200は窒化ゲート酸化物を有するMOSFETのアニール前の電界効果移動度を、線202はアニール後を示す。図6に見られるように、反転チャンネル移動度(inversion channel mobility)はほぼ20%増加し、しきい電圧は2V低下する。
【0039】
図面および明細書において、本発明の一般的に好ましい実施形態を開示し、また特定の用語を使用したが、それらは一般的に説明するためのものであって、本発明を制限するために使用するものではなく、本発明の範囲は請求項に記載される。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1A】本発明の実施形態による水素アニールの処理ステップを示すフロー図である。
【図1B】本発明の実施形態による水素アニールを組み込んだ追加の処理ステップを示すフロー図である。
【図2】本発明の実施形態に使用するのに適した炉管の概略図である。
【図3】種々の熱酸化、成長後N2Oアニール、およびN2O酸化における、伝導帯からのエネルギーレベルに対するDITのグラフである。
【図4A】1300℃でアニールした酸化物の界面状態密度を、本発明の実施形態によって、水素4%と不活性ガス96%のフォーミングガス中で800℃でアニールする前に測定したグラフである。
【図4B】1300℃でアニールした酸化物の界面状態密度を、本発明の実施形態によって、水素4%と不活性ガス96%のフォーミングガス中で800℃でアニールした後に測定したグラフである。
【図5】1300℃でN2Oアニールした酸化物を有するキャパシタの電圧に対するキャパシタンスを、本発明の実施形態による、水素4%と不活性ガス96%のフォーミングガス中800℃でアニールする前後に測定したグラフである。
【図6】1300℃でN2Oアニールしたゲート酸化物を有するMOSFETのゲート電圧に対する電界効果移動度を、本発明の実施形態による、水素4%と不活性ガス96%のフォーミングガス中での800℃のアニールの前後に測定したグラフである。
Claims (20)
- 炭化珪素電子デバイス中に絶縁体を形成する方法であって、
炭化珪素層の上に窒化酸化物層を作製するステップと、
水素を含む環境中で前記窒化酸化物層をアニールするステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記炭化珪素層は、4Hポリタイプの炭化珪素を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記炭化珪素層は、非炭化珪素基板の上の炭化珪素層を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記炭化珪素層は、炭化珪素基板の一部を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記窒化酸化物層を作製するステップは、酸化窒素および亜酸化窒素の少なくとも1つの中で酸化物層を形成するステップと、酸化窒素および亜酸化窒素の少なくとも1つの中で存在する酸化物層をアニールするステップの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記窒化酸化物層を作製するステップは、
酸化物層を作製するステップと、
層上に窒化物層が作製される当該酸化物層を窒化するために、当該酸化物層の上に窒化物層を作製するステップ
とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記水素を含む環境中で酸化物層をアニールするステップは、窒化物層を作製するステップと実質上同時に行われ、前記酸化物層の上に窒化物層を作製するそのステップは、層上に窒化物層が作製される当該酸化物層を窒化し、水素化するために、当該酸化物層の上に窒化物層を作製することを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、他の処理ステップの一部として、前記酸化物層を水素含有環境中で約400℃より高い温度に加熱することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、前記酸化物層を水素含有環境中で約400℃より高い温度でアニールすることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、前記酸化物層を水素含有環境中で約900℃未満の温度でアニールすることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、前記酸化物層を水素含有環境中で約400℃から約1000℃の間の温度でアニールすることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、前記酸化物層を水素含有環境中で約400℃から約800℃の間の温度でアニールすることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 水素含有環境中で後続の高温処理ステップを実施するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アニールするステップの前に、前記酸化物層に結合した半導体デバイスのメタライゼーションを形成するステップを実施することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、前記酸化物層を水素含有環境中で約900℃未満の温度でアニールすることを含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、接触アニールを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記アニールするステップは、約4%の水素と約96%の不活性ガスを有するフォーミングガス中で酸化物層をアニールすることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層を金属酸化物半導体デバイスのゲート酸化物として有する炭化珪素の金属酸化物半導体デバイスを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層をアニールするステップは、少なくとも約2分間行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 炭化珪素層の上の酸化物層を酸化窒素および亜酸化窒素の少なくとも1つで窒化するステップと、
当該窒化酸化物層を水素含有環境中で約400℃から約900℃の間の温度で少なくとも約2分間アニールするステップ
とを含むことを特徴とする炭化珪素層上に酸化物層を作製する方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/834,283 US6610366B2 (en) | 2000-10-03 | 2001-04-12 | Method of N2O annealing an oxide layer on a silicon carbide layer |
US09/834,283 | 2001-04-12 | ||
US29430701P | 2001-05-30 | 2001-05-30 | |
US60/294,307 | 2001-05-30 | ||
US10/045,542 US7067176B2 (en) | 2000-10-03 | 2001-10-26 | Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment |
US10/045,542 | 2001-10-26 | ||
PCT/US2002/011691 WO2002084727A2 (en) | 2001-04-12 | 2002-04-12 | Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004532522A true JP2004532522A (ja) | 2004-10-21 |
JP4781610B2 JP4781610B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=27366709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002581576A Expired - Lifetime JP4781610B2 (ja) | 2001-04-12 | 2002-04-12 | 水素環境中のアニールにより炭化珪素層上に酸化物層を作製する方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7067176B2 (ja) |
EP (3) | EP2259288B1 (ja) |
JP (1) | JP4781610B2 (ja) |
KR (1) | KR100855388B1 (ja) |
CN (1) | CN100517607C (ja) |
AT (1) | ATE407449T1 (ja) |
CA (1) | CA2442929C (ja) |
DE (1) | DE60228695D1 (ja) |
WO (1) | WO2002084727A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184602A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Magnachip Semiconductor Ltd | イメージセンサの金属配線形成方法 |
JP2008244455A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2009158933A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-07-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
JP2012039127A (ja) * | 2009-03-11 | 2012-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2012036229A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6956238B2 (en) * | 2000-10-03 | 2005-10-18 | Cree, Inc. | Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel |
US7022378B2 (en) * | 2002-08-30 | 2006-04-04 | Cree, Inc. | Nitrogen passivation of interface states in SiO2/SiC structures |
US7431967B2 (en) * | 2002-09-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Limited thermal budget formation of PMD layers |
US7141483B2 (en) * | 2002-09-19 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Nitrous oxide anneal of TEOS/ozone CVD for improved gapfill |
US7221010B2 (en) * | 2002-12-20 | 2007-05-22 | Cree, Inc. | Vertical JFET limited silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors |
US6979863B2 (en) * | 2003-04-24 | 2005-12-27 | Cree, Inc. | Silicon carbide MOSFETs with integrated antiparallel junction barrier Schottky free wheeling diodes and methods of fabricating the same |
US7074643B2 (en) * | 2003-04-24 | 2006-07-11 | Cree, Inc. | Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions and methods of fabricating same |
US7709403B2 (en) * | 2003-10-09 | 2010-05-04 | Panasonic Corporation | Silicon carbide-oxide layered structure, production method thereof, and semiconductor device |
US7528051B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-05-05 | Applied Materials, Inc. | Method of inducing stresses in the channel region of a transistor |
US7118970B2 (en) | 2004-06-22 | 2006-10-10 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide devices with hybrid well regions |
US7682988B2 (en) * | 2004-08-31 | 2010-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Thermal treatment of nitrided oxide to improve negative bias thermal instability |
US7414268B2 (en) | 2005-05-18 | 2008-08-19 | Cree, Inc. | High voltage silicon carbide MOS-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities |
US7391057B2 (en) * | 2005-05-18 | 2008-06-24 | Cree, Inc. | High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities |
US20060261346A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Sei-Hyung Ryu | High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same |
US7615801B2 (en) * | 2005-05-18 | 2009-11-10 | Cree, Inc. | High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities |
US7528040B2 (en) | 2005-05-24 | 2009-05-05 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide devices having smooth channels |
JP5033316B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2012-09-26 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007096263A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法。 |
US7727904B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-06-01 | Cree, Inc. | Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility |
US7728402B2 (en) | 2006-08-01 | 2010-06-01 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown |
US8432012B2 (en) | 2006-08-01 | 2013-04-30 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same |
EP2631951B1 (en) | 2006-08-17 | 2017-10-11 | Cree, Inc. | High power insulated gate bipolar transistors |
CN101512727B (zh) * | 2006-09-01 | 2011-04-20 | Nxp股份有限公司 | 用于改善碳化硅mosfet中反型层迁移率的方法 |
US8835987B2 (en) | 2007-02-27 | 2014-09-16 | Cree, Inc. | Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers |
TWI335674B (en) * | 2007-07-11 | 2011-01-01 | Univ Nat Taiwan | Methos for forming an insulating layer over a silicon carbide substrate, silicon carbide transistors and methods for fabricating the same |
US8232558B2 (en) | 2008-05-21 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Junction barrier Schottky diodes with current surge capability |
US8217398B2 (en) * | 2008-10-15 | 2012-07-10 | General Electric Company | Method for the formation of a gate oxide on a SiC substrate and SiC substrates and devices prepared thereby |
US8288220B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures |
US8294507B2 (en) | 2009-05-08 | 2012-10-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits |
US8629509B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-01-14 | Cree, Inc. | High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter |
US8193848B2 (en) | 2009-06-02 | 2012-06-05 | Cree, Inc. | Power switching devices having controllable surge current capabilities |
US8541787B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-09-24 | Cree, Inc. | High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability |
US8354690B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-01-15 | Cree, Inc. | Solid-state pinch off thyristor circuits |
US9117739B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-08-25 | Cree, Inc. | Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same |
US8415671B2 (en) | 2010-04-16 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices |
JP2012004270A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体の洗浄方法、炭化珪素半導体および炭化珪素半導体装置 |
US9142662B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with low source resistance |
US9029945B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with low source resistance |
CN102810465B (zh) * | 2011-06-02 | 2015-09-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 |
US9984894B2 (en) | 2011-08-03 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Forming SiC MOSFETs with high channel mobility by treating the oxide interface with cesium ions |
US8618582B2 (en) | 2011-09-11 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | Edge termination structure employing recesses for edge termination elements |
US9640617B2 (en) | 2011-09-11 | 2017-05-02 | Cree, Inc. | High performance power module |
US9373617B2 (en) | 2011-09-11 | 2016-06-21 | Cree, Inc. | High current, low switching loss SiC power module |
JP2014531752A (ja) | 2011-09-11 | 2014-11-27 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | 改善したレイアウトを有するトランジスタを備える高電流密度電力モジュール |
US8680587B2 (en) | 2011-09-11 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Schottky diode |
US8664665B2 (en) | 2011-09-11 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array |
US9546420B1 (en) * | 2012-10-08 | 2017-01-17 | Sandia Corporation | Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
CN103165432B (zh) * | 2013-03-15 | 2016-08-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种栅氧化层的制备方法 |
JP6425950B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2018-11-21 | 株式会社Screenホールディングス | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
CN104658903A (zh) * | 2015-01-30 | 2015-05-27 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法 |
DE102016112877B4 (de) | 2015-09-07 | 2021-07-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und für das Verfahren verwendete Halbleiterherstellungsvorrichtung |
CN106449392A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-02-22 | 东莞市广信知识产权服务有限公司 | 一种SiC表面钝化方法 |
DE102018107966B4 (de) | 2018-04-04 | 2022-02-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bilden eines Breiter-Bandabstand-Halbleiter-Bauelements |
CN115295407B (zh) * | 2022-09-29 | 2023-07-07 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构 |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3924024A (en) | 1973-04-02 | 1975-12-02 | Ncr Co | Process for fabricating MNOS non-volatile memories |
CA1075437A (en) * | 1975-07-28 | 1980-04-15 | Malcolm E. Washburn | Porous silicon oxynitride refractory shapes |
US4466172A (en) | 1979-01-08 | 1984-08-21 | American Microsystems, Inc. | Method for fabricating MOS device with self-aligned contacts |
US4875083A (en) | 1987-10-26 | 1989-10-17 | North Carolina State University | Metal-insulator-semiconductor capacitor formed on silicon carbide |
US5030600A (en) * | 1988-10-06 | 1991-07-09 | Benchmark Structural Ceramics Corp. | Novel sialon composition |
JPH0766971B2 (ja) | 1989-06-07 | 1995-07-19 | シャープ株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JPH03157974A (ja) | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Nec Corp | 縦型電界効果トランジスタ |
JPH0718056B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1995-03-01 | 株式会社コロイドリサーチ | 酸窒化物セラミックスファイバーの製造方法 |
JP2542448B2 (ja) | 1990-05-24 | 1996-10-09 | シャープ株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US5170455A (en) | 1991-10-30 | 1992-12-08 | At&T Bell Laboratories | Optical connective device |
US5459107A (en) | 1992-06-05 | 1995-10-17 | Cree Research, Inc. | Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures |
US6344663B1 (en) | 1992-06-05 | 2002-02-05 | Cree, Inc. | Silicon carbide CMOS devices |
US5726463A (en) | 1992-08-07 | 1998-03-10 | General Electric Company | Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure |
US5587870A (en) | 1992-09-17 | 1996-12-24 | Research Foundation Of State University Of New York | Nanocrystalline layer thin film capacitors |
US5506421A (en) * | 1992-11-24 | 1996-04-09 | Cree Research, Inc. | Power MOSFET in silicon carbide |
KR100305123B1 (ko) | 1992-12-11 | 2001-11-22 | 비센트 비.인그라시아, 알크 엠 아헨 | 정적랜덤액세스메모리셀및이를포함하는반도체장치 |
JP2531572B2 (ja) * | 1993-08-09 | 1996-09-04 | 東芝セラミックス株式会社 | 石英ガラスの酸窒化方法および表面処理方法 |
US5479316A (en) | 1993-08-24 | 1995-12-26 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit metal-oxide-metal capacitor and method of making same |
US5510630A (en) | 1993-10-18 | 1996-04-23 | Westinghouse Electric Corporation | Non-volatile random access memory cell constructed of silicon carbide |
JP3521246B2 (ja) | 1995-03-27 | 2004-04-19 | 沖電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JPH11261061A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP4001960B2 (ja) | 1995-11-03 | 2007-10-31 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 窒化酸化物誘電体層を有する半導体素子の製造方法 |
US5972801A (en) | 1995-11-08 | 1999-10-26 | Cree Research, Inc. | Process for reducing defects in oxide layers on silicon carbide |
US6136728A (en) | 1996-01-05 | 2000-10-24 | Yale University | Water vapor annealing process |
JPH09205202A (ja) | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
US5877045A (en) | 1996-04-10 | 1999-03-02 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a planar surface during multi-layer interconnect formation by a laser-assisted dielectric deposition |
US5763905A (en) | 1996-07-09 | 1998-06-09 | Abb Research Ltd. | Semiconductor device having a passivation layer |
US6002159A (en) | 1996-07-16 | 1999-12-14 | Abb Research Ltd. | SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge |
US5939763A (en) | 1996-09-05 | 1999-08-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultrathin oxynitride structure and process for VLSI applications |
US6091077A (en) * | 1996-10-22 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | MIS SOI semiconductor device with RTD and/or HET |
US6028012A (en) * | 1996-12-04 | 2000-02-22 | Yale University | Process for forming a gate-quality insulating layer on a silicon carbide substrate |
US5837572A (en) | 1997-01-10 | 1998-11-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS integrated circuit formed by using removable spacers to produce asymmetrical NMOS junctions before asymmetrical PMOS junctions for optimizing thermal diffusivity of dopants implanted therein |
JP3206727B2 (ja) | 1997-02-20 | 2001-09-10 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦型mosfetおよびその製造方法 |
DE19809554B4 (de) | 1997-03-05 | 2008-04-03 | Denso Corp., Kariya | Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung |
US6063698A (en) | 1997-06-30 | 2000-05-16 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a high dielectric constant gate oxide for use in semiconductor integrated circuits |
JP3180895B2 (ja) | 1997-08-18 | 2001-06-25 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素半導体装置の製造方法 |
CN1267397A (zh) | 1997-08-20 | 2000-09-20 | 西门子公司 | 具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用 |
US6239463B1 (en) | 1997-08-28 | 2001-05-29 | Siliconix Incorporated | Low resistance power MOSFET or other device containing silicon-germanium layer |
SE9704150D0 (sv) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | Abb Research Ltd | Semiconductor device of SiC with insulating layer a refractory metal nitride layer |
JPH11191559A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Mosfetの製造方法 |
JPH11251592A (ja) | 1998-01-05 | 1999-09-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
JP3216804B2 (ja) | 1998-01-06 | 2001-10-09 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦形fetの製造方法および炭化けい素縦形fet |
JPH11266017A (ja) | 1998-01-14 | 1999-09-28 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JPH11238742A (ja) | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP3893725B2 (ja) | 1998-03-25 | 2007-03-14 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US6627539B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-09-30 | Newport Fab, Llc | Method of forming dual-damascene interconnect structures employing low-k dielectric materials |
US6100169A (en) | 1998-06-08 | 2000-08-08 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide power devices by controlled annealing |
US6107142A (en) | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Cree Research, Inc. | Self-aligned methods of fabricating silicon carbide power devices by implantation and lateral diffusion |
US5960289A (en) | 1998-06-22 | 1999-09-28 | Motorola, Inc. | Method for making a dual-thickness gate oxide layer using a nitride/oxide composite region |
JP4123636B2 (ja) | 1998-06-22 | 2008-07-23 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6221700B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-04-24 | Denso Corporation | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device with high activation rate of impurities |
JP2000106371A (ja) | 1998-07-31 | 2000-04-11 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP3959856B2 (ja) | 1998-07-31 | 2007-08-15 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6246076B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-06-12 | Cree, Inc. | Layered dielectric on silicon carbide semiconductor structures |
EP1001459B1 (en) | 1998-09-09 | 2011-11-09 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit comprising a capacitor and method |
US6048766A (en) | 1998-10-14 | 2000-04-11 | Advanced Micro Devices | Flash memory device having high permittivity stacked dielectric and fabrication thereof |
US6204203B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Post deposition treatment of dielectric films for interface control |
JP2000201050A (ja) | 1998-11-02 | 2000-07-18 | Ngk Insulators Ltd | 表面弾性波装置用基板およびその製造方法 |
US6190973B1 (en) | 1998-12-18 | 2001-02-20 | Zilog Inc. | Method of fabricating a high quality thin oxide |
US6228720B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making insulated-gate semiconductor element |
JP3443589B2 (ja) | 1999-03-01 | 2003-09-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置の製造方法 |
US6261976B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-07-17 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of forming low pressure silicon oxynitride dielectrics having high reliability |
US6238967B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-05-29 | Motorola, Inc. | Method of forming embedded DRAM structure |
JP2000349081A (ja) | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Sony Corp | 酸化膜形成方法 |
JP4192353B2 (ja) | 1999-09-21 | 2008-12-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6524877B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of fabricating the same |
DE10036208B4 (de) | 2000-07-25 | 2007-04-19 | Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg | Halbleiteraufbau mit vergrabenem Inselgebiet und Konaktgebiet |
US6767843B2 (en) | 2000-10-03 | 2004-07-27 | Cree, Inc. | Method of N2O growth of an oxide layer on a silicon carbide layer |
CA2421003C (en) * | 2000-10-03 | 2012-06-26 | Cree, Inc. | Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing n2o |
US6593620B1 (en) | 2000-10-06 | 2003-07-15 | General Semiconductor, Inc. | Trench DMOS transistor with embedded trench schottky rectifier |
US6707011B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
US6600138B2 (en) * | 2001-04-17 | 2003-07-29 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
US6632747B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Method of ammonia annealing of ultra-thin silicon dioxide layers for uniform nitrogen profile |
US7022378B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-04-04 | Cree, Inc. | Nitrogen passivation of interface states in SiO2/SiC structures |
-
2001
- 2001-10-26 US US10/045,542 patent/US7067176B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-12 CN CNB028081072A patent/CN100517607C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 CA CA2442929A patent/CA2442929C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 AT AT02733980T patent/ATE407449T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-04-12 EP EP10179447A patent/EP2259288B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 WO PCT/US2002/011691 patent/WO2002084727A2/en active Application Filing
- 2002-04-12 JP JP2002581576A patent/JP4781610B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 DE DE60228695T patent/DE60228695D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 EP EP08159857A patent/EP1968119B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 EP EP02733980A patent/EP1378006B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 KR KR1020037013333A patent/KR100855388B1/ko active IP Right Grant
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184602A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Magnachip Semiconductor Ltd | イメージセンサの金属配線形成方法 |
JP2008244455A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2009158933A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-07-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
US8686434B2 (en) | 2007-12-04 | 2014-04-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2010058610A1 (ja) * | 2008-11-20 | 2010-05-27 | 住友電気工業株式会社 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
JP2012039127A (ja) * | 2009-03-11 | 2012-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2012036229A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012064873A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US9136378B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-09-15 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method for same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7067176B2 (en) | 2006-06-27 |
EP1968119B1 (en) | 2011-11-23 |
EP2259288A2 (en) | 2010-12-08 |
EP2259288A3 (en) | 2011-01-05 |
EP2259288B1 (en) | 2012-12-05 |
CA2442929C (en) | 2012-06-26 |
ATE407449T1 (de) | 2008-09-15 |
EP1378006A2 (en) | 2004-01-07 |
KR20040002908A (ko) | 2004-01-07 |
US20020102358A1 (en) | 2002-08-01 |
EP1968119A2 (en) | 2008-09-10 |
WO2002084727A3 (en) | 2003-04-10 |
JP4781610B2 (ja) | 2011-09-28 |
DE60228695D1 (de) | 2008-10-16 |
WO2002084727A2 (en) | 2002-10-24 |
CA2442929A1 (en) | 2002-10-24 |
EP1968119A3 (en) | 2008-10-22 |
CN100517607C (zh) | 2009-07-22 |
EP1378006B1 (en) | 2008-09-03 |
KR100855388B1 (ko) | 2008-09-04 |
CN1531746A (zh) | 2004-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4781610B2 (ja) | 水素環境中のアニールにより炭化珪素層上に酸化物層を作製する方法 | |
US6767843B2 (en) | Method of N2O growth of an oxide layer on a silicon carbide layer | |
US6610366B2 (en) | Method of N2O annealing an oxide layer on a silicon carbide layer | |
JP4374437B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3987796B2 (ja) | N2oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法 | |
US7811874B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device | |
US8119539B2 (en) | Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen | |
EP2740148B1 (en) | Forming sic mosfets with high channel mobility by treating the oxide interface with cesium ions | |
KR20050035285A (ko) | 실리콘 이산화막/실리콘 카바이드 구조에 있어서 인터페이스 스테이트의 질소 패시베이션 | |
JP4549167B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP4016954B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040723 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080813 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090608 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090609 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090728 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20091127 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20100514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100514 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101207 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110228 |
|
RD15 | Notification of revocation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7435 Effective date: 20110228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110427 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110706 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4781610 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |