JP2004504611A - 線量を検出するfdxd検出器 - Google Patents
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Abstract
本発明は、X線源と、画像信号を得るためのX線検出器とを含むX線システムに関する。X線検出器は、センサ素子のマトリクスを有するFDXDといったX線マトリクスセンサを含む。センサ素子は、感光α−Siセンサ素子(フォトダイオード)であり、FDXDにはX線を光線に変換するシンチレータ層が設けられることが好適である。センサ素子は、X線画像を表す画像信号の形式で読出しされる電荷を発生する。X線マトリクスセンサは、センサ素子とX線源との間に配置される検出素子の追加のアレイが設けられる。より詳細には、検出素子もα−Si感光フォトダイオードである。シンチレータ層は、X線マトリクスセンサと検出素子の追加のアレイとの間に配置される。半透過性のコーティングが検出素子の追加のアレイとシンチレータ層との間に置かれる。追加のアレイの検出素子の数は、センサ素子の数よりもかなり少ない。追加のアレイは、線量制御信号が得られるよう使用される。線量制御信号は、個々の検出素子において受け取った局所的なX線量を表す。線量制御信号は、X線源を制御するために使用される。線量制御信号を形成するために、シンチレータからの光線の約5%が使用される。
Description
【0001】
本発明は、X線源と、シンチレータによって覆われるセンサマトリクスと、センサマトリクスに入射するX線量を測定する手段とを含むX線装置に関する。
【0002】
患者の安全、及び、画質のために、X線診断におけるX線量を測定し制御することは必要なことである。X線量を測定する手段のうち、先行する画像に基づいて動作する手段と、リアルタイムでX線量を測定する手段とがある。
【0003】
EP0779521Alは、X線源と、シンチレータによって覆われるセンサマトリクスと、センサマトリクスに入射するX線量をリアルタイムで測定する手段とを有するX線装置が開示される。このX線量を測定する手段(線量計)は、矩形の電極素子のマトリクスからなり、素子はアモルフォスシリコン層によって更なる電極層から離間されるよう配置される。シリコン層は、X線を電気信号に変換し、X線の強度に比例して充填されるイオンが内部で形成される電離箱としてふるまう。イオンの数がX線虚度に対する電気信号を形成する。
【0004】
X線センサとして構成される線量計の検出素子によってもたらされる信号は、非常に小さく、従って評価することが困難である。更に、X線センサは、画質を低下させてしまう。
【0005】
上述されるような現在の技術状況に基づいて、本発明は、上述の欠点を阻止することを目的とする。
【0006】
上記目的は、感光検出素子のマトリクスが、画像化センサマトリクスの上に、及び、X線の進路内に配置され、半透過性反射器がシンチレータと検出素子のマトリクスとの間に配置され、この反射器はシンチレータ及び検出素子のマトリクスに接続され、センサマトリクスのセンサの数は、当該のマトリクス表面に関連する検出素子の数より大きい上述されたような種類のX線装置において達成される。
【0007】
センサマトリクスの構成、特に、FDXD(フラットダイナミックX線検出器)は、通常のFDXDである。センサマトリクスのピクセルは通常、それぞれのフォトダイオード及びTFTトランジスタからなり、行と列からなるマトリクス状に配置される。シンチレータは、センサマトリクスに入射するX線を可視光に変換する。光線は、下に位置するセンサマトリクスの個々のピクセルのフォトダイオードによって吸収され、その電荷は薄膜トランジスタ(TFT)によって周期的に読出しされるフォトダイオードの静電容量の電荷として蓄電される。読出しは、行毎に進行する。シンチレータは通常、信号強度を最適にするようシンチレータによって反射された可視光をマトリクスに直接反射し返すよう作用する反射器が設けられる。本発明のX線装置と線量計を有する従来のX線装置の主な異なる点を以下に説明する。本発明では、半透過性反射器がシンチレータに接続される。この半透過性反射器は、光線の小さい一部がシンチレータから再び放射することを可能にし、それにより、センサマトリクスの上方に配置される感光検出素子のマトリクスに入射するようにされる。
【0008】
センサマトリクスのセンサの数は、当該マトリクス表面に関する検出素子の数よりも多い。これは、検出素子は、センサマトリクスのセンサの表面領域よりも大きい表面領域を有するということを意味する。例えば、0.15×0.15平方ミリメートルではなく1×1立方センチメートルである。1つのX線パルスの際に、高いフレーム率でかなり小さい数の感光検出素子が読出しされると、本発明の装置は、そのX線パルスの際の検出素子における信号の増強に関するリアルタイム情報を可能にし、これは、瞬時的なX線パルスの線量を制御するよう使用される。感光検出素子に対しては、シンチレータからの光線の約5%のみが必要とされるので、センサマトリクス内におけるより大きな信号強度は、従来の技術と比較するとかなり高められた画質が得られる。更に、半透過性反射器は、感光検出素子に対する線量信号と、センサマトリクスに対する画像信号との間に固定の関係が存在することを保証し、この関係は、反射器の半透明性の程度によって決められ、技術的な意味では、X線のスペクトル組成とは実質的に独立している。スペクトル組成は、特に、X線源のアノード材料、X線源におけるX線用の出口窓の材料及び厚さ、使用される高電圧、及び、患者と台によるX線のろ過及び吸収によって決められる。
【0009】
X線の吸収を最小限にするために、本発明の好適な実施例における検出素子のマトリクスの基板材料は、例えば、ポリスチレン、ポリエステル、又はポリカーボネートといった低X線吸収を有する合成材料のフィルムからなる。
【0010】
感光検出素子が、アモルフォスシリコン層が設けられるフォトダイオードとして構成されると、X線による検出素子への影響はない。しかし、フォトダイオードの金属性電極は、X線の小さい一部を吸収し、所与の状況において画像欠陥をもたらす可能性がある。このような画像欠陥を阻止するために、本発明の実施例では、感光検出素子のマトリクスに、検出素子の電極によって形成される透過性金属層によって既に覆われていないマトリクス表面の領域を覆う透過性金属層を設けることを提案する。異なった金属層は供にマトリクス表面全体を覆い、従って、画像欠陥が除去される。
【0011】
信号増強の際に、X線パルスの線量に有効な影響を及ぼすために、検出素子のマトリクスを高い画像繰り返し率で読出しすることが有利である。画像繰り返し率は、1秒あたり1千乃至数十千画像になることが好適である。どのような場合においても、画像繰り返し率は、たった数ミリ秒のX線パルス継続時間という場合にも、検出素子のマトリクスにおいて適当な回数の読出し動作が行われることが可能であり、それにより、所望の線量の適度で正確な調整が可能であるよう十分に高く選択されるべきである。
【0012】
読出し速度は、行列状に配置される検出素子の複数の行を並列して読出しすることによって増加することが可能である。最後に、検出素子のマトリクスからは、X線量の測定及び制御のためにサブ領域を選択することが可能である。例えば、X線によって直接照射される領域を選択することが可能である。
【0013】
本発明を、図面を参照し以下に詳細に説明する。
【0014】
図1は、全体として、参照番号1によって示されるX線装置を示し、X線装置1は、そのX線はセンサマトリクス3に入射するX線源2を含む。センサマトリクスの上方、及び、X線の進路4において、簡潔さのために以下に線量計5と称する感光検出素子18のマトリクスが配置され、これは、シンチレータ6及びシンチレータ6の上に配置される半透過性反射器7によってセンサマトリクス3から離間される。このことは、図2のみに示す。
【0015】
X線源2と、全体として、参照番号8によって示されるフラットX線検出器8との間のビーム路4には、X線によって照射されるべき患者9が配置され、X線透過台11上に置かれる。
【0016】
フラットX線検出器8の詳細な構成は、図2に示す断面図から得ることが可能である。X線は、結晶性の針からなり、本実施例では、タリウムをドープさせたヨウ化セシウム(CsI(Ti))からなるシンチレータ6内において光線に変換される。光線は、センサマトリクス3内に行列で配列され、アモルフォスシリコンのフォトダイオード及び薄膜トランジスタ(TFT)によって形成されるセンサ(ピクセル)12上に入射する。
【0017】
シンチレータ6の上には、半透過性反射器7が設けられ、シンチレータ6の光線の大部分を、センサマトリクス3のセンサ12に反射する。しかし、光線の小さい一部、即ち、約5乃至10%の光線が半透過性反射器7を線量計5の方向に透過されることが可能である。線量計5は、原則的に、センサマトリクスと一致して構成され、図2の断面図には明らかに見ることが可能であるように、ピクセル12より実質的に大きい検出素子18からなる。適当な読出し速度を保証するようピクセル12の数は、検出素子18の数よりも少なくとも1000倍は大きくあるべきである。センサマトリクス3とシンチレータ6との間には、センサマトリクス3をシンチレータ6からの化学的影響から保護する光透過性隔離層が設けられる。検出素子18は更に、アモルフォスシリコン層を有するフォトダイオードを含み、センサマトリクス3のピクセル12のように行列に配置される。
【0018】
センサマトリクス3の個々のピクセル12は、読出し電子回路13によって行毎に読出しされ、電荷は、電子回路内の電荷感度前置増幅器に供給される。前置増幅器の出力信号はデジタル化され、更に処理され、それによりセンサマトリクス3上のX線分布を表す画像データを形成する。
【0019】
個々の検出素子18は、TFTトランジスタによって行で読出しされる。しかし、各検出素子18が、図示されない別個の前置増幅器チャネルに接続される場合は、TFTトランジスタも無くてもよい。このような解決策は、検出素子18の単純化をもたらすが、多数の別個の信号増幅器及び接続導体を必要とする。というのは、各検出素子18は、検出素子の各行に対し設けられる共通のリード線の代わりに別個の接続リード線を必要とするからである。
【0020】
検出素子18の出力信号は、線量信号プロセッサ21により更に処理される。
【0021】
X線装置の詳細な動作を以下に示す。
【0022】
例えば、画像形式、照射継続時間、及び特に放射線量といった次の画像に対する所望される基準値は、ユーザインタフェース25を介しシステムコントローラ23に入力される。図1に示されるようなX線発生器22、線量信号プロセッサ21、検出器コントローラ24、及び、画像プロセッサ14の準備が整うと、システムコントローラ23は確認応答を受信し、X線発生器22からX線を放射させる開始信号を発生する。開始信号の後、信号処理の時間における実行は、検出器コントローラ24によって独占的に制御される。線量信号プロセッサ21は、線量計5から到着する信号を処理し、それにより、システムコントローラ23によってX線量に対する所定の基準値と絶えず比較されるリアルタイム線量信号(実際の値)を形成する。基準値/実際値の比較の結果は、X線発生器22に供給され、X線発生器22は続いて、線量に対する所望の基準値となるよう必要な変更を行う。このために、X線発生器22は、X線源2の高圧値、電流、及びX線パルスの継続時間といったパラメータを変更してもよい。線量に対する基準値になると、X線発生器22は直ぐにX線源2のスイッチを切る。次に、X線画像は正確に照射される。続いて、X線画像は、検出器コントローラ24の制御下でセンサマトリクス3から読出しされ、画像プロセッサ14内で処理される。画像プロセッサ内における画像処理の際に、センサマトリクス3によってもたらされる欠陥は補償され、例えば、画像の鮮鋭度が既知の方法で高められることのように、画質が高められる。最後に、画像は、画像プロセッサ14内において更に処理され、モニタ15、画像メモリ16、及び/又はネットワーク17に供給される。
【0023】
参照番号のリスト
1 X線装置
2 X線源
3 センサマトリクス
4 ビーム路
5 線量計
6 シンチレータ
7 半透過性反射器
8 フラットX線検出器
9 患者
10 隔離層
11 患者台
12 ピクセル
13 電子読出し回路
14 画像プロセッサ
15 モニタ
16 画像メモリ
17 ネットワーク
18 検出素子
19 −
20 −
21 線量信号プロセッサ
22 X線発生器
23 システムコントローラ
24 検出器コントローラ
25 ユーザインタフェース
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のX線装置を示す回路図である。
【図2】X線量を測定する手段を有するセンサマトリクスを詳細に示す図である。
本発明は、X線源と、シンチレータによって覆われるセンサマトリクスと、センサマトリクスに入射するX線量を測定する手段とを含むX線装置に関する。
【0002】
患者の安全、及び、画質のために、X線診断におけるX線量を測定し制御することは必要なことである。X線量を測定する手段のうち、先行する画像に基づいて動作する手段と、リアルタイムでX線量を測定する手段とがある。
【0003】
EP0779521Alは、X線源と、シンチレータによって覆われるセンサマトリクスと、センサマトリクスに入射するX線量をリアルタイムで測定する手段とを有するX線装置が開示される。このX線量を測定する手段(線量計)は、矩形の電極素子のマトリクスからなり、素子はアモルフォスシリコン層によって更なる電極層から離間されるよう配置される。シリコン層は、X線を電気信号に変換し、X線の強度に比例して充填されるイオンが内部で形成される電離箱としてふるまう。イオンの数がX線虚度に対する電気信号を形成する。
【0004】
X線センサとして構成される線量計の検出素子によってもたらされる信号は、非常に小さく、従って評価することが困難である。更に、X線センサは、画質を低下させてしまう。
【0005】
上述されるような現在の技術状況に基づいて、本発明は、上述の欠点を阻止することを目的とする。
【0006】
上記目的は、感光検出素子のマトリクスが、画像化センサマトリクスの上に、及び、X線の進路内に配置され、半透過性反射器がシンチレータと検出素子のマトリクスとの間に配置され、この反射器はシンチレータ及び検出素子のマトリクスに接続され、センサマトリクスのセンサの数は、当該のマトリクス表面に関連する検出素子の数より大きい上述されたような種類のX線装置において達成される。
【0007】
センサマトリクスの構成、特に、FDXD(フラットダイナミックX線検出器)は、通常のFDXDである。センサマトリクスのピクセルは通常、それぞれのフォトダイオード及びTFTトランジスタからなり、行と列からなるマトリクス状に配置される。シンチレータは、センサマトリクスに入射するX線を可視光に変換する。光線は、下に位置するセンサマトリクスの個々のピクセルのフォトダイオードによって吸収され、その電荷は薄膜トランジスタ(TFT)によって周期的に読出しされるフォトダイオードの静電容量の電荷として蓄電される。読出しは、行毎に進行する。シンチレータは通常、信号強度を最適にするようシンチレータによって反射された可視光をマトリクスに直接反射し返すよう作用する反射器が設けられる。本発明のX線装置と線量計を有する従来のX線装置の主な異なる点を以下に説明する。本発明では、半透過性反射器がシンチレータに接続される。この半透過性反射器は、光線の小さい一部がシンチレータから再び放射することを可能にし、それにより、センサマトリクスの上方に配置される感光検出素子のマトリクスに入射するようにされる。
【0008】
センサマトリクスのセンサの数は、当該マトリクス表面に関する検出素子の数よりも多い。これは、検出素子は、センサマトリクスのセンサの表面領域よりも大きい表面領域を有するということを意味する。例えば、0.15×0.15平方ミリメートルではなく1×1立方センチメートルである。1つのX線パルスの際に、高いフレーム率でかなり小さい数の感光検出素子が読出しされると、本発明の装置は、そのX線パルスの際の検出素子における信号の増強に関するリアルタイム情報を可能にし、これは、瞬時的なX線パルスの線量を制御するよう使用される。感光検出素子に対しては、シンチレータからの光線の約5%のみが必要とされるので、センサマトリクス内におけるより大きな信号強度は、従来の技術と比較するとかなり高められた画質が得られる。更に、半透過性反射器は、感光検出素子に対する線量信号と、センサマトリクスに対する画像信号との間に固定の関係が存在することを保証し、この関係は、反射器の半透明性の程度によって決められ、技術的な意味では、X線のスペクトル組成とは実質的に独立している。スペクトル組成は、特に、X線源のアノード材料、X線源におけるX線用の出口窓の材料及び厚さ、使用される高電圧、及び、患者と台によるX線のろ過及び吸収によって決められる。
【0009】
X線の吸収を最小限にするために、本発明の好適な実施例における検出素子のマトリクスの基板材料は、例えば、ポリスチレン、ポリエステル、又はポリカーボネートといった低X線吸収を有する合成材料のフィルムからなる。
【0010】
感光検出素子が、アモルフォスシリコン層が設けられるフォトダイオードとして構成されると、X線による検出素子への影響はない。しかし、フォトダイオードの金属性電極は、X線の小さい一部を吸収し、所与の状況において画像欠陥をもたらす可能性がある。このような画像欠陥を阻止するために、本発明の実施例では、感光検出素子のマトリクスに、検出素子の電極によって形成される透過性金属層によって既に覆われていないマトリクス表面の領域を覆う透過性金属層を設けることを提案する。異なった金属層は供にマトリクス表面全体を覆い、従って、画像欠陥が除去される。
【0011】
信号増強の際に、X線パルスの線量に有効な影響を及ぼすために、検出素子のマトリクスを高い画像繰り返し率で読出しすることが有利である。画像繰り返し率は、1秒あたり1千乃至数十千画像になることが好適である。どのような場合においても、画像繰り返し率は、たった数ミリ秒のX線パルス継続時間という場合にも、検出素子のマトリクスにおいて適当な回数の読出し動作が行われることが可能であり、それにより、所望の線量の適度で正確な調整が可能であるよう十分に高く選択されるべきである。
【0012】
読出し速度は、行列状に配置される検出素子の複数の行を並列して読出しすることによって増加することが可能である。最後に、検出素子のマトリクスからは、X線量の測定及び制御のためにサブ領域を選択することが可能である。例えば、X線によって直接照射される領域を選択することが可能である。
【0013】
本発明を、図面を参照し以下に詳細に説明する。
【0014】
図1は、全体として、参照番号1によって示されるX線装置を示し、X線装置1は、そのX線はセンサマトリクス3に入射するX線源2を含む。センサマトリクスの上方、及び、X線の進路4において、簡潔さのために以下に線量計5と称する感光検出素子18のマトリクスが配置され、これは、シンチレータ6及びシンチレータ6の上に配置される半透過性反射器7によってセンサマトリクス3から離間される。このことは、図2のみに示す。
【0015】
X線源2と、全体として、参照番号8によって示されるフラットX線検出器8との間のビーム路4には、X線によって照射されるべき患者9が配置され、X線透過台11上に置かれる。
【0016】
フラットX線検出器8の詳細な構成は、図2に示す断面図から得ることが可能である。X線は、結晶性の針からなり、本実施例では、タリウムをドープさせたヨウ化セシウム(CsI(Ti))からなるシンチレータ6内において光線に変換される。光線は、センサマトリクス3内に行列で配列され、アモルフォスシリコンのフォトダイオード及び薄膜トランジスタ(TFT)によって形成されるセンサ(ピクセル)12上に入射する。
【0017】
シンチレータ6の上には、半透過性反射器7が設けられ、シンチレータ6の光線の大部分を、センサマトリクス3のセンサ12に反射する。しかし、光線の小さい一部、即ち、約5乃至10%の光線が半透過性反射器7を線量計5の方向に透過されることが可能である。線量計5は、原則的に、センサマトリクスと一致して構成され、図2の断面図には明らかに見ることが可能であるように、ピクセル12より実質的に大きい検出素子18からなる。適当な読出し速度を保証するようピクセル12の数は、検出素子18の数よりも少なくとも1000倍は大きくあるべきである。センサマトリクス3とシンチレータ6との間には、センサマトリクス3をシンチレータ6からの化学的影響から保護する光透過性隔離層が設けられる。検出素子18は更に、アモルフォスシリコン層を有するフォトダイオードを含み、センサマトリクス3のピクセル12のように行列に配置される。
【0018】
センサマトリクス3の個々のピクセル12は、読出し電子回路13によって行毎に読出しされ、電荷は、電子回路内の電荷感度前置増幅器に供給される。前置増幅器の出力信号はデジタル化され、更に処理され、それによりセンサマトリクス3上のX線分布を表す画像データを形成する。
【0019】
個々の検出素子18は、TFTトランジスタによって行で読出しされる。しかし、各検出素子18が、図示されない別個の前置増幅器チャネルに接続される場合は、TFTトランジスタも無くてもよい。このような解決策は、検出素子18の単純化をもたらすが、多数の別個の信号増幅器及び接続導体を必要とする。というのは、各検出素子18は、検出素子の各行に対し設けられる共通のリード線の代わりに別個の接続リード線を必要とするからである。
【0020】
検出素子18の出力信号は、線量信号プロセッサ21により更に処理される。
【0021】
X線装置の詳細な動作を以下に示す。
【0022】
例えば、画像形式、照射継続時間、及び特に放射線量といった次の画像に対する所望される基準値は、ユーザインタフェース25を介しシステムコントローラ23に入力される。図1に示されるようなX線発生器22、線量信号プロセッサ21、検出器コントローラ24、及び、画像プロセッサ14の準備が整うと、システムコントローラ23は確認応答を受信し、X線発生器22からX線を放射させる開始信号を発生する。開始信号の後、信号処理の時間における実行は、検出器コントローラ24によって独占的に制御される。線量信号プロセッサ21は、線量計5から到着する信号を処理し、それにより、システムコントローラ23によってX線量に対する所定の基準値と絶えず比較されるリアルタイム線量信号(実際の値)を形成する。基準値/実際値の比較の結果は、X線発生器22に供給され、X線発生器22は続いて、線量に対する所望の基準値となるよう必要な変更を行う。このために、X線発生器22は、X線源2の高圧値、電流、及びX線パルスの継続時間といったパラメータを変更してもよい。線量に対する基準値になると、X線発生器22は直ぐにX線源2のスイッチを切る。次に、X線画像は正確に照射される。続いて、X線画像は、検出器コントローラ24の制御下でセンサマトリクス3から読出しされ、画像プロセッサ14内で処理される。画像プロセッサ内における画像処理の際に、センサマトリクス3によってもたらされる欠陥は補償され、例えば、画像の鮮鋭度が既知の方法で高められることのように、画質が高められる。最後に、画像は、画像プロセッサ14内において更に処理され、モニタ15、画像メモリ16、及び/又はネットワーク17に供給される。
【0023】
参照番号のリスト
1 X線装置
2 X線源
3 センサマトリクス
4 ビーム路
5 線量計
6 シンチレータ
7 半透過性反射器
8 フラットX線検出器
9 患者
10 隔離層
11 患者台
12 ピクセル
13 電子読出し回路
14 画像プロセッサ
15 モニタ
16 画像メモリ
17 ネットワーク
18 検出素子
19 −
20 −
21 線量信号プロセッサ
22 X線発生器
23 システムコントローラ
24 検出器コントローラ
25 ユーザインタフェース
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のX線装置を示す回路図である。
【図2】X線量を測定する手段を有するセンサマトリクスを詳細に示す図である。
Claims (8)
- X線源と、シンチレータによって覆われるセンサマトリクスと、上記センサマトリクスに入射するX線量を測定する手段とを含むX線装置であって、
感光検出素子のマトリクスが、上記センサマトリクスの上方、及び、X線のビーム路内に配置され、
半透過性反射器が、上記シンチレータと上記感光検出素子のマトリクスとの間に配置され、
上記反射器は、上記シンチレータ及び上記感光検出素子のマトリクスに接続され、
上記センサマトリクスのセンサの数は、当該のマトリクス表面に関連付けられる上記検出素子の数よりも多いことを特徴とするX線装置。 - 上記感光検出素子のマトリクスの基板材料は、低X線吸収を有する合成材料のフィルムからなることを特徴とする請求項1記載のX線装置。
- 上記センサマトリクスの基板材料は、特に、ポリスチレン、ポリエステル、又はポリカーボネートといった、低X線吸収を有する合成材料のフィルムであることを特徴とする請求項1記載のX線装置。
- 上記感光検出素子は、アモルフォスシリコン層を有するフォトダイオードであることを特徴とする請求項1記載のX線装置。
- 上記センサマトリクスを構成するセンサは、それぞれのフォトダイオード及びTFTトランジスタが設けられることを特徴とする請求項1記載のX線装置。
- 上記感光検出素子のマトリクスは、上記感光検出素子の電極によって構成される透過性金属層によって覆われていない上記マトリクスの領域を覆う透過性金属層が設けられることを特徴とする請求項1記載のX線装置。
- 請求項1乃至6のうちいずれか一項記載のX線装置を動作する方法であって、
上記検出素子のマトリクスは、X線パルスが上記装置上に入射する間に高い画像繰り返し率で読出しされることを特徴とする方法。 - 上記感光検出素子のマトリクスの選択された領域のみが読出しされることを特徴とする請求項8記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00106879 | 2000-03-31 | ||
PCT/EP2001/003366 WO2002006853A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-03-22 | Fdxd-detector for measuring dose |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004504611A true JP2004504611A (ja) | 2004-02-12 |
Family
ID=8168299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002512707A Pending JP2004504611A (ja) | 2000-03-31 | 2001-03-22 | 線量を検出するfdxd検出器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6442238B2 (ja) |
EP (1) | EP1272871A1 (ja) |
JP (1) | JP2004504611A (ja) |
WO (1) | WO2002006853A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2012023311A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出パネル |
JP2016127989A (ja) * | 2011-09-27 | 2016-07-14 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影システムおよびその作動方法、並びに放射線画像検出装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2727534A4 (en) * | 2011-07-01 | 2015-04-29 | Rayence Co Ltd | MAMMOGRAPHY DETECTOR WITH MULTIPLE SENSORS AND MAMMOGRAPHY DEVICE FOR 3D IMAGING |
EP2751593B1 (en) | 2011-12-19 | 2019-10-16 | Koninklijke Philips N.V. | X-ray detector |
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JP2016524152A (ja) * | 2013-06-27 | 2016-08-12 | ヴァリアン メディカル システムズ インコーポレイテッド | Tftフラットパネルにcmosセンサを埋設したx線イメージャ |
JP2015012239A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ソニー株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
CN112834530A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | 双面x射线探测器及成像方法 |
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- 2001-03-22 JP JP2002512707A patent/JP2004504611A/ja active Pending
- 2001-03-22 WO PCT/EP2001/003366 patent/WO2002006853A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-03-22 EP EP01933747A patent/EP1272871A1/en not_active Withdrawn
- 2001-03-29 US US09/821,132 patent/US6442238B2/en not_active Expired - Fee Related
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WO2002006853A1 (en) | 2002-01-24 |
US20010048080A1 (en) | 2001-12-06 |
US6442238B2 (en) | 2002-08-27 |
EP1272871A1 (en) | 2003-01-08 |
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