JP2004356553A - 重ね合わせ検査方法及び重ね合わせ検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハ上に露光転写されたパターンの重ね合わせずれを検査する重ね合わせ検査方法において、半導体ウエハ上の複数の重ね合わせマークにより重ね合わせずれをそれぞれ測定し、測定により得られた各重ね合わせマークの各測定データを、重ね合わせずれを表すフィッティングモデルに対しフィッティングし(S1)、フィッティングによる残留誤差を各測定データ毎に求め(S2)、各測定データの残留誤差のショット間平均を座標毎に求め(S3)、各測定データのうち、その残留誤差がショット間平均から所定値以上離れているものを、誤測定データとみなす(S4,S5)。
【選択図】 図5
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハの露光工程に適用され、露光転写されたパターンの重ね合わせ誤差を測定する重ね合わせ検査方法、及び重ね合わせ検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハの露光工程では、露光機がその半導体ウエハに露光転写したパターンとその半導体ウエハ上に先に形成されていたパターンとのずれ(重ね合わせずれ)を測定する重ね合わせ検査が行われている(特許文献1など)。
【0003】
重ね合わせ検査の結果は、半導体ウエハ上の個々のショットへの露光がプロセスマージン内に収まっているか否かの判定に利用される。
さらには、重ね合わせずれの測定データから、ウエハオフセット成分、ウエハスケーリング成分、ウエハローテーション成分、ウエハ直交度成分、ショットスケーリング成分、ショットローテーション成分・・・などの各種成分を求め、露光機にフィードバックし、露光転写の精度向上に利用する。
【0004】
重ね合わせ検査においてこれら各成分を算出するに当たっては、重ね合わせずれの測定データを、所定のフィッティングモデルにフィッティングする。
このフィッティングモデルは、重ね合わせずれの測定データの間の規則性に基づいて構築されるので、それらデータの中に仮に「とび」(誤測定データ)があったとしても、その誤測定データが算出精度に与える影響は比較的小さかった。
【0005】
【特許文献1】
特開平7−151514号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体ウエハの高集積化に伴いこの重ね合わせ検査に要求される精度は高まっているので、この誤測定データによる微細な影響までもが無視できなくなってきた。
【0007】
そこで本発明は、重ね合わせずれの測定データから誤測定データを確実に峻別することのできる重ね合わせ検査方法、及び重ね合わせ検査装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の重ね合わせ検査方法は、基板上に形成された複数のパターンの重ね合わせを検査する重ね合わせ検査方法において、前記基板上に前記パターンとともに形成された複数の重ね合わせマークにより重ね合わせずれを測定し、前記測定により得られた複数の測定データを、前記重ね合わせずれの成分を表すフィッティングモデルに対してフィッティングし、前記フィッティングによる残留誤差を前記複数の測定データそれぞれについて求め、前記複数の測定データのうち、その残留誤差が基準値以上のものを誤測定データとみなすとを特徴とする。
【0009】
請求項2に記載の重ね合わせ検査方法は、請求項1に記載の重ね合わせ検査方法において、前記複数の測定データから前記誤測定データを除去したものを前記フィッティングモデルに対して再びフィッティングし、前記フィッティングの結果に基づいて前記重ね合わせずれの各成分を求めることを特徴とする。
請求項3に記載の重ね合わせ検査方法は、請求項1または2に記載の重ね合わせ検査方法において、前記基板は半導体ウエハであり、前記パターンは複数ショットにより露光されて形成されたものであり、前記重ね合わせマークは、前記複数ショットの各ショット領域内の所定位置に複数形成されており、前記残留誤差を求めた後、前記残留誤差のショット間平均を前記所定位置ごとに求め、前記基準値は、前記ショット間平均に基づいて決めることを特徴とする。
【0010】
請求項4に記載の重ね合わせ検査装置は、基板上に複数形成された重ね合わせマークのそれぞれの画像を取得する画像取得手段と、前記画像に基づき、重ね合わせずれを求める演算手段とを備え、前記演算手段は、前記測定により得られた複数の測定データを、前記重ね合わせずれの成分を表すフィッティングモデルに対してフィッティングし、前記フィッティングによる残留誤差を前記複数の測定データそれぞれについて求め、前記複数の測定データのうち、その残留誤差が基準値以上のものを誤測定データとみなすことを特徴とする。
【0011】
請求項5に記載の重ね合わせ検査装置は、請求項4に記載の重ね合わせ検査装置において、前記演算手段は、前記複数の測定データから前記誤測定データを除去したものを前記フィッティングモデルに対して再びフィッティングし、前記フィッティングの結果に基づいて前記重ね合わせずれの各成分を求めることを特徴とする。
【0012】
請求項6に記載の重ね合わせ検査装置は、請求項4または5に記載の重ね合わせ検査装置において、前記基板は半導体ウエハであり、前記パターンは複数ショットにより露光されて形成されたものであり、前記重ね合わせマークは、前記複数ショットの各ショット領域内の所定位置に複数形成されており、前記演算手段は、前記残留誤差を求めた後、前記残留誤差のショット間平均を前記所定位置ごとに求め、前記ショット間平均に基づいて前記基準値を決めることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図1、図2、図3、図4、図5、図6、図7、図8、図9を参照して本発明の実施形態について説明する。
本実施形態は、重ね合わせ検査装置の実施形態である。
図1は、本実施形態の重ね合わせ検査装置の構成図である。
【0014】
重ね合わせ検査装置には、被検物としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)10Aを載置すると共にそのウエハ10Aを移動させるステージ11、ステージ11を駆動するステージ制御用回路18、ウエハ10Aの表面の重ね合わせマークM(後述する図2参照)の拡大像を形成するための対物レンズ12、その対物レンズ12を装着した顕微鏡本体13、その拡大像を撮像するカメラ15、カメラ15の撮像した拡大像をリアルタイムで表示するモニタ20、カメラ15の出力する拡大像の画像データを一時的に格納するフレームメモリ16、フレームメモリ16に格納された画像データに基づき重ね合わせマークM(後述する図2,図4参照)のずれ量を算出する信号生成回路17、コンピュータ19、及び重ね合わせずれの測定・解析結果を表示するモニタ21が備えられる。
【0015】
なお、図1において符号13a,13bで示すのはそれぞれ、顕微鏡本体13の光源、その光源13aからの射出光を対物レンズ12へ導入するハーフミラーである。また、符号15aは、カメラ15内の撮像素子である。
コンピュータ19は、ステージ制御用回路18に制御信号を与えてステージ11の位置を制御すると共に、信号生成回路17の出力信号に基づき各種の演算を行う。
【0016】
また、測定結果、解析結果は、コンピュータ19に接続されたモニタ21に表示される。
以下、重ね合わせ検査装置による重ね合わせ検査について説明する。重ね合わせ検査では、最初に測定が行われる。
図2は、測定対象となる重ね合わせマークを説明する図である。
【0017】
測定の対象は、所定の複数ショットSi(i:ショット番号。i=1,2,・・)に配置された各重ね合わせマークMij(j:ショット内座標番号。j=1,2,・・)である。
以下、図2に示す5つのショットSi(i=1〜5)内の四隅に配置された各重ね合わせマークMij(j=1〜4)が測定対象になった場合を説明する。
【0018】
これら重ね合わせマークMij(i=1〜5,j=1〜4)のそれぞれのウエハ10Aにおける設計座標(x,y)ij(i=1〜5,j=1〜4)は、コンピュータ19に予め登録されている。
コンピュータ19は、予め求められたウエハ10Aとステージ11との位置関係と、その設計座標(x,y)ij(i=1〜5,j=1〜4)とに基づき、ステージ制御用回路18に制御信号を与えてステージ11を移動させ、対物レンズ12の視野で各重ね合わせマークMij(i=1〜5,j=1〜4)を順次捉える。
【0019】
このとき、設計座標から多少ずれた位置に重ね合わせマークMijが露光されて形成されていたとしても、対物レンズ12の視野内に入る程度のずれであれば、問題なく捉えることができる。
【0020】
そして、各重ね合わせマークMij(i=1〜5,j=1〜4)が視野に捉えられているときにカメラ15が撮像した画像は順次フレームメモリ16に格納される。
図4(a)は、それぞれの重ね合わせマークMijの平面図、図4(b)は断面図である。
【0021】
重ね合わせマークMijは、図4(a),(b)に示すように、大きさが異なる矩形状の下地マーク31とレジストマーク32とからなる。
下地マーク31は、下地パターンと同時に形成され、下地パターンの基準位置を示す。レジストマーク32は、レジストパターンと同時に形成され、レジストパターンの基準位置を示す。ここでは、下地マーク31が外マーク、レジストマーク32が内マークの例を図示した。
【0022】
なお、図示省略したが、レジストマーク32およびレジストパターンと、下地マーク31および下地パターンとの間には、加工対象となる材料膜が形成されている。この材料膜は、重ね合わせ検査装置による重ね合わせ状態の検査後、レジストマーク32が下地マーク31に対して正確に重ね合わされ、レジストパターンが下地パターンに対して正確に重ね合わされている場合に、レジストパターンを介して実際に加工される。これが上地パターンとなる。
【0023】
下地マーク31とレジストマーク32とは、その中心位置が一致するように形成される。したがって、下地マーク31とレジストマーク32との中心位置のずれを測定することにより、重ね合わせずれ量を求めることができる。
コンピュータ19は、以下に説明するようにして、重ね合わせずれの測定を行う。
【0024】
フレームメモリ16に格納された画像信号を読み出し、画像信号における輝度分布のエッジ情報を抽出する。輝度分布のエッジ情報とは、重ね合わせマークMijの構造に対応して画像信号に現れた明暗情報であり、輝度分布の中で輝度値が急激に変化する箇所である。エッジ情報には、重ね合わせマークMijの構造に応じて、複数のエッジが含まれる場合もある。
【0025】
さらに、画像信号の輝度分布から抽出したエッジ情報に基づいて、重ね合わせマークMijを構成する下地マーク31、レジストマーク32(図4)の中心位置C1,C2を各々算出する。これら中心位置C1,C2の算出に際しては、例えば相関演算法が用いられる。ちなみに、算出された中心位置C1,C2とは、重ね合わせ検査装置の視野領域に設定された座標系の原点に対する位置である。
【0026】
このような下地マーク31、レジストマーク32の中心位置C1,C2の差(ずれ量)に基づいて、重ね合わせずれの測定値R(図4)を算出する。
このような測定を図4におけるX方向、Y方向両方に対して行うことにより、それぞれの方向の重ね合わせずれを求めることができる。
以上のようにして、コンピュータ19は、重ね合わせマークMij(i=1〜5,j=1〜4)のそれぞれについての重ね合わせずれの測定値を算出する。
【0027】
各重ね合わせマークMijのそれぞれにおける重ね合わせずれの方向と大きさを可視化して示すと、例えば図3の矢印で示すようになる。
次に、以上の測定で得られた重ね合わせずれの測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)に対して演算が施される。
図5は、コンピュータ19による演算手順を示すフローチャートである。
【0028】
コンピュータ19は、すべての測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)を、所定のフィッティングモデルにフィッティングする(図5ステップS1)。このフィッティングモデルとしては、例えば線形の式(1)が用いられる。
【数1】
この式(1)において、(Xc,Yc)は、重ね合わせマークMijの配置されたショット中心の設計座標(ウエハ中心を原点とした座標値)である。この座標値は設計値から求めることができる。
【0029】
(X,Y)は、重ね合わせマークMijの上地マーク(すなわち図4のレジストマーク32)の中心位置の座標(ウエハ中心を原点とした座標値)である。この座標は、重ね合わせマークMijの下地マーク(図4の下地マーク31)が配置されたショットの中心位置の座標(Xc,Yc)と、前述のようにして算出した重ね合わせマークMijにおける重ね合わせずれの測定値Rとから求めることができる。
【0030】
(Xm,Ym)は、重ね合わせマークMijのショット内の設計座標(ショット中心を原点とした座標値)である。この座標値は設計値から求めることができる。
(A,D)は、重ね合わせずれのウエハスケーリング成分を表わし、(C,B)は、ウエハローテーション成分と、ウエハ直交度成分を表わしている。(I,J)は、ウエハオフセット成分を表わし、(E,H)は、ショットスケーリング成分を表わし、(G,H)は、ショットローテーション成分とショット直交度成分とを表わしている。
【0031】
また、式(1)において、(εx,εy)は、残留誤差である。
ちなみに、ウエハスケーリング成分は、露光工程で発生する熱に起因するウエハ10A上の重ね合わせずれの成分であり、露光領域全体のサイズずれの成分である。
ウエハローテーション成分は、露光工程におけるステージへのウエハ10Aの載置ずれに起因するウエハ10A上の重ね合わせずれの成分であり、露光領域全体の回転ずれの成分である。
【0032】
ウエハ直交度成分は、露光工程におけるステージの直交度に起因するウエハ10A上の重ね合わせずれの成分であり、露光領域全体の縦横方向の直交からのずれの成分である。
ウエハオフセット成分は、露光工程のオフアクシスアライメントに起因するウエハ10A上の重ね合わせずれの成分であり、露光領域全体の位置ずれの成分である。
【0033】
ショットスケーリング成分は、露光工程で発生する熱やレンズの倍率制御に起因するショット内の重ね合わせずれの成分であり、ショットのサイズずれの成分である。
ショットローテーション成分は、露光工程におけるレチクルの載置ずれに起因するショット内の重ね合わせずれの成分であり、ショットの回転ずれの成分である。
【0034】
ショット直交度成分は、露光工程におけるステージの直交度に起因するショット内の重ね合わせずれの成分であり、ショットの縦横方向の直交からのずれの成分である。
上述したフィッティングには、以上のフィッティングモデルを用いた最小二乗法が適用される。つまり、このフィッティングモデルの実測座標(X,Y)に対して各測定データから求めた上地マーク座標(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)がそれぞれ当てはめられ、全測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)について式(2)で表される残留誤差の二乗和Lが最小となるような(A,B,C,D,E,F,G,H,I,J)の各値が算出される(以上、図5ステップS1)。
【数2】
次に、求めた各値に対する各測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)の残留誤差(εx,εy)ij(i=1〜5,j=1〜4)がそれぞれ求められる(図5ステップS2)。
この残留誤差(εx,εy)ij(i=1〜5,j=1〜4)を可視化すると、例えば図6に矢印で示すようになる。
【0035】
次に、図7に示すごとく、ショット内座標番号jの等しいもの同士で残留誤差(εx,εy)の平均値を算出し、それをショット間平均値(Aεx,Aεy)j(j=1〜4)とする(図5ステップS3)。
【0036】
さらに、図8に示すごとく、各測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)と、それに対応するショット間平均値(Aεx,Aεy)j(j=1,2,3,4の何れか)との差(Δx,Δy)ij(i=1〜5,j=1〜4)が算出される(図5ステップS4)。図8の矢印は、差(Δx,Δy)ij(i=1〜5,j=1〜4)を可視化したものである。図8では、差(Δx,Δy)42が大きく、それ以外の差(Δx,Δy)ij(i=1〜5,j=1〜4)については、略0である様子を示した。
【0037】
その後、差(Δx,Δy)ij(i=1〜5,j=1〜4)の絶対値が所定の閾値と比較され、その閾値よりも大きいもの(以下、差(Δx,Δy)42とする。)に対応する測定データ(ここでは測定データ(X,Y)42)が、誤測定データとみなされる(図5ステップS5)。
そして、誤測定データ(ここでは測定データ(X,Y)42)に対し誤測定データである旨のマークを付した上で、各測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)がモニタ21などに表示される(図5ステップS6)。
【0038】
その後、誤測定データ(ここでは測定データ(X,Y)42)を除いた各測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)は、式(1)で表されるフィッティングモデルに再び当てはめられ、誤測定データ(ここでは測定データ(X,Y)42)を除いた各測定データ(X,Y)ij(i=1〜5,j=1〜4)について式(2)で表される残留誤差の二乗和Lが最小となるような(A,B,C,D,E,F,G,H,I,J)の各値が求められる(図5ステップS7)。
【0039】
それら(A,B,C,D,E,F,G,H,I,J)の各値、及び/又は、それら各値から求まるウエハスケーリング成分、ウエハローテーション成分、ウエハ直交度成分、ウエハオフセット成分、ショットスケーリング成分、ショットローテーション成分、ショット直交度成分などを示すファイルがコンピュータ19内に構築され、重ね合わせ検査が終了する。そのファイルは、その後、露光機による露光精度の向上に利用される。
【0040】
以下、本実施形態の重ね合わせ検査の効果を説明する。
図9(a)は、上述したステップS1におけるフィッティングを示す模式図、図9(b)は、上述したステップS7におけるフィッティングを示す模式図である。
図9(a)に示す1回目のフィッティングによれば、ウエハ10Aに実際に生じている重ね合わせずれ(点線の曲線)は、それに最も近い線形の近似式(実線の直線)で表される。
【0041】
図9(a)において、測定データ(X,Y)ijのうち、誤測定データ(以下、測定データ(X,Y)42とする。)は、点線の曲線から外れている。
その誤測定データ(X,Y)42の残留誤差(εx,εy)42は、誤測定による「とび」のため、大きくなる。
しかし、近似式(実線の直線)は、実際の重ね合わせずれ(点線の曲線)を線形に単純化したものに過ぎないので、誤測定データではない正常データ(以下、測定データ(X,Y)32,(X,Y)52とする。)であっても、その残留誤差(εx,εy)32,(εx,εy)52は、実際の重ね合わせずれ(点線の曲線)の有している「非線形量」のために大きくなることがある。
【0042】
つまり、残留誤差(εx,εy)ijの大きさだけでは、その大きさが「非線形量」によるものか、「とび」によるものか峻別できない。
よって、残留誤差(εx,εy)ijの大きさだけでは、誤測定データと正常データとの峻別はできない。
ところが、露光機の特性上、各ショット内の重ね合わせずれの傾向は類似しているので、ショット内の座標番号jが同じである正常データ同士であれば、その「非線形量」は略等しくなると考えられる。
【0043】
したがって、誤測定データ(X,Y)42の残留誤差(εx,εy)42は、ショット内の座標番号jの同じ正常データ(X,Y)32,(X,Y)52などの残留誤差(εx,εy)32,(εx,εy)52と比較すると「とび」の影響で大きくずれているが、正常データ(X,Y)32,(X,Y)52の残留誤差(εx,εy)32,(εx,εy)52は、「非線形量」しか含まないので、互いにほとんど同じである。
【0044】
本実施形態ではこのような誤測定データと正常データとの相違が利用され、1回目のフィッティングの後に、「非線形量」として、各測定データ(X,Y)ijの残留誤差(εx,εy)ijのショット間平均値(Aεx,Aεy)jを求める(図5ステップS2,S3)。そして、「とび」として、「非線形量」からの差(Δx,Δy)ij(i=1〜5,j=1〜4)を算出し、図8に示すようにその「とび」(Δx,Δy)ijの絶対値が所定の閾値より大きい測定データ(図8では、測定データ(X,Y)42)を、誤測定データとみなす(図5ステップS4,S5)。
【0045】
このように、本実施形態の重ね合わせ検査によれば、誤測定データ(測定データ(X,Y)42)と、正常データ(測定データ(X,Y)32,(X,Y)52など)とが確実に峻別される。
そして、峻別された誤測定データ(測定データ(X,Y)42)の除去された2回目のフィッティング(図5ステップS7)では、図9(b)に示すとおり、その誤測定データ(測定データ(X,Y)42)の影響を何ら受けずに、精度高く近似式(実線の直線)が求まる。
【0046】
その結果、重ね合わせずれのウエハ成分、ショット成分はそれぞれ精度高く求まり、ひいては露光転写の精度が向上する。
なお、本実施形態の重ね合わせ検査において、誤測定データと正常データとの峻別に用いられる閾値は、その峻別の精度が十分に高まるような値に実験又は理論に基づき選定されることが望ましい。
【0047】
また、本実施形態の重ね合わせ検査では、フィッティングモデルとして、ウエハスケーリング成分及びショットスケーリング成分、ウエハローテーション成分、ウエハ直交度成分、ウエハオフセット成分、ショットローテーション成分、ショット直交度成分の各成分を表すフィッティングモデルが用いられたが、重ね合わせずれの他の成分を表すフィッティングモデルや、各成分の一部のみを表すフィッティングモデルを用いてもよい。
【0048】
また、本実施形態の重ね合わせ検査では、フィッティングモデルとして、一次の線形の式(1)が用いられたが、2次以上の高次のフィッティングモデルを用いてもよい。
また、本実施形態で説明したのは、一枚のウエハ10Aの重ね合わせ検査のみであるが、複数枚のウエハ10Aから測定した測定データの平均を用いた重ね合わせ検査も実施可能である。その場合にも同様に、複数の測定データから誤測定データを峻別することができる。
【0049】
また、本実施形態の重ね合わせ検査は、その演算の全てがコンピュータ19により自動的に行われたが、演算の一部又は全部が手計算によって行われるようコンピュータ19を構成してもよい。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、重ね合わせずれの測定データから誤測定データを確実に峻別することのできる重ね合わせ検査方法、及び重ね合わせ検査装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の重ね合わせ検査装置の構成図である。
【図2】測定対象となる重ね合わせマークを説明する図である。
【図3】各重ね合わせマークMij(i=1〜5,j=1〜4)の重ね合わせずれの分布(一例)を可視化した図である。
【図4】ウエハ10A上に形成された重ね合わせマークの平面図及び断面図である。
【図5】コンピュータ19による演算手順を示す動作フローチャートである。
【図6】残留誤差(εx,εy)ij(i=1〜5,j=1〜4)の分布(一例)を可視化した図である。
【図7】ショット間平均値(Aεx,Aεy)j(j=1〜4)の算出方法を説明する図である。
【図8】差(Δx,Δy)ij(i=1〜5,j=1〜4)の分布(一例)を可視化した図である。
【図9】(a)は、上述したステップS1におけるフィッティングを示す模式図、(b)は、上述したステップS7におけるフィッティングを示す模式図である。
【符号の説明】
11 ステージ
12 対物レンズ
13 顕微鏡本体
15 カメラ
16 フレームメモリ
17 信号生成回路
18 ステージ制御用回路
19 コンピュータ
20,21 モニタ
31 下地マーク
32 上地マーク
Claims (6)
- 基板上に形成された複数のパターンの重ね合わせを検査する重ね合わせ検査方法において、
前記基板上に前記パターンとともに形成された複数の重ね合わせマークにより重ね合わせずれを測定し、
前記測定により得られた複数の測定データを、前記重ね合わせずれの成分を表すフィッティングモデルに対してフィッティングし、
前記フィッティングによる残留誤差を前記複数の測定データそれぞれについて求め、
前記複数の測定データのうち、その残留誤差が基準値以上のものを誤測定データとみなす
ことを特徴とする重ね合わせ検査方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ検査方法において、
前記複数の測定データから前記誤測定データを除去したものを前記フィッティングモデルに対して再びフィッティングし、
前記フィッティングの結果に基づいて前記重ね合わせずれの各成分を求める
ことを特徴とする重ね合わせ検査方法。 - 請求項1または2に記載の重ね合わせ検査方法において、
前記基板は半導体ウエハであり、前記パターンは複数ショットにより露光されて形成されたものであり、前記重ね合わせマークは、前記複数ショットの各ショット領域内の所定位置に複数形成されており、前記残留誤差を求めた後、前記残留誤差のショット間平均を前記所定位置ごとに求め、前記基準値は、前記ショット間平均に基づいて決める
ことを特徴とする重ね合わせ検査方法。 - 基板上に複数形成された重ね合わせマークのそれぞれの画像を取得する画像取得手段と、
前記画像に基づき、重ね合わせずれを求める演算手段とを備え、
前記演算手段は、
前記測定により得られた複数の測定データを、前記重ね合わせずれの成分を表すフィッティングモデルに対してフィッティングし、
前記フィッティングによる残留誤差を前記複数の測定データそれぞれについて求め、
前記複数の測定データのうち、その残留誤差が基準値以上のものを誤測定データとみなす
ことを特徴とする重ね合わせ検査装置。 - 請求項4に記載の重ね合わせ検査装置において、
前記演算手段は、
前記複数の測定データから前記誤測定データを除去したものを前記フィッティングモデルに対して再びフィッティングし、
前記フィッティングの結果に基づいて前記重ね合わせずれの各成分を求める
ことを特徴とする重ね合わせ検査装置。 - 請求項4または5に記載の重ね合わせ検査装置において、
前記基板は半導体ウエハであり、前記パターンは複数ショットにより露光されて形成されたものであり、前記重ね合わせマークは、前記複数ショットの各ショット領域内の所定位置に複数形成されており、
前記演算手段は、前記残留誤差を求めた後、前記残留誤差のショット間平均を前記所定位置ごとに求め、前記ショット間平均に基づいて前記基準値を決める
ことを特徴とする重ね合わせ検査装置。
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