JP5640943B2 - 露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体 - Google Patents
露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5640943B2 JP5640943B2 JP2011223079A JP2011223079A JP5640943B2 JP 5640943 B2 JP5640943 B2 JP 5640943B2 JP 2011223079 A JP2011223079 A JP 2011223079A JP 2011223079 A JP2011223079 A JP 2011223079A JP 5640943 B2 JP5640943 B2 JP 5640943B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- substrate
- focus value
- inspection
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量とフォーカス値との適正値が各々決定されている第1の状態の露光装置で、前記露光領域が複数設定された基準基板を、当該露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光した後に現像してパターンを形成し、当該基準基板を撮像することにより得られる前記各露光領域の輝度を特定した基準データを取得する工程と、
前記予め設定された寸法のパターンを形成することができる前記露光量とフォーカス値とのうちの少なくとも一方の適正値が不明な第2の状態の露光装置で、前記露光領域が複数設定された検査基板を、当該露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光した後に現像して、当該検査基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンを形成した検査基板を撮像し、前記各露光領域についての輝度を特定した検査画像データを作成する工程と、
前記基準データの各露光領域の輝度と前記検査画像データの各露光領域の輝度とに基づいて、前記第2の状態で前記予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量及びフォーカス値の適正値を決定する工程と、
を備え、
前記検査基板における各露光領域は、基準基板における各露光領域に対応する位置に設定されると共に、基準基板及び検査基板の各露光領域は縦横に配置され、
前記縦横の一方において一端から他端に向けて露光量が大きくなり、前記縦横の他方において一端から他端に向けてフォーカス値が大きくなるように各露光領域に露光が行われ、
露光量及びフォーカス値の適正値を決定する工程は、
基準基板の各露光領域の輝度と、検査基板の各露光領域の輝度とに基づいて基準基板と検査基板とを重ね合わせたときの各基板のずれ量を算出する工程と、
このずれ量から予め設定された計算式を用いて前記露光量及びフォーカス値の適正値を決定する工程と、を含むことを特徴とする。
基準基板の各露光領域の輝度と、前記各露光領域に対応付けられた検査基板の各露光領域の輝度との差を算出して表示する工程を含む。
Doffset=Dstep(x/SSx)・・・式1
Foffset=Fstep(y/SSy)・・・式2
上記の実施形態同様に基準ウエハW1、検査ウエハW2を作成し、各ウエハW1、W2の露光領域25の中心部のレジストパターンの寸法である線幅について光学式CD測定機により測定した。その測定結果に基づき、ウエハW1、W2について夫々前記線幅とフォーカス値と露光量との対応関係を示すグラフを作成した。このグラフの作成にあたり各ウエハWについて379箇所の線幅を測定している。
評価試験2では評価試験1と同様の基準ウエハW1、検査ウエハW2について、上記の実施形態に従って画像データを取得し、画像の位置ずれ量x、yを算出し、式1、式2を用いて露光量の補正量、フォーカス値の補正量を算出した。その結果、位置ずれ量xは17581μm、yは25915μmであり、演算された露光量の補正量Doffsetは+0.48mJ/cm2、フォーカス値の補正量Foffsetは+0.18μmであった。この評価試験2では基準ウエハW1及び検査ウエハW2の撮像を開始してから補正量を表示するまでに15秒かかっている。このように評価試験1、2で得られた各補正量は互いに近い値であり、補正量を得るまでに要する時間は評価試験2の方が短い。従って、本発明の効果が示された。
W2 検査ウエハ
1 基板撮像装置
20 パターン形成領域
25 露光領域
31 基準グラフ
32 検査グラフ
33 基準マップ
34 検査マップ
4 制御部
43 プログラム
Claims (5)
- 予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量及びフォーカス値の適正値で基板の表面に形成されたレジスト膜に設定される露光領域を露光するように露光装置を設定する設定方法において、
予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量とフォーカス値との適正値が各々決定されている第1の状態の露光装置で、前記露光領域が複数設定された基準基板を、当該露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光した後に現像してパターンを形成し、当該基準基板を撮像することにより得られる前記各露光領域の輝度を特定した基準データを取得する工程と、
前記予め設定された寸法のパターンを形成することができる前記露光量とフォーカス値とのうちの少なくとも一方の適正値が不明な第2の状態の露光装置で、前記露光領域が複数設定された検査基板を、当該露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光した後に現像して、当該検査基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンを形成した検査基板を撮像し、前記各露光領域についての輝度を特定した検査画像データを作成する工程と、
前記基準データの各露光領域の輝度と前記検査画像データの各露光領域の輝度とに基づいて、前記第2の状態で前記予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量及びフォーカス値の適正値を決定する工程と、
を備え、
前記検査基板における各露光領域は、基準基板における各露光領域に対応する位置に設定されると共に、基準基板及び検査基板の各露光領域は縦横に配置され、
前記縦横の一方において一端から他端に向けて露光量が大きくなり、前記縦横の他方において一端から他端に向けてフォーカス値が大きくなるように各露光領域に露光が行われ、
露光量及びフォーカス値の適正値を決定する工程は、
基準基板の各露光領域の輝度と、検査基板の各露光領域の輝度とに基づいて基準基板と検査基板とを重ね合わせたときの各基板のずれ量を算出する工程と、
このずれ量から予め設定された計算式を用いて前記露光量及びフォーカス値の適正値を決定する工程と、を含むことを特徴とする露光装置の設定方法。 - 基準基板の各露光領域の輝度と、前記各露光領域に対応付けられた検査基板の各露光領域の輝度との差を算出して表示する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の露光装置の設定方法。
- 予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量及びフォーカス値の適正値で基板の表面に形成されたレジスト膜に設定される露光領域を露光するように露光装置を設定するために用いる基板撮像装置において、
予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量とフォーカス値との適正値が各々決定されている第1の状態の露光装置で、前記露光領域が複数設定された基準基板を、当該露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光した後に現像して、パターンを形成し、当該基準基板を撮像することにより得られる前記露光領域の輝度を特定した基準データを記憶する基準データ記憶部と、
前記予め設定された寸法のパターンを形成することができる前記露光量とフォーカス値とのうちの少なくとも一方の適正値が不明な第2の状態の露光装置で、前記露光領域が複数設定された検査基板を、当該露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光した後に現像してパターンを形成した検査基板を撮像する撮像部と、
前記検査基板の前記各露光領域についての輝度を特定した検査画像データを記憶する検査画像データ記憶部と、
前記基準データ記憶部に記憶される前記基準データの露光領域の輝度と、前記検査画像データ記憶部に記憶される検査画像データの各露光領域の輝度とに基づいて、前記第2の状態で前記予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量及びフォーカス値の適正値を決定するための決定手段と、
を備え、
前記検査基板における各露光領域は、基準基板における各露光領域に対応する位置に設定されると共に、基準基板及び検査基板の各露光領域は縦横に配置され、
前記縦横の一方において一端から他端に向けて露光量が大きくなり、前記縦横の他方において一端から他端に向けてフォーカス値が大きくなるように各露光領域に露光が行われ、前記決定手段は、基準基板の各露光領域の輝度と、検査基板の各露光領域の輝度とに基づいて基準基板と検査基板とを重ね合わせたときの各基板のずれ量を算出し、このずれ量から予め設定された計算式を用いて前記露光量及びフォーカス値の適正値を決定する演算部により構成されることを特徴とする基板撮像装置。 - 前記基板撮像装置は、更に表示部を含み、
前記基準基板の各露光領域の輝度と、検査基板において前記基準基板の各露光領域に対応する位置の各露光領域の輝度との差を示すデータを前記表示部に表示することを特徴とする請求項3に記載の基板撮像装置。 - 予め設定された寸法のパターンを形成することができる前記露光量とフォーカス値とのうちの少なくとも一方の適正値が不明な状態の露光装置で露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光した後に現像してパターンを形成した検査基板を撮像する基板撮像装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1または2記載の露光装置の設定方法を実行するように構成されたステップ群を備えていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223079A JP5640943B2 (ja) | 2011-10-07 | 2011-10-07 | 露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体 |
US13/645,887 US9229337B2 (en) | 2011-10-07 | 2012-10-05 | Setting method of exposure apparatus, substrate imaging apparatus and non-transitory computer-readable storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223079A JP5640943B2 (ja) | 2011-10-07 | 2011-10-07 | 露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084731A JP2013084731A (ja) | 2013-05-09 |
JP5640943B2 true JP5640943B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=48041877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011223079A Active JP5640943B2 (ja) | 2011-10-07 | 2011-10-07 | 露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9229337B2 (ja) |
JP (1) | JP5640943B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6192372B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-09-06 | キヤノン株式会社 | マスクパターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置 |
US9760017B2 (en) | 2015-03-20 | 2017-09-12 | Toshiba Memory Corporation | Wafer lithography equipment |
WO2018010928A1 (en) | 2016-07-11 | 2018-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining a fingerprint of a performance parameter |
WO2018033511A1 (en) * | 2016-08-15 | 2018-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Method for enhancing the semiconductor manufacturing yield |
TWI786116B (zh) * | 2017-06-05 | 2022-12-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統之處理條件設定方法、基板處理系統及記憶媒體 |
US10274836B2 (en) * | 2017-06-23 | 2019-04-30 | International Business Machines Corporation | Determination of lithography effective dose uniformity |
JP6788089B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2020-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3776008B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2006-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光条件出し方法 |
JP2006228843A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Renesas Technology Corp | 半導体デバイスのプロセス制御方法および製造方法 |
WO2009091034A1 (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nikon Corporation | 表面検査装置および表面検査方法 |
JP4568341B2 (ja) | 2008-03-19 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | シミュレーションモデル作成方法、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP5434353B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-03-05 | 株式会社ニコン | 表面検査装置および表面検査方法 |
KR101793584B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2017-11-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 검사 장치 및 검사 방법 |
-
2011
- 2011-10-07 JP JP2011223079A patent/JP5640943B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-05 US US13/645,887 patent/US9229337B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013084731A (ja) | 2013-05-09 |
US20130088696A1 (en) | 2013-04-11 |
US9229337B2 (en) | 2016-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5640943B2 (ja) | 露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体 | |
JP5235719B2 (ja) | パターン測定装置 | |
JP2015232549A (ja) | 検査方法、テンプレート基板およびフォーカスオフセット方法 | |
JP2002116007A (ja) | 基板上のパターン要素のエッジをポジション決定するための方法および測定装置 | |
TW201812474A (zh) | 預測由疊對誤差造成之圖案化缺陷之方法 | |
JP5840584B2 (ja) | 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2006276454A (ja) | 画像補正方法、およびこれを用いたパターン欠陥検査方法 | |
KR20150022463A (ko) | 기판 검사 장치 | |
TWI640843B (zh) | 用於產生遮罩之高密度對位映圖的方法、系統及電腦程式產品 | |
JP2017037194A (ja) | 露光装置の制御方法、露光装置、プログラム、および物品の製造方法 | |
JP2007220471A (ja) | 電子顕微鏡 | |
JP4442130B2 (ja) | 重ね合わせ測定装置および方法 | |
TW201925920A (zh) | 計算方法、曝光方法、儲存媒體、曝光裝置以及製造物品之方法 | |
JP5378266B2 (ja) | 測定領域検出方法および測定領域検出プログラム | |
KR100792687B1 (ko) | 반도체 기판 패턴 결함 검출 방법 및 장치 | |
TWI715812B (zh) | 在半導體製造中之目標位置 | |
TWI612296B (zh) | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體 | |
JP4599810B2 (ja) | 重ね合わせ検査方法 | |
US9424636B2 (en) | Method for measuring positions of structures on a mask and thereby determining mask manufacturing errors | |
JP2015105897A (ja) | マスクパターンの検査方法 | |
JP2009079915A (ja) | 微小寸法測定方法および測定装置 | |
JP4772815B2 (ja) | 補正パターン画像生成装置、パターン検査装置および補正パターン画像生成方法 | |
JP6878247B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
JP7079569B2 (ja) | 検査方法 | |
JP2012026857A (ja) | 清掃作業支援装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140331 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141013 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5640943 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |