JP2004354720A - マスク用ペリクル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】四角形のペリクル枠の上端面にペリクル板を接着し、ペリクル枠の四隅近傍に、それぞれ、ペリクルの内部と外部を連通する通気部が設けられている。ここで、通気部は、ペリクル枠に設けられた通気孔であることが好ましい。または、通気部は、ペリクル枠に設けられた切り欠きであることが好ましい
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、四角形のペリクル枠の上端面にペリクル板を接着したマスク用ペリクルに関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIなどの半導体装置の製造における露光パターンニングの際に、パターンが形成されたマスクを介して半導体基板に対してレーザ光の照射が行われる。従って、パターニングの精度は、マスクパターンの精度に依存することが多い。
【0003】
しかし、マスクのパターン形成面にゴミなどが付着すると、半導体基板上に形成されるパターン像が所定のものから変形したものとなる。このような不都合の発生を防止するために、マスクのパターン形成面には、ペリクルが設けられる。
【0004】
このペリクルは、フォトマスクのパターン形成面上において、パターンの周囲に配置された所望の高さのペリクル枠と、このペリクル枠の上端面にマスクパターン形成面とほぼ平行に接合されたペリクル膜を有する。
【0005】
ところで、波長157nmのレーザ光を用いて露光パターニングを実施した場合、大気中の酸素や水分によって光が吸収を受けるため、露光光路を窒素又はヘリウム等の不活性ガスで満たし、酸素や水分を1ppm以下にする必要がある。そして、ペリクルとレチクル間においても、同様の雰囲気が必要であり、側面に通気孔と排気孔を設けたペリクルが提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2及び特許文献3参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開平9−197652号公報(第3頁、第1−3図)
【特許文献2】
特開2001−133960号公報(第3−4頁、第1図)
【特許文献3】
特開2001−133961号公報(第3−4頁、第1図)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のペリクルは、コーナー部において不活性ガスの置換がされにくく、ペリクル内を不活性ガスで置換するために時間がかかり、置換の効率が悪いという問題があった。
【0008】
この発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的は、ペリクル枠のコーナー部における不活性ガスを置換されやすくし、短時間で効率よくペリクル内を不活性ガスで置換することができるペリクルを得るものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るマスク用ペリクルは、四角形のペリクル枠の上端面にペリクル板を接着し、ペリクル枠の四隅近傍に、それぞれ、ペリクルの内部と外部を連通する通気部が設けられている。この発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【0010】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1におけるマスク用ペリクルを示す図である。図示は省略するが、平行平板からなるマスク11の上端面には、クロム膜などにより所望のマスクパターンが形成されている。
【0011】
そして、マスク11の上端面には、マスクパターンを囲むように配置された四角形のペリクル枠12の下端面が、接着剤層を介して接合されている。さらに、ペリクル枠12の上端面に、透光性薄板であるペリクル板13が取り付けられている。このペリクル枠12とペリクル板13により、マスク用ペリクルが構成される。
【0012】
そして、ペリクル枠12の四隅近傍に、それぞれ、ペリクルの内部と外部を連通する通気部である通気孔14が設けられている。この通気孔14は、排気効率とペリクル枠12の強度を考慮し、直径0.1〜0.5mmの円形の孔として設けられている。
【0013】
これにより、波長157nmのレーザ光を用いた露光パターニングを行う前に、露光光路を窒素又はヘリウム等の不活性ガスで満たす際、ペリクル枠のコーナー部における不活性ガスを置換されやすくし、短時間で効率よくペリクル内を不活性ガスで置換することができる。
【0014】
なお、上記の例では、通気孔14は、ペリクル枠12の四辺のそれぞれに一つずつ形成されている。しかし、これに限らず、ペリクル枠12の短辺に通気孔を設けず、長辺の両端にそれぞれ一つずつ通気孔を設けてもよい。また、ペリクル枠12の四辺のそれぞれの両端に一つずつ通気孔を設けてもよい。そして、ペリクル枠12の四隅近傍に、それぞれ、二つ以上の通気孔を設けてもよい。
【0015】
また、通気孔の直径や形状は上記の例に限られず、必要に応じて、適宜設定できる。そして、通気孔に、異物を捕集するフィルターを設けてもよい。
【0016】
実施の形態2.
図2はこの発明の実施の形態2におけるマスク用ペリクルを示す図である。図1と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明は省略する。この実施の形態2のマスク用ペリクルは、実施の形態1と同様に、四角形のペリクル枠21の上端面にペリクル板13を接着したマスク用ペリクルにおいて、ペリクル枠21の四隅近傍に、それぞれ、ペリクルの内部と外部を連通する通気部が設けられている。
【0017】
ただし、この通気部は、実施の形態1とは異なり、ペリクル枠21に設けられた切り欠き22である。この切り欠き22は、ペリクル枠21を金型でプレス加工する際に同時に形成することができる。
【0018】
よって、実施の形態2は、実施の形態1と同様の効果を有する他、通気部を形成するための追加の製造工程を必要としないという利点もある。
【0019】
実施の形態3.
図3はこの発明の実施の形態3におけるマスク用ペリクルを示す図である。図1と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明は省略する。図3に示すように、実施の形態3のマスク用ペリクルは、実施の形態1と同様に、四角形のペリクル枠31の上端面にペリクル板13を接着したマスク用ペリクルにおいて、ペリクル枠31の四隅近傍に、それぞれ、ペリクルの内部と外部を連通する通気部が設けられている。
【0020】
ただし、この通気部は、実施の形態1とは異なり、ペリクル枠31の四隅に補強の為に設けられている補強部材32に形成された通気孔33である。このように補強部材32を設けたことにより、通気孔33をペリクル枠31の四隅に形成することができる。これにより、実施の形態3は、実施の形態1よりもペリクル枠のコーナー部における不活性ガスを置換されやすくし、更に短時間で効率よくペリクル内を不活性ガスで置換することができる。
【0021】
実施の形態4.
図4はこの発明の実施の形態4におけるマスク用ペリクルを示す図である。図1と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明は省略する。図4(a)に示すように、実施の形態4のマスク用ペリクルは、実施の形態1と同様に、四角形のペリクル枠41の上端面にペリクル板13を接着したマスク用ペリクルにおいて、ペリクル枠41の四隅近傍に、それぞれ、ペリクルの内部と外部を連通する通気部が設けられている。
【0022】
ただし、この通気部は、実施の形態1とは異なり、ペリクル枠41の四隅に補強の為に設けられている補強部材42に形成された通気孔43である。
【0023】
ここで、図4(a)のA−Bでの断面図を図4(b)に示す。この図に示すように、マスク11の上端面に、補強部材42の下端面が接着剤層44を介して接合されている。そして、通気孔43は、補強部材42の上端面からペリクル枠41の内側側面へ開通している。
【0024】
このように補強部材42を設けたことにより、通気孔43をペリクル枠41の四隅に形成することができる。これにより、実施の形態4は、実施の形態3と同様の効果を有する。
【0025】
【発明の効果】
この発明は以上説明したように、ペリクル枠のコーナー部における不活性ガスを置換されやすくし、短時間で効率よくペリクル内を不活性ガスで置換することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1におけるマスク用ペリクルを示す図である。
【図2】この発明の実施の形態2におけるマスク用ペリクルを示す図である。
【図3】この発明の実施の形態3におけるマスク用ペリクルを示す図である。
【図4】この発明の実施の形態4におけるマスク用ペリクルを示す図である。
【符号の説明】
11 マスク
12 ペリクル枠
13 ペリクル板
14 通気孔(通気部)
21 ペリクル枠
22 切り欠き(通気部)
31 ペリクル枠
33 通気孔(通気部)
41 ペリクル枠
43 通気孔(通気部)
Claims (3)
- 四角形のペリクル枠の上端面にペリクル板を接着したマスク用ペリクルにおいて、前記ペリクル枠の四隅近傍に、それぞれ、ペリクルの内部と外部を連通する通気部が設けられていることを特徴とするマスク用ペリクル。
- 前記通気部は、前記ペリクル枠に設けられた通気孔であることを特徴とする請求項1記載のマスク用ペリクル。
- 前記通気部は、前記ペリクル枠に設けられた切り欠きであることを特徴とする請求項1記載のマスク用ペリクル。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011175001A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | リソグラフィ用ペリクルおよびペリクル膜の製造方法 |
WO2011111801A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 大型ペリクル用枠体及び大型ペリクル |
JP2011186327A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 大型ペリクル用枠体、及び大型ペリクル |
JP2012053304A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル用枠体及びペリクル |
JP2012053305A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
JP2012053302A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル用枠体及びペリクル |
CN103279008A (zh) * | 2013-05-23 | 2013-09-04 | 上海华力微电子有限公司 | 掩膜板覆盖膜设计方法 |
JP2014085435A (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレーム及びこのペリクルフレームで構成されたペリクル |
KR20160117170A (ko) * | 2015-03-30 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 |
JP2016191902A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
JP2017083791A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
JPWO2016043301A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-06-29 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
US20170343894A1 (en) * | 2014-11-04 | 2017-11-30 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Pellicle support frame and production method |
US10488751B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-11-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, production method thereof, exposure method |
JP2021073536A (ja) * | 2017-10-10 | 2021-05-13 | 信越化学工業株式会社 | Euv用ペリクルフレームの通気構造、euv用ペリクル、euv用ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶ディスプレイの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111919171B (zh) * | 2018-03-27 | 2024-05-14 | 三井化学株式会社 | 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6141255U (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-15 | 株式会社ニコン | マスク保護装置 |
JP2000292909A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2004258113A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Nikon Corp | マスク保護装置、マスク、ガス置換装置、露光装置、ガス置換方法及び露光方法 |
-
2003
- 2003-05-29 JP JP2003152629A patent/JP2004354720A/ja active Pending
-
2004
- 2004-05-28 KR KR1020040038005A patent/KR20040103384A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6141255U (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-15 | 株式会社ニコン | マスク保護装置 |
JP2000292909A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2004258113A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Nikon Corp | マスク保護装置、マスク、ガス置換装置、露光装置、ガス置換方法及び露光方法 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011175001A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | リソグラフィ用ペリクルおよびペリクル膜の製造方法 |
WO2011111801A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 大型ペリクル用枠体及び大型ペリクル |
JP2011186327A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 大型ペリクル用枠体、及び大型ペリクル |
CN102782576A (zh) * | 2010-03-10 | 2012-11-14 | 旭化成电子材料株式会社 | 大型膜用框体及大型膜 |
KR101392645B1 (ko) | 2010-03-10 | 2014-05-07 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 대형 펠리클용 프레임 및 대형 펠리클 |
TWI456341B (zh) * | 2010-03-10 | 2014-10-11 | Asahi Kasei E Materials Corp | 大型護膜用框體及大型護膜 |
JP2012053304A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル用枠体及びペリクル |
JP2012053305A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
JP2012053302A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル用枠体及びペリクル |
JP2014085435A (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレーム及びこのペリクルフレームで構成されたペリクル |
CN103279008A (zh) * | 2013-05-23 | 2013-09-04 | 上海华力微电子有限公司 | 掩膜板覆盖膜设计方法 |
US10488751B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-11-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, production method thereof, exposure method |
US10585348B2 (en) | 2014-09-19 | 2020-03-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle |
JPWO2016043301A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-06-29 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
EP3196700A4 (en) * | 2014-09-19 | 2018-06-20 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle |
KR101910302B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2018-10-19 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클, 펠리클의 제조 방법 및 펠리클을 사용한 노광 방법 |
US10642151B2 (en) * | 2014-11-04 | 2020-05-05 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Pellicle support frame and production method |
US20170343894A1 (en) * | 2014-11-04 | 2017-11-30 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Pellicle support frame and production method |
KR20160117170A (ko) * | 2015-03-30 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 |
JP2016191902A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
KR20210153018A (ko) * | 2015-03-30 | 2021-12-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 |
KR102407079B1 (ko) | 2015-03-30 | 2022-06-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 |
KR102574361B1 (ko) | 2015-03-30 | 2023-09-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 |
JP2017083791A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
JP2021073536A (ja) * | 2017-10-10 | 2021-05-13 | 信越化学工業株式会社 | Euv用ペリクルフレームの通気構造、euv用ペリクル、euv用ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶ディスプレイの製造方法 |
JP7451442B2 (ja) | 2017-10-10 | 2024-03-18 | 信越化学工業株式会社 | Euv用ペリクルフレームの通気構造、euv用ペリクル、euv用ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040103384A (ko) | 2004-12-08 |
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