JP2004342725A - 半導体ウエハ - Google Patents
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Abstract
【課題】スクライブライン領域の面積を大きくすることなくテスト用パッドをスクライブライン領域上に配置する。
【解決手段】複数のチップ領域3が縦横方向に配列され、チップ領域3,3間にチップ領域3を切り出すためのスクライブライン領域5が設けられている半導体ウエハ1において、任意のチップ領域3は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域3に対して回路パターンが180度回転して形成されており、隣り合うチップ領域3,3で共通のテスト用パッド9がスクライブライン領域5に形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】複数のチップ領域3が縦横方向に配列され、チップ領域3,3間にチップ領域3を切り出すためのスクライブライン領域5が設けられている半導体ウエハ1において、任意のチップ領域3は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域3に対して回路パターンが180度回転して形成されており、隣り合うチップ領域3,3で共通のテスト用パッド9がスクライブライン領域5に形成されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハに関し、特に、複数のチップ領域が縦横方向に配列され、チップ領域間にチップ領域を切り出すためのスクライブライン領域が設けられている半導体ウエハに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハに形成された複数のチップ領域に対するウエハテストにおいて、アセンブリ(組立て)に使用されるパッド(以下アセンブリパッドともいう)にプローブカードのプローブ針を接触させることで電気的特性試験(以下テストという)を行なってきた。
アセンブリパッドを用いてテストを行なう場合、半導体装置の組立ての信頼性上、アセンブリパッドにプローブ針を当てる回数(以下プロービング回数という)を3回程度におさえる必要がある。このため、チップには不具合がないにもかかわらずテストがうまくいかなかったために歩留りが低下した場合、アセンブリパッドへのプロービング回数が既に規定回数に達しているときは再テストを実施せずにそのまま組立工程へ移行していた。
【0003】
テストにおいてアセンブリパッドを損傷させない方法として、入力段にフォトダイオードを形成し、光学的にテストを行なう方法(例えば、特許文献1参照。)や、チップ内にアセンブリパッドとは別にテスト用パッドを設ける方法(例えば、特許文献2参照。)がある。
また、複数のチップが形成された半導体ウエハには、隣り合うチップ間にチップを切り出すためのスクライブライン領域が設けられている。そこで、テストにおいてアセンブリパッドを傷つけないようにするために、テスト用パッドをスクライブライン領域上に設ける方法(例えば、特許文献3参照。)がある。
上記の特許文献ではアセンブリパッドの損傷を防ぐことが目的のひとつに挙げられている。
【0004】
【特許文献1】
特開平4−152651号公報
【特許文献2】
特開平11−163067号公報
【特許文献3】
特開平5−299484号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に記載の従来技術では、アセンブリパッドに対して非接触でテストを行なうことができるが、フォトダイオードをチップ上に内蔵するなどプロセス自体が変わってしまうので、LSI(大規模集積回路)への適用は適当でない。
【0006】
特許文献2に記載の従来技術では、テスト用パッドをアセンブリパッドとは別途設けるということによりアセンブリパッドの損傷を防止することができるが、テスト用パッドをチップ内に設ける場合はチップサイズが大きくなるという問題があった。
【0007】
特許文献3に記載の従来技術では、テスト用パッドをスクライブライン領域上に設けているのでチップサイズの拡大を招くことはない。しかし、チップごとにアセンブリパッドに対応してテスト用パッドをスクライブライン領域上に形成しており、スクライブライン領域上に隣り合う2チップ分のテスト用パッドをそれぞれ形成しているので、テスト用パッドに求められる面積からスクライブライン領域が半導体ウエハ上で占める面積が大きくなり、半導体ウエハ1枚当たりのチップの取れ数が減少し、歩留まりが低下するという問題があった。
【0008】
本発明は、スクライブライン領域の面積を大きくすることなくテスト用パッドをスクライブライン領域上に配置することができる半導体ウエハを提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数のチップ領域が縦横方向に配列され、チップ領域間にチップ領域を切り出すためのスクライブライン領域が設けられている半導体ウエハであって、任意のチップ領域は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域に対して回路パターンが180度回転して形成されており、隣り合うチップ領域で共通のテスト用パッドが上記スクライブライン領域に形成されているものである。
本発明の半導体ウエハではスクライブライン領域にテスト用パッドを備えているので、ウエハテストの際にチップ領域内のパッド(アセンブリパッド)に損傷を与えることはない。これにより、何度でも再テストすることができ、例えばテストの不良によって低歩留りになった半導体ウエハを救済することができる。
さらに、任意のチップ領域は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域に対して回路パターンが180度回転して形成されているので、隣り合うチップ領域の対向する辺の近傍に配置されたチップ領域内のパッド数は隣り合うチップ領域で同じになる。スクライブライン領域にテスト用パッドを配置し、隣り合うチップ領域でテスト用パッドを共有することにより、テスト用パッド数を従来技術に比べて半減させることができ、スクライブライン領域面積の増大を抑制することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体ウエハにおいて、各チップ領域はチップ領域内のパッドをハイ・インピーダンス状態にするための入出力制御回路を備え、上記入出力制御回路に信号を入力するためのテスト対象チップ認識パッドがチップ領域内又はスクライブライン領域に設けられ、上記テスト対象チップ認識パッドはチップ領域内でプルアップ又はプルダウンされており、上記入出力制御回路に電源を供給するためのテスト用電源パッド及びテスト用GND(グラウンド)パッドをスクライブライン領域上に備えていることが好ましい。
その結果、テストを行なう際、テスト対象のチップ領域について、隣り合う他のチップ領域からの影響を受けないように制御することが可能となり、より正確なテストを行なうことができる。
近年の回路設計技術において、JTAG又はバウンダリースキャンと呼ばれる技術がある。これはチップのI/O部、つまりパッドの電位をハイ・インピーダンス状態に制御することが可能なものである。また、この技術を用いなくても、論理設計を行なうことで同様の機能を実現することも可能である。
【0011】
さらに、上記テスト対象チップ認識パッドは、チップ領域内の角部分領域に配置されているようにしてもよい。
一般に、チップ領域内の角部分領域は、組立て時の応力などの問題からトランジスタなどの能動素子は配置されておらず、空き領域になっている。そこで、テスト対象チップ認識パッドをチップ領域内の角部分領域に配置することにより、チップ領域の面積を増大させることなく、テスト対象チップ認識パッドを配置することができる。
【0012】
さらに、上記テスト用電源パッド及び上記テスト用GNDパッドは上記スクライブライン領域の交差部に配置されているようにしてもよい。
これにより、スクライブライン領域の交差部の周囲の4つのチップ領域でテスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドを共有することができ、半導体ウエハ全体でのテスト用電源パッド数及びテスト用GNDパッド数を減らすことができる。
【0013】
さらに、上記テスト対象チップ認識パッドは、プルダウンされている場合は上記テスト用電源パッドに接続され、又はプルアップされている場合は上記テスト用GNDパッドに接続されているようにしてもよい。
この態様によれば、テスト対象のチップ領域と隣り合う他のチップ領域について、テスト対象チップ認識パッドに対してプローブ針から電源供給をしなくてもテスト対象チップ認識パッドのオープン時の状態をテスト用電源パッド又はテスト用GNDパッドからの電源供給により決定することができる。これにより、テストの際にテスト対象チップ領域以外のチップ領域のテスト対象チップ認識パッドへのプローブ針の接触をする必要がなくなり、プローブカードの針立て本数及び針立て面積を削減することができ、コストの低減を実現できる。
【0014】
【実施例】
図1は一実施例の一部分を示す概略平面図である。図2はその実施例の全体を示す平面図である。
半導体ウエハ1上に複数のチップ領域3が縦横方向に整列して配列されている。チップ領域3間に、チップ領域3を切り出すためのスクライブライン領域5が設けられている。図2ではスクライブライン領域5の図示は省略されている。
【0015】
チップ領域3内の周囲部分に複数のチップ内信号パッド7、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bが設けられている。パッド7,7a,7bはアセンブリ時にはアセンブリパッドとして用いられるものである。チップ領域3内の角部分領域にはパッド7,7a,7bは配置されていない。
【0016】
任意のチップ領域3は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域3に対して回路パターンが180度回転して形成されている。これにより、隣り合うチップ領域3,3の対向する辺の近傍に配置されたチップ領域3内のアセンブリパッド7の数は、隣り合うチップ領域3,3で同じになっている。
【0017】
スクライブライン領域5にテスト用パッド9が配置されている。テスト用パッド9は、隣り合うチップ領域3,3のアセンブリパッド7に対して共通に設けられており、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに対してはチップ領域3ごとに設けられている。
テスト時には、テスト対象のチップ領域3に隣り合う他のチップ領域3のチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bにつながるテスト用パッドを除く、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用パッド9にプローブ針が接触されて電源及びテスト信号が印加される。
【0018】
このように、スクライブライン領域5にテスト用パッド9を備えているので、テストの際にチップ領域3内のパッド7,7a,7bがプローブ針の接触に起因して損傷することはないので、何度でも再テストすることができ、テストの不良によって低歩留りになった半導体ウエハを救済することができる。
【0019】
さらに、チップ内信号パッド7に対するテスト用パッド9を隣り合うチップ領域3,3で共有しているので、テスト用パッド9の数を従来技術に比べてほぼ半分にすることができ、スクライブライン領域5にテスト用パッド9を配置することによるスクライブライン領域5の面積の増大を抑制することができる。
テスト後、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、スクライブライン領域5に配置されたテスト用パッド9は切断除去される。
【0020】
図3は他の実施例の一部分を示す概略平面図である。図4はこの実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド及びI/Oコントロール回路(入出力制御回路)を示す概略構成図である。図1及び図2と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。この実施例の全体を示す平面図は図2と同じである。
【0021】
チップ領域3の周囲部分に、対向する2辺ごとに、チップ内電源配線11a(一点鎖線参照)又はチップ内GND配線11b(破線参照)が形成されている。
スクライブライン領域5の交差部に、テスト用電源パッド13aとテスト用GNDパッド13bが交互に配置されている。テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bは近傍の4つのチップ領域で共有されており、テスト用電源パッド13aはチップ内電源配線11aに接続され、テスト用GNDパッド13bはチップ内GND配線11bに接続されている。このように、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bをスクライブライン領域5の交差部に配置し、周囲のチップ領域で共有することにより、スクライブライン領域5に配置するパッド数の増加を抑えることができる。
【0022】
チップ領域3内の角部分領域にテスト対象チップ認識パッド15が配置されている。テスト対象チップ認識パッド15が配置される角部分領域は、もともと何も配置されていない領域なので、テスト対象チップ認識パッド15の配置によりチップ領域3の面積が増大することはない。
【0023】
図4に示すように、各チップ領域3にはI/O部を制御することによりパッド7,7a,7bの電位をハイ・インピーダンス状態にするためのI/Oコントロール回路17が設けられている。図3でのI/Oコントロール回路17の図示は省略されている。図4では、パッド7,7a,7b及び内部回路の図示は省略されている。テスト対象チップ認識パッド15とI/Oコントロール回路17は電気的に接続されている。
【0024】
I/Oコントロール回路17は、ウエハテスト時において、テスト対象チップ認識パッド15に信号が入力されることにより、例えば論理値「1」入力でI/O部をハイ・インピーダンス状態に、論理値「0」入力でI/O部を通常動作状態にするように切り替えるものである。
【0025】
I/Oコントロール回路17は、図示は省略するがチップ内電源配線11a及びチップ内GND配線11bと接続されており、テスト時には、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bからチップ内電源配線11a及びチップ内GND配線11bを介して電源が供給される。なお、チップ領域3の周囲に配置された2つのテスト用電源パッド13a及び2つのテスト用GNDパッド13bのうち、いずれのテスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bを用いてもI/Oコントロール回路17を動作させることができるように配線されている。
【0026】
テスト対象チップ認識パッド15は、抵抗19を介して例えばチップ内GNDパッド7bに接続されており、チップ領域3内でプルダウンされている。これにより、テスト対象チップ認識パッド15がオープン状態でのI/Oコントロール回路17への入力の電位を固定することができる。
【0027】
図5は、図3及び図4の実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
図5の中央に示すチップ領域3がテスト対象チップ領域である場合、隣り合うチップ領域3のチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bにつながるテスト用パッド9を除く、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用パッド9’にプローブ針が接触される。
【0028】
さらに、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’にもプローブ針が接触される。さらに、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3及びテスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’にもプローブ針が接触される。
ここで、テスト対象のチップ領域3の縦横方向の4つのチップ領域3以外のチップ領域3は、テスト対象のチップ領域3とはテスト用パッド9を共有しておらず、テストに影響を及ぼさないので、それらのチップ領域3へのテスト対象チップ認識パッド15、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bへのプロービングは不要である。
【0029】
テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’に電源が供給されることにより、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3及びテスト対象のチップ領域3のI/Oコントロール回路17が動作する。
【0030】
テスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’に論理値「0」を入力してI/O部、ひいてはパッド7,7a,7bを通常動作状態に設定し、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’に論理値「1」を入力してI/O部、ひいてはパッド7,7a,7bをハイ・インピーダンス状態に設定する。
これにより、周囲のチップ領域3の影響を受けることなく、テスト対象のチップ領域3のテストを正確に行なうことができる。
【0031】
ここで、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに電源供給するための電源装置と、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bに電源供給するための電源装置を別々に設けることが好ましい。これにより、テスト時に、テスト対象チップ認識パッド15に付加されたプルダウン機能に定常的に流れてしまう電流をチップ領域3へ供給する電流とは分離して扱うことができ、テスト上都合がよい。
【0032】
また、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bに供給する電圧レベルは、テスト用電源パッド13aがチップ内電源配線11aと接続されているので、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに供給する電圧レベルと同じでなければならない。ただし、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bからI/Oコントロール回路17へ電源を供給するための専用の配線を用いる場合には、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bに供給する電圧レベルとチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに供給する電圧レベルを異ならせてもよい。
【0033】
テスト後、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、スクライブライン領域5に配置されたテスト用パッド9、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bは切断除去される。
テスト対象チップ認識パッド15はアセンブリ時には使用されず、オープン状態になる。テスト対象チップ認識パッド15はチップ領域3内でプルダウンされているので、アセンブリ時にはI/Oコントロール回路17への入力は論理値「0」であり、I/O部は通常動作状態になる。
【0034】
この実施例では、図4に示したように、I/Oコントロール回路17への入力を構成するテスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内でプルダウンしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図6(A)に示すように、テスト対象チップ認識パッド15を例えばチップ内電源パッドへ抵抗19を介して接続するなどしてI/Oコントロール回路17への入力をチップ領域3内でプルアップしてもよい。I/Oコントロール回路17の入力配線がプルアップされている場合は、I/Oコントロール回路17は、論理値「1」でI/O部を通常動作状態に設定し、論理値「0」でI/O部をハイ・インピーダンス状態に設定するように設計される。
【0035】
また、この実施例では、テスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内に配置しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図6(B)に示すように、テスト対象チップ認識パッド15をスクライブライン領域5に配置してI/Oコントロール回路17とテスト対象チップ認識パッド15の間の配線をプルダウンするようにしてもよいし、図6(C)に示すように、テスト対象チップ認識パッド15をスクライブライン領域5に配置してI/Oコントロール回路17とテスト対象チップ認識パッド15の間の配線をプルアップするようにしてもよい。これらの場合、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、テスト対象チップ認識パッド15も切断除去される。
【0036】
図7は、さらに他の実施例の一部分を示す概略平面図である。図8はこの実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド、テスト用電源パッド及びI/Oコントロール回路の接続状態を示す概略構成図である。図1から図6と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。この実施例の全体を示す平面図は図2と同じである。
【0037】
この実施例が図3及び図4に示した実施例と異なる点は、テスト対象チップ認識パッド15は抵抗21及びチップ内電源配線11aを介してテスト用電源パッド13aに接続されている点である。図7では、2本のチップ内電源配線11aが対向する2辺の近傍に配置されているが、両チップ内電源配線11aはチップ領域3内で接続されており、テスト対象チップ認識パッド15はチップ領域3の周囲に存在する2つのテスト用電源パッド13aのいずれにも接続されている。
【0038】
抵抗19,21の抵抗値は、小さすぎると、テスト時にテスト用電源パッド13aからGNDへの電流が流れるので、数百KΩ(キロオーム)から数MΩ(メガオーム)程度が適当と思われる。また、抵抗19,21の抵抗比は、テスト時において、テスト対象チップ認識パッド15がオープン状態でI/Oコントロール回路17へ論理値「1」(テスト用電源パッド13aに供給される電圧)が入力されるように、例えば、抵抗19の抵抗値:抵抗21の抵抗値=10:1程度に設定しておくのが妥当である。ただし、抵抗19,21の抵抗値の精度は問わない。
【0039】
図9は、図7及び図8の実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
図5の中央に示すチップ領域3がテスト対象チップ領域である場合、隣り合うチップ領域3のチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bにつながるテスト用パッド9を除く、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用パッド9’にプローブ針が接触される。
【0040】
さらに、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’にもプローブ針が接触される。さらに、テスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’にもプローブ針が接触される。
ここで、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15には、テスト用電源パッド13a’からチップ内電源配線11a及び抵抗21を介して論理値「1」が入力されるので、プロービングは不要である。
【0041】
テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’に電源が供給されることにより、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3及びテスト対象のチップ領域3のI/Oコントロール回路17が動作する。
【0042】
テスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’に論理値「0」を入力してI/O部、ひいてはパッド7,7a,7bを通常動作状態に設定する。テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3については、上述のように、テスト対象チップ認識パッド15にテスト用電源パッド13a’から論理値「1」が入力され、I/O部、ひいてはパッド7,7a,7bはハイ・インピーダンス状態になる。
【0043】
このように、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15にプローブ針を接触させなくても、それらのチップ領域3のパッド7,7a,7bをハイ・インピーダンス状態にすることができるので、周囲のチップ領域3の影響を受けることなく、テスト対象のチップ領域3のテストを正確に行なうことができる。
さらに、テスト対象のチップ領域3以外のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15にプローブ針を接触させなくてもよいので、より少ないプローブ針本数でテストを行なうことができる。
【0044】
テスト後、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、スクライブライン領域5に配置されたテスト用パッド9、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bは切断除去される。テスト対象チップ認識パッド15は、アセンブリ時には使用されず、オープン状態になるが、チップ領域3内でプルダウンされているので、アセンブリ時にはI/Oコントロール回路17への入力は論理値「0」であり、I/O部は通常動作状態になる。
【0045】
この実施例では、図8に示したように、I/Oコントロール回路17への入力を構成するテスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内でプルダウンし、テスト対象チップ認識パッド15を抵抗21及びチップ内電源配線11aを介してテスト用電源パッド13aに接続しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図10に示すように、テスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内でプルアップする場合には、テスト対象チップ認識パッド15を抵抗21及びチップ内GND配線11bを介してテスト用GNDパッド13bに接続するようにしてもよい。また、テスト用電源パッド13a又はテスト用GNDパッド13bを、テスト対象チップ認識パッド15を介さずに、I/Oコントロール回路17の入力配線へ接続するようにしてもよい。
【0046】
また、図7から図10の実施例では、テスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内に配置しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図6(B)及び(C)と同様に、テスト対象チップ認識パッド15をスクライブライン領域5に配置するようにしてもよい。この場合、I/Oコントロール回路17の入力配線がプルアップ又はプルダウンのいずれに設定されているかにより、I/Oコントロール回路17の入力配線にテスト用電源パッド13a又はテスト用GNDパッド13bのいずれを接続するかを選択すればよい。さらに、テスト用電源パッド13a又はテスト用GNDパッド13bをI/Oコントロール回路17の入力配線にテスト対象チップ認識パッド15を介して接続してもよいし、介さずに接続してもよい。
【0047】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【0048】
【発明の効果】
請求項1に記載された半導体ウエハでは、任意のチップ領域は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域に対して回路パターンが180度回転して形成されており、スクライブライン領域に隣り合うチップ領域で共通のテスト用パッドが形成されているようにしたので、ウエハテストの際にチップ領域内のパッドに損傷を与えることはなく、何度でも再テストすることができ、テストの不良によって低歩留りになった半導体ウエハを救済することができる。
さらに、隣り合うチップ領域の対向する辺の近傍に配置されたチップ領域内のパッド数は隣り合うチップ領域で同じになるので、隣り合うチップ領域でテスト用パッドを共有することによってテスト用パッド数を従来技術に比べて半減させることができ、スクライブライン領域面積の増大を抑制することができる。
【0049】
請求項2に記載された半導体ウエハでは、各チップ領域はチップ領域内のパッドをハイ・インピーダンス状態にするための入出力制御回路を備え、入出力制御回路に信号を入力するための、プルアップ又はプルダウンされたテスト対象チップ認識パッドをチップ領域内又はスクライブライン領域に備え、入出力制御回路に電源を供給するためのテスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドをスクライブライン領域上に備えているようにしたので、テストを行なう際、テスト対象のチップ領域について、隣り合う他のチップ領域からの影響を受けないように制御することが可能となり、より正確なテストを行なうことができる。
【0050】
請求項3に記載された半導体ウエハでは、テスト対象チップ認識パッドは、チップ領域内の角部分領域に配置されているようにしたので、チップ領域の面積を増大させることなく、テスト対象チップ認識パッドを配置することができる。
【0051】
請求項4に記載された半導体ウエハでは、テスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドはスクライブライン領域の交差部に配置されているようにしたので、スクライブライン領域の交差部の周囲の4つのチップ領域でテスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドを共有することができ、半導体ウエハ全体でのテスト用電源パッド数及びテスト用GNDパッド数を減らすことができる。
【0052】
請求項5に記載された半導体ウエハでは、テスト対象チップ認識パッドは、プルダウンされている場合はテスト用電源パッドに、プルアップされている場合はテスト用GNDパッドに、抵抗を介して接続されているようにしたので、テスト対象のチップ領域と隣り合う他のチップ領域について、テスト対象チップ認識パッドに対してプローブ針から電源供給をしなくてもテスト対象チップ認識パッドのオープン時の状態をテスト用電源パッド又はテスト用GNDパッドからの電源供給により決定することができ、より少ないプローブ針本数でテストを行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例の一部分を示す概略平面図である。
【図2】同実施例の全体を示す平面図である。
【図3】他の実施例の一部分を示す概略平面図である。
【図4】同実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド及びI/Oコントロール回路を示す概略構成図である。
【図5】同実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
【図6】テスト対象チップ認識パッド近傍の他の構成例を示す概略構成図であり、(A)はテスト対象チップ認識パッドをチップ領域内に配置し、プルアップした構成を示し、(B)はテスト対象チップ認識パッドをスクライブライン領域に配置し、プルダウンした構成を示し、(C)はテスト対象チップ認識パッドをスクライブライン領域に配置し、プルアップした構成を示す。
【図7】さらに他の実施例の一部分を示す概略平面図である。
【図8】同実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド、テスト用電源パッド及びI/Oコントロール回路の接続状態を示す概略構成図である。
【図9】同実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
【図10】テスト対象チップ認識パッド近傍の他の構成例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1 半導体ウエハ
3 チップ領域
5 スクライブライン領域
7 チップ内信号パッド
7a チップ内電源パッド
7b チップ内GNDパッド
9 テスト用パッド
9’ プローブされたテスト用パッド
11a チップ内電源配線
11b チップ内GND配線
13a テスト用電源パッド
13a’ プローブされたテスト用電源パッド
13b テスト用GNDパッド
13b’ プローブされたテスト用GNDパッド
15 テスト対象チップ認識パッド
15’ プローブされたテスト対象チップ認識パッド
17 I/Oコントロール回路
19,21 抵抗
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハに関し、特に、複数のチップ領域が縦横方向に配列され、チップ領域間にチップ領域を切り出すためのスクライブライン領域が設けられている半導体ウエハに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハに形成された複数のチップ領域に対するウエハテストにおいて、アセンブリ(組立て)に使用されるパッド(以下アセンブリパッドともいう)にプローブカードのプローブ針を接触させることで電気的特性試験(以下テストという)を行なってきた。
アセンブリパッドを用いてテストを行なう場合、半導体装置の組立ての信頼性上、アセンブリパッドにプローブ針を当てる回数(以下プロービング回数という)を3回程度におさえる必要がある。このため、チップには不具合がないにもかかわらずテストがうまくいかなかったために歩留りが低下した場合、アセンブリパッドへのプロービング回数が既に規定回数に達しているときは再テストを実施せずにそのまま組立工程へ移行していた。
【0003】
テストにおいてアセンブリパッドを損傷させない方法として、入力段にフォトダイオードを形成し、光学的にテストを行なう方法(例えば、特許文献1参照。)や、チップ内にアセンブリパッドとは別にテスト用パッドを設ける方法(例えば、特許文献2参照。)がある。
また、複数のチップが形成された半導体ウエハには、隣り合うチップ間にチップを切り出すためのスクライブライン領域が設けられている。そこで、テストにおいてアセンブリパッドを傷つけないようにするために、テスト用パッドをスクライブライン領域上に設ける方法(例えば、特許文献3参照。)がある。
上記の特許文献ではアセンブリパッドの損傷を防ぐことが目的のひとつに挙げられている。
【0004】
【特許文献1】
特開平4−152651号公報
【特許文献2】
特開平11−163067号公報
【特許文献3】
特開平5−299484号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に記載の従来技術では、アセンブリパッドに対して非接触でテストを行なうことができるが、フォトダイオードをチップ上に内蔵するなどプロセス自体が変わってしまうので、LSI(大規模集積回路)への適用は適当でない。
【0006】
特許文献2に記載の従来技術では、テスト用パッドをアセンブリパッドとは別途設けるということによりアセンブリパッドの損傷を防止することができるが、テスト用パッドをチップ内に設ける場合はチップサイズが大きくなるという問題があった。
【0007】
特許文献3に記載の従来技術では、テスト用パッドをスクライブライン領域上に設けているのでチップサイズの拡大を招くことはない。しかし、チップごとにアセンブリパッドに対応してテスト用パッドをスクライブライン領域上に形成しており、スクライブライン領域上に隣り合う2チップ分のテスト用パッドをそれぞれ形成しているので、テスト用パッドに求められる面積からスクライブライン領域が半導体ウエハ上で占める面積が大きくなり、半導体ウエハ1枚当たりのチップの取れ数が減少し、歩留まりが低下するという問題があった。
【0008】
本発明は、スクライブライン領域の面積を大きくすることなくテスト用パッドをスクライブライン領域上に配置することができる半導体ウエハを提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数のチップ領域が縦横方向に配列され、チップ領域間にチップ領域を切り出すためのスクライブライン領域が設けられている半導体ウエハであって、任意のチップ領域は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域に対して回路パターンが180度回転して形成されており、隣り合うチップ領域で共通のテスト用パッドが上記スクライブライン領域に形成されているものである。
本発明の半導体ウエハではスクライブライン領域にテスト用パッドを備えているので、ウエハテストの際にチップ領域内のパッド(アセンブリパッド)に損傷を与えることはない。これにより、何度でも再テストすることができ、例えばテストの不良によって低歩留りになった半導体ウエハを救済することができる。
さらに、任意のチップ領域は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域に対して回路パターンが180度回転して形成されているので、隣り合うチップ領域の対向する辺の近傍に配置されたチップ領域内のパッド数は隣り合うチップ領域で同じになる。スクライブライン領域にテスト用パッドを配置し、隣り合うチップ領域でテスト用パッドを共有することにより、テスト用パッド数を従来技術に比べて半減させることができ、スクライブライン領域面積の増大を抑制することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体ウエハにおいて、各チップ領域はチップ領域内のパッドをハイ・インピーダンス状態にするための入出力制御回路を備え、上記入出力制御回路に信号を入力するためのテスト対象チップ認識パッドがチップ領域内又はスクライブライン領域に設けられ、上記テスト対象チップ認識パッドはチップ領域内でプルアップ又はプルダウンされており、上記入出力制御回路に電源を供給するためのテスト用電源パッド及びテスト用GND(グラウンド)パッドをスクライブライン領域上に備えていることが好ましい。
その結果、テストを行なう際、テスト対象のチップ領域について、隣り合う他のチップ領域からの影響を受けないように制御することが可能となり、より正確なテストを行なうことができる。
近年の回路設計技術において、JTAG又はバウンダリースキャンと呼ばれる技術がある。これはチップのI/O部、つまりパッドの電位をハイ・インピーダンス状態に制御することが可能なものである。また、この技術を用いなくても、論理設計を行なうことで同様の機能を実現することも可能である。
【0011】
さらに、上記テスト対象チップ認識パッドは、チップ領域内の角部分領域に配置されているようにしてもよい。
一般に、チップ領域内の角部分領域は、組立て時の応力などの問題からトランジスタなどの能動素子は配置されておらず、空き領域になっている。そこで、テスト対象チップ認識パッドをチップ領域内の角部分領域に配置することにより、チップ領域の面積を増大させることなく、テスト対象チップ認識パッドを配置することができる。
【0012】
さらに、上記テスト用電源パッド及び上記テスト用GNDパッドは上記スクライブライン領域の交差部に配置されているようにしてもよい。
これにより、スクライブライン領域の交差部の周囲の4つのチップ領域でテスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドを共有することができ、半導体ウエハ全体でのテスト用電源パッド数及びテスト用GNDパッド数を減らすことができる。
【0013】
さらに、上記テスト対象チップ認識パッドは、プルダウンされている場合は上記テスト用電源パッドに接続され、又はプルアップされている場合は上記テスト用GNDパッドに接続されているようにしてもよい。
この態様によれば、テスト対象のチップ領域と隣り合う他のチップ領域について、テスト対象チップ認識パッドに対してプローブ針から電源供給をしなくてもテスト対象チップ認識パッドのオープン時の状態をテスト用電源パッド又はテスト用GNDパッドからの電源供給により決定することができる。これにより、テストの際にテスト対象チップ領域以外のチップ領域のテスト対象チップ認識パッドへのプローブ針の接触をする必要がなくなり、プローブカードの針立て本数及び針立て面積を削減することができ、コストの低減を実現できる。
【0014】
【実施例】
図1は一実施例の一部分を示す概略平面図である。図2はその実施例の全体を示す平面図である。
半導体ウエハ1上に複数のチップ領域3が縦横方向に整列して配列されている。チップ領域3間に、チップ領域3を切り出すためのスクライブライン領域5が設けられている。図2ではスクライブライン領域5の図示は省略されている。
【0015】
チップ領域3内の周囲部分に複数のチップ内信号パッド7、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bが設けられている。パッド7,7a,7bはアセンブリ時にはアセンブリパッドとして用いられるものである。チップ領域3内の角部分領域にはパッド7,7a,7bは配置されていない。
【0016】
任意のチップ領域3は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域3に対して回路パターンが180度回転して形成されている。これにより、隣り合うチップ領域3,3の対向する辺の近傍に配置されたチップ領域3内のアセンブリパッド7の数は、隣り合うチップ領域3,3で同じになっている。
【0017】
スクライブライン領域5にテスト用パッド9が配置されている。テスト用パッド9は、隣り合うチップ領域3,3のアセンブリパッド7に対して共通に設けられており、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに対してはチップ領域3ごとに設けられている。
テスト時には、テスト対象のチップ領域3に隣り合う他のチップ領域3のチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bにつながるテスト用パッドを除く、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用パッド9にプローブ針が接触されて電源及びテスト信号が印加される。
【0018】
このように、スクライブライン領域5にテスト用パッド9を備えているので、テストの際にチップ領域3内のパッド7,7a,7bがプローブ針の接触に起因して損傷することはないので、何度でも再テストすることができ、テストの不良によって低歩留りになった半導体ウエハを救済することができる。
【0019】
さらに、チップ内信号パッド7に対するテスト用パッド9を隣り合うチップ領域3,3で共有しているので、テスト用パッド9の数を従来技術に比べてほぼ半分にすることができ、スクライブライン領域5にテスト用パッド9を配置することによるスクライブライン領域5の面積の増大を抑制することができる。
テスト後、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、スクライブライン領域5に配置されたテスト用パッド9は切断除去される。
【0020】
図3は他の実施例の一部分を示す概略平面図である。図4はこの実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド及びI/Oコントロール回路(入出力制御回路)を示す概略構成図である。図1及び図2と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。この実施例の全体を示す平面図は図2と同じである。
【0021】
チップ領域3の周囲部分に、対向する2辺ごとに、チップ内電源配線11a(一点鎖線参照)又はチップ内GND配線11b(破線参照)が形成されている。
スクライブライン領域5の交差部に、テスト用電源パッド13aとテスト用GNDパッド13bが交互に配置されている。テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bは近傍の4つのチップ領域で共有されており、テスト用電源パッド13aはチップ内電源配線11aに接続され、テスト用GNDパッド13bはチップ内GND配線11bに接続されている。このように、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bをスクライブライン領域5の交差部に配置し、周囲のチップ領域で共有することにより、スクライブライン領域5に配置するパッド数の増加を抑えることができる。
【0022】
チップ領域3内の角部分領域にテスト対象チップ認識パッド15が配置されている。テスト対象チップ認識パッド15が配置される角部分領域は、もともと何も配置されていない領域なので、テスト対象チップ認識パッド15の配置によりチップ領域3の面積が増大することはない。
【0023】
図4に示すように、各チップ領域3にはI/O部を制御することによりパッド7,7a,7bの電位をハイ・インピーダンス状態にするためのI/Oコントロール回路17が設けられている。図3でのI/Oコントロール回路17の図示は省略されている。図4では、パッド7,7a,7b及び内部回路の図示は省略されている。テスト対象チップ認識パッド15とI/Oコントロール回路17は電気的に接続されている。
【0024】
I/Oコントロール回路17は、ウエハテスト時において、テスト対象チップ認識パッド15に信号が入力されることにより、例えば論理値「1」入力でI/O部をハイ・インピーダンス状態に、論理値「0」入力でI/O部を通常動作状態にするように切り替えるものである。
【0025】
I/Oコントロール回路17は、図示は省略するがチップ内電源配線11a及びチップ内GND配線11bと接続されており、テスト時には、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bからチップ内電源配線11a及びチップ内GND配線11bを介して電源が供給される。なお、チップ領域3の周囲に配置された2つのテスト用電源パッド13a及び2つのテスト用GNDパッド13bのうち、いずれのテスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bを用いてもI/Oコントロール回路17を動作させることができるように配線されている。
【0026】
テスト対象チップ認識パッド15は、抵抗19を介して例えばチップ内GNDパッド7bに接続されており、チップ領域3内でプルダウンされている。これにより、テスト対象チップ認識パッド15がオープン状態でのI/Oコントロール回路17への入力の電位を固定することができる。
【0027】
図5は、図3及び図4の実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
図5の中央に示すチップ領域3がテスト対象チップ領域である場合、隣り合うチップ領域3のチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bにつながるテスト用パッド9を除く、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用パッド9’にプローブ針が接触される。
【0028】
さらに、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’にもプローブ針が接触される。さらに、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3及びテスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’にもプローブ針が接触される。
ここで、テスト対象のチップ領域3の縦横方向の4つのチップ領域3以外のチップ領域3は、テスト対象のチップ領域3とはテスト用パッド9を共有しておらず、テストに影響を及ぼさないので、それらのチップ領域3へのテスト対象チップ認識パッド15、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bへのプロービングは不要である。
【0029】
テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’に電源が供給されることにより、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3及びテスト対象のチップ領域3のI/Oコントロール回路17が動作する。
【0030】
テスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’に論理値「0」を入力してI/O部、ひいてはパッド7,7a,7bを通常動作状態に設定し、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’に論理値「1」を入力してI/O部、ひいてはパッド7,7a,7bをハイ・インピーダンス状態に設定する。
これにより、周囲のチップ領域3の影響を受けることなく、テスト対象のチップ領域3のテストを正確に行なうことができる。
【0031】
ここで、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに電源供給するための電源装置と、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bに電源供給するための電源装置を別々に設けることが好ましい。これにより、テスト時に、テスト対象チップ認識パッド15に付加されたプルダウン機能に定常的に流れてしまう電流をチップ領域3へ供給する電流とは分離して扱うことができ、テスト上都合がよい。
【0032】
また、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bに供給する電圧レベルは、テスト用電源パッド13aがチップ内電源配線11aと接続されているので、チップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに供給する電圧レベルと同じでなければならない。ただし、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bからI/Oコントロール回路17へ電源を供給するための専用の配線を用いる場合には、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bに供給する電圧レベルとチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bに供給する電圧レベルを異ならせてもよい。
【0033】
テスト後、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、スクライブライン領域5に配置されたテスト用パッド9、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bは切断除去される。
テスト対象チップ認識パッド15はアセンブリ時には使用されず、オープン状態になる。テスト対象チップ認識パッド15はチップ領域3内でプルダウンされているので、アセンブリ時にはI/Oコントロール回路17への入力は論理値「0」であり、I/O部は通常動作状態になる。
【0034】
この実施例では、図4に示したように、I/Oコントロール回路17への入力を構成するテスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内でプルダウンしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図6(A)に示すように、テスト対象チップ認識パッド15を例えばチップ内電源パッドへ抵抗19を介して接続するなどしてI/Oコントロール回路17への入力をチップ領域3内でプルアップしてもよい。I/Oコントロール回路17の入力配線がプルアップされている場合は、I/Oコントロール回路17は、論理値「1」でI/O部を通常動作状態に設定し、論理値「0」でI/O部をハイ・インピーダンス状態に設定するように設計される。
【0035】
また、この実施例では、テスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内に配置しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図6(B)に示すように、テスト対象チップ認識パッド15をスクライブライン領域5に配置してI/Oコントロール回路17とテスト対象チップ認識パッド15の間の配線をプルダウンするようにしてもよいし、図6(C)に示すように、テスト対象チップ認識パッド15をスクライブライン領域5に配置してI/Oコントロール回路17とテスト対象チップ認識パッド15の間の配線をプルアップするようにしてもよい。これらの場合、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、テスト対象チップ認識パッド15も切断除去される。
【0036】
図7は、さらに他の実施例の一部分を示す概略平面図である。図8はこの実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド、テスト用電源パッド及びI/Oコントロール回路の接続状態を示す概略構成図である。図1から図6と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。この実施例の全体を示す平面図は図2と同じである。
【0037】
この実施例が図3及び図4に示した実施例と異なる点は、テスト対象チップ認識パッド15は抵抗21及びチップ内電源配線11aを介してテスト用電源パッド13aに接続されている点である。図7では、2本のチップ内電源配線11aが対向する2辺の近傍に配置されているが、両チップ内電源配線11aはチップ領域3内で接続されており、テスト対象チップ認識パッド15はチップ領域3の周囲に存在する2つのテスト用電源パッド13aのいずれにも接続されている。
【0038】
抵抗19,21の抵抗値は、小さすぎると、テスト時にテスト用電源パッド13aからGNDへの電流が流れるので、数百KΩ(キロオーム)から数MΩ(メガオーム)程度が適当と思われる。また、抵抗19,21の抵抗比は、テスト時において、テスト対象チップ認識パッド15がオープン状態でI/Oコントロール回路17へ論理値「1」(テスト用電源パッド13aに供給される電圧)が入力されるように、例えば、抵抗19の抵抗値:抵抗21の抵抗値=10:1程度に設定しておくのが妥当である。ただし、抵抗19,21の抵抗値の精度は問わない。
【0039】
図9は、図7及び図8の実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
図5の中央に示すチップ領域3がテスト対象チップ領域である場合、隣り合うチップ領域3のチップ内電源パッド7a及びチップ内GNDパッド7bにつながるテスト用パッド9を除く、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用パッド9’にプローブ針が接触される。
【0040】
さらに、テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’にもプローブ針が接触される。さらに、テスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’にもプローブ針が接触される。
ここで、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15には、テスト用電源パッド13a’からチップ内電源配線11a及び抵抗21を介して論理値「1」が入力されるので、プロービングは不要である。
【0041】
テスト対象のチップ領域3の周囲のテスト用電源パッド13a’及びテスト用GNDパッド13b’に電源が供給されることにより、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3及びテスト対象のチップ領域3のI/Oコントロール回路17が動作する。
【0042】
テスト対象のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15’に論理値「0」を入力してI/O部、ひいてはパッド7,7a,7bを通常動作状態に設定する。テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3については、上述のように、テスト対象チップ認識パッド15にテスト用電源パッド13a’から論理値「1」が入力され、I/O部、ひいてはパッド7,7a,7bはハイ・インピーダンス状態になる。
【0043】
このように、テスト対象のチップ領域3の縦横方向に隣り合う4つのチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15にプローブ針を接触させなくても、それらのチップ領域3のパッド7,7a,7bをハイ・インピーダンス状態にすることができるので、周囲のチップ領域3の影響を受けることなく、テスト対象のチップ領域3のテストを正確に行なうことができる。
さらに、テスト対象のチップ領域3以外のチップ領域3のテスト対象チップ認識パッド15にプローブ針を接触させなくてもよいので、より少ないプローブ針本数でテストを行なうことができる。
【0044】
テスト後、半導体ウエハ1からチップ領域3を切り出す際に、スクライブライン領域5に配置されたテスト用パッド9、テスト用電源パッド13a及びテスト用GNDパッド13bは切断除去される。テスト対象チップ認識パッド15は、アセンブリ時には使用されず、オープン状態になるが、チップ領域3内でプルダウンされているので、アセンブリ時にはI/Oコントロール回路17への入力は論理値「0」であり、I/O部は通常動作状態になる。
【0045】
この実施例では、図8に示したように、I/Oコントロール回路17への入力を構成するテスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内でプルダウンし、テスト対象チップ認識パッド15を抵抗21及びチップ内電源配線11aを介してテスト用電源パッド13aに接続しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図10に示すように、テスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内でプルアップする場合には、テスト対象チップ認識パッド15を抵抗21及びチップ内GND配線11bを介してテスト用GNDパッド13bに接続するようにしてもよい。また、テスト用電源パッド13a又はテスト用GNDパッド13bを、テスト対象チップ認識パッド15を介さずに、I/Oコントロール回路17の入力配線へ接続するようにしてもよい。
【0046】
また、図7から図10の実施例では、テスト対象チップ認識パッド15をチップ領域3内に配置しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図6(B)及び(C)と同様に、テスト対象チップ認識パッド15をスクライブライン領域5に配置するようにしてもよい。この場合、I/Oコントロール回路17の入力配線がプルアップ又はプルダウンのいずれに設定されているかにより、I/Oコントロール回路17の入力配線にテスト用電源パッド13a又はテスト用GNDパッド13bのいずれを接続するかを選択すればよい。さらに、テスト用電源パッド13a又はテスト用GNDパッド13bをI/Oコントロール回路17の入力配線にテスト対象チップ認識パッド15を介して接続してもよいし、介さずに接続してもよい。
【0047】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【0048】
【発明の効果】
請求項1に記載された半導体ウエハでは、任意のチップ領域は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域に対して回路パターンが180度回転して形成されており、スクライブライン領域に隣り合うチップ領域で共通のテスト用パッドが形成されているようにしたので、ウエハテストの際にチップ領域内のパッドに損傷を与えることはなく、何度でも再テストすることができ、テストの不良によって低歩留りになった半導体ウエハを救済することができる。
さらに、隣り合うチップ領域の対向する辺の近傍に配置されたチップ領域内のパッド数は隣り合うチップ領域で同じになるので、隣り合うチップ領域でテスト用パッドを共有することによってテスト用パッド数を従来技術に比べて半減させることができ、スクライブライン領域面積の増大を抑制することができる。
【0049】
請求項2に記載された半導体ウエハでは、各チップ領域はチップ領域内のパッドをハイ・インピーダンス状態にするための入出力制御回路を備え、入出力制御回路に信号を入力するための、プルアップ又はプルダウンされたテスト対象チップ認識パッドをチップ領域内又はスクライブライン領域に備え、入出力制御回路に電源を供給するためのテスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドをスクライブライン領域上に備えているようにしたので、テストを行なう際、テスト対象のチップ領域について、隣り合う他のチップ領域からの影響を受けないように制御することが可能となり、より正確なテストを行なうことができる。
【0050】
請求項3に記載された半導体ウエハでは、テスト対象チップ認識パッドは、チップ領域内の角部分領域に配置されているようにしたので、チップ領域の面積を増大させることなく、テスト対象チップ認識パッドを配置することができる。
【0051】
請求項4に記載された半導体ウエハでは、テスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドはスクライブライン領域の交差部に配置されているようにしたので、スクライブライン領域の交差部の周囲の4つのチップ領域でテスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドを共有することができ、半導体ウエハ全体でのテスト用電源パッド数及びテスト用GNDパッド数を減らすことができる。
【0052】
請求項5に記載された半導体ウエハでは、テスト対象チップ認識パッドは、プルダウンされている場合はテスト用電源パッドに、プルアップされている場合はテスト用GNDパッドに、抵抗を介して接続されているようにしたので、テスト対象のチップ領域と隣り合う他のチップ領域について、テスト対象チップ認識パッドに対してプローブ針から電源供給をしなくてもテスト対象チップ認識パッドのオープン時の状態をテスト用電源パッド又はテスト用GNDパッドからの電源供給により決定することができ、より少ないプローブ針本数でテストを行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例の一部分を示す概略平面図である。
【図2】同実施例の全体を示す平面図である。
【図3】他の実施例の一部分を示す概略平面図である。
【図4】同実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド及びI/Oコントロール回路を示す概略構成図である。
【図5】同実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
【図6】テスト対象チップ認識パッド近傍の他の構成例を示す概略構成図であり、(A)はテスト対象チップ認識パッドをチップ領域内に配置し、プルアップした構成を示し、(B)はテスト対象チップ認識パッドをスクライブライン領域に配置し、プルダウンした構成を示し、(C)はテスト対象チップ認識パッドをスクライブライン領域に配置し、プルアップした構成を示す。
【図7】さらに他の実施例の一部分を示す概略平面図である。
【図8】同実施例のチップ領域ごとに配置されるテスト対象チップ認識パッド、テスト用電源パッド及びI/Oコントロール回路の接続状態を示す概略構成図である。
【図9】同実施例において、テスト時にプローブされるパッドを示す概略平面図である。
【図10】テスト対象チップ認識パッド近傍の他の構成例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1 半導体ウエハ
3 チップ領域
5 スクライブライン領域
7 チップ内信号パッド
7a チップ内電源パッド
7b チップ内GNDパッド
9 テスト用パッド
9’ プローブされたテスト用パッド
11a チップ内電源配線
11b チップ内GND配線
13a テスト用電源パッド
13a’ プローブされたテスト用電源パッド
13b テスト用GNDパッド
13b’ プローブされたテスト用GNDパッド
15 テスト対象チップ認識パッド
15’ プローブされたテスト対象チップ認識パッド
17 I/Oコントロール回路
19,21 抵抗
Claims (5)
- 複数のチップ領域が縦横方向に配列され、チップ領域間にチップ領域を切り出すためのスクライブライン領域が設けられている半導体ウエハにおいて、
任意のチップ領域は、縦方向及び横方向に隣り合う他のチップ領域に対して回路パターンが180度回転して形成されており、
隣り合うチップ領域で共通のテスト用パッドが前記スクライブライン領域に形成されていることを特徴とする半導体ウエハ。 - 各チップ領域はチップ領域内のパッドをハイ・インピーダンス状態にするための入出力制御回路を備え、
前記入出力制御回路に信号を入力するためのテスト対象チップ認識パッドがチップ領域内又はスクライブライン領域に設けられ、前記テスト対象チップ認識パッドはチップ領域内でプルアップ又はプルダウンされており、
前記入出力制御回路に電源を供給するためのテスト用電源パッド及びテスト用GNDパッドをスクライブライン領域上に備えている請求項1に記載の半導体ウエハ。 - 前記テスト対象チップ認識パッドは、チップ領域内の角部分領域に配置されている請求項2に記載の半導体ウエハ。
- 前記テスト用電源パッド及び前記テスト用GNDパッドは前記スクライブライン領域の交差部に配置されている請求項2又は3に記載の半導体ウエハ。
- 前記テスト対象チップ認識パッドは、プルダウンされている場合は前記テスト用電源パッドに接続され、又はプルアップされている場合は前記テスト用GNDパッドに接続されている請求項2から4のいずれかに記載の半導体ウエハ。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110186838A1 (en) * | 2008-08-07 | 2011-08-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Circuit architecture for the parallel supplying during an electric or electromagnetic testing of a plurality of electronic devices integrated on a semiconductor wafer |
US8362620B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-01-29 | Stmicroelectronics S.R.L. | Electronic devices with extended metallization layer on a passivation layer |
CN105321910A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-10 | 华邦电子股份有限公司 | 晶片及其测试方法 |
KR20200059888A (ko) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치, 반도체 칩 및 반도체 기판의 반도체 기판의 소잉 방법 |
-
2003
- 2003-05-14 JP JP2003135530A patent/JP2004342725A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110186838A1 (en) * | 2008-08-07 | 2011-08-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Circuit architecture for the parallel supplying during an electric or electromagnetic testing of a plurality of electronic devices integrated on a semiconductor wafer |
US8378346B2 (en) * | 2008-08-07 | 2013-02-19 | Stmicroelectronics S.R.L. | Circuit architecture for the parallel supplying during electric or electromagnetic testing of a plurality of electronic devices integrated on a semiconductor wafer |
US8362620B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-01-29 | Stmicroelectronics S.R.L. | Electronic devices with extended metallization layer on a passivation layer |
US8941108B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-01-27 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method to perform electrical testing and assembly of electronic devices |
CN105321910A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-10 | 华邦电子股份有限公司 | 晶片及其测试方法 |
KR20200059888A (ko) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치, 반도체 칩 및 반도체 기판의 반도체 기판의 소잉 방법 |
KR102653165B1 (ko) | 2018-11-22 | 2024-04-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치, 반도체 칩 및 반도체 기판의 반도체 기판의 소잉 방법 |
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