JP2004327215A - 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004327215A JP2004327215A JP2003119845A JP2003119845A JP2004327215A JP 2004327215 A JP2004327215 A JP 2004327215A JP 2003119845 A JP2003119845 A JP 2003119845A JP 2003119845 A JP2003119845 A JP 2003119845A JP 2004327215 A JP2004327215 A JP 2004327215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- electro
- connection terminal
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
- H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】EL基板300は、透明性を有する基材301と、個別電極303と有機EL層313とを各々有すると共に、有機EL層313を挟んで個別電極303と対向する共通電極323を共通に有する複数の有機EL素子と、この有機EL素子を覆う電気絶縁性の封止層360と、封止層360を挟んで個別電極303と対向して設けられた接続端子340とを備える。一方、TFT基板200は、有機EL素子をそれぞれ駆動する画素駆動回路250と、接続端子340に対応して設けられ、画素駆動回路250と有機EL素子とを接続するための引出端子240とを備える。そして、EL基板300とTFT基板200とを、接続端子340および引出端子240同士が互いに一対一であって電気的に接続するように、異方性導電体400を用いて貼り合わせる。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば有機EL(Electronic Luminescence)素子などの発光素子を用いた電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、従来の液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機EL素子が注目されている。有機EL素子は、2つの電極によって発光層を挟持した構造であり、両電極間に流れる電流に応じて自ら発光する自発光素子であるために、視野角依存性が少なく、また、バックライトが不要となる結果、低消費電力であるなど、表示素子として優れた特性を有している。
このような有機EL素子の駆動には、液晶素子と同様に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下「TFT」と省略する)などのような能動素子を用いるアクティブマトリクス方式と、能動素子を用いないパッシブマトリクス方式とに大別することができるが、駆動電圧が低くて済む等の理由により、後者に係るアクティブマトリクス方式が優れていると考えられている。
【0003】
ところで、有機EL素子をアクティブマトリクス方式で駆動する場合において、能動素子と有機EL素子とを単一の基板において形成する構造は、歩留まりやスループットなどの製造的観点からいえば好ましくはない。このため、近年では、能動素子と有機EL素子とを別々の基板で形成した後に、2つの基板を貼り合わせる技術が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−82633号公報(図3参照)
【特許文献2】
特開2001−117509号公報(図2、図3参照)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機EL素子は、文字通り有機材料からなるので、有機溶媒や水分などによって劣化しやすく、また、発光層に応力が加わると、容易に破壊してしまう、という欠点を有する。上記公報に記載の技術は、基板同士が貼り合わせられる際の応力が有機EL素子を構成する電極に直接加わるために、有機EL素子の劣化および破壊を防止する観点からいえば、十分なものではなかった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、有機EL素子のような発光素子が形成された基板と、当該発光素子を駆動するための濃度素子が形成された基板とを貼り合わせる場合に、発光素子の劣化・破壊を抑止した電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器をそれぞれ提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、第1基板と第2基板とを有し、前記第1基板は、透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第1の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第1の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなり、前記第2基板は、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、前記第1の接続端子に対応して設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第2の接続端子とを備えてなり、前記第1基板に設けられた前記第1の接続端子と前記第2基板に設けられた前記第2の接続端子とが電気的に接続するように配置される。この電気光学装置によれば、第1基板の発光素子は封止層に覆われるので、発光素子の劣化が防止される。さらに、第2基板との貼り合わせ時に、応力が発光素子に直接加わらないので、発光素子の破壊も防止される。また、第1基板において封止層の表面には、第1の接続端子だけが露出するので、隣接する接続端子と接触しない限り、広くすることができる結果、接続端子同士の接触抵抗を低減することが可能となる。なお、ここでいう発光素子とは、上述した有機EL素子のほか、LEDや、電極間の放電によって発光するプラズマディスプレイのセルなどを含む。
【0007】
この電気光学装置において、前記個別電極は、前記共通電極よりも前記基材側に位置する構成が好ましい。発光素子により発せられた光は、個別電極および第1基材のみを介するので、開口率を高めた明るい表示が可能となる。また、この構成において、前記個別電極は透明性を有し、前記共通電極は反射性を有する構成が好ましい。この構成によれば、共通電極を低抵抗化することができるので、表示ムラを防止することができる。また、発光素子により発せられた光は、共通電極で反射するので、光の利用効率も高められる。前記第1基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、前記接続部は、前記封止層および前記隔壁を貫通するように設けられても良い。
【0008】
一方、この電気光学装置において、前記共通電極は、前記個別電極よりも前記基材側に位置する構成も好ましい。この構成では、導電部を設ける際に封止層を貫通する深さが浅くなるので、貫通に伴う欠けなどの不良を低減することができる。この構成において、前記共通電極は透明性を有し、前記個別電極は反射性を有しても良い。また、このような構成において、前記第1基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、前記第1の接続端子の少なくとも一部は前記隔壁の上方に配置されてもよい。隔壁の部分は盛り上がるので、この盛り上がりにより第1および第2の接続端子は、より確実に接触する。なお、この盛り上がりを平坦化すれば、電極同士の接触面積を広くすることができ、接触抵抗が低減される。
【0009】
この電気光学装置において、前記発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層を含み、前記発光素子は、個別電極および共通電極のうち一方を陰極とし、他方を陽極とする有機EL素子である構成が望ましい。
また、この電気光学装置において、前記第2基板は、互いに交差する複数の走査線と複数のデータ線とを有し、前記駆動回路は、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差部に対応して設けられ、当該交差部に対応する走査線が選択されたときにオンするスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタがオンしたときに、当該交差部に対応するデータ線上の電気信号に応じた電荷を蓄積する容量素子と、その一の端子が前記第2の接続端子と電気的に接続されるとともに、前記容量素子に蓄積された電荷に応じて、その動作状態が定まる駆動トランジスタとを有する構成が好ましい。
この構成によれば、スイッチングトランジスタがオフしたときであっても、容量素子に蓄積された電荷によって駆動トランジスタの導通状態が定められるので、発光素子に電流を供給し続けることができる。
なお、この電気光学装置において、前記駆動回路は、薄膜トランジスタを有しても良い。また、電子機器としては、このような電気光学装置を備えることが好ましい。
【0010】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置用基板は、透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第1の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第1の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなる基板と接続されて用いられる電気光学装置用基板であって、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、前記第1の接続端子に接続可能に設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを電気的に接続するための第2の接続端子とを備える。この電気光学装置用基板は、上記電気光学装置の第1基板として用いられる。
【0011】
また、上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置用基板は、透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟み前記個別電極と対向して設けられた第1の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第1の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備える。この電気光学装置用基板は、上記電気光学装置の第2基板として用いられる。
【0012】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、透明性を有する基材に、複数の個別電極、発光層、及び共通電極を積層して複数の発光素子を形成する工程と、前記複数の発光素子を覆う封止層を形成する工程と、少なくとも前記封止層を貫通し、前記複数の個別電極にそれぞれ導通する複数の第1の接続端子を形成する工程とを施す一方、前記透明性を有する基材とは異なる基材に、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路を形成する工程と、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第2の接続端子を、前記第1の接続端子に対応して形成する工程とを施し、前記第1の接続端子と前記第2の接続端子とを電気的に接続する工程を有する。この製造方法によれば、第1基板の発光素子は封止層に覆われるので、発光素子の劣化が防止される。さらに、第2基板との貼り合わせ時に、応力が発光素子に直接加わらないので、発光素子の破壊も防止される。また、第1基板において封止層の表面には、第1の接続端子だけが露出するので、隣接する接続端子と接触しない限り、広くすることができる結果、接続端子同士の接触抵抗を低減することが可能となる。
【0013】
この製造方法において、前記第1の接続端子と前記第2の接続端子とを電気的に接続する工程は、異方性導電材を、前記第1の接続端子と前記第2の接続端子との間に付与する工程を含むことが好ましい。これにより、第1および第2の接続端子同士を電気的に簡易に接続することが可能となる。
【0014】
また、上記製造方法において、前記複数の発光素子を形成する工程は、前記複数の個別電極を形成する工程の後に、前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、前記封止層の貫通が予定される予定領域を避けて前記共通電極を形成する工程とを有し、前記第1の接続端子を形成する工程は、前記封止層および前記隔壁の、前記予定領域を開孔させて、前記個別電極の一部を露出させる工程を含むようにしても良い。封止層および隔壁を一括して開孔させるので、第1の接続端子を個別電極に導通させるため開孔が1回で済む。
【0015】
また、上記製造方法において、前記複数の発光素子を形成する工程は、前記複数の個別電極を形成する工程の後に、前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を、前記複数の個別電極にそれぞれ達する複数の開孔部を有するように形成する工程と、前記複数の開孔部に導電材を付与する工程と、前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、前記導電材とは接触しないように前記共通電極を形成する工程とを有し、前記第1の接続端子を形成する工程は、前記封止層を開孔させて、前記導電材の一部を露出させる工程を含むようにしても良い。第1基板において、第1の接続端子から個別電極までを導通するための開孔は、隔壁および封止層のそれぞれの2回となるが、1回の開孔に必要な深さが浅くなるので、開孔に伴う欠けなどの不良を低減することができる。
【0016】
また、上記製造方法において、前記複数の発光素子を形成する工程は、前記共通電極を積層した後に、前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、前記複数の個別電極をその少なくとも一部が前記隔壁の上方に位置するように形成する工程とを有し、前記第1の接続端子を形成する工程は、前記封止層を開孔させて、前記隔壁の上方に位置するように形成された個別電極の一部を露出させる工程を含むようにしても良い。第1基板において、第1の接続端子から個別電極までを導通するための開孔は、封止層の1回だけで済ませることができる。
【0017】
ここで、開孔を1回または2回で形成する場合に、前記発光層を形成する工程は、液体化した発光材料を、前記隔壁により仕切られた領域に付与する工程を有することが望ましい。液体化した発光材料が吐出された際に、当該液体材料は、隔壁により画素内にとどまり、隣接する画素にまたがることがない。また、発光材料が選択的に形成されるので、フォトリソグラフィ技術を用いた形成方法よりも、無駄になる発光材料の量は少なくて済む。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【0019】
<第1実施形態>
まず、説明の便宜上、実施形態に係る電気光学装置を含む表示システムの全体について説明する。図1は、その表示システム10の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、表示パネルとしての電気光学装置100では、複数m本の走査線202と複数n本のデータ線204とが互いに直交するように(電気的には絶縁されている)延設されるとともに、その交差部の各々に、有機EL素子を有する画素回路110が設けられている。すなわち、この電気光学装置100では、画素がm行n列でマトリクス状に配列している。
画像メモリ130は、各画素に対応した記憶領域を有し、各記憶領域では、対応する画素の階調(輝度)を規定するデジタルデータDmemが格納される。なお、このデジタルデータDmemは、CPU(図1では図示省略)などから供給されて、指定された記憶領域に書き込まれる。
【0020】
走査線駆動回路140は、m本の走査線202に走査信号を供給するものである。詳細には、走査線駆動回路140は、走査線202を1水平走査期間毎に1本ずつ順番に選択して、選択した走査線202にはアクティブレベル(Hレベル)の走査信号を、それ以外の走査線202には非アクティブレベル(Lレベル)である走査信号を、それぞれ1行目から最終m行目までの走査線202に供給する。ここで、説明の便宜上、i(iは、1≦i≦mを満たす整数)行目の走査線202に供給される走査信号をYiと表記する。
制御回路150は、走査線駆動回路140による走査線202の選択を制御するとともに、走査線202の選択動作に同期させて、1列からn列までのデータ線204に対応するデジタルデータDpix−1〜Dpix−nを画像メモリ130から読み出してデータ線駆動回路160に供給する。
【0021】
データ線駆動回路160は、D/A変換器をデータ線204毎に有する(図示省略)。ここで、j(jは、1≦j≦nを満たす整数)列目のD/A変換器には、選択された走査線202とj列目のデータ線204との交差部に対応するデジタルデータDpix−jが供給される。そして、当該D/A変換器は、供給されたデジタルデータDpix−jをアナログ電圧に変換し、データ信号Xjとして対応するj列目のデータ線204に印加する。
したがって、例えば、3列目のデータ線204に印加されるデータ信号X3の電圧は、そのときに選択される走査線202と3列目のデータ線204との交差部に対応する画素のデジタルデータDpix−3を、アナログ電圧に変換したものとなる。
電源回路170は、各部に適切な電源を供給するものである。
【0022】
なお、符号100、130、140、150、160、170の各要素は、それぞれが独立した部品により構成される場合や、一部または全部が一体となって構成される場合など、実際には様々な形態をとる。例えば、走査線駆動回路140およびデータ線駆動回路160が一体となって、後述するTFT基板に、画素駆動回路とともに集積化される場合もある。このように集積化すると、周辺回路を別基板上に実装するタイプと比較して、装置全体の小型化や低コスト化を図る上で有利となる。
【0023】
<画素回路>
次に、電気光学装置100における画素回路110について説明する。図2は、その構成の一例を示す回路図である。なお、すべての画素回路110は、互いに同一構成であるが、ここでは、i行目の走査線202とj列目のデータ線204との交差部分に設けられる画素回路110で代表させて説明することにする。
この図に示されるように、該走査線202と該データ線204との交差部分に設けられた画素回路110は、画素駆動回路250と、発光素子たる有機EL素子310とを有する構成となっている。
この電気光学装置100は、詳細については後述するが、画素駆動回路250を有するTFT基板と、有機EL素子310を有するEL基板との2枚で構成されるとともに、両者基板が画素回路110毎にN点を介して電気的に接続された構成となっている。
【0024】
画素駆動回路250は、2個のTFT212、214、容量素子220を有する。このうち、スイッチングトランジスタとしてのTFT214は、nチャネル型であり、そのゲートは走査線202に接続され、そのソースは、データ線204に接続され、そのドレインは、TFT212のゲートおよび容量素子220の一端に接続されている。駆動トランジスタとしてのTFT212はpチャネル型であり、そのソースは、電源における高位側の電圧Vddが印加された電源線209に接続される一方、そのドレインは、N点を介して、有機EL素子310の陽極に接続される。容量素子220の他端は、上記電源線209に接続されている。
有機EL素子310については、後述するように陽極と陰極の間に有機EL層が挟持されて、順方向電流に応じた輝度にて発光する。ここで、第1実施形態では、有機EL素子310の陰極は、すべての画素回路にわたって電気的に共通な電極であり、電源における低位(基準)電圧Gndに接地されている。なお、後述する図15で示されるように、有機EL素子310においては、陽極が共通電極となる場合もあり得る。
【0025】
画素回路110において、i行目の走査線202が選択されて、走査信号YiがHレベルになると、nチャネル型のTFT214が、ソースおよびドレインの間においてオン状態となるので、TFT212のゲートには、データ信号Xjの電圧が印加される。したがって、TFT212のソースおよびドレイン間の導通状態は、データ信号Xjの電圧に応じて定まる結果、有機EL素子310には、当該電圧に応じた電流が流れ、これにより有機EL素子310が発光する。一方、TFT214がオン状態のとき、TFT212のゲート電圧に応じた電荷が容量素子220に蓄積される。
【0026】
次に、i行目の走査線202の選択が終了して非選択となり、走査信号YiがLレベルになると、TFT214はオフ状態になるが、TFT212のゲート電圧は、容量素子220によって保持されているので、有機EL素子310には、TFT214がオン状態となったときとほぼ等しい電流が引き続き流れる。このため、有機EL素子310は、i行目の走査線202が非選択となっても、選択時の電流に応じた輝度で発光し続けることになる。
ここでは、i行j列の画素回路110についてのみについて説明しているが、i行目の走査線202は、m個の画素回路110に共用されているので、共用されるm個の画素回路110においても同様な動作が実行されることになる。
さらに、走査信号Y1、Y2、Y3、…、Ymは、順番に排他的にHレベルとなる。この結果、すべての画素回路110において、同様な動作が実行されて、1フレームの画像が表示される。そして、この表示動作は、1垂直走査期間毎に繰り返される。
なお、図2に示される画素回路110では、走査線202が選択されたときに、デジタルデータのディジタル値に応じた電圧がデータ線204に印加されるとして説明したが、当該輝度に応じた電流がデータ線204に供給される構成でも良い。このような構成であっても、TFT212のゲート電圧が容量素子220に保持されるので、当該輝度に応じた電圧が印加される構成と同等な効果が得られる。
【0027】
<電気光学装置の構造>
次に、電気光学装置100の構造について説明する。図3(a)および図3(b)は、電気光学装置100の要部構成を示す断面図である。これらの図に示されるように、電気光学装置100は、TFT基板200とEL基板300とを、互いに端子形成面を対向させるとともに、端子同士が電気的に接続されるように貼り合わせた構造となっている。ここで、端子同士は、異方性導電体400によって電気的に接続される。詳細には、図3(a)に示されるように、第1に、TFT基板200とEL基板300とを、互いに端子形成面を対向させるとともに、その間に、表面が金属被膜に覆われたマイクロカプセル410をエポキシ等からなるシート状の接着材中に分散させた異方性導電体400を挟持させ、第2に、TFT基板200とEL基板300とを熱圧着させると、図3(b)に示されるように、端子同士がマイクロカプセル410を介して電気的に接続された状態となる。したがって、この端子同士の接続点が図2におけるN点である。
【0028】
TFT基板200には、例えばプラスティックやガラスなどの基材201に、走査線202や、データ線204、電源線209、画素駆動回路250が形成され、さらに、これらの各部が絶縁層260で覆われた構造となっている。この絶縁層260には、コンタクトホール230が画素駆動回路250毎に設けられ、TFT212のドレインまで開孔している。そして、引出端子(第2の接続端子)240が、絶縁層260の表面に形成されるととともに、コンタクトホール230を介して、TFT212のドレイン、すなわち、画素駆動回路250の出力端に接続されている。
【0029】
次に、TFT基板200における平面的な構成について説明する。図4は、説明のために、TFT基板200において、引出端子240および絶縁層260を除いた状態を示す平面図である。
まず、図4において、最下層は、TFT212、214の半導体層であり、例えば結晶性のポリシリコン層をパターニングしたものである。次に、第2層は、例えばゲート電極層であり、TFT212のゲート電極と、走査線202とに大別される。ここで、前者に係るTFT212のゲート電極は、容量素子220の一部を構成し、また、後者に係る走査線202は、TFT214の側に分岐する部分も含む。そして、最下層の半導体層と、第2層のゲート電極層とが交差する部分が、TFT212、214のチャネル領域となる。
続いて、第3層は、例えばアルミニウム層であり、TFTのソース、ドレインに接続するための配線と、データ線204と、電源線209とに大別される。なお、互いに異なる層からなる配線同士の接続、および、TFTのソース/ドレインと配線との接続は、図4において「×」印で示されるコンタクトホールを介して行われる。
また、容量素子220は、TFT212のゲート電極の延長部分と、この延長部分を覆う絶縁膜(図示省略)と、電源線209の分岐部分との積層によって構成されている。
なお、図4においては、トップゲート構造のTFTを例にとって説明したが、ボトムゲートであっても良いのは、もちろんである。
【0030】
図4においては、最上層に位置する引出端子240については、説明の便宜上、図示が省略されているので、図5において、引出端子240の形状および配列を示すことにする。図5に示されるように、引出端子240は、絶縁層260の表面において、矩形状に形成される。なお、この引出端子240は、コンタクトホール230を介し、画素駆動回路250におけるTFT214のドレインに接続されるので、画素回路110(画素駆動回路250)毎に、設けられることなる。
【0031】
説明を再び図3(a)に戻すと、EL基板300において、基材301は、例えばプラスティックやガラスなどであって、透明性を有するものである。この基材301の表面には、有機EL素子310(図2参照)の陽極たる個別電極303が、画素毎に矩形状に形成されている。この個別電極303は、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)などの透明導電体である。
バンク305は、個別電極303の間隙に跨るように、縦横の格子状に形成された隔壁である。このバンク305は、画素間の混色や光漏れを低減するためや、有機EL層313をインクジェット法により形成する際に、吐出されたインク組成物が隣接する画素にまで拡がるのを防止するためなどの理由で設けられる。
【0032】
有機EL層313は、正孔輸送層、発光層および電子注入層により構成されるが、正孔輸送層、電子注入層は必ずしも必要ではない。このため、図3(a)においては、正孔輸送層および発光層の積層物を有機EL層313として図示し、電子注入層については図示を省略している。
また、共通電極323は、有機EL素子310の陰極として機能するものであり、各画素にわたって共通な反射性導電体である。
ここで、共通電極323は、バンク305および有機EL層313を覆うように形成されているが、いわゆるべた塗りの状態ではなく、バンク305の頂上部分であってコンタクトホール330が形成される部分では、当該コンタクトホール330を介する接続端子340に接触しないように、開口部325において開口している。
封止層360は、有機EL層313等を外気等から保護するために、絶縁性材料によって、共通電極323やバンク305を覆うように形成される。コンタクトホール330は、画素毎に設けられ、封止層360およびバンク305を貫通する導電部を介して個別電極303にまで達している。そして、接続端子(第1の接続端子)340が、コンタクトホール330(内の導電部)を介して、対応する個別電極303に接続されている。
【0033】
ここで、EL基板300における接続端子340の配置について図6を参照して説明する。なお、図6は、接続端子340の形状および配列を示す平面図であるので、有機EL素子310により発せられる光は、紙面裏側に向かう点に留意されたい。
図6に示されるように、接続端子340は、封止層360の表面において、TFT基板200における引出端子240とほぼ同形状に形成されている。また、接続端子340は、コンタクトホール330を介して、個別電極303(図3(a)または図3(b)参照)に接続される。なお、接続端子340と個別電極303との層間には、共通電極323が存在するが、バンク305(および封止層360)に設けられたコンタクトホール330近傍では、共通電極323は開口部325によってコンタクトホール330を避けるように開口しているので、共通電極323と、接続端子340(個別電極303)とは、電気的に非接続状態である。
【0034】
<電気光学装置の製造工程>
次に、電気光学装置100の製造工程について基板毎に分けて説明する。図7は、この製造工程を示す図である。
TFT基板200について簡単に説明すると、まず、基材201に、画素駆動回路250などの素子・配線を形成する(工程(a)参照)。詳細には、基材201に、例えばアモルファスのシリコン層を堆積し、レーザアニール等により加熱処理して、シリコン層を結晶化させるとともに、パターニングして、第1層たる半導体層を形成する。次に、第2層たるゲート電極を成膜・パターニングして、走査線202等を形成する。さらに、pチャネル領域をレジストでマスクした後、nチャネル領域用にドーピングをして、レジストを剥離することによって、nチャネル型のTFT214を形成する。続いて、nチャネル領域をレジストでマスクし、pチャネル領域用にドーピングをして、レジストを剥離することによって、pチャネル型のTFT212を形成する。次に、層間絶縁膜を形成し、TFT212、214のソース・ドレイン領域を開孔する。続いて、第3層たるアルミニウム等の金属膜を成膜・パターニングして、データ線204や電源線209等の配線を形成する。
なお、素子・配線を形成する工程は、良く知られているポリシリコンプロセス等を用いることができるので、これ以上の説明については省略する。
【0035】
続いて、画素駆動回路250などが形成された領域を覆うように、例えばSiO2や、Si3N4、SiONなどの絶縁層260を成膜する(工程(b)参照)。なお、絶縁層260の表面には、配線やTFTなどを反映して凹凸が発生するので、絶縁層260の表面をCMP(化学的機械研磨)などによって平坦化することが好ましい。また、絶縁層260については、アクリル樹脂やポリイミド樹脂により形成して、その表面を平坦化しても良い。
次に、コンタクトホール230を形成し、絶縁層260を開孔する(工程(c)参照)。そして、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、引出端子240を形成する(工程(d)参照)。これにより、TFT基板200が完成する。
【0036】
一方、EL基板300については、図7に加えて、図8および図9を参照して説明する。ここで、図8および図9は、それぞれEL基板における製造プロセスを説明するための部分断面図であり、工程(1)〜(7)は、それぞれ図7に対応している。
まず、ガラスなどの透明性を有する基材301に、ITOなどの透明導電体を成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、矩形状の個別電極303を形成する(図7および図8における工程(1)参照)。この個別電極303に対しては、後述するインクジェット法により吐出されたインク組成物が均一な厚さで拡がるように、親水処理を施すのが好ましい。
次に、バンク305を形成する(図7および図8における工程(2)参照)。バンク305は、例えば、SiO2、SiNなどの積層物を厚付けしたものである。
【0037】
続いて、有機EL層313を構成する正孔輸送層および発光層を、インクジェット法を用いて形成する(図7および図8における工程(3)参照)。ここで、インクジェット法とは、層材料を、溶媒に溶解または分散させるとともに、そのインク組成物をインクジェットヘッドから吐出させ、さらに、乾燥・熱処理を経てパターン形成する、という方法である。
なお、正孔輸送層の材料としては、PSS(ポリスチレンスルフォン酸)系の混合物が挙げられ、この混合物を極性溶媒に分散させたものが、インク組成物として用いられる。また、発光層の材料としては、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)などの有機材料が用いられる。
【0038】
次に、開口部325となるべき領域をマスキングした状態で、アルミニウムなどの反射性金属を蒸着して、共通電極323を形成する(図7および図8における工程(4)参照)。ここで、共通電極323の形成時において、マスク蒸着を行う理由は、すでに形成した有機EL層313に対してエッチング処理をするのが、当該有機EL層313にとって望ましくないからである。
なお、有機EL層313に電子注入層を形成する場合には、共通電極323の下層に、共通電極323と同形状で、電子注入性の高い(仕事関数の低い)カルシウムやリチウムなどの金属薄膜を形成する。
【0039】
続いて、有機EL層313を覆うように、例えばSiO2、SiONなどからなる封止層360を成膜し、この後、バンク305などを反映した起伏をなくすべく、封止層360の表面をCMPなどによって平坦化処理する(図7および図9における工程(5)参照)。
さらに、コンタクトホール330を形成し、本実施形態では、封止層360およびバンク305を開孔する(図7および図9における工程(6)参照)。この後、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、コンタクトホール330内の導電部と、接続端子340とを形成する(図7および図9における工程(7)参照)。これにより、EL基板300が完成する。
【0040】
そして、完成したTFT基板200およびEL基板300を、上述したように、互いに端子形成面を対向させるとともに、両基板間に異方性導電体400を挟持させ、引出端子240および接続端子340同士が一体一に対向するように位置合わせした状態で熱圧着する。この熱圧着状態では、異方性導電体400の接着材が溶融するとともに、引出端子240および接続端子340の各組において、1つ以上のマイクロカプセル410が残留すれば、当該マイクロカプセル410の金属皮膜を介して、引出端子240および接続端子340同士は電気的に接続される。そして、熱圧着を停止させると、接着材が硬化して、引出端子240および接続端子340同士の電気的接続が保たれた状態で、TFT基板200およびEL基板300が互いに貼り合わせられる(図3(b)参照)。
【0041】
この電気光学装置100において、陽極たる個別電極303から陰極たる共通電極323に電流が流れると、有機EL層313の発光層は、キャリアとなる正孔と電子との結合によって光を発する。この光のうち、図3(b)において紙面下向きの光は、そのまま透明な個別電極303および基材301を通過して観察者に視認される。一方、有機EL層313から発せられた光のうち、紙面上向きの光は、反射性を有する共通電極323で反射し、有機EL層313、個別電極303および基材301を通過して、同様に観察者に視認される。このため、観察者には、それだけ多くの光が視認される。さらに、本実施形態において、個別電極303と基材301との間に介在するものが存在しないので、開口率を容易に高めることができる。このように光の利用効率と高開口率とが相俟って、電気光学装置100では、明るい表示が可能となる。
【0042】
また、共通電極323には、ITOなどのような比較的高抵抗の導電体ではなく、アルミニウムなど低抵抗の導電体を用いることができるので、画素位置によって発光層に流れる電流が相違することに起因する表示ムラを抑えることができる。
さらに、EL基板300では、有機EL層313は封止層360によって完全に覆われるので、以降の工程、例えばTFT基板200との貼り合わせ工程を、不活性環境で行う必要がないし、製造後において水分等による劣化も防止される。
くわえて、有機EL層313は封止層360に覆われ、また、接続端子340も封止層360およびバンク305を貫通して個別電極303に接続されているので、EL基板300の有機EL層313には、TFT基板200との貼り合わせ時に応力が直接かからない。このため、基板同士の貼り合わせ時において、有機EL層313(有機EL素子310)が破壊される、といった不具合も低減される。
【0043】
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。この第2実施形態は、第1実施形態におけるEL基板300のコンタクトホール330を2回に分けて開孔した点にある。このため、電気光学装置100の構造的には同一であるので、EL基板の製造プロセスについて相違点を中心に説明することにする。
図10は、第2実施形態に係る電気光学装置の製造工程を示す図であり、図11および図12は、それぞれEL基板における製造プロセスを説明するための部分断面図である。なお、図11および図12における工程(2)〜(8)は、それぞれ図10に対応し、工程(1)については、第1実施形態と同一なので、省略している。すなわち、ガラスなどの透明性を有する基材301に、ITOなどの透明導電体を矩形状にパターニングして個別電極303を形成する点は、第1実施形態と同様である。
【0044】
次に、個別電極303を形成した基材301に例えば感光性アクリル樹脂などを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、バンク305を形成する。このようなバンク305のパターニングの際に、個別電極303に達する開孔部307についても同時に形成する(図10および図11における工程(2)参照)。
ここで、バンク305を構成する材料としては、有機EL層313のインク組成物の溶媒に対し耐久性を有するものであれば良いが、フロロカーボンガスプラズマ処理によって撥水処理することが可能である点を考慮すると、上述した感光性アクリル樹脂や感光性ポリイミドなどの有機材料が好ましい。また、画素間の混色や光漏れの低減という特性をバンク305に要求するのであれば、黒色に着色することも好ましい。なお、バンク305については、密着性を向上させるなどの観点から、SiO2などの無機材料を下層とした積層構造としても良い点は、第1実施形態と同様である。
【0045】
続いて、アルミニウムなどの比較的低抵抗の導電体を導通層としてスパッタリングなどにより成膜し、この後、パターニングして、導通材309として開孔部307に充填する(図10および図11における工程(3)参照)。
この後、第1実施形態における工程(3)〜(5)と同様に、有機EL層313、共通電極323および封止層360を、それぞれ形成する(図10および図11における工程(4)〜(6)参照)。
ここで、有機EL層313をインクジェット法により形成するに際し、個別電極303への親水処理だけでなく、バンク305への撥水処理との併用によって、バンク305にかからないようにインク組成物が個別電極303上に均一に形成される。
【0046】
次に、コンタクトホール330を形成して、第2実施形態では、封止層360だけを開孔する(図10および図12における工程(7)参照)。この後、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、接続端子340を形成する。これにより接続端子340は、バンク305に充填された導通材309を介して個別電極303と電気的に接続される(図10および図12における工程(8)参照)。
そして、第1実施形態と同様に、完成したTFT基板200およびEL基板300を、互いに端子形成面を対向させるとともに、両基板間に異方性導電体400を挟持させ、引出端子240および接続端子340同士が一体一に対向するように位置合わせした状態で熱圧着して、両基板を貼り合わせる。
【0047】
この第2実施形態では、第1実施形態と同様に、光の利用効率の向上と高開口率とによって明るい表示が可能となり、また、共通電極323として金属電極を使用することによる表示ムラの低減や、封止層360によって有機EL層の劣化や破壊を防止することが可能である。さらに、第2実施形態によれば、第1実施形態と比較して、接続端子340から個別電極303への導通を図るための開孔が、バンク305および封止層360のそれぞれについて2回に分けて行われるので、1回の開孔に必要な深さが浅くなり、開孔に伴う欠けや、コンタクトホールのテーパーによる孔径の拡大などの不良・不具合を低減することができる。
【0048】
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図13(a)および図13(b)は、第3実施形態に係る電気光学装置100の要部構成を示す断面図である。これらの図に示されるように、第3実施形態では、TFT基板200の構造が同一である点と、当該TFT基板200とEL基板300とを、互いに端子形成面を対向させ、端子同士が電気的に接続されるように貼り合わせた点とにおいて、第1実施形態と共通であるが、第1実施形態では、EL基板300の基材301から順番に、個別電極303、有機EL層313および共通電極323を積層した構造であったのに対し、この第3実施形態では、逆の順番で積層した点において、第3実施形態は第1実施形態と相違している。すなわち、第3実施形態では、EL基板300の基材301から順番に、共通電極323、有機EL層313および個別電極303を積層した構造となっている。ここで、画素毎に設けられる個別電極303は、画素に対応する有機EL層313とは、封止層360だけを開孔するコンタクトホール330(内の導電部)を介して、電気的に接続されている。
【0049】
また、第3実施形態におけるEL基板300は、特に図示はしないが、おおよそ次のようなプロセスによって製造される。すなわち、基材301の表面に共通電極323を透明導電体により成膜した後に、バンク305を形成し、当該バンク305で仕切られた領域に発光層を形成し、さらに、一部がバンク305の上方に位置するように、かつ、反射性の金属膜により個別電極303を形成し、これらを覆うように封止層360を形成する。そして、コンタクトホール330を形成して、封止層360を開孔するとともに、バンク305の上方に位置する個別電極を露出させ、この後、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、接続端子340を形成する。
【0050】
この第3実施形態では、第1、第2実施形態と同様に、光の利用効率の向上と高開口率とによって明るい表示が可能となるだけでなく、封止層360によって有機EL層の劣化や破壊を防止することが可能である。ここで、上述したように、有機EL層313において発せられた光は、基材301を介して紙面下向きに放射されるので、第3実施形態では、個別電極303に反射性が要求される一方、共通電極323に透明導電性が要求される。このため、第3実施形態では、共通電極323として比較的高抵抗のITOなどを用いざるを得ないので、第1実施形態と比較すると、表示ムラが発生しやすいと考えられる点において若干不利である。
しかしながら、接続端子340から個別電極303への導通を図るために、封止層360だけを1回開孔するだけで済むので、封止層360およびバンク305を1度に開孔する第1実施形態や、2回に分けて開孔する第2実施形態と比較すると有利となる。
なお、第3実施形態では、コンタクトホール330を、バンク305の頂上部分に設けたが、個別電極303に接続される部分であれば、どこでも良い。
【0051】
<応用・変形>
本発明は、上述した第1、第2および第3実施形態に限られず、種々の応用・変形が可能である。例えば、第1、第2および第3実施形態におけるプロセスや構成要素を次に説明するようなものとしても良い。
【0052】
<貼り合わせ>
上述した実施形態では、異方性導電体400によって、TFT基板200とEL基板300との貼り合わせ、および、端子同士の電気的接続を図ったが、このほかにも、種々の態様が想定される。例えば、引出端子240または接続端子340の一方に突起電極(バンプ)を例えば金(Au)などにより形成し、熱融着して端子同士の電気的接続とともに、基板同士を貼り合わせても良い。
【0053】
<コンタクトホールの導通>
上述した実施形態では、コンタクトホール330内の導電部を、接続端子340と一括して形成したが、別々に形成しても良い。すなわち、コンタクトホール330内に導通材を充填して導電部を形成した後に、接続端子340となる金属膜を成膜・パターニングして、個別電極303との導通を図っても良い。
【0054】
<絶縁層の平坦化処理>
また、上述した実施形態では、TFT基板200の絶縁層260についても、EL基板300の封止層360についても、その表面をそれぞれ平坦化したが、どちらか一方だけを平坦化しても良い。例えば、EL基板300の封止層360を平坦化しない場合、バンク305の部分が盛り上がるとともに、この盛り上がり部分に接続端子340が形成されると考えられる。このため、平坦化された引出端子240に、盛り上がり部分を有する接続端子340を押し当てる形となるので、接触の確実性が増すと考えられる。また、盛り上がり部分だけが接触するために、TFT基板200とEL基板300との貼り合わせ時に、端子同士が多少位置ズレしても、隣接する画素の端子に接触する可能性も少ない。
ただし、端子同士の接触面積が少なくなるので、接触抵抗が無視できない場合には、実施形態のように、両者を平坦化するとともに端子同士の対向面積を大きくする構成が望ましい。
【0055】
<画素駆動回路>
上述した実施形態にあっては、画素駆動回路250を含む画素回路110を図2に示される構成としたが、本発明は、これに限られず、様々な構成の画素回路が適用可能である。例えば、図14は、本発明に適用可能が画素回路の一例を示す図である。
図14に示される画素回路110が、図2に示した画素回路と相違する点は、TFT212におけるゲート周辺の接続を変更した点と、TFT216、218および発光制御線208を加えている点とである。そこで以下の相違点を中心に説明すると、まず、nチャネル型のTFT218のゲートは、i行目の走査線202に接続され、そのドレインは、TFT212のゲートおよび容量素子220の一端にそれぞれ接続され、そのソースは、TFT212のドレインに接続されている。このため、TFT218は、走査信号YiがHレベルになるとオンして、TFT212のゲートおよびドレインの間を短絡させる結果、当該TFT212をダイオードとして機能させる。
次に、nチャネル型のTFT216は、TFT212のドレインおよび有機EL素子310の陽極の間に介挿されている。詳細には、TFT216のゲートは、発光制御線208に接続され、そのドレインは、TFT212、214のドレインに接続され、そのソースは、有機EL素子310の陽極に接続されて、i行目に位置する発光制御線208への信号Vgiの論理レベルに応じてオンオフする構成となっている。
【0056】
ここで、発光制御線208は各行に設けられ、i行目の発光制御線208には、走査信号Yiの論理レベルを反転した信号Vgiが供給される。また、j列目のデータ線204には、i行目の走査線202が選択されたときに、i行j列の画素の輝度に応じた電流Ioutが流れる。このため、図14に示される画素回路が適用される場合、データ線駆動回路160においてデータ線204毎に設けられるD/A変換器は、供給されたデジタルデータに応じた電流Ioutを流す定電流源162として機能する。
また、図14に示した画素回路110では、TFT212、214、216、218および容量素子220が画素駆動回路250として、TFT基板200に形成されることになる。
【0057】
次に、図14に示した画素回路110の動作について説明する。まず、走査信号YiがHレベルになると、TFT218が、ソースおよびドレインの間においてオン状態となるので、TFT212はダイオードとして機能する。走査信号YiがHレベルになると、TFT214も、TFT218と同様にオン状態となるので、結局、電流Ioutが、電源線209→TFT212→TFT214→データ線204という経路で流れるとともに、このときに、TFT212のゲート電圧に応じた電荷が容量素子220に蓄積される。
続いて、走査信号YiがLレベルになると、TFT214、218はともにオフ状態になるが、容量素子220における電荷の蓄積状態は変化しないので、TFT212のゲートは、電流Ioutが流れたときの電圧に保持されることになる。
また、走査信号YiがLレベルになると、発光制御信号VgiがHレベルとなり、TFT216がオンするので、TFT212のソースおよびドレインの間には、そのゲート電圧に応じた電流が流れる。詳細には、この電流は、電源線209→TFT212→TFT216→有機EL素子310という経路で流れる。
【0058】
このときに有機EL素子310に流れる電流は、TFT212のゲート電圧で定まるが、そのゲート電圧は、走査信号YiがHレベルとなって、電流Ioutがデータ線204に流れたときに、容量素子220によって保持された電圧である。このため、発光制御信号VgiがHレベルになったときに、有機EL素子310に流れる電流は、直前に流れた電流Ioutにほぼ一致するので、有機EL素子310は、発光制御信号VgiがHレベルである限り、該電流値に応じた輝度で発光し続けることになる。
したがって、仮に、画素回路110のすべてにわたって、駆動トランジスタとしてのTFT212の特性にバラツキが生じても、各画素回路110に含まれる有機EL素子310に対しほぼ同じ大きさの電流を供給することができるので、該バラツキに起因する表示ムラを抑えることが可能となる。
【0059】
なお、図14に示される画素回路110では、走査線202が選択されたときに、デジタルデータのディジタル値に応じた電流Ioutがデータ線204に供給されるとして説明したが、当該輝度に応じた電圧がデータ線204に印加される構成でも良い。
また、図2、図14に示される画素回路110においては、いずれも、画素毎に設けられる個別電極303が有機EL素子310の陽極であり、画素にわたって共通の共通電極323が有機EL素子310の陰極であった。
ここで、複数あるTFTのチャネル型を統一して、ドーピングプロセスを簡略化する観点から言えば、図15に示されるように、TFT212をnチャネル型とする構成も考えられる。この構成では、図でも判るように、画素毎に設けられる個別電極が有機EL素子310の陰極となり、画素にわたって共通の共通電極が有機EL素子310の陽極となる。
すなわち、本願発明における個別電極は、有機EL素子310を駆動する駆動トランジスタのチャネル型などによっては、図2、図14に示される画素回路のように陽極となる場合もあるし、図15に示される画素回路のように陰極となる場合もある。反対に、本願発明における共通電極は、図2、図14に示されるように陰極となる場合もあるし、図15に示されるように陽極となる場合もある。
【0060】
<シリコン基板等>
EL基板300において、発光層から発せられた光を透過する基材301には透明性が要求されるが、TFT基板200の基材201には、透明性が要求されない。このため、基材201には、透明性を有しない基板、例えばシリコン基板を用いることができる。このようにシリコン基板を用いると、トランジスタとして、TFTではなく、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを用いることができるので、高速動作が可能となり、高解像度表示の場合に有利となるだけでなく、走査線駆動回路140や、データ線駆動回路160などの周辺回路を一体化して集積化することが容易となる。
また、SOI(Silicon On Insulator)の技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種能動素子を作り込んでも良い。
【0061】
<カラー表示等>
また、単色の画素だけではなく、3つの画素の各々に対して、R(赤)、G(緑)、B(青)にて発色するように発光層を選択するとともに、これらの3画素により1ドットとして、カラー表示を行うとしても良い。
一方、有機EL素子310に替えて、LEDなどの他の発光素子を用いても良い。すなわち、発光素子が画素毎の個別電極と画素にわたって共通の共通電極とによって発光層を挟持する構成であれば、本発明は、適用可能である。
【0062】
<電子機器>
次に、上述した表示システム10を、具体的な電子機器に組み込んだ例について説明する。図16は、電子機器の一例として想定するモバイル型のパーソナルコンピュータの電気的な構成を示すブロック図であり、図17は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図17に示されるように、パーソナルコンピュータ2100は、キーボード2102を備えた本体2104と、表示ユニットとしての電気光学装置100とを備えている。また、図16において、CPU20は、バス21を介して各部を制御する。ROM22は、基本入出制御プログラム(BIOS)などを記憶し、RAM24は、CPU20のワークエリアとして用いられる。HDD(ハードディスクドライブ)26は、オペレーションシステムや各種のアプリケーションプログラムを記憶する。操作部28は、キーボード2102の操作状態を検出して、その操作内容を示す信号を、CPU20に出力する。
このパーソナルコンピュータ2100では、CPU20が、キーボード2102の操作状態やアプリケーションプログラムの実行等に伴ってデジタルデータDmemを生成し、表示システム10における画像メモリ130の記憶内容を書き換える。したがって、電気光学装置100の各画素における有機EL素子310は、それぞれ画像メモリ130において対応する記憶領域に格納されたデジタルデータで規定された輝度で発光し、これにより画像が表示されることになる。
【0063】
なお、電気光学装置100が適用される電子機器としては、図16および図17に示されるパーソナルコンピュータの他にも、携帯電話や、デジタルスチルカメラデジタルテレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示ユニットとして、上述した電気光学装置100が適用可能であることは言うまでもない。
【0064】
以上説明したように、発光素子が形成された基板と当該発光素子を駆動するための濃度素子が形成された基板とを貼り合わせる場合に、発光素子の劣化・破壊を抑止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係る電気光学装置を含むシステム構成を示す図である。
【図2】同電気光学装置における画素回路の構成を示す回路図である。
【図3】同電気光学装置の要部構成を示す断面図である。
【図4】同電気光学装置におけるTFT基板の構成を示す平面図である。
【図5】同TFT基板における接続面を示す図である。
【図6】同電気光学装置のEL基板における接続面を示す図である。
【図7】同電気光学装置の製造工程図である。
【図8】その製造プロセスを示す図である。
【図9】その製造プロセスを示す図である。
【図10】別の製造工程図である。
【図11】その製造プロセスを示す図である。
【図12】その製造プロセスを示す図である。
【図13】同電気光学装置の別構成を示す断面図である。
【図14】同画素回路の別構成を示す回路図である。
【図15】同画素回路の別構成を示す回路図である。
【図16】同電気光学装置を用いたパソコンの構成を示す図である。
【図17】同電気光学装置を用いたパソコンの構成を示す図である。
【符号の説明】
100…電気光学装置、200…TFT基板(第2基板)、202…走査線、204…データ線、209…電源線、212…TFT(駆動トランジスタ)、214…TFT(スイッチングトランジスタ)、220…容量素子、240…引出端子(第2の接続端子)、250…画素駆動回路(駆動回路)、300…EL基板(第1基板)、301…基材、303…個別電極、305…バンク(隔壁)、307…開孔部、309…導通材、310…有機EL素子、313…有機EL層、323…共通電極、325…開口部、330…コンタクトホール、340…接続端子(第1の接続端子)、360…封止層、400…異方性導電体、410…マイクロカプセル、2100…パーソナルコンピュータ
Claims (19)
- 第1基板と第2基板とを有する電気光学装置であって、
前記第1基板は、
透明性を有する基材と、
個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、
前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、
前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第1の接続端子と、
前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第1の接続端子とを電気的に接続する導電部と
を備えてなり、
前記第2基板は、
前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、
前記第1の接続端子に対応して設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第2の接続端子と
を備えてなり、
前記第1基板に設けられた前記第1の接続端子と前記第2基板に設けられた前記第2の接続端子とが電気的に接続するように配置された電気光学装置。 - 前記個別電極は、前記共通電極よりも前記基材側に位置する
請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記個別電極は透明性を有し、前記共通電極は反射性を有する
請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記第1基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、
前記接続部は、前記封止層および前記隔壁を貫通して設けられてなる
請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記共通電極は、前記個別電極よりも前記基材側に位置する
請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記共通電極は透明性を有し、前記個別電極は反射性を有する
請求項5に記載の電気光学装置。 - 前記第1基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、
前記第1の接続端子の少なくとも一部は前記隔壁の上方に配置された
請求項5に記載の電気光学装置。 - 前記発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層を含み、
前記発光素子は、個別電極および共通電極のうち一方を陰極とし、他方を陽極とする有機EL素子である
請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第2基板は、互いに交差する複数の走査線と複数のデータ線とを有し、
前記駆動回路は、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差部に対応して設けられ、
当該交差部に対応する走査線が選択されたときにオンするスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタがオンしたときに、当該交差部に対応するデータ線上の電気信号に応じた電荷を蓄積する容量素子と、
その一の端子が前記第2の接続端子と電気的に接続されるとともに、前記容量素子に蓄積された電荷に応じて、その動作状態が定まる駆動トランジスタと
を有する請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記駆動回路は、薄膜トランジスタを有する
請求項1に記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の電気光学装置を備えた電子機器。
- 透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第1の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第1の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなる基板と接続されて用いられる電気光学装置用基板であって、
前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、
前記第1の接続端子に接続可能に設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを電気的に接続するための第2の接続端子と
を備えてなる電気光学装置用基板。 - 透明性を有する基材と、
個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、
前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、
前記封止層を挟み前記個別電極と対向して設けられた第1の接続端子と、
前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第1の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなる電気光学装置用基板。 - 透明性を有する基材に、
複数の個別電極、発光層、及び共通電極を積層して複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の発光素子を覆う封止層を形成する工程と、
少なくとも前記封止層を貫通し、前記複数の個別電極にそれぞれ導通する複数の第1の接続端子を形成する工程とを施す一方、
前記透明性を有する基材とは異なる基材に、
前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路を形成する工程と、
前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第2の接続端子を、前記第1の接続端子に対応して形成する工程と
を施し、
前記第1の接続端子と前記第2の接続端子とを電気的に接続する工程を有する電気光学装置の製造方法。 - 前記第1の接続端子と前記第2の接続端子とを電気的に接続する工程は、異方性導電材を、前記第1の接続端子と前記第2の接続端子との間に付与する工程を含む請求項14記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記複数の発光素子を形成する工程は、
前記複数の個別電極を形成する工程の後に、
前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、
前記封止層の貫通が予定される予定領域を避けて前記共通電極を形成する工程とを有し、
前記第1の接続端子を形成する工程は、前記封止層および前記隔壁の、前記予定領域を開孔させて、前記個別電極の一部を露出させる工程を含む
請求項14に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記複数の発光素子を形成する工程は、
前記複数の個別電極を形成する工程の後に、
前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を、前記複数の個別電極にそれぞれ達する複数の開孔部を有するように形成する工程と、
前記複数の開孔部に導電材を付与する工程と、
前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、
前記導電材とは接触しないように前記共通電極を形成する工程とを有し、
前記第1の接続端子を形成する工程は、
前記封止層を開孔させて、前記導電材の一部を露出させる工程を含む
請求項14に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記複数の発光素子を形成する工程は、
前記共通電極を積層した後に、
前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、
前記複数の個別電極をその少なくとも一部が前記隔壁の上方に位置するように形成する工程とを有し、
前記第1の接続端子を形成する工程は、
前記封止層を開孔させて、前記隔壁の上方に位置するように形成された個別電極の一部を露出させる工程を含む
請求項14に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記発光層を形成する工程は、液体化した発光材料を、前記隔壁により仕切られた領域に付与する工程を有する
請求項16乃至18のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003119845A JP4534430B2 (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003119845A JP4534430B2 (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004327215A true JP2004327215A (ja) | 2004-11-18 |
JP4534430B2 JP4534430B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=33498956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003119845A Expired - Fee Related JP4534430B2 (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4534430B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006215550A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP2006303476A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 底面発光型の有機発光素子 |
JP2007067381A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
US7202597B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-04-10 | Seiko Epson Corporation | Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate |
JP2009276728A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Ricoh Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2009282368A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 表示装置 |
JP2010034030A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 表示装置 |
US7667229B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-02-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including conductive members between a first workpiece and second workpiece |
KR101231843B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2013-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
US8610155B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
CN103474578A (zh) * | 2013-09-23 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
CN103474581A (zh) * | 2013-09-23 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
CN103490012A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
JP2015099370A (ja) * | 2004-12-06 | 2015-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015156391A (ja) * | 2010-07-08 | 2015-08-27 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子およびその製造方法 |
WO2016042638A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2019531572A (ja) * | 2016-08-26 | 2019-10-31 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | Oledデバイスと作製方法、表示パネル及び表示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0431299U (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP2001035663A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-09 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法 |
JP2001282123A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2002082633A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機el表示体及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2003059653A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2003282254A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像表示装置 |
-
2003
- 2003-04-24 JP JP2003119845A patent/JP4534430B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0431299U (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP2001035663A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-09 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法 |
JP2001282123A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2002082633A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機el表示体及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2003059653A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2003282254A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像表示装置 |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7202597B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-04-10 | Seiko Epson Corporation | Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate |
JP2015099370A (ja) * | 2004-12-06 | 2015-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7511295B2 (en) | 2005-02-03 | 2009-03-31 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device having an encapsulation substrate and a portion of an interconnection line thereon |
JP2006215550A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
JP2006303476A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 底面発光型の有機発光素子 |
US8563331B2 (en) | 2005-06-03 | 2013-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for fabricating and repairing an electronic device |
US7667229B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-02-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including conductive members between a first workpiece and second workpiece |
JP2012238610A (ja) * | 2005-08-05 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2007067381A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
US8497512B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
KR101231843B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2013-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2009276728A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Ricoh Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2009282368A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 表示装置 |
JP2010034030A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 表示装置 |
US8237359B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-08-07 | Panasonic Corporation | Display apparatus |
JP4625869B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2011-02-02 | パナソニック株式会社 | 表示装置 |
US8610155B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
US11818925B2 (en) | 2008-11-18 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
US11289558B2 (en) | 2008-11-18 | 2022-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
US10896941B2 (en) | 2008-11-18 | 2021-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
US10600853B2 (en) | 2008-11-18 | 2020-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
US10269883B2 (en) | 2008-11-18 | 2019-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device method for manufacturing the same, and cellular phone |
US10164207B2 (en) | 2010-07-08 | 2018-12-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and method for manufacturing same |
JP2015156391A (ja) * | 2010-07-08 | 2015-08-27 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子およびその製造方法 |
JP2015156392A (ja) * | 2010-07-08 | 2015-08-27 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子およびその製造方法 |
EP2592672A4 (en) * | 2010-07-08 | 2016-06-22 | Lg Display Co Ltd | ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
CN103490012A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
US9698380B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-07-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof |
US9935290B2 (en) | 2013-09-23 | 2018-04-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Fabrication method of electroluminescence display device with protective layer |
US9508779B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-11-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electroluminescence display device and fabrication method thereof |
WO2015039481A1 (zh) * | 2013-09-23 | 2015-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
CN103474581A (zh) * | 2013-09-23 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
CN103474578A (zh) * | 2013-09-23 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
JPWO2016042638A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2017-06-15 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2016042638A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2019531572A (ja) * | 2016-08-26 | 2019-10-31 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | Oledデバイスと作製方法、表示パネル及び表示装置 |
EP3506379B1 (en) * | 2016-08-26 | 2024-05-29 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Oled device and manufacturing method therefor, display panel, and display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4534430B2 (ja) | 2010-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11289680B2 (en) | Flexible display with groove in bending area | |
US8373624B2 (en) | Organic light emitting display (OLED) devise, modules, and electronic devices | |
JP4534430B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器 | |
JP2010032642A (ja) | アクティブマトリクス基板、ディスプレイパネル、表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
US10497682B2 (en) | Backplane LED integration and functionalization structures | |
JP5120528B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
US11574985B2 (en) | Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing same | |
JP5428142B2 (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
WO2021249277A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
JP2020109452A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
US11972069B2 (en) | Light emitting display device with integrated touch screen and method of manufacturing the same | |
JP2005321815A (ja) | 電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2005128310A (ja) | 表示装置、及び電子機器 | |
JP5257828B2 (ja) | 回路基板及びその接続方法 | |
JP3783709B2 (ja) | 電気光学装置、その製造方法、および電子機器 | |
JP5201381B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
WO2022252230A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
JP4962838B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
US20240164177A1 (en) | Display device and manufacturing method of the same | |
US20240179955A1 (en) | Display device | |
JP3867698B2 (ja) | 電気光学装置、その製造方法、および電子機器 | |
KR101097789B1 (ko) | 복수의 발광층을 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그제조방법 | |
CN116456772A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
KR20230100956A (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
KR20240095549A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060330 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090413 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091002 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100525 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100607 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4534430 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |