JP2004325822A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、反射領域９０ａと透過領域９０ｂとを有する表示領域９０ｃを含む表示装置であって、ガラス基板１の反射領域９０ａに対応する領域上に形成された凸状の絶縁膜１１と、凸状の絶縁膜１１を覆うように形成された配向膜１５とを備えている。そして、凸状の絶縁膜１１が形成されていない凹部１２は、各画素間で連続するように形成されている。
【選択図】図１
【解決手段】この表示装置は、反射領域９０ａと透過領域９０ｂとを有する表示領域９０ｃを含む表示装置であって、ガラス基板１の反射領域９０ａに対応する領域上に形成された凸状の絶縁膜１１と、凸状の絶縁膜１１を覆うように形成された配向膜１５とを備えている。そして、凸状の絶縁膜１１が形成されていない凹部１２は、各画素間で連続するように形成されている。
【選択図】図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置に関し、特に、反射領域と透過領域とを有する表示領域を含む表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、表示装置として、液晶の光学的性質の変化を利用して表示を行う液晶表示装置が知られている。上記した液晶表示装置としては、液晶層に入射した光を一方方向にのみ通過させる透過型液晶表示装置、液晶層に入射した光を反射させる反射型液晶表示装置、および、透過型と反射型との２つの機能を有する半透過型液晶表示装置などがある。そして、従来では、上記した半透過型液晶表示装置において、反射領域に対応する領域に、凸状の絶縁膜を設けることにより、透過領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）と、反射領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）とを等しくした構造が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１８は、従来の凸状の絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置の構造を示した平面図である。図１９は、図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の２００−２００線に沿った断面図である。図２０は、図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。まず、図１８〜図２０を参照して、従来の半透過型液晶表示装置の構造について説明する。
【０００４】
従来の半透過型液晶表示装置では、図１９に示すように、反射領域１９０ａと透過領域１９０ｂとを含んでいる。反射領域１９０ａに対応するガラス基板１０１上の所定領域には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を構成する半導体層１０２と、補助容量電極として機能する半導体層１０３とが形成されている。半導体層１０２は、図１８に示すように、平面的に見て、コの字状に形成されている。そして、図１９に示すように、コの字状の半導体層１０２には、２つのソース領域１０２ａと、２つのドレイン領域１０２ｂと、２つのチャネル領域１０２ｃとが形成されている。ソース領域１０２ａとドレイン領域１０２ｂとは、各々のチャネル領域１０２ｃを挟むように配置されている。
【０００５】
また、半導体層１０２の２つのチャネル領域１０２ｃ上には、ゲート絶縁膜１０４を介して、２つのゲート電極１０５が形成されている。そして、一方のゲート電極１０５と、一方のソース領域１０２ａと、一方のドレイン領域１０２ｂと、一方のチャネル領域１０２ｃと、ゲート絶縁膜１０４とによって、一方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、他方のゲート電極１０５と、他方のソース領域１０２ａと、他方のドレイン領域１０２ｂと、他方のチャネル領域１０２ｃと、ゲート絶縁膜１０４とによって、他方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、半導体層１０３上には、ゲート絶縁膜１０４を介して、補助容量電極１０６が形成されている。そして、半導体層１０３と、ゲート絶縁膜１０４と、補助容量電極１０６とによって、補助容量が構成されている。
【０００６】
また、図１８に示すように、２つのゲート電極１０５には、ゲート電極１０５と同一の層からなるとともに、所定の方向に延びるゲート線１０５ａが接続されている。また、補助容量電極１０６には、補助容量電極１０６と同一の層からなるとともに、ゲート線１０５ａに平行な方向に延びる補助容量線１０６ａが接続されている。
【０００７】
そして、図１９に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、層間絶縁膜１０７が形成されている。また、層間絶縁膜１０７およびゲート絶縁膜１０４のソース領域１０２ａ、ドレイン領域１０２ｂおよび半導体層１０３に対応する領域には、それぞれ、コンタクトホール１０７ａ、１０７ｂおよび１０７ｃが形成されている。そして、コンタクトホール１０７ａを介して、ソース領域１０２ａに電気的に接続するように、ソース電極１０８が形成されている。また、ソース電極１０８の一部１０８ａは、コンタクトホール１０７ｃを介して、半導体層１０３に電気的に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール１０７ｂを介して、ドレイン領域１０２ｂに電気的に接続するように、ドレイン電極１０９が形成されている。このドレイン電極１０９には、図１８に示すように、ドレイン電極１０９と同一の層からなるとともに、ゲート線１０５ａと直交する方向に延びるドレイン線１０９ａが接続されている。
【０００８】
また、図１９に示すように、層間絶縁膜１０７上の所定領域には、ソース電極１０８およびドレイン電極１０９を覆うように、凸状の絶縁膜１１１が形成されている。凸状の絶縁膜１１１のソース電極１０８に対応する領域には、コンタクトホール１１１ａが形成されている。そして、凸状の絶縁膜１１１の側面と、絶縁膜１１１が形成されていない層間絶縁膜１０７の上面とによって、凹部１１２が構成されている。なお、凸状の絶縁膜１１１は、反射領域１９０ａに対応するように形成され、凹部１１２は、透過領域１９０ｂに対応するように形成されている。
【０００９】
また、図２０に示すように、凸状の絶縁膜１１１は、表示領域１９０ｃ内のゲート線１０５ａおよびドレイン線１０９ａによって囲まれた各画素領域において、凹部１１２を取り囲むように形成されている。このため、凹部１１２は、各画素間で分離するように形成されている。
【００１０】
また、図１９に示すように、凸状の絶縁膜１１１の上面上には、コンタクトホール１１１ａを介してソース電極１０８に電気的に接続するように、反射電極１１３が形成されている。この反射電極１１３は、図１８に示すように、平面的に見て、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、補助容量、ゲート線１０５ａおよび補助容量線１０６ａを覆うように形成されている。そして、図１９に示すように、凹部１１２の内面上および反射電極１１３の表面上には、透明電極１１４が形成されている。この透明電極１１４と反射電極１１３とによって、画素電極が構成されている。そして、画素電極を構成する透明電極１１４上には、ポリイミドからなる配向膜１１５が形成されている。
【００１１】
そして、ガラス基板１０１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１１６が設けられている。ガラス基板１１６上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１１７が形成されている。カラーフィルタ１１７上には、透明電極１１８が形成されている。透明電極１１８上には、ポリイミドからなる配向膜１１９が形成されている。また、ガラス基板１０１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１１６の裏面上には、それぞれ、楕円偏光膜１２１が形成されている。
【００１２】
そして、配向膜１１５と配向膜１１９との間には、液晶層１２０が充填されている。なお、層間絶縁膜１０７上の反射領域１９０ａに対応する領域に所定の厚みを有する凸状の絶縁膜１１１を形成することによって、凸状の絶縁膜１１１が形成された反射領域１９０ａにおける液晶層１２０の厚みは、凸状の絶縁膜１１１が形成されていない透過領域１９０ｂにおける液晶層１２０の厚みの１／２となる。これにより、反射領域１９０ａに入射した光が液晶層１２０を通過する距離（光路長）と、透過領域１９０ｂに入射した光が液晶層１２０を通過する距離（光路長）とを等しくすることができる。すなわち、反射領域１９０ａでは光が２回液晶層１２０を通過するのに対して、透過領域１９０ｂでは光が１回だけ液晶層１２０を通過するので、反射領域１９０ａの液晶層１２０の厚みを、透過領域１９０ｂの液晶層１２０の厚みの１／２にすることによって、反射領域１９０ａと透過領域１９０ｂとの光の光路長が等しくなる。これにより、透過表示の場合と反射表示の場合との間の表示品位のばらつきを低減することが可能となる。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００２−９８９５１号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半透過型液晶表示装置では、図２０に示したように、透過領域１９０ｂ（凹部１１２）を取り囲むように凸状の絶縁膜１１１が形成されているため、凸状の絶縁膜１１１および凹部１１２の凹凸形状が反映された透明電極１１８上に、ポリイミドからなる配向膜１１５を形成する際に、ポリイミドが各画素の凹部１１２に対応する凹状領域に溜まる。この場合、各画素の凹部１１２に対応する凹状領域に溜まるポリイミドの量が不均一になりやすいため、たとえば、図２１に示すように、一部の画素の凹部１１２に対応する凹状領域１１２ａにのみ配向膜１１５を構成するポリイミドが溜まり過ぎる場合があるという不都合があった。このように、一部の画素の凹部１１２に対応する凹状領域１１２ａにのみ配向膜１１５を構成するポリイミドが溜まり過ぎると、各画素の配向膜１１５の厚みにばらつきが生じるという不都合が生じる。その結果、配向膜１１５の厚みがばらつくことに起因して、表示品位が低下するという問題点がある。
【００１４】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による表示装置は、反射領域と透過領域とを有する表示領域を含む表示装置であって、基板上の反射領域に対応する領域に形成された凸状の絶縁膜を有する凸状の領域と、凸状の絶縁膜を覆うように形成された配向膜とを備え、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域は、隣り合う画素間で連続するように形成されている。
【００１６】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域を、隣り合う画素間で連続するように形成することによって、凸状の絶縁膜および凹状の領域を覆うように配向膜を形成する際に、隣り合う画素間において、凹状の領域に沿って配向膜を構成する材料を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹状の領域に形成される配向膜が複数の画素において平均化され、配向膜の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、凹状の領域に形成される配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００１７】
この発明の第２の局面による表示装置は、反射領域と透過領域とを有する表示領域を含み、複数の画素からなる表示装置であって、基板上の反射領域に対応する領域に凸状の絶縁膜が形成された凸状の領域と、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域と、凸状の領域および凹状の領域に共通して形成された配向膜とを備え、凹状の領域は、隣り合う画素間で連続するように形成されている。
【００１８】
この第２の局面による表示装置では、上記のように、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域を、複数の隣り合う画素間で連続するように形成することによって、凸状の絶縁膜および凹状の領域に共通して配向膜を形成する際に、複数の隣り合う画素間において、凹状の領域に沿って配向膜を構成する材料を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹状の領域に形成される配向膜が複数の画素において平均化され、配向膜の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、複数の画素からなる表示装置において、凹状の領域に形成される配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００１９】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域の少なくとも一方の端部は、表示領域の外側に配置されている。このように構成すれば、配向膜を構成する材料が溜まりやすい凹状の領域の一方の端部が表示領域内に配置されないので、表示領域内の凹状の領域に位置する配向膜を容易に均一な厚みで形成することができる。これにより、容易に、表示品位の低下をより抑制することができる。
【００２０】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域は、第１の方向に隣り合う画素間で連続するように形成されている。このように構成すれば、第１の方向に配向膜を構成する材料が流動するので、容易に、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができる。
【００２１】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域は、第１の方向および第１の方向と交差する第２の方向に隣り合う画素間で連続するように形成されている。このように構成すれば、第１の方向と第２の方向とに配向膜を構成する材料が流動するので、より容易に、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができる。
【００２２】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタが形成される側の基板と、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板とのいずれかを含む。このように構成すれば、容易に、薄膜トランジスタが形成される側の基板上、または、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板上に、上記第１および第２の局面による構成を適用することにより、凹状の領域に形成される配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００２３】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、基板と配向膜との間に形成され、凸状の領域および凹状の領域上に形成されたカラーフィルタをさらに備える。このように構成すれば、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域にカラーフィルタを構成する材料が溜まりやすいので、容易に、凸状の絶縁膜の上面上に位置するカラーフィルタの厚みと、凹状の領域上に位置するカラーフィルタの厚みとを異ならせることができる。これにより、容易に、１種類のカラーフィルタで２種類の色を表示させることができる。
【００２４】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、基板と凸状の絶縁膜との間に形成され、反射領域に対応する領域の一部に開口部を有するカラーフィルタをさらに備える。このように構成すれば、カラーフィルタを介して反射領域に入射した光の一部がカラーフィルタを再び通過することなく開口部を通過するので、反射領域に入射した光がカラーフィルタを２回通過することに起因する光強度の低下を抑制することができる。これにより、反射領域に入射した光の反射率を向上させることができる。
【００２５】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、凸状の絶縁膜は、基板に一体的に形成された絶縁性の部分を含む。このように構成すれば、凹状の領域は、対向基板の一部をエッチングすることにより形成されるので、成膜工程およびエッチング工程により凸状の絶縁膜を新たに形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２６】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域は、隣り合う画素間にくびれ部を有するように、隣り合う画素間で連続するように形成されている。このように構成すれば、凸状の絶縁膜の形成領域が大きくなるので、その分、反射領域を大きくすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１００−１００線に沿った断面図である。図３は、図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。図１〜図３を参照して、この第１実施形態による半透過型液晶表示装置は、１画素内に、反射領域９０ａと透過領域９０ｂとの２つの領域を有している。そして、反射領域９０ａには、反射電極１３が形成されているとともに、透過領域９０ｂには、反射電極１３が形成されていない。これにより、反射領域９０ａでは、図２の矢印Ａ方向の光を反射させることにより画像が表示される。その一方、透過領域９０ｂでは、図２の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。
【００２９】
第１実施形態の詳細な構造としては、図２に示すように、ＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜からなるバッファ層１ａを備えたガラス基板１上の反射領域９０ａに対応する領域に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層２と、補助容量電極として機能する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層３とが形成されている。なお、ガラス基板１は、本発明の「基板」の一例である。半導体層２は、図１に示すように、平面的に見て、コの字状に形成されている。そして、図２に示すように、コの字状の半導体層２には、２つのソース領域２ａと、２つのドレイン領域２ｂと、２つのチャネル領域２ｃとが形成されている。ソース領域２ａとドレイン領域２ｂとは、各々のチャネル領域２ｃを挟むように配置されている。
【００３０】
また、半導体層２の２つのチャネル領域２ｃ上には、それぞれ、ＳｉＮＸ膜とＳｉＯ２膜との積層膜からなるゲート絶縁膜４を介して、Ｍｏからなるゲート電極５が形成されている。そして、一方のゲート電極５と、一方のソース領域２ａと、一方のドレイン領域２ｂと、一方のチャネル領域２ｃと、ゲート絶縁膜４とによって、一方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、他方のゲート電極５と、他方のソース領域２ａと、他方のドレイン領域２ｂと、他方のチャネル領域２ｃと、ゲート絶縁膜４とによって、他方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、半導体層３上には、ゲート絶縁膜４を介して、Ｍｏからなる補助容量電極６が形成されている。そして、半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、補助容量電極６とによって、補助容量が構成されている。
【００３１】
また、図１に示すように、２つのゲート電極５には、ゲート電極５と同一の層からなるとともに、所定の方向に延びるゲート線５ａが接続されている。また、補助容量電極６には、補助容量電極６と同一の層からなるとともに、ゲート線５ａに平行な方向に延びる補助容量線６ａが接続されている。
【００３２】
そして、図２に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、層間絶縁膜７が形成されている。また、層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜４のソース領域２ａ、ドレイン領域２ｂおよび半導体層３に対応する領域には、それぞれ、コンタクトホール７ａ、７ｂおよび７ｃが形成されている。そして、コンタクトホール７ａを介して、ソース領域２ａに電気的に接続するように、ソース電極８が形成されている。また、ソース電極８の一部８ａは、コンタクトホール７ｃを介して、半導体層３に電気的に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール７ｂを介して、ドレイン領域２ｂに電気的に接続するように、ドレイン電極９が形成されている。ソース電極８およびドレイン電極９は、それぞれ、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層からなる。また、ドレイン電極９には、図１に示すように、ドレイン電極９と同一の層からなるとともに、ゲート線５ａと直交する方向に延びるドレイン線９ａが接続されている。
【００３３】
また、図２に示すように、層間絶縁膜７上の所定領域には、ソース電極８およびドレイン電極９を覆うように、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる凸状の絶縁膜１１が形成されている。なお、第１実施形態においては、凸状の絶縁膜１１の厚みは、約２．２μｍとした。凸状の絶縁膜１１のソース電極８に対応する領域には、コンタクトホール１１ａが形成されている。そして、凸状の絶縁膜１１の側面と、絶縁膜１１が形成されていない層間絶縁膜７の上面とによって、凹部１２が構成されている。なお、凸状の絶縁膜１１は、反射領域９０ａに対応するように形成され、凹部１２は、透過領域９０ｂに対応するように形成されている。なお、凹部１２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、図３に示すように、各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部１２が、行方向に隣り合う画素間で一定の幅Ｗを保ったまま連続するように形成されている。また、凹部１２は、表示領域９０ｃの外側にまで、ゲート線５ａの延びる方向に沿って形成されている。すなわち、凹部１２の両方の端部１２ａは、表示領域９０ｃの外側に配置されている。
【００３５】
また、図２に示すように、凸状の絶縁膜１１の上面上には、コンタクトホール１１ａを介してソース電極８に電気的に接続するように、Ａｌからなる反射電極１３が形成されている。この反射電極１３は、図１に示すように、平面的に見て、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、補助容量、ゲート線５ａおよび補助容量線６ａを覆うように形成されている。そして、図２に示すように、凹部１２の内面上および反射電極１３の表面上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などからなる透明電極１４が形成されている。なお、第１実施形態においては、透明電極１４の厚みは、約１００ｎｍとした。この透明電極１４と反射電極１３とによって、画素電極が構成されている。そして、画素電極を構成する透明電極１４上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜１５が形成されている。この配向膜１５は、図１および図３の矢印Ｃ方向にラビング処理（配向処理）されている。なお、第１実施形態においては、配向膜１５の厚みは、約３０ｎｍとした。
【００３６】
そして、ガラス基板１と対向する位置には、図２に示すように、ガラス基板（対向基板）１６が設けられている。ガラス基板１６上には、約１．５μｍ〜約２．５μｍの厚みを有するとともに、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１７が形成されている。なお、第１実施形態においては、カラーフィルタ１７の厚みは、約１．８μｍとした。カラーフィルタ１７上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極１８が形成されている。なお、第１実施形態においては、透明電極１８の厚みは、約１００ｎｍとした。透明電極１８上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜１９が形成されている。なお、第１実施形態においては、配向膜１９の厚みは、約３０ｎｍとした。この配向膜１９は、図１および図３の矢印Ｄ方向にラビング処理（配向処理）されている。
【００３７】
そして、配向膜１５と配向膜１９との間には、液晶層２０が充填されている。なお、層間絶縁膜７上の反射領域９０ａに対応する領域に約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する絶縁膜１１をパターニングすることによって得られた凸状の絶縁膜１１が形成された反射領域９０ａにおける液晶層２０の厚みは、凸状の絶縁膜１１が形成されていない透過領域９０ｂにおける液晶層２０の厚みの１／２となる。なお、第１実施形態においては、凸状の絶縁膜１１の厚みを、約２．２μｍとした。これにより、反射領域９０ａに入射した光が液晶層２０を通過する距離（光路長）と、透過領域９０ｂに入射した光が液晶層２０を通過する距離（光路長）とを等しくすることができる。すなわち、反射領域９０ａでは光が２回液晶層２０を通過するのに対して、透過領域９０ｂでは光が１回だけ液晶層２０を通過するので、反射領域９０ａの液晶層２０の厚みを、透過領域９０ｂの液晶層２０の厚みの１／２にすることによって、反射領域９０ａと透過領域９０ｂとの光の光路長が等しくなる。これにより、透過表示の場合と反射表示の場合との間の表示品位のばらつきを低減することが可能となる。また、ガラス基板１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１６の裏面上には、それぞれ、約０．４ｍｍ〜約０．８ｍｍの厚みを有する楕円偏光膜２１が形成されている。なお、第１実施形態においては、楕円偏光膜２１の厚みは、約０．５ｍｍとした。
【００３８】
第１実施形態では、上記のように、各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部１２を、同じ行の画素間で連続するように形成する。したがって、凹部１２を反映した凹形状を有する透明電極１４上に配向膜１５を形成する際に、各画素間において、凹部１２に対応する凹状領域に沿って配向膜１５を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹部１２に対応する凹状領域にのみ配向膜１５が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹部１２に対応する凹状領域に形成される配向膜１５の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、凹部１２に対応する凹状領域に形成される配向膜１５の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態では、凹部１２の両方の端部１２ａを、表示領域９０ｃの外側に配置する。すなわち、凹部１２の行方向の端部１２ａは、反射電極１３および透明電極１４には重ならない。したがって、配向膜１５が溜まりやすい凹部１２に対応する凹状領域の両方の端部１２ａが表示領域９０ｃ内に配置されないので、表示領域９０ｃ内の凹状領域に位置する配向膜１５を容易に均一な厚みで形成することができる。これにより、容易に、表示品位の低下をより抑制することができる。
【００４０】
図４〜図７は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１〜図７を参照して、第１実施形態による半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
【００４１】
まず、図４に示すように、ＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜からなるバッファ層１ａを備えたガラス基板１上の所定領域に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層２と、補助容量電極として機能する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層３とを形成する。半導体層２を形成する際には、図１に示したように、平面的に見て、コの字状に形成する。なお、半導体層２および３が非晶質シリコンからなる場合は、結晶化させるのが好ましい。次に、半導体層２上に、ＳｉＮＸ膜とＳｉＯ２膜との積層膜からなるゲート絶縁膜４を介して、Ｍｏからなるゲート電極５を形成する。この後、ゲート電極５をマスクとして、半導体層２に不純物をイオン注入することによって、各々のチャネル領域２ｃを挟む２組のソース領域２ａおよびドレイン領域２ｂを形成する。これにより、２つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。
【００４２】
また、半導体層３上のゲート絶縁膜４上の領域に、Ｍｏからなる補助容量電極６を形成する。これにより、半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、補助容量電極６とからなる補助容量が形成される。また、図１に示したように、２つのゲート電極５と同一の層により、所定の方向に延びるゲート線５ａを形成する。また、補助容量電極６と同一の層により、ゲート線５ａに平行な方向に延びる補助容量線６ａを形成する。なお、補助容量電極６および補助容量線６ａは、ゲート電極５およびゲート線５ａのパターニング時に同時に形成するのが好ましい。
【００４３】
次に、図５に示すように、全面を覆うように、層間絶縁膜７を形成する。この後、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて、層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜４のソース領域２ａ、ドレイン領域２ｂおよび半導体層３に対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール７ａ、７ｂおよび７ｃを形成する。
【００４４】
そして、コンタクトホール７ａを介して、ソース領域２ａに電気的に接続するように、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層からなるソース電極８を形成する。この際、ソース電極８の一部８ａが、コンタクトホール７ｃを介して、半導体層３に電気的に接続するように形成する。また、コンタクトホール７ｂを介して、ドレイン領域２ｂに電気的に接続するように、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層からなるドレイン電極９を形成する。また、図１に示したように、ドレイン電極９と同一の層により、ゲート線５ａと直交する方向に延びるドレイン線９ａをドレイン電極９と同時に形成する。この後、全面を覆うように、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる絶縁膜１１を形成する。なお、第１実施形態においては、凸状の絶縁膜１１の厚みは、約２．２μｍとした。
【００４５】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる絶縁膜１１をパターニングすることによって、反射領域９０ａに凸状の絶縁膜１１を形成する。この際、第１実施形態では、図３に示したように、凸状の絶縁膜１１が形成されない透過領域９０ｂに位置する凹部１２が同じ行の画素間で連続する形状になるように、絶縁膜１１をパターニングする。また、凹部１２の両方の端部１２ａが表示領域９０ｃの外側に配置されるように絶縁膜１１をパターニングする。また、図６に示すように、絶縁膜１１のソース電極８に対応する領域に、コンタクトホール１１ａを形成する。
【００４６】
次に、図７に示すように、凸状の絶縁膜１１の上面上に、コンタクトホール１１ａを介してソース電極８に電気的に接続するように、Ａｌからなる反射電極１３を形成する。また、凹部１２の内面上および反射電極１３の表面上に、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極１４を約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、透明電極１４の厚みは、約１００ｎｍとした。これにより、透明電極１４と反射電極１３とからなる画素電極が形成される。
【００４７】
この後、ローラ転写法などを用いて、画素電極を構成する透明電極１４上に、図１および図３の矢印Ｃ方向のラビング方向（配向方向）を有するように、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜１５を形成する。なお、第１実施形態においては、配向膜１５の厚みは、約３０ｎｍとした。この際、第１実施形態では、図３に示したように、凹部１２が各画素間で連続するように形成されているので、各画素間において、凹部１２に沿って配向膜１５を構成するポリイミドが流動される。これにより、各画素間で凹部１２上に形成される配向膜１５の厚みが均一化される。
【００４８】
次に、図２に示したように、ガラス基板１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１６上に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１７を約１．５μｍ〜約２．５μｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、カラーフィルタ１７の厚みは、約１．８μｍとした。そして、カラーフィルタ１７上に、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極１８を約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、透明電極１８の厚みは、約１００ｎｍとした。この後、透明電極１８上に、図１および図３の矢印Ｄ方向のラビング方向（配向方向）を有するように、ポリイミドからなる配向膜１９を約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、配向膜１９の厚みは、約３０ｎｍとした。その後、配向膜１５と配向膜１９との間に、液晶層２０を充填する。そして、ガラス基板１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１６の裏面上に、それぞれ、約０．４ｍｍ〜約０．８ｍｍの厚みを有する楕円偏光膜２１を形成することによって、第１実施形態による半透過型液晶表示装置が形成される。なお、第１実施形態においては、楕円偏光膜２１の厚みは、約０．５ｍｍとした。
【００４９】
図８は、第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図９は、図８に示した第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。図８および図９を参照して、この第１実施形態の変形例では、上記第１実施形態の構造において、反射領域９１ａに対応する凸状の絶縁膜３１が、ゲート電極５およびゲート線５ａの上方の領域には形成されていない場合について説明する。すなわち、この第１実施形態の変形例では、１画素内において、凸状の絶縁膜３１が形成される反射領域９１ａを挟むように、２つの凹部３２（透過領域９１ｂ）が形成されている。なお、凹部３２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００５０】
具体的には、この第１実施形態の変形例では、凸状の絶縁膜３１は、感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなるとともに、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する。この第１実施形態の変形例においては、凸状の絶縁膜３１の厚みは、約２．２μｍとした。そして、図９に示すように、凸状の絶縁膜３１の上面上には、ソース電極８に対応する領域にコンタクトホール３３ａを有する反射電極３３が形成されている。また、コンタクトホール３１ａおよび３３ａを介してソース電極８に電気的に接続するとともに、凹部３２の内面上および反射電極３３の表面上に沿って延びるように、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極３４が形成されている。この第１実施形態の変形例においては、透明電極３４の厚みは、約１００ｎｍとした。この透明電極３４と反射電極３３とによって、画素電極が構成されている。透明電極３４上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜３５が形成されている。この第１実施形態の変形例においては、配向膜３５の厚みは、約３０ｎｍとした。
【００５１】
この第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置では、透過領域９０ｂに対応する凹部３２の形成領域を広げることにより、凸状の絶縁膜３１の上面上に形成される反射電極３３の形成領域を小さくしている。このため、この第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置は、上記第１実施形態の反射領域９０ａよりも小さい反射領域９１ａを有しているとともに、上記第１実施形態の透過領域９０ｂよりも大きい透過領域９１ｂを有している。このように、反射領域９１ａおよび透過領域９１ｂの大きさを変更したとしても、上記第１実施形態と同様、凹部３２に対応する凹状領域に形成される配向膜３５の厚みを均一化することができる。
【００５２】
なお、図１と図８とを比較すれば明らかなように、反射領域９０ａに薄膜トランジスタおよび補助容量を重ねて配置する必要はない。ただし、薄膜トランジスタおよび補助容量は、遮光領域となる。このため、薄膜トランジスタおよび補助容量が配置された領域は、反射領域にするのが好ましい。
【００５３】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。図１０を参照して、この第２実施形態では、ＴＦＴ側基板上に凸状の絶縁膜を形成した上記第１実施形態と異なり、対向基板上に凸状の絶縁膜を形成することにより、対向基板側に凹部を形成する例について説明する。
【００５４】
すなわち、この第２実施形態では、上記第１実施形態と同様、図１０に示すように、バッファ層１ａを備えたガラス基板１上の反射領域９０ａに対応する領域に、半導体層２（２つのソース領域２ａ、２つのドレイン領域２ｂおよび２つのチャネル領域２ｃ）と、ゲート絶縁膜４と、２つのゲート電極５とによって構成される２つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。また、半導体層３とゲート絶縁膜４と補助容量電極６とによって構成される補助容量が形成されている。
【００５５】
また、上記第１実施形態と同様、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、層間絶縁膜７が形成されている。そして、コンタクトホール７ａを介して、ソース領域２ａに電気的に接続するように、ソース電極８が形成されている。また、ソース電極８の一部８ａは、コンタクトホール７ｃを介して、半導体層３に電気的に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール７ｂを介して、ドレイン領域２ｂに電気的に接続するように、ドレイン電極９が形成されている。
【００５６】
そして、この第２実施形態では、ソース電極８およびドレイン電極９を覆うように、ソース電極８に対応する領域にコンタクトホール４０ａを有する平坦化膜４０が形成されている。平坦化膜４０の反射領域９０ａには、コンタクトホール４０ａを介してソース電極８に電気的に接続するように、Ａｌからなる反射電極４３が形成されている。そして、反射電極４３を覆うように、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極４４が形成されている。なお、第２実施形態においては、透明電極４４の厚みは、約１００ｎｍとした。この透明電極４４と反射電極４３とによって、画素電極が構成されている。また、画素電極を構成する透明電極４４上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜４５が形成されている。なお、第２実施形態においては、配向膜４５の厚みは、約３０ｎｍとした。
【００５７】
そして、ガラス基板１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１６が設けられている。ガラス基板１６上には、凸状の絶縁膜４１が形成されている。そして、凸状の絶縁膜４１の側面と、絶縁膜４１が形成されていないガラス基板１６の上面とによって、凹部４２が構成されている。この凸状の絶縁膜４１および凹部４２が、図２に示した第１実施形態の凸状の絶縁膜１１および凹部１２に相当するものである。なお、凹部４２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００５８】
ここで、第２実施形態では、図３に示した第１実施形態と同様、各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部４２が、行方向に隣り合う画素間で一定の幅を保ったまま連続するように形成されている。また、凹部４２は、表示領域（図示せず）の外側にまで、ゲート線（図示せず）の延びる方向に沿って形成されている。すなわち、凹部４２の両方の端部（図示せず）は、表示領域の外側に配置されている。
【００５９】
また、絶縁膜４１の上面上および凹部４２の内面上には、上記第１実施形態と同様のカラーフィルタ４７と、透明電極４８と、配向膜４９とが形成されている。そして、カラーフィルタ４７、透明電極４８および配向膜４９は、凸状の絶縁膜４１および凹部４２を反映した凹凸形状に形成されている。そして、配向膜４５と配向膜４９との間には、液晶層５０が充填されている。また、ガラス基板１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１６の裏面上には、それぞれ、楕円偏光膜２１が形成されている。
【００６０】
第２実施形態では、上記のように、ガラス基板（対向基板）１６に設けられた各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部４２を、同じ行の画素間で連続するように形成することによって、凹部４２を反映した凹形状を有する透明電極４８上に配向膜４９を形成する際に、各画素間において、凹部４２に対応する凹状領域に沿って配向膜４９を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹部４２に対応する領域にのみ配向膜４９が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹部４２に対応する凹状領域に形成される配向膜４９の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、凹部４２に対応する凹状領域に形成される配向膜４９の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００６１】
また、第２実施形態では、上記のように、カラーフィルタ４７を、凸状の絶縁膜４１の上面上および凹部４２の内面上に形成することによって、凹部４２の内面上にカラーフィルタ４７を構成する材料が溜まりやすいので、容易に、凸状の絶縁膜４１の上面上に位置するカラーフィルタ４７の厚みと、凹部４２の内面上に位置するカラーフィルタ４７の厚みとを異ならせることができる。これにより、容易に、１種類のカラーフィルタ４７で２種類の色を表示させることができる。
【００６２】
図１１は、第２実施形態の第１の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。図１１を参照して、この第２実施形態の第１の変形例による半透過型液晶表示装置は、ガラス基板（対向基板）１６と凸状の絶縁膜６１との間に、反射領域９０ａに対応する領域に開口部６７ａを有するカラーフィルタ６７が形成されている。そして、凸状の絶縁膜６１の側面と、絶縁膜６１が形成されていないカラーフィルタ６７の上面とによって、凹部６２が構成されている。絶縁膜６１は、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる。この第２実施形態の変形例においては、凸状の絶縁膜６１の厚みは、約２．２μｍとした。なお、凹部６２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。また、絶縁膜６１の上面上および凹部６２の内面上には、上記第２実施形態と同様の透明電極６８と、配向膜６９とが形成されている。
【００６３】
この第２実施形態の変形例では、カラーフィルタ６７を介して反射領域９０ａに入射した光の一部がカラーフィルタ６７を再び通過することなく開口部６７ａを通過するので、反射領域９０ａに入射した光がカラーフィルタ６７を２回通過することに起因する光強度の低下を抑制することができる。これにより、反射領域９０ａに入射した光の反射率を向上させることができるので、輝度を高めることができる。
【００６４】
図１２は、第２実施形態の第２の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。図１２を参照して、この第２実施形態の第２の変形例による半透過型液晶表示装置は、ガラス基板（対向基板）７６をエッチングすることにより凸部７６ａが形成されている。そして、その凸部７６ａとガラス基板７６の凸部７６ａ以外の表面とによって、凹部７６ｂが構成されている。なお、凸部７６ａは、本発明の「絶縁膜」および「絶縁性の部分」の一例であり、凹部７６ｂは、本発明の「凹状の領域」の一例である。この第２実施形態の第２の変形例では、上記のように、ガラス基板（対向基板）７６をエッチングすることにより、凸部７６ａを形成する。これにより、成膜工程およびエッチング工程を用いて、ガラス基板７６上に凸状の絶縁膜を新たに形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００６５】
（第３実施形態）
図１３は、本発明の第３実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図１３を参照して、この第３実施形態では、上記第１実施形態の構造において、凸状の絶縁膜が形成されていない領域が、行方向に隣り合う画素間で連続するように、かつ、列方向に隣り合う画素間の一部で連続するように、凸状の絶縁膜をアイランド状（島状）に形成する場合について説明する。
【００６６】
すなわち、この第３実施形態では、図１３に示すように、層間絶縁膜７上のドレイン線９ａに対応する領域以外のゲート線５ａに対応する領域にのみ、上記第１実施形態と同様の樹脂材料からなる凸状の絶縁膜１１ｂがアイランド状（島状）に形成されている。これにより、各画素の透過領域９０ｂに対応する凸状の絶縁膜１１ｂが形成されていない領域１２ｂは、行方向に隣り合う画素間で連続するように、かつ、列方向に隣り合う画素間のドレイン線９ａに対応する領域で連続するように形成される。なお、凸状の絶縁膜１１ｂが形成されていない領域１２ｂは、上記第１実施形態の凹部１２に相当するものである。なお、領域１２ｂは、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００６７】
第３実施形態では、上記のように、ドレイン線９ａに対応する領域以外のゲート線５ａに対応する領域にのみ、凸状の絶縁膜１１ｂをアイランド状（島状）に形成することによって、各画素の透過領域９０ｂに対応する凸状の絶縁膜１１ｂが形成されていない領域１２ｂが、行方向に隣り合う画素間で連続するように、かつ、列方向に隣り合う画素間のドレイン線９ａに対応する領域で連続するように形成されるので、配向膜を形成する際に、行方向のみならず、列方向にも配向膜を流動させることができる。これにより、上記第１実施形態に比べて、一部の画素にのみ配向膜が溜まり過ぎるのをより抑制することができるので、配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下をより抑制することができる。
【００６８】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６９】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、ゲート線５ａに平行な方向に沿って延びる同じ行の画素間で連続した凹部（１２、３２、４２、６２、７６ｂ）を形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、図１４に示すように、ドレイン線９ａに平行な方向に沿って延びる各画素間で連続した凹部８２を形成するようにしてもよい。なお、凹部８２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００７０】
また、上記第１および第２実施形態では、凹部（１２、３２、４２、６２、７６ｂ）を一定の幅で連続するように形成したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１５に示すように、ドレイン線９ａに対応する領域に位置する凸状の絶縁膜８１ａを、ドレイン線９ａに沿って両方向に所定量突出させることにより、幅の小さいくびれ部を有する連続的な凹部８２ａを形成してもよい。また、図１６に示すように、ドレイン線９ａに対応する領域に位置する凸状の絶縁膜８１ｂを、ドレイン線９ａに沿って一方方向に所定量突出させることにより、幅の小さいくびれ部を有する連続的な凹部８２ｂを形成してもよい。なお、凹部８２ａおよび８２ｂは、本発明の「凹状の領域」の一例である。図１５および図１６に示した平面形状を有する凸状の絶縁膜８１ａまたは８１ｂを形成すれば、凸状の絶縁膜８１ａおよび８１ｂの形成領域が大きくなるので、その分、反射領域を大きくすることができる。なお、ドレイン線９ａは、金属（ＭｏおよびＡｌ）で形成されているため、凹部８２ａおよび８２ｂのドレイン線９ａに対応する領域は、遮光領域となる。このため、ドレイン線９ａなどの金属層は、可能な限り反射領域とするのが好ましい。ただし、凹部８２ａおよび８２ｂの幅Ｗ１に対して、くびれ部の幅Ｗ２が大きすぎると、配向膜の流動性が低下するので、Ｗ２／Ｗ１＞３／４に設定するのが好ましい。
【００７１】
また、上記第１および第２実施形態では、凹部（１２、３２、４２、６２、７６ｂ）の両方の端部を、表示領域９０ｃの外側に配置するようにしたが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１７に示すように、ゲート線５ａに沿って延びる凹部８２ｃを２分割するとともに、その分割された凹部８２ｃの一方の端部８３ｃのみを、表示領域９０ｃの外側に配置するようにしてもよい。なお、凹部８２ｃは、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００７２】
また、上記第１〜第３実施形態では、２つのソース領域２ａと、２つのドレイン領域２ｂと、２つのチャネル領域２ｃとを有する平面的に見てコの字状の半導体層２を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、コの字状以外の形状を有する半導体層に、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域が各１つずつ設けられた薄膜トランジスタを形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１００−１００線に沿った断面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図９】図８に示した第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。
【図１１】第２実施形態の第１の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。
【図１２】第２実施形態の第２の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図１４】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１５】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１６】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１７】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１８】従来の凸状の絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置の構造を示した平面図である。
【図１９】図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の２００−２００線に沿った断面図である。
【図２０】図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図２１】図２０の２５０−２５０線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板（基板）
１１、１１ｂ、３１、４１、６１、８１、８１ａ、８１ｂ 絶縁膜
１２、３２、４２、６２、７６ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ、８２ｃ 凹部（凹状の領域）
１２ｂ 領域（凹状の領域）
１２ａ、８３ｃ 端部
１５、３５、４９、６９ 配向膜
１６、７６ ガラス基板（対向基板）
４７、６７ カラーフィルタ
６７ａ 開口部
７６ａ 凸部（絶縁膜、絶縁性の部分）
９０ａ、９１ａ 反射領域
９０ｂ、９１ｂ 透過領域
９０ｃ 表示領域
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置に関し、特に、反射領域と透過領域とを有する表示領域を含む表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、表示装置として、液晶の光学的性質の変化を利用して表示を行う液晶表示装置が知られている。上記した液晶表示装置としては、液晶層に入射した光を一方方向にのみ通過させる透過型液晶表示装置、液晶層に入射した光を反射させる反射型液晶表示装置、および、透過型と反射型との２つの機能を有する半透過型液晶表示装置などがある。そして、従来では、上記した半透過型液晶表示装置において、反射領域に対応する領域に、凸状の絶縁膜を設けることにより、透過領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）と、反射領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）とを等しくした構造が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１８は、従来の凸状の絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置の構造を示した平面図である。図１９は、図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の２００−２００線に沿った断面図である。図２０は、図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。まず、図１８〜図２０を参照して、従来の半透過型液晶表示装置の構造について説明する。
【０００４】
従来の半透過型液晶表示装置では、図１９に示すように、反射領域１９０ａと透過領域１９０ｂとを含んでいる。反射領域１９０ａに対応するガラス基板１０１上の所定領域には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を構成する半導体層１０２と、補助容量電極として機能する半導体層１０３とが形成されている。半導体層１０２は、図１８に示すように、平面的に見て、コの字状に形成されている。そして、図１９に示すように、コの字状の半導体層１０２には、２つのソース領域１０２ａと、２つのドレイン領域１０２ｂと、２つのチャネル領域１０２ｃとが形成されている。ソース領域１０２ａとドレイン領域１０２ｂとは、各々のチャネル領域１０２ｃを挟むように配置されている。
【０００５】
また、半導体層１０２の２つのチャネル領域１０２ｃ上には、ゲート絶縁膜１０４を介して、２つのゲート電極１０５が形成されている。そして、一方のゲート電極１０５と、一方のソース領域１０２ａと、一方のドレイン領域１０２ｂと、一方のチャネル領域１０２ｃと、ゲート絶縁膜１０４とによって、一方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、他方のゲート電極１０５と、他方のソース領域１０２ａと、他方のドレイン領域１０２ｂと、他方のチャネル領域１０２ｃと、ゲート絶縁膜１０４とによって、他方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、半導体層１０３上には、ゲート絶縁膜１０４を介して、補助容量電極１０６が形成されている。そして、半導体層１０３と、ゲート絶縁膜１０４と、補助容量電極１０６とによって、補助容量が構成されている。
【０００６】
また、図１８に示すように、２つのゲート電極１０５には、ゲート電極１０５と同一の層からなるとともに、所定の方向に延びるゲート線１０５ａが接続されている。また、補助容量電極１０６には、補助容量電極１０６と同一の層からなるとともに、ゲート線１０５ａに平行な方向に延びる補助容量線１０６ａが接続されている。
【０００７】
そして、図１９に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、層間絶縁膜１０７が形成されている。また、層間絶縁膜１０７およびゲート絶縁膜１０４のソース領域１０２ａ、ドレイン領域１０２ｂおよび半導体層１０３に対応する領域には、それぞれ、コンタクトホール１０７ａ、１０７ｂおよび１０７ｃが形成されている。そして、コンタクトホール１０７ａを介して、ソース領域１０２ａに電気的に接続するように、ソース電極１０８が形成されている。また、ソース電極１０８の一部１０８ａは、コンタクトホール１０７ｃを介して、半導体層１０３に電気的に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール１０７ｂを介して、ドレイン領域１０２ｂに電気的に接続するように、ドレイン電極１０９が形成されている。このドレイン電極１０９には、図１８に示すように、ドレイン電極１０９と同一の層からなるとともに、ゲート線１０５ａと直交する方向に延びるドレイン線１０９ａが接続されている。
【０００８】
また、図１９に示すように、層間絶縁膜１０７上の所定領域には、ソース電極１０８およびドレイン電極１０９を覆うように、凸状の絶縁膜１１１が形成されている。凸状の絶縁膜１１１のソース電極１０８に対応する領域には、コンタクトホール１１１ａが形成されている。そして、凸状の絶縁膜１１１の側面と、絶縁膜１１１が形成されていない層間絶縁膜１０７の上面とによって、凹部１１２が構成されている。なお、凸状の絶縁膜１１１は、反射領域１９０ａに対応するように形成され、凹部１１２は、透過領域１９０ｂに対応するように形成されている。
【０００９】
また、図２０に示すように、凸状の絶縁膜１１１は、表示領域１９０ｃ内のゲート線１０５ａおよびドレイン線１０９ａによって囲まれた各画素領域において、凹部１１２を取り囲むように形成されている。このため、凹部１１２は、各画素間で分離するように形成されている。
【００１０】
また、図１９に示すように、凸状の絶縁膜１１１の上面上には、コンタクトホール１１１ａを介してソース電極１０８に電気的に接続するように、反射電極１１３が形成されている。この反射電極１１３は、図１８に示すように、平面的に見て、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、補助容量、ゲート線１０５ａおよび補助容量線１０６ａを覆うように形成されている。そして、図１９に示すように、凹部１１２の内面上および反射電極１１３の表面上には、透明電極１１４が形成されている。この透明電極１１４と反射電極１１３とによって、画素電極が構成されている。そして、画素電極を構成する透明電極１１４上には、ポリイミドからなる配向膜１１５が形成されている。
【００１１】
そして、ガラス基板１０１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１１６が設けられている。ガラス基板１１６上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１１７が形成されている。カラーフィルタ１１７上には、透明電極１１８が形成されている。透明電極１１８上には、ポリイミドからなる配向膜１１９が形成されている。また、ガラス基板１０１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１１６の裏面上には、それぞれ、楕円偏光膜１２１が形成されている。
【００１２】
そして、配向膜１１５と配向膜１１９との間には、液晶層１２０が充填されている。なお、層間絶縁膜１０７上の反射領域１９０ａに対応する領域に所定の厚みを有する凸状の絶縁膜１１１を形成することによって、凸状の絶縁膜１１１が形成された反射領域１９０ａにおける液晶層１２０の厚みは、凸状の絶縁膜１１１が形成されていない透過領域１９０ｂにおける液晶層１２０の厚みの１／２となる。これにより、反射領域１９０ａに入射した光が液晶層１２０を通過する距離（光路長）と、透過領域１９０ｂに入射した光が液晶層１２０を通過する距離（光路長）とを等しくすることができる。すなわち、反射領域１９０ａでは光が２回液晶層１２０を通過するのに対して、透過領域１９０ｂでは光が１回だけ液晶層１２０を通過するので、反射領域１９０ａの液晶層１２０の厚みを、透過領域１９０ｂの液晶層１２０の厚みの１／２にすることによって、反射領域１９０ａと透過領域１９０ｂとの光の光路長が等しくなる。これにより、透過表示の場合と反射表示の場合との間の表示品位のばらつきを低減することが可能となる。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００２−９８９５１号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半透過型液晶表示装置では、図２０に示したように、透過領域１９０ｂ（凹部１１２）を取り囲むように凸状の絶縁膜１１１が形成されているため、凸状の絶縁膜１１１および凹部１１２の凹凸形状が反映された透明電極１１８上に、ポリイミドからなる配向膜１１５を形成する際に、ポリイミドが各画素の凹部１１２に対応する凹状領域に溜まる。この場合、各画素の凹部１１２に対応する凹状領域に溜まるポリイミドの量が不均一になりやすいため、たとえば、図２１に示すように、一部の画素の凹部１１２に対応する凹状領域１１２ａにのみ配向膜１１５を構成するポリイミドが溜まり過ぎる場合があるという不都合があった。このように、一部の画素の凹部１１２に対応する凹状領域１１２ａにのみ配向膜１１５を構成するポリイミドが溜まり過ぎると、各画素の配向膜１１５の厚みにばらつきが生じるという不都合が生じる。その結果、配向膜１１５の厚みがばらつくことに起因して、表示品位が低下するという問題点がある。
【００１４】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による表示装置は、反射領域と透過領域とを有する表示領域を含む表示装置であって、基板上の反射領域に対応する領域に形成された凸状の絶縁膜を有する凸状の領域と、凸状の絶縁膜を覆うように形成された配向膜とを備え、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域は、隣り合う画素間で連続するように形成されている。
【００１６】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域を、隣り合う画素間で連続するように形成することによって、凸状の絶縁膜および凹状の領域を覆うように配向膜を形成する際に、隣り合う画素間において、凹状の領域に沿って配向膜を構成する材料を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹状の領域に形成される配向膜が複数の画素において平均化され、配向膜の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、凹状の領域に形成される配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００１７】
この発明の第２の局面による表示装置は、反射領域と透過領域とを有する表示領域を含み、複数の画素からなる表示装置であって、基板上の反射領域に対応する領域に凸状の絶縁膜が形成された凸状の領域と、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域と、凸状の領域および凹状の領域に共通して形成された配向膜とを備え、凹状の領域は、隣り合う画素間で連続するように形成されている。
【００１８】
この第２の局面による表示装置では、上記のように、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域を、複数の隣り合う画素間で連続するように形成することによって、凸状の絶縁膜および凹状の領域に共通して配向膜を形成する際に、複数の隣り合う画素間において、凹状の領域に沿って配向膜を構成する材料を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹状の領域に形成される配向膜が複数の画素において平均化され、配向膜の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、複数の画素からなる表示装置において、凹状の領域に形成される配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００１９】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域の少なくとも一方の端部は、表示領域の外側に配置されている。このように構成すれば、配向膜を構成する材料が溜まりやすい凹状の領域の一方の端部が表示領域内に配置されないので、表示領域内の凹状の領域に位置する配向膜を容易に均一な厚みで形成することができる。これにより、容易に、表示品位の低下をより抑制することができる。
【００２０】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域は、第１の方向に隣り合う画素間で連続するように形成されている。このように構成すれば、第１の方向に配向膜を構成する材料が流動するので、容易に、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができる。
【００２１】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域は、第１の方向および第１の方向と交差する第２の方向に隣り合う画素間で連続するように形成されている。このように構成すれば、第１の方向と第２の方向とに配向膜を構成する材料が流動するので、より容易に、一部の画素の凹状の領域にのみ配向膜を構成する材料が溜まり過ぎるのを抑制することができる。
【００２２】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタが形成される側の基板と、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板とのいずれかを含む。このように構成すれば、容易に、薄膜トランジスタが形成される側の基板上、または、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板上に、上記第１および第２の局面による構成を適用することにより、凹状の領域に形成される配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００２３】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、基板と配向膜との間に形成され、凸状の領域および凹状の領域上に形成されたカラーフィルタをさらに備える。このように構成すれば、凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域にカラーフィルタを構成する材料が溜まりやすいので、容易に、凸状の絶縁膜の上面上に位置するカラーフィルタの厚みと、凹状の領域上に位置するカラーフィルタの厚みとを異ならせることができる。これにより、容易に、１種類のカラーフィルタで２種類の色を表示させることができる。
【００２４】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、基板と凸状の絶縁膜との間に形成され、反射領域に対応する領域の一部に開口部を有するカラーフィルタをさらに備える。このように構成すれば、カラーフィルタを介して反射領域に入射した光の一部がカラーフィルタを再び通過することなく開口部を通過するので、反射領域に入射した光がカラーフィルタを２回通過することに起因する光強度の低下を抑制することができる。これにより、反射領域に入射した光の反射率を向上させることができる。
【００２５】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、基板は、薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、凸状の絶縁膜は、基板に一体的に形成された絶縁性の部分を含む。このように構成すれば、凹状の領域は、対向基板の一部をエッチングすることにより形成されるので、成膜工程およびエッチング工程により凸状の絶縁膜を新たに形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２６】
上記第１および第２の局面による表示装置において、好ましくは、凹状の領域は、隣り合う画素間にくびれ部を有するように、隣り合う画素間で連続するように形成されている。このように構成すれば、凸状の絶縁膜の形成領域が大きくなるので、その分、反射領域を大きくすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１００−１００線に沿った断面図である。図３は、図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。図１〜図３を参照して、この第１実施形態による半透過型液晶表示装置は、１画素内に、反射領域９０ａと透過領域９０ｂとの２つの領域を有している。そして、反射領域９０ａには、反射電極１３が形成されているとともに、透過領域９０ｂには、反射電極１３が形成されていない。これにより、反射領域９０ａでは、図２の矢印Ａ方向の光を反射させることにより画像が表示される。その一方、透過領域９０ｂでは、図２の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。
【００２９】
第１実施形態の詳細な構造としては、図２に示すように、ＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜からなるバッファ層１ａを備えたガラス基板１上の反射領域９０ａに対応する領域に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層２と、補助容量電極として機能する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層３とが形成されている。なお、ガラス基板１は、本発明の「基板」の一例である。半導体層２は、図１に示すように、平面的に見て、コの字状に形成されている。そして、図２に示すように、コの字状の半導体層２には、２つのソース領域２ａと、２つのドレイン領域２ｂと、２つのチャネル領域２ｃとが形成されている。ソース領域２ａとドレイン領域２ｂとは、各々のチャネル領域２ｃを挟むように配置されている。
【００３０】
また、半導体層２の２つのチャネル領域２ｃ上には、それぞれ、ＳｉＮＸ膜とＳｉＯ２膜との積層膜からなるゲート絶縁膜４を介して、Ｍｏからなるゲート電極５が形成されている。そして、一方のゲート電極５と、一方のソース領域２ａと、一方のドレイン領域２ｂと、一方のチャネル領域２ｃと、ゲート絶縁膜４とによって、一方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、他方のゲート電極５と、他方のソース領域２ａと、他方のドレイン領域２ｂと、他方のチャネル領域２ｃと、ゲート絶縁膜４とによって、他方の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、半導体層３上には、ゲート絶縁膜４を介して、Ｍｏからなる補助容量電極６が形成されている。そして、半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、補助容量電極６とによって、補助容量が構成されている。
【００３１】
また、図１に示すように、２つのゲート電極５には、ゲート電極５と同一の層からなるとともに、所定の方向に延びるゲート線５ａが接続されている。また、補助容量電極６には、補助容量電極６と同一の層からなるとともに、ゲート線５ａに平行な方向に延びる補助容量線６ａが接続されている。
【００３２】
そして、図２に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、層間絶縁膜７が形成されている。また、層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜４のソース領域２ａ、ドレイン領域２ｂおよび半導体層３に対応する領域には、それぞれ、コンタクトホール７ａ、７ｂおよび７ｃが形成されている。そして、コンタクトホール７ａを介して、ソース領域２ａに電気的に接続するように、ソース電極８が形成されている。また、ソース電極８の一部８ａは、コンタクトホール７ｃを介して、半導体層３に電気的に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール７ｂを介して、ドレイン領域２ｂに電気的に接続するように、ドレイン電極９が形成されている。ソース電極８およびドレイン電極９は、それぞれ、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層からなる。また、ドレイン電極９には、図１に示すように、ドレイン電極９と同一の層からなるとともに、ゲート線５ａと直交する方向に延びるドレイン線９ａが接続されている。
【００３３】
また、図２に示すように、層間絶縁膜７上の所定領域には、ソース電極８およびドレイン電極９を覆うように、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる凸状の絶縁膜１１が形成されている。なお、第１実施形態においては、凸状の絶縁膜１１の厚みは、約２．２μｍとした。凸状の絶縁膜１１のソース電極８に対応する領域には、コンタクトホール１１ａが形成されている。そして、凸状の絶縁膜１１の側面と、絶縁膜１１が形成されていない層間絶縁膜７の上面とによって、凹部１２が構成されている。なお、凸状の絶縁膜１１は、反射領域９０ａに対応するように形成され、凹部１２は、透過領域９０ｂに対応するように形成されている。なお、凹部１２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、図３に示すように、各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部１２が、行方向に隣り合う画素間で一定の幅Ｗを保ったまま連続するように形成されている。また、凹部１２は、表示領域９０ｃの外側にまで、ゲート線５ａの延びる方向に沿って形成されている。すなわち、凹部１２の両方の端部１２ａは、表示領域９０ｃの外側に配置されている。
【００３５】
また、図２に示すように、凸状の絶縁膜１１の上面上には、コンタクトホール１１ａを介してソース電極８に電気的に接続するように、Ａｌからなる反射電極１３が形成されている。この反射電極１３は、図１に示すように、平面的に見て、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、補助容量、ゲート線５ａおよび補助容量線６ａを覆うように形成されている。そして、図２に示すように、凹部１２の内面上および反射電極１３の表面上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などからなる透明電極１４が形成されている。なお、第１実施形態においては、透明電極１４の厚みは、約１００ｎｍとした。この透明電極１４と反射電極１３とによって、画素電極が構成されている。そして、画素電極を構成する透明電極１４上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜１５が形成されている。この配向膜１５は、図１および図３の矢印Ｃ方向にラビング処理（配向処理）されている。なお、第１実施形態においては、配向膜１５の厚みは、約３０ｎｍとした。
【００３６】
そして、ガラス基板１と対向する位置には、図２に示すように、ガラス基板（対向基板）１６が設けられている。ガラス基板１６上には、約１．５μｍ〜約２．５μｍの厚みを有するとともに、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１７が形成されている。なお、第１実施形態においては、カラーフィルタ１７の厚みは、約１．８μｍとした。カラーフィルタ１７上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極１８が形成されている。なお、第１実施形態においては、透明電極１８の厚みは、約１００ｎｍとした。透明電極１８上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜１９が形成されている。なお、第１実施形態においては、配向膜１９の厚みは、約３０ｎｍとした。この配向膜１９は、図１および図３の矢印Ｄ方向にラビング処理（配向処理）されている。
【００３７】
そして、配向膜１５と配向膜１９との間には、液晶層２０が充填されている。なお、層間絶縁膜７上の反射領域９０ａに対応する領域に約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する絶縁膜１１をパターニングすることによって得られた凸状の絶縁膜１１が形成された反射領域９０ａにおける液晶層２０の厚みは、凸状の絶縁膜１１が形成されていない透過領域９０ｂにおける液晶層２０の厚みの１／２となる。なお、第１実施形態においては、凸状の絶縁膜１１の厚みを、約２．２μｍとした。これにより、反射領域９０ａに入射した光が液晶層２０を通過する距離（光路長）と、透過領域９０ｂに入射した光が液晶層２０を通過する距離（光路長）とを等しくすることができる。すなわち、反射領域９０ａでは光が２回液晶層２０を通過するのに対して、透過領域９０ｂでは光が１回だけ液晶層２０を通過するので、反射領域９０ａの液晶層２０の厚みを、透過領域９０ｂの液晶層２０の厚みの１／２にすることによって、反射領域９０ａと透過領域９０ｂとの光の光路長が等しくなる。これにより、透過表示の場合と反射表示の場合との間の表示品位のばらつきを低減することが可能となる。また、ガラス基板１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１６の裏面上には、それぞれ、約０．４ｍｍ〜約０．８ｍｍの厚みを有する楕円偏光膜２１が形成されている。なお、第１実施形態においては、楕円偏光膜２１の厚みは、約０．５ｍｍとした。
【００３８】
第１実施形態では、上記のように、各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部１２を、同じ行の画素間で連続するように形成する。したがって、凹部１２を反映した凹形状を有する透明電極１４上に配向膜１５を形成する際に、各画素間において、凹部１２に対応する凹状領域に沿って配向膜１５を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹部１２に対応する凹状領域にのみ配向膜１５が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹部１２に対応する凹状領域に形成される配向膜１５の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、凹部１２に対応する凹状領域に形成される配向膜１５の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態では、凹部１２の両方の端部１２ａを、表示領域９０ｃの外側に配置する。すなわち、凹部１２の行方向の端部１２ａは、反射電極１３および透明電極１４には重ならない。したがって、配向膜１５が溜まりやすい凹部１２に対応する凹状領域の両方の端部１２ａが表示領域９０ｃ内に配置されないので、表示領域９０ｃ内の凹状領域に位置する配向膜１５を容易に均一な厚みで形成することができる。これにより、容易に、表示品位の低下をより抑制することができる。
【００４０】
図４〜図７は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１〜図７を参照して、第１実施形態による半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
【００４１】
まず、図４に示すように、ＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜からなるバッファ層１ａを備えたガラス基板１上の所定領域に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層２と、補助容量電極として機能する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層３とを形成する。半導体層２を形成する際には、図１に示したように、平面的に見て、コの字状に形成する。なお、半導体層２および３が非晶質シリコンからなる場合は、結晶化させるのが好ましい。次に、半導体層２上に、ＳｉＮＸ膜とＳｉＯ２膜との積層膜からなるゲート絶縁膜４を介して、Ｍｏからなるゲート電極５を形成する。この後、ゲート電極５をマスクとして、半導体層２に不純物をイオン注入することによって、各々のチャネル領域２ｃを挟む２組のソース領域２ａおよびドレイン領域２ｂを形成する。これにより、２つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。
【００４２】
また、半導体層３上のゲート絶縁膜４上の領域に、Ｍｏからなる補助容量電極６を形成する。これにより、半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、補助容量電極６とからなる補助容量が形成される。また、図１に示したように、２つのゲート電極５と同一の層により、所定の方向に延びるゲート線５ａを形成する。また、補助容量電極６と同一の層により、ゲート線５ａに平行な方向に延びる補助容量線６ａを形成する。なお、補助容量電極６および補助容量線６ａは、ゲート電極５およびゲート線５ａのパターニング時に同時に形成するのが好ましい。
【００４３】
次に、図５に示すように、全面を覆うように、層間絶縁膜７を形成する。この後、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて、層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜４のソース領域２ａ、ドレイン領域２ｂおよび半導体層３に対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール７ａ、７ｂおよび７ｃを形成する。
【００４４】
そして、コンタクトホール７ａを介して、ソース領域２ａに電気的に接続するように、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層からなるソース電極８を形成する。この際、ソース電極８の一部８ａが、コンタクトホール７ｃを介して、半導体層３に電気的に接続するように形成する。また、コンタクトホール７ｂを介して、ドレイン領域２ｂに電気的に接続するように、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層からなるドレイン電極９を形成する。また、図１に示したように、ドレイン電極９と同一の層により、ゲート線５ａと直交する方向に延びるドレイン線９ａをドレイン電極９と同時に形成する。この後、全面を覆うように、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる絶縁膜１１を形成する。なお、第１実施形態においては、凸状の絶縁膜１１の厚みは、約２．２μｍとした。
【００４５】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる絶縁膜１１をパターニングすることによって、反射領域９０ａに凸状の絶縁膜１１を形成する。この際、第１実施形態では、図３に示したように、凸状の絶縁膜１１が形成されない透過領域９０ｂに位置する凹部１２が同じ行の画素間で連続する形状になるように、絶縁膜１１をパターニングする。また、凹部１２の両方の端部１２ａが表示領域９０ｃの外側に配置されるように絶縁膜１１をパターニングする。また、図６に示すように、絶縁膜１１のソース電極８に対応する領域に、コンタクトホール１１ａを形成する。
【００４６】
次に、図７に示すように、凸状の絶縁膜１１の上面上に、コンタクトホール１１ａを介してソース電極８に電気的に接続するように、Ａｌからなる反射電極１３を形成する。また、凹部１２の内面上および反射電極１３の表面上に、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極１４を約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、透明電極１４の厚みは、約１００ｎｍとした。これにより、透明電極１４と反射電極１３とからなる画素電極が形成される。
【００４７】
この後、ローラ転写法などを用いて、画素電極を構成する透明電極１４上に、図１および図３の矢印Ｃ方向のラビング方向（配向方向）を有するように、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜１５を形成する。なお、第１実施形態においては、配向膜１５の厚みは、約３０ｎｍとした。この際、第１実施形態では、図３に示したように、凹部１２が各画素間で連続するように形成されているので、各画素間において、凹部１２に沿って配向膜１５を構成するポリイミドが流動される。これにより、各画素間で凹部１２上に形成される配向膜１５の厚みが均一化される。
【００４８】
次に、図２に示したように、ガラス基板１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１６上に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１７を約１．５μｍ〜約２．５μｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、カラーフィルタ１７の厚みは、約１．８μｍとした。そして、カラーフィルタ１７上に、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極１８を約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、透明電極１８の厚みは、約１００ｎｍとした。この後、透明電極１８上に、図１および図３の矢印Ｄ方向のラビング方向（配向方向）を有するように、ポリイミドからなる配向膜１９を約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みで形成する。なお、第１実施形態においては、配向膜１９の厚みは、約３０ｎｍとした。その後、配向膜１５と配向膜１９との間に、液晶層２０を充填する。そして、ガラス基板１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１６の裏面上に、それぞれ、約０．４ｍｍ〜約０．８ｍｍの厚みを有する楕円偏光膜２１を形成することによって、第１実施形態による半透過型液晶表示装置が形成される。なお、第１実施形態においては、楕円偏光膜２１の厚みは、約０．５ｍｍとした。
【００４９】
図８は、第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図９は、図８に示した第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。図８および図９を参照して、この第１実施形態の変形例では、上記第１実施形態の構造において、反射領域９１ａに対応する凸状の絶縁膜３１が、ゲート電極５およびゲート線５ａの上方の領域には形成されていない場合について説明する。すなわち、この第１実施形態の変形例では、１画素内において、凸状の絶縁膜３１が形成される反射領域９１ａを挟むように、２つの凹部３２（透過領域９１ｂ）が形成されている。なお、凹部３２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００５０】
具体的には、この第１実施形態の変形例では、凸状の絶縁膜３１は、感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなるとともに、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する。この第１実施形態の変形例においては、凸状の絶縁膜３１の厚みは、約２．２μｍとした。そして、図９に示すように、凸状の絶縁膜３１の上面上には、ソース電極８に対応する領域にコンタクトホール３３ａを有する反射電極３３が形成されている。また、コンタクトホール３１ａおよび３３ａを介してソース電極８に電気的に接続するとともに、凹部３２の内面上および反射電極３３の表面上に沿って延びるように、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極３４が形成されている。この第１実施形態の変形例においては、透明電極３４の厚みは、約１００ｎｍとした。この透明電極３４と反射電極３３とによって、画素電極が構成されている。透明電極３４上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜３５が形成されている。この第１実施形態の変形例においては、配向膜３５の厚みは、約３０ｎｍとした。
【００５１】
この第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置では、透過領域９０ｂに対応する凹部３２の形成領域を広げることにより、凸状の絶縁膜３１の上面上に形成される反射電極３３の形成領域を小さくしている。このため、この第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置は、上記第１実施形態の反射領域９０ａよりも小さい反射領域９１ａを有しているとともに、上記第１実施形態の透過領域９０ｂよりも大きい透過領域９１ｂを有している。このように、反射領域９１ａおよび透過領域９１ｂの大きさを変更したとしても、上記第１実施形態と同様、凹部３２に対応する凹状領域に形成される配向膜３５の厚みを均一化することができる。
【００５２】
なお、図１と図８とを比較すれば明らかなように、反射領域９０ａに薄膜トランジスタおよび補助容量を重ねて配置する必要はない。ただし、薄膜トランジスタおよび補助容量は、遮光領域となる。このため、薄膜トランジスタおよび補助容量が配置された領域は、反射領域にするのが好ましい。
【００５３】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。図１０を参照して、この第２実施形態では、ＴＦＴ側基板上に凸状の絶縁膜を形成した上記第１実施形態と異なり、対向基板上に凸状の絶縁膜を形成することにより、対向基板側に凹部を形成する例について説明する。
【００５４】
すなわち、この第２実施形態では、上記第１実施形態と同様、図１０に示すように、バッファ層１ａを備えたガラス基板１上の反射領域９０ａに対応する領域に、半導体層２（２つのソース領域２ａ、２つのドレイン領域２ｂおよび２つのチャネル領域２ｃ）と、ゲート絶縁膜４と、２つのゲート電極５とによって構成される２つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。また、半導体層３とゲート絶縁膜４と補助容量電極６とによって構成される補助容量が形成されている。
【００５５】
また、上記第１実施形態と同様、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、層間絶縁膜７が形成されている。そして、コンタクトホール７ａを介して、ソース領域２ａに電気的に接続するように、ソース電極８が形成されている。また、ソース電極８の一部８ａは、コンタクトホール７ｃを介して、半導体層３に電気的に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール７ｂを介して、ドレイン領域２ｂに電気的に接続するように、ドレイン電極９が形成されている。
【００５６】
そして、この第２実施形態では、ソース電極８およびドレイン電極９を覆うように、ソース電極８に対応する領域にコンタクトホール４０ａを有する平坦化膜４０が形成されている。平坦化膜４０の反射領域９０ａには、コンタクトホール４０ａを介してソース電極８に電気的に接続するように、Ａｌからなる反射電極４３が形成されている。そして、反射電極４３を覆うように、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＩＺＯまたはＩＴＯなどからなる透明電極４４が形成されている。なお、第２実施形態においては、透明電極４４の厚みは、約１００ｎｍとした。この透明電極４４と反射電極４３とによって、画素電極が構成されている。また、画素電極を構成する透明電極４４上には、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するポリイミドからなる配向膜４５が形成されている。なお、第２実施形態においては、配向膜４５の厚みは、約３０ｎｍとした。
【００５７】
そして、ガラス基板１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１６が設けられている。ガラス基板１６上には、凸状の絶縁膜４１が形成されている。そして、凸状の絶縁膜４１の側面と、絶縁膜４１が形成されていないガラス基板１６の上面とによって、凹部４２が構成されている。この凸状の絶縁膜４１および凹部４２が、図２に示した第１実施形態の凸状の絶縁膜１１および凹部１２に相当するものである。なお、凹部４２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００５８】
ここで、第２実施形態では、図３に示した第１実施形態と同様、各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部４２が、行方向に隣り合う画素間で一定の幅を保ったまま連続するように形成されている。また、凹部４２は、表示領域（図示せず）の外側にまで、ゲート線（図示せず）の延びる方向に沿って形成されている。すなわち、凹部４２の両方の端部（図示せず）は、表示領域の外側に配置されている。
【００５９】
また、絶縁膜４１の上面上および凹部４２の内面上には、上記第１実施形態と同様のカラーフィルタ４７と、透明電極４８と、配向膜４９とが形成されている。そして、カラーフィルタ４７、透明電極４８および配向膜４９は、凸状の絶縁膜４１および凹部４２を反映した凹凸形状に形成されている。そして、配向膜４５と配向膜４９との間には、液晶層５０が充填されている。また、ガラス基板１の裏面上およびガラス基板（対向基板）１６の裏面上には、それぞれ、楕円偏光膜２１が形成されている。
【００６０】
第２実施形態では、上記のように、ガラス基板（対向基板）１６に設けられた各画素の透過領域９０ｂに対応する凹部４２を、同じ行の画素間で連続するように形成することによって、凹部４２を反映した凹形状を有する透明電極４８上に配向膜４９を形成する際に、各画素間において、凹部４２に対応する凹状領域に沿って配向膜４９を流動させることができる。これにより、一部の画素の凹部４２に対応する領域にのみ配向膜４９が溜まり過ぎるのを抑制することができるので、凹部４２に対応する凹状領域に形成される配向膜４９の厚みを各画素で実質的に均一にすることができる。その結果、凹部４２に対応する凹状領域に形成される配向膜４９の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００６１】
また、第２実施形態では、上記のように、カラーフィルタ４７を、凸状の絶縁膜４１の上面上および凹部４２の内面上に形成することによって、凹部４２の内面上にカラーフィルタ４７を構成する材料が溜まりやすいので、容易に、凸状の絶縁膜４１の上面上に位置するカラーフィルタ４７の厚みと、凹部４２の内面上に位置するカラーフィルタ４７の厚みとを異ならせることができる。これにより、容易に、１種類のカラーフィルタ４７で２種類の色を表示させることができる。
【００６２】
図１１は、第２実施形態の第１の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。図１１を参照して、この第２実施形態の第１の変形例による半透過型液晶表示装置は、ガラス基板（対向基板）１６と凸状の絶縁膜６１との間に、反射領域９０ａに対応する領域に開口部６７ａを有するカラーフィルタ６７が形成されている。そして、凸状の絶縁膜６１の側面と、絶縁膜６１が形成されていないカラーフィルタ６７の上面とによって、凹部６２が構成されている。絶縁膜６１は、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有する感光性のアクリル樹脂などの樹脂材料からなる。この第２実施形態の変形例においては、凸状の絶縁膜６１の厚みは、約２．２μｍとした。なお、凹部６２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。また、絶縁膜６１の上面上および凹部６２の内面上には、上記第２実施形態と同様の透明電極６８と、配向膜６９とが形成されている。
【００６３】
この第２実施形態の変形例では、カラーフィルタ６７を介して反射領域９０ａに入射した光の一部がカラーフィルタ６７を再び通過することなく開口部６７ａを通過するので、反射領域９０ａに入射した光がカラーフィルタ６７を２回通過することに起因する光強度の低下を抑制することができる。これにより、反射領域９０ａに入射した光の反射率を向上させることができるので、輝度を高めることができる。
【００６４】
図１２は、第２実施形態の第２の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。図１２を参照して、この第２実施形態の第２の変形例による半透過型液晶表示装置は、ガラス基板（対向基板）７６をエッチングすることにより凸部７６ａが形成されている。そして、その凸部７６ａとガラス基板７６の凸部７６ａ以外の表面とによって、凹部７６ｂが構成されている。なお、凸部７６ａは、本発明の「絶縁膜」および「絶縁性の部分」の一例であり、凹部７６ｂは、本発明の「凹状の領域」の一例である。この第２実施形態の第２の変形例では、上記のように、ガラス基板（対向基板）７６をエッチングすることにより、凸部７６ａを形成する。これにより、成膜工程およびエッチング工程を用いて、ガラス基板７６上に凸状の絶縁膜を新たに形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００６５】
（第３実施形態）
図１３は、本発明の第３実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図１３を参照して、この第３実施形態では、上記第１実施形態の構造において、凸状の絶縁膜が形成されていない領域が、行方向に隣り合う画素間で連続するように、かつ、列方向に隣り合う画素間の一部で連続するように、凸状の絶縁膜をアイランド状（島状）に形成する場合について説明する。
【００６６】
すなわち、この第３実施形態では、図１３に示すように、層間絶縁膜７上のドレイン線９ａに対応する領域以外のゲート線５ａに対応する領域にのみ、上記第１実施形態と同様の樹脂材料からなる凸状の絶縁膜１１ｂがアイランド状（島状）に形成されている。これにより、各画素の透過領域９０ｂに対応する凸状の絶縁膜１１ｂが形成されていない領域１２ｂは、行方向に隣り合う画素間で連続するように、かつ、列方向に隣り合う画素間のドレイン線９ａに対応する領域で連続するように形成される。なお、凸状の絶縁膜１１ｂが形成されていない領域１２ｂは、上記第１実施形態の凹部１２に相当するものである。なお、領域１２ｂは、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００６７】
第３実施形態では、上記のように、ドレイン線９ａに対応する領域以外のゲート線５ａに対応する領域にのみ、凸状の絶縁膜１１ｂをアイランド状（島状）に形成することによって、各画素の透過領域９０ｂに対応する凸状の絶縁膜１１ｂが形成されていない領域１２ｂが、行方向に隣り合う画素間で連続するように、かつ、列方向に隣り合う画素間のドレイン線９ａに対応する領域で連続するように形成されるので、配向膜を形成する際に、行方向のみならず、列方向にも配向膜を流動させることができる。これにより、上記第１実施形態に比べて、一部の画素にのみ配向膜が溜まり過ぎるのをより抑制することができるので、配向膜の厚みがばらつくことに起因する表示品位の低下をより抑制することができる。
【００６８】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６９】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、ゲート線５ａに平行な方向に沿って延びる同じ行の画素間で連続した凹部（１２、３２、４２、６２、７６ｂ）を形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、図１４に示すように、ドレイン線９ａに平行な方向に沿って延びる各画素間で連続した凹部８２を形成するようにしてもよい。なお、凹部８２は、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００７０】
また、上記第１および第２実施形態では、凹部（１２、３２、４２、６２、７６ｂ）を一定の幅で連続するように形成したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１５に示すように、ドレイン線９ａに対応する領域に位置する凸状の絶縁膜８１ａを、ドレイン線９ａに沿って両方向に所定量突出させることにより、幅の小さいくびれ部を有する連続的な凹部８２ａを形成してもよい。また、図１６に示すように、ドレイン線９ａに対応する領域に位置する凸状の絶縁膜８１ｂを、ドレイン線９ａに沿って一方方向に所定量突出させることにより、幅の小さいくびれ部を有する連続的な凹部８２ｂを形成してもよい。なお、凹部８２ａおよび８２ｂは、本発明の「凹状の領域」の一例である。図１５および図１６に示した平面形状を有する凸状の絶縁膜８１ａまたは８１ｂを形成すれば、凸状の絶縁膜８１ａおよび８１ｂの形成領域が大きくなるので、その分、反射領域を大きくすることができる。なお、ドレイン線９ａは、金属（ＭｏおよびＡｌ）で形成されているため、凹部８２ａおよび８２ｂのドレイン線９ａに対応する領域は、遮光領域となる。このため、ドレイン線９ａなどの金属層は、可能な限り反射領域とするのが好ましい。ただし、凹部８２ａおよび８２ｂの幅Ｗ１に対して、くびれ部の幅Ｗ２が大きすぎると、配向膜の流動性が低下するので、Ｗ２／Ｗ１＞３／４に設定するのが好ましい。
【００７１】
また、上記第１および第２実施形態では、凹部（１２、３２、４２、６２、７６ｂ）の両方の端部を、表示領域９０ｃの外側に配置するようにしたが、本発明はこれに限らない。たとえば、図１７に示すように、ゲート線５ａに沿って延びる凹部８２ｃを２分割するとともに、その分割された凹部８２ｃの一方の端部８３ｃのみを、表示領域９０ｃの外側に配置するようにしてもよい。なお、凹部８２ｃは、本発明の「凹状の領域」の一例である。
【００７２】
また、上記第１〜第３実施形態では、２つのソース領域２ａと、２つのドレイン領域２ｂと、２つのチャネル領域２ｃとを有する平面的に見てコの字状の半導体層２を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、コの字状以外の形状を有する半導体層に、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域が各１つずつ設けられた薄膜トランジスタを形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１００−１００線に沿った断面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図９】図８に示した第１実施形態の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。
【図１１】第２実施形態の第１の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。
【図１２】第２実施形態の第２の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図１４】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１５】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１６】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１７】本発明の変形例による半透過型液晶表示装置（表示装置）の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図１８】従来の凸状の絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置の構造を示した平面図である。
【図１９】図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の２００−２００線に沿った断面図である。
【図２０】図１８に示した従来の半透過型液晶表示装置の凸状の絶縁膜の平面形状を示した模式図である。
【図２１】図２０の２５０−２５０線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板（基板）
１１、１１ｂ、３１、４１、６１、８１、８１ａ、８１ｂ 絶縁膜
１２、３２、４２、６２、７６ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ、８２ｃ 凹部（凹状の領域）
１２ｂ 領域（凹状の領域）
１２ａ、８３ｃ 端部
１５、３５、４９、６９ 配向膜
１６、７６ ガラス基板（対向基板）
４７、６７ カラーフィルタ
６７ａ 開口部
７６ａ 凸部（絶縁膜、絶縁性の部分）
９０ａ、９１ａ 反射領域
９０ｂ、９１ｂ 透過領域
９０ｃ 表示領域
Claims (10)
- 反射領域と透過領域とを有する表示領域を含む表示装置であって、
基板上の前記反射領域に対応する領域に形成された凸状の絶縁膜を有する凸状の領域と、
前記凸状の絶縁膜を覆うように形成された配向膜とを備え、
前記凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域は、隣り合う画素間で連続するように形成されている、表示装置。 - 反射領域と透過領域とを有する表示領域を含み、複数の画素からなる表示装置であって、
基板上の前記反射領域に対応する領域に凸状の絶縁膜が形成された凸状の領域と、
前記凸状の絶縁膜が形成されていない凹状の領域と、
前記凸状の領域および前記凹状の領域に共通して形成された配向膜とを備え、前記凹状の領域は、隣り合う画素間で連続するように形成されている、表示装置。 - 前記凹状の領域の少なくとも一方の端部は、前記表示領域の外側に配置されている、請求項１または２に記載の表示装置。
- 前記凹状の領域は、第１の方向に隣り合う画素間で連続するように形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記凹状の領域は、第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向に隣り合う画素間で連続するように形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記基板は、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタが形成される側の基板と、前記薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板とのいずれかを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記基板は、前記薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、
前記基板と前記配向膜との間に形成され、前記凸状の領域および前記凹状の領域上に形成されたカラーフィルタをさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記基板は、前記薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、
前記基板と前記凸状の絶縁膜との間に形成され、前記反射領域に対応する領域の一部に開口部を有するカラーフィルタをさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記基板は、前記薄膜トランジスタが形成されない側の対向基板であり、
前記凸状の絶縁膜は、前記基板に一体的に形成された絶縁性の部分を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記凹状の領域は、前記隣り合う画素間にくびれ部を有するように、前記隣り合う画素間で連続するように形成されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
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