CN1297847C - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种可抑制因配向膜的厚度不均等而引起显示质量降低的显示装置。该显示装置包含一具有反射区域与通过区域的显示区域者，且包括：凸状区域，其具有形成于与基板上的反射区域对应的区域上的凸状绝缘膜；以及以覆盖凸状绝缘膜的方式所形成的配向膜。而且，未形成有凸状绝缘膜的凹状区域，是以在相邻像素间连续的方式所形成。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，尤其是涉及包含一具有反射区域与通过区域的显示区域的显示装置。
背景技术
以往在半通过型液晶显示装置中，提案一种通过在对应反射区域的区域上设置凸状绝缘膜，以使入射于通过区域的光通过液晶层的距离(光路长度)、与入射于反射区域的光通过液晶层的距离(光路长度)相等的构造。此提案例如已揭示于日本专利特开2002-98951号公报中。
图25为显示具有公知凸状绝缘膜的半通过型液晶显示装置的构造的平面图。图26为沿着图25所示公知显示装置的300-300线的剖面图。图27为显示图25所示公知显示装置的凸状绝缘膜的平面形状的模式图。
在公知半通过型液晶显示装置中，如图26所示，包含有反射区域390a与通过区域390b。在对应反射区域390a的玻璃基板301上的指定区域，形成有构成薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的半导体层302、与具有作为辅助电容电极功能的半导体层303。如图25所示，从平面看，半导体层302形成コ字状。然后，如图26所示，在コ字状的半导体层302上，形成有2个源极区域302a、2个漏极区域302b及2个信道区域302c。源极区域302a与漏极区域302b为以包夹各自的信道区域302c的方式配置。
又，在半导体层302的2个信道区域302c上，隔着闸极绝缘膜304形成有2个闸电极305。然后，由一方的闸电极305、一方的源极区域302a、一方的漏极区域302b、一方的信道区域302c与门极绝缘膜304，构成一方的TFT。又，由另一方的闸电极305、另一方的源极区域302a、另一方的漏极区域302b、另一方的信道区域302c与门极绝缘膜304，构成另一方的TFT。又，在半导体层303上，隔着闸极绝缘膜304形成有辅助电容电极306。然后，由半导体层303、闸极绝缘膜304及辅助电容电极306构成辅助电容。
又，如图25所示，在2个闸电极305上，连接有由与闸电极305同一层所构成，同时延伸于指定方向的闸极线305a。又，在辅助电容电极306上，连接有由与辅助电容电极306同一层所构成，同时延伸于与闸极线305平行的方向的辅助电容线306a。
然后，如图26所示，以覆盖TFT及辅助电容的方式，形成有层间绝缘膜307。又，在对应层间绝缘膜307与门极绝缘膜304的源极区域302a、漏极区域302b及半导体层303的区域上，分别形成有接触孔307a、307b及307c。然后，介以接触孔307a电连接源极区域302a的方式形成有源极电极308。又，源极电极308的一部分308a，系介以接触孔307c电连接半导体303的方式形成。然后，介以接触孔307b电连接漏极区域302b的方式形成有漏极电极309。如图25所示，在该漏极电极309上，连接有由与漏极电极309同一层所构成，同时延伸于与闸极线305a正交的方向的漏极线309a。
又，如图26所示，在层间绝缘膜307上的指定区域，以覆盖源极电极308及漏极电极309的方式，形成有凸状绝缘膜311。与凸状绝缘膜311的源极电极308相对应的区域上，形成有接触孔311a。然后，依凸状绝缘膜311的侧面、与未形成有绝缘膜311的层间绝缘膜307的上面构成凹部312。另外，凸状绝缘膜311，系形成与反射区域390a对应，而凹部312系形成与通过区域390b对应。
又，如图27所示，凸状绝缘膜311，是在由显示区域390c内的闸极线305a及漏极线309a所包围的各像素区域上，以包围住凹部312的方式所形成。因此，凹部312是以在各像素间分离的方式所形成。
又，如图26所示，在凸状绝缘膜311的上面上，介以接触孔311a电连接源极电极308的方式，形成有反射电极313。如图25所示，从平面看，该反射电极313，是以覆盖TFT、辅助电容、闸极线305a及辅助电容线306a的方式所形成。然后，如图26所示，在凹部312的内面上及反射电极313的表面上形成有透明电极314。通过该透明电极314与反射电极313构成像素电极。然后，在构成像素电极的透明电极314上，形成有由聚酰亚胺所构成的配向膜315。
然后，在与玻璃基板301相对的位置上，设有玻璃基板(相对基板)316。在玻璃基板316上，形成有呈现红(R)、绿(G)及蓝(B)的各色的彩色滤光片317。在彩色滤光片317上形成有透明电极318。在透明电极318上形成有由聚酰亚胺所构成的配向膜319。在配向膜315与配向膜319之间填充有液晶层320。又，在玻璃基板301的背面上及玻璃基板(相对基板)316的背面上，分别形成有椭圆偏光膜321。
在公知半通过型液晶显示装置中，如图27所示，由于以包围通过区域390b(凹部312)的方式形成有凸状绝缘膜311，所以在凸状绝缘膜311及凹部312的凹凸形状所反映的透明电极314上，于形成由聚酰亚胺所构成的配向膜315时，聚酰亚胺会滞留于对应各像素的凹部312的凹状区域内。该情况，由于滞留于对应各像素的凹部312的凹状区域内的聚酰亚胺的量容易变成不均等，所以例如图28所示，会有发生只在对应局部像素的凹部312的凹状区域312a内滞留过多构成配向膜315的聚酰亚胺的情况的不良情形。如此当只在对应局部像素的凹部312的凹状区域312a内滞留过多构成配向膜315的聚酰亚胺时，就会发生在各像素的配向膜315的厚度上产生不均的不良情形。结果，有因配向膜315的厚度不均而引起显示质量降低的问题点。
发明内容
本发明是为了提供一种可抑制因配向膜的厚度不均等而引起显示质量降低的显示装置而所开发完成者。
为了解决上述问题，本发明第1态样的显示装置，其包含具有反射区域与通过区域的显示区域者，且包括：形成具有一对源极/漏极区域与门电极的薄膜晶体管之侧的基板、与未形成有上述薄膜晶体管之侧的相对基板，凸状区域，其具有形成于与未形成有上述薄膜晶体管之侧的相对基板上的反射区域对应的区域上的凸状绝缘膜；以及以覆盖凸状绝缘膜的方式所形成的配向膜；且未形成有凸状绝缘膜的凹状区域，是以在相邻像素间连续的方式所形成。
在该第1态样的显示装置中，当以覆盖凸状绝缘膜及凹状区域的方式形成配向膜时，在相邻像素间可使构成配向膜的材料沿着凹状区域流动。借此，由于可抑制只在局部像素的凹状区域上滞留过多构成配向膜的材料，所以形成于凹状区域的配向膜可在多个像素上平均化，且可使配向膜的厚度在各像素上实质均等。结果，可抑制因形成于凹状区域的配向膜的厚度不均等而引起显示质量降低的情形。
本发明第2态样的显示装置，其包含具有反射区域与通过区域的显示区域，且由多个像素所构成者，且包括：凸状区域，其于与基板上的反射区域对应的区域上形成有凸状绝缘膜；未形成有凸状绝缘膜的凹状区域；以及配向膜，共通形成于凸状区域及凹状区域上；且凹状区域，是以在相邻像素间连续的方式所形成。
在该第2态样的显示装置中，当在凸状绝缘膜及凹状区域上共通形成配向膜时，在多个相邻像素间可使构成配向膜的材料沿着凹状区域流动。借此，由于可抑制只在局部像素的凹状区域上滞留过多构成配向膜的材料，所以形成于凹状区域的配向膜可在多个像素上平均化，且可使配向膜的厚度在各像素上实质均等。结果，在由多个像素所构成的显示装置中，可抑制因形成于凹状区域的配向膜的厚度不均等而引起显示质量降低的情形。
附图说明
图1为显示本发明第1实施例的半通过型液晶显示装置的构造的平面图。
图2为沿着图1所示第1实施例的显示装置的100-100线的剖面图。
图3为显示图1所示第1实施例的显示装置的凸状绝缘膜平面形状的模式图。
图4至图7为说明本发明第1实施例的显示装置的制程用剖面图。
图8为显示第1实施例变化例的显示装置构造的平面图。
图9为沿着图8所示第1实施例变化例的显示装置的150-150线的剖面图。
图10为显示本发明第2实施例的半通过型液晶显示装置的构造的剖面图。
图11为显示第2实施例的第1变化例的显示装置构造的剖面图。
图12为显示第2实施例的第2变化例的显示装置构造的剖面图。
图13为显示本发明第3实施例的半通过型液晶显示装置的构造的平面图。
图14为显示本发明第4实施例的半通过型液晶显示装置的构造的平面图。
图15为沿着图14所示第4实施例的显示装置的200-200线的剖面图。
图16至图18为说明本发明第4实施例的显示装置的制程用的剖面图。
图19为显示本发明第5实施例的反射型液晶显示装置构造的平面图。
图20为沿着图19所示第5实施例的显示装置的250-250线的剖面图。
图21至图24为显示本发明变化例的显示装置的凸状绝缘膜的平面形状的模式图。
图25为显示具有公知凸状绝缘膜的半通过型液晶显示装置的构造的平面图。
图26为沿着图25所示公知显示装置的300-300线的剖面图。
图27为显示图25所示公知显示装置的凸状绝缘膜的平面形状的模式图。
图28为沿着图27的350-350线的剖面图。
具体实施方式
以下为根据图式说明本发明的实施例。
(第1实施例)
参照图1至图3，本第1实施例的半通过型液晶显示装置，是在1像素内具有反射区域90a与通过区域90b的2个区域。然后，在反射区域90a上形成有反射电极13，同时在通过区域90b未形成有反射电极13。借此，在反射区域90a上，通过使图2的箭号A方向的光反射即可显示影像。另一方面，在通过区域90b上，通过使图2的箭号B方向的光通过即可显示影像。
第1实施例的详细构造，如图2所示，在与具备由SiNx膜及SiO2膜所构成的缓冲层1a的玻璃基板1上的反射区域90a相对应的区域上，形成有构成TFT的由非单晶硅或非晶硅所构成的半导体层2、及具有作为辅助电容电极功能的由非单晶硅或非晶硅所构成的半导体层3。另外，玻璃基板1是本发明的“基板”的一例。如图1所示，从平面看，半导体层2形成コ字状。然后，如图2所示，在コ字状的半导体层2上，形成有2个源极区域2a、2个漏极区域2b及2个信道区域2c。源极区域2a与漏极区域2b，是以包夹各自的信道区域2c的方式配置。
又，在半导体层2的2个信道区域2c上，分别隔着由SiNx膜及SiO2膜的迭层膜所构成的闸极绝缘膜4，形成有由钼(Mo)所构成的闸电极5。然后，由一方的闸电极5、一方的源极区域2a、一方的漏极区域2b、一方的信道区域2c与门极绝缘膜4，构成一方的TFT。又，由另一方的闸电极5、另一方的源极区域2a、另一方的漏极区域2b、另一方的信道区域2c与门极绝缘膜4，构成另一方的TFT。又，在半导体层3上，隔着闸极绝缘膜4形成有由钼所构成的辅助电容电极6。然后，由半导体层3、闸极绝缘膜4及辅助电容电极6构成辅助电容。
又，如图1所示，在2个闸电极5上，连接有由与闸电极5同一层所构成，同时延伸于指定方向的闸极线5a。又，在辅助电容电极6上，连接有由与辅助电容电极6同一层所构成，同时延伸于与闸极线5平行的方向的辅助电容线6a。
然后，如图2所示，以覆盖TFT及辅助电容的方式，形成有层间绝缘膜7。又，在对应层间绝缘膜7与门极绝缘膜4的源极区域2a、漏极区域2b及半导体层3的区域上，分别形成有接触孔7a、7b及7c。然后，介以接触孔7a电连接源极区域2a的方式形成有源极电极8。又，源极电极8的一部分8a，系介以接触孔7c电连接半导体3的方式所形成。然后，介以接触孔7b电连接漏极区域2b的方式形成有漏极电极9。源极电极8及漏极电极9是分别从下层朝向上层而由钼层、铝(Al)层及钼层所构成。又，如图1所示，在漏极电极9上，连接有由与漏极电极9同一层所构成，同时延伸于与闸极线5a正交的方向的漏极线9a。
又，如图2所示，在层间绝缘膜7上的指定区域，以覆盖源极电极8及漏极电极9的方式，形成有具有厚度约2μm至约3μm的感旋光性丙烯酸树脂等的树脂材料所构成的凸状绝缘膜11。另外，在第1实施例中，凸状绝缘膜11的厚度，形成约2.2μm。在与凸状绝缘膜11的源极电极8相对应的区域上，形成有接触孔11a。然后，由凸状绝缘膜11的侧面、与未形成有绝缘膜11的层间绝缘膜7的上面构成凹部12。另外，凸状绝缘膜11，为形成与反射区域90a对应，而凹部12为形成与通过区域90b对应。另外，凹部12为本发明的“凹状区域”的一例。
在此，在第1实施例中，如图3所示，对应各像素的通过区域90b的凹部12，是以在列方向相邻的像素间保持一定宽度W的状态连续所形成。又，凹部12是沿着闸极线5a的延伸方向而形成至显示区域90c的外侧为止。亦即，凹部12的双方端部12a配置于显示区域90c的外侧。
又，如图2所示，在凸状绝缘膜11的上面上，介以接触孔11a电连接源极电极8的方式，形成有由铝所构成的反射电极13。如图1所示，从平面看，该反射电极13，是以覆盖TFT、辅助电容、闸极线5a及辅助电容线6a的方式所形成。然后，如图2所示，在凹部12的内面上及反射电极13的表面上，形成有具有约100nm至约150nm的厚度，同时由氧化铟锌(IZO：Indium Zinc Oxide)或氧化铟锡(ITO：IndiumTin Oxide)等所构成的透明电极14。另外，第1实施例中，透明电极14的厚度，形成约100nm。由该透明电极14与反射电极13构成像素电极。然后，在构成像素电极的透明电极14上，形成有由具有厚度约20nm至约100nm的聚酰亚胺所构成的配向膜15。该配向膜15，其在图1及图3的箭号C方向进行摩擦处理(配向处理)。另外，在第1实施例中，配向膜15的厚度形成约30nm。
然后，如图2所示，在与玻璃基板1相对的位置上，设有玻璃基板(相对基板)16。在玻璃基板16上，形成有具有厚度约1.5μm至约2.5μm，同时呈现红(R)、绿(G)及蓝(B)的各色的彩色滤光片17。另外，在第1实施例中，彩色滤光片17的厚度，形成约1.8μm。在彩色滤光片17上，形成有具有厚度约100nm至约150nm，同时由氧化铟锌或氧化铟锡等所构成的透明电极18。另外，在第1实施例中，透明电极18的厚度，形成约100nm。在透明电极18上，形成有由具有厚度约20nm至约100nm的聚酰亚胺所构成的配向膜19。另外，在第1实施例中，配向膜19的厚度，形成约30nm。该配向膜19按在图1及图3的箭号D方向进行摩擦处理(配向处理)。
然后，在配向膜15与配向膜19之间，填充有液晶层20。另外，在对应层间绝缘膜7上的反射区域90a的区域形成有通过将具有厚度约2μm至约3μm的绝缘膜11图案化而所得的凸状绝缘膜11的反射区域90a中的液晶层20的厚度，其为未形成有凸状绝缘膜11的通过区域90b中的液晶层20的厚度的1/2。另外，在第1实施例中，将凸状绝缘膜11的厚度形成约2.2μm。借此，由于在反射区域90a上光通过液晶层20二次，相对于此，在通过区域90b上光只通过液晶层20一次，所以通过将反射区域90a的液晶层20的厚度，形成为通过区域90b的液晶层20厚度的1/2，反射区域90a及通过区域90b的光路长度就会相等。借此，可减低通过显示的情况与反射显示的情况之间显示质量的不均等。又，在玻璃基板1的背面上及玻璃基板(相对基板)16的背面上，分别形成有具有厚度约0.4mm至约0.8mm的椭圆偏光膜21。另外，在第1实施例中，椭圆偏光膜21的厚度形成约0.5mm。
在第1实施例中，如上所述，以在相同列的像素间连续的方式，形成与各像素的通过区域90b对应的凹部12。因而，在具有反映凹部12的凹形状的透明电极14上形成配向膜15时，可在各像素间，使配向膜15沿着对应凹部12的凹状区域流动。借此，由于可抑制只在对应局部像素凹部12的凹状区域上滞留过多配向膜15的情形，所以可在各像素使形成于对应凹部12的凹状区域的配向膜15的厚度实质均等。结果，可抑制因对应凹部12的凹状区域上所形成的配向膜15的厚度不均等而引起显示质量降低。
又，在第1实施例中，将凹部12的双方端部12a配置于显示区域90c的外侧。亦即，凹部12的列方向的端部12a并未重迭于反射电极13及透明电极14上。因而，由于与配向膜15容易滞留的凹部12对应的凹状区域的双方端部12a并未配置于显示区域90c内，所以可容易以均等厚度形成位于显示区域90c内的凹状区域的配向膜15。借此，就可更加容易抑制显示质量降低。
其次，参照图1至图7说明第1实施例的半通过型液晶显示装置的制程。
首先，如图4所示，在具备缓冲层1a的玻璃基板1上的指定区域，形成构成TFT的半导体层2、及具有辅助电容电极功能的半导体层3。在形成半导体层2时，如图1所示，从平面看，形成コ字状。另外，在半导体层2及3由非晶硅所构成的情况，较佳使的结晶化。其次，在半导体层2上，隔着闸极绝缘膜4形成闸电极5。的后，将闸电极5当作屏蔽，通过对半导体层2植入离子，以形成2组源极区域2a及漏极区域2b。借此，形成有2个TFT。
又，在半导体层3上的闸极绝缘膜4上的区域形成辅助电容电极6。借此，可形成包含半导体层3、闸极绝缘膜4及辅助电容电极6的辅助电容。又，如图1所示，利用与2个闸电极5同一层，形成延伸于指定方向的闸极线5a。又，利用与辅助电容电极6同一层，形成延伸于与闸极线5a平行方向的辅助电容线6a。另外，辅助电容电极6及辅助电容线6a，较佳的是在闸电极5与门极线5a的图案化时同时形成。
其次，如图5所示，以覆盖全面的方式，形成层间绝缘膜7。之后在对应层间绝缘膜7与门极绝缘膜4的源极区域2a、漏极区域2b及半导体层3的区域，分别形成接触孔7a、7b及7c。
然后，介以接触孔7a，以电连接源极区域2a的方式形成源极电极8。此时，源极电极8的一部分8a，介以接触孔7c电连接半导体层3的方式形成。又，介以接触孔7b电连接漏极区域2b的方式形成漏极电极9。又，如图1所示，利用与漏极电极9同一层，与漏极电极9同时形成延伸于与闸极线5a正交的方向的漏极线9a。之后，以覆盖全面的方式形成绝缘膜11。
其次，如图6所示，通过将绝缘膜11图案化，在反射区域90a上形成凸状绝缘膜11。此时，在第1实施例中，如图3所示，位于未形成有凸状绝缘膜11的通过区域90b的凹部12以在同列的像素间成为连续形状的方式，将绝缘膜11图案化。又，以凹部12的双方端部12a配置于显示区域90c的外侧的方式将绝缘膜11图案化。又，如图6所示，在对应绝缘膜11的源极电极8的区域上形成接触孔11a。
其次，如图7所示，在凸状绝缘膜11的上面上，介以接触孔11a电连接源极电极8的方式形成反射电极13。又，在凹部12的内面上及反射电极13的表面上形成透明电极14。借此，形成有包含透明电极14与反射电极13的像素电极。
之后，使用滚筒式转印法等，在构成像素电极的透明电极14上形成由聚酰亚胺所构成的配向膜15。此时，在第1实施例中，如图3所示，由于以凹部12在各像素间连续的方式所形成，所以在各像素间，构成配向膜15的聚酰亚胺会沿着凹部12而流动。借此，各像素间形成于凹部12上的配向膜15的厚度就可均等化。
其次，如图2所示，在以与玻璃基板1相对的方式所设的玻璃基板(相对基板)16上，依次形成彩色滤光片17、透明电极18及配向膜19。之后，在配向膜15与配向膜19之间填充液晶层20。然后，在玻璃基板1的背面上及玻璃基板(相对基板)16的背面上分别形成椭圆偏光膜21，借此可形成第1实施例的半通过型液晶显示装置。
参照图8及图9，就该第1实施例的变化例中，于上述第1实施例的构造上，对应反射区域91a的凸状绝缘膜31未形成于闸电极5与门极线5a的上方区域的情况加以说明。亦即，在该第1实施例的变化例中，以1像素内包夹形成有凸状绝缘膜31的反射区域91a的方式，形成有2个凹部32(通过区域91b)。另外，凹部32是本发明的“凹状区域”的一例。
具体而言，在该第1实施例的变化例中，凸状绝缘膜31是由感旋光性的丙烯酸树脂等的树脂材料所构成，同时具有约2μm至约3μm的厚度。在该第1实施例的变化例中，凸状绝缘膜31的厚度形成约2.2μm。然后，如图9所示，在凸状绝缘膜31的上面上，形成有在对应源极电极8的区域具有接触孔33a的反射电极33。又，介以接触孔31a及33a电连接源极电极8，同时沿着凹部32的内面上及反射电极33的表面上延伸的方式，形成具有厚度约100nm至约150nm的由氧化铟锌或氧化铟锡等所构成的透明电极34。在该第1实施例的变化例中，透明电极34的厚度形成约100nm。由该透明电极34与反射电极33可构成像素电极。在透明电极34上，形成具有厚度约20nm至约100nm的由聚酰亚胺所构成的配向膜35。在该第1实施例的变化例中，配向膜35的厚度形成约30nm。
在该第1实施例的变化例的半通过型液晶显示装置中，通过扩大对应通过区域90b的凹部32的形成区域，来缩小形成于凸状绝缘膜31的上面上的反射电极33的形成区域。因此，依该第1实施例的变化例所形成的半通过型液晶显示装置，其具有比上述第1实施例的反射区域90a小的反射区域91a，同时具有比上述第1实施例的通过区域90b大的通过区域91b。如此，即使变更反射区域91a及通过区域91b的大小，亦可与上述第1实施例同样，使形成于对应凹部32的凹状区域的配向膜35的厚度均等化。
另外，比较图1与图8即可明白，不需要将TFT及辅助电容重复配置在反射区域90a上。但是，TFT及辅助电容会变成遮光区域。因此，配置有TFT及辅助电容的区域较佳的是作为反射区域。
(第2实施例)
参照图10，在该第2实施例中，就与在TFT侧基板上形成凸状绝缘膜的上述第1实施例不同，为通过在相对基板上形成凸状绝缘膜，以在相对基板侧形成凹部的例加以说明。
在该第2实施例中，以覆盖源极电极8及漏极电极9的方式，在对应源极电极8的区域形成具有接触孔40a的平坦化膜40。在平坦化膜40的反射区域90a上，介以接触孔40a电连接在源极电极8的方式，形成有由铝所构成的反射电极43。然后，以覆盖反射电极43的方式，形成具有厚度约100nm至约150nm，同时由氧化铟锌或氧化铟锡等所构成的透明电极44。另外，在第2实施例中，透明电极44的厚度形成约100nm。由该透明电极44与反射电极43构成像素电极。又，在构成像素电极的透明电极44上形成具有厚度约20nm至约100nm的由聚酰亚胺所构成的配向膜45。另外，在第2实施例中，配向膜45的厚度形成约30nm。
然后，在与玻璃基板11相对的位置上设有玻璃基板(相对基板)16。在玻璃基板16上形成有凸状绝缘膜41。然后，通过凸状绝缘膜41的侧面、与未形成有绝缘膜41的玻璃基板16的上面构成凹部42。该凸状绝缘膜41及凹部42，其相当于图2所示的第1实施例的凸状绝缘膜11及凹部12者。另外，凹部42为本发明的“凹状区域”的一例。
在此，在第2实施例中，与图3所示的第1实施例同样，对应各像素的通过区域90b的凹部42，是以在列方向相邻像素间保持一定宽度的状态连续的方式所形成。又，凹部42是沿着闸极线(未图示)延伸方向而形成至显示区域(未图标)的外侧为止。亦即，凹部42的双方端部(未图标)配置于显示区域的外侧。
又，在绝缘膜41的上面上及凹部42的内面上，形成有与上述第1实施例同样的彩色滤光片47、透明电极48及配向膜49。然后，彩色滤光片47、透明电极48及配向膜49，其形成反映凸状绝缘膜41及凹部42的凹凸形状。然后，在配向膜45与配向膜49之间填充有液晶层50。
在第2实施例中，如上所述，通过将与设于玻璃基板(相对基板)16上的各像素的通过区域90b对应的凹部42，连续形成在同列的像素间，即可在具有反映凹部42的凹形状的透明电极48上形成配向膜49时，在各像素间，使配向膜49沿着对应凹部42的凹状区域流动。借此，由于可抑制配向膜49过份滞留于只与局部像素的凹部42对应的区域上的情形，所以可使对应凹部42的凹状区域上所形成的配向膜49的厚度在各像素上实质均等。结果，可抑制因对应凹部42的凹状区域上所形成的配向膜49的厚度不均等而引起显示质量降低。
又，在第2实施例中，如上所述，通过将彩色滤光片47形成于凸状绝缘膜41的上面上及凹部42的内面上，由于在凹部42的内面上容易滞留构成彩色滤光片47的材料，所以可容易使位于凸状绝缘膜41的上面上的彩色滤光片47的厚度、与位于凹部42的内面上的彩色滤光片47的厚度不同。借此，就可容易使1种类的彩色滤光片47显示2种类的颜色。
参照图11，依该第2实施例的第1变化例所得的半通过型液晶显示装置，其在玻璃基板(相对基板)16与凸状绝缘膜61之间，形成有在对应反射区域90a的区域上具有开口部67a的彩色滤光片67。然后，通过凸状绝缘膜61的侧面、与未形成有绝缘膜61的彩色滤光片67的上面构成凹部62。绝缘膜61，是由具有厚度约2μm至约3μm的感旋光性丙烯酸树脂等的树脂材料所构成。在该第2实施例的变化例中，凸状绝缘膜61的厚度形成约2.2μm。另外，凹部62是本发明的“凹状区域”的一例。又，在绝缘膜61的上面上及凹部62的内面上，形成有与上述第2实施例同样的透明电极68及配向膜69。
在该第2实施例的变化例中，由于隔着彩色滤光片67入射于反射区域90a的光的一部分不会再次通过彩色滤光片67而会通过开口部67a，所以可抑制因入射于反射区域90a的光通过彩色滤光片67二次所引起的光强度降低。借此，由于可提高入射于反射区域90a的光的反射率，所以可提高亮度。
参照图12，依该第2实施例的第2变化例所得的半通过型液晶显示装置，其通过蚀刻玻璃基板(相对基板)16而形成凸部76a。然后，由该凸部76a与玻璃基板76的凸部76a以外的表面构成凹部76b。另外，凸部76a为本发明的“绝缘膜”及“绝缘性部分”的一例，而凹部76b为本发明的“凹状区域”的一例。在该第2实施例的第2变化例中，如上所述，是通过蚀刻玻璃基板(相对基板)76而形成凸部76a。借此，比起使用成膜步骤及蚀刻步骤以在玻璃基板76上重新形成凸状绝缘膜的情况，其可简化制程。
(第3实施例)
参照图13于本第3实施例，在上述第1实施例的构造中，以未形成有凸状绝缘膜的区域在列方向相邻像素间连续的方式、且在行方向相邻像素间的一部分连续的方式，将凸状绝缘膜形成岛状的情况加以说明。
亦即，在该第3实施例中，如图13所示，只在与对应层间绝缘膜7上的漏极线9a的区域以外的闸极线5a所对应的区域上，形成有与上述第1实施例同样的由树脂材料所构成而呈岛状的凸状绝缘膜11b。借此，未形成有与各像素的通过区域90b对应的凸状绝缘膜11b的区域12b，以在列方向相邻像素间连续的方式、且在与行方向相邻像素间的漏极线9a对应的区域连续的方式所形成。另外，未形成有凸状绝缘膜11b的区域12b，相当于上述第1实施例的凹部12者。另外，区域12b为本发明的“凹状区域”的一例。
在第3实施例中，如上所述，通过只在与对应漏极线9a的区域以外的闸极线5a对应的区域上，将凸状绝缘膜11b形成岛状，由于未形成有与各像素的通过区域90b对应的凸状绝缘膜11b的区域12b，以在列方向相邻像素间连续的方式、且在与行方向相邻像素间的漏极线9a对应的区域连续的方式所形成，所以在形成配向膜时，不仅使配向膜朝列方向流动，亦使其在行方向流动。借此，比起上述第1实施例，由于可更加抑制配向膜只过份滞留在局部像素上，所以可更加抑制因配向膜的厚度不均等所引起的显示质量降低。
其次，就在具有反射区域的显示装置中，于反射电极上设置扩散构造的情况加以说明。
(第4实施例)
参照图14及图15，依该第4实施例所得的半通过型液晶显示装置，为在1像素内包含形成有反射区域212的反射区域250a与未形成有反射区域212的通过区域250b的2个区域。
第4实施例的详细构造，如图15所示，与上述实施例同样，在具备缓冲层201a的玻璃基板201上，形成有具备半导体层202、闸极绝缘膜204与门电极205的TFT；以及具备半导体层203、闸极绝缘膜204及另一方的辅助电容电极206的辅助电容。在半导体层202上形成有源极区域202a、漏极区域202b及信道区域202c。
然后，如图15所示，以覆盖TFT及辅助电容的方式形成有层间绝缘膜207。又，隔着层间绝缘膜207与门极绝缘膜204的接触孔207a及207b，形成有源极电极208及漏极电极209。又，源极电极208的一部分208a，系介以接触孔207c电连接于半导体层203的方式所形成。
又，如图15所示，以覆盖源极电极208及漏极电极209的方式形成有凸状绝缘膜211。然后，通过凸状绝缘膜211的接触孔211a形成有反射电极212。
在此，在第4实施例中，如图15所示，只有在对应漏极电极209及漏极线209a(参照图14)的区域251a以外的区域252a上，设有于反射电极212上形成扩散构造212a用的凹凸部211b。亦即，在区域251a上并未设有凹凸部211b。又，凹凸部211b的凹部底面对凸部上面的深度为约0.7μm。
在第4实施例中，如上所述，在形成有不具扩散构造212a的反射电极212的对应漏极电极209及漏极线209a的区域251a的凸状绝缘膜211的上面，没有必要形成供扩散构造212a用的凹凸部211b。借此，不会发生因凹凸部211b的凹部变得过大，而使漏极电极209及漏极线209a与反射电极212接触短路的不良情形。结果，由于可抑制短路不良，所以可抑制因短路不良所引起的良率降低。又，通过在区域252a的凸状绝缘膜211的上面，形成具有扩散构造212a的反射电极212，即可提高反射特性。如此，在第4实施例的半通过型液晶显示装置中，可一面提高反射特性，而一面抑制良率降低。
又，在第4实施例中，如上所述，通过在区域252a的凸状绝缘膜211的上面形成凹凸部211b，由于与形成于凸状绝缘膜211上的反射电极212的凹凸部211b对应的区域，会变成反映凹凸部211b的凹凸形状，所以可容易在区域252a上形成具有凹凸形状的扩散构造212a的反射电极212。
其次，参照图14至图18，就第4实施例的半通过型液晶显示装置的制程加以说明。
如图16所示，在凸状绝缘膜211的上方，设置具有形成有随机配置的孔的区域230a的光罩230。之后，使用光罩230只对凸状绝缘膜211的上面的指定区域进行曝光(半曝光)之后，通过显像，如图17所示，在凸状绝缘膜211的上面的指定区域形成凹凸部211b。此时，在第4实施例中，以只在对应漏极电极209及漏极线209a(参照图14)的区域251a以外的区域252a上形成有凹凸部211b的方式，进行曝光及显像。借此，即使凹凸部211b的凹部变得过深，亦可防止漏极电极209及漏极线209a(参照图14)的露出表面。
其次，如图18所示，在凸状绝缘膜211上，介由接触孔211a电连接于源极电极208的方式，形成反射电极212。此时，在反射电极212上，只在对应漏极电极209及漏极线209a(参照图14)的区域251a以外的区域252a上，形成有反映凸状绝缘膜211上面的凹凸部211b的凹凸形状的扩散构造212a。
其次，以覆盖凸状绝缘膜211及反射电极212的方式形成透明电极213。此时，在与透明电极213的漏极电极209及漏极线209a(参照图14)对应的区域251a以外的区域252a上，形成有反映凸状绝缘膜211上面的凹凸部211b的凹凸部213a。借此，形成有由透明电极213与反射电极212所构成的像素电极。之后，使用滚筒式转印法，在透明电极213上形成配向膜214。此时，在与配向膜214的漏极电极209及漏极线209a(参照图14)对应的区域251a以外的区域252a上，形成有反映凸状绝缘膜211上面的凹凸部211b的凹凸部214a。
(第5实施例)
参照图19及图27，在该第5实施例中，与上述第4实施例不同，就1像素内只具有反射区域260a的反射型液晶显示装置，说明主要与第4实施例不同的部分。
在第5实施例中，与上述第4实施例不同，只设有反射区域260a，并未设置通过区域。因此，在第5实施例中，通过设置凸状绝缘膜，就不需要使反射区域与通过区域的液晶层的厚度不同。因而，在第5实施例中，与上述第4实施例不同，形成有实质平坦的绝缘膜241。然后，在绝缘膜241上，介以接触孔241a电连接于源极电极208的方式，于每一像素形成有反射电极242。
又，在第5实施例中，如图27所示，只在与实质平坦的绝缘膜241上面的漏极电极209及漏极线209a(参照图19)对应的区域261a以外的区域262a，设有于反射电极242上形成扩散构造242a用的凹凸部241b。因此，如图19及图27所示，在反射电极242上，只在对应漏极电极209及漏极线209a的区域261a以外的区域262a上，形成有反映实质平坦的绝缘膜241上面的凹凸部241b的凹凸形状的扩散构造242a。
然后，如图27所示，在反射电极242上形成有透明电极243。由该透明电极243与反射电极242构成像素电极。然后，在透明电极243上形成有配向膜244。又，在与透明电极243及配向膜244的漏极电极209及漏极线209a(参照图19)对应的区域261a以外的区域262a上，分别形成有反映实质平坦的绝缘膜241上面的凹凸部241b的凹凸部243a及244a。
另外，第5实施例的效果与上述第4实施例同样。
另外，此次揭示的实施例，应视所有点为例示而非限制。本发明的范围并非上述的实施例说明而是依申请专利范围所示，更包含与申请专利范围均等的意义及范围内的所有的变更。
例如，并不限于上述第1及第2实施例，如图21所示，亦可形成在沿着与漏极线209a平行的方向延伸的各像素间连续的凹部82。另外，凹部82为本发明的“凹状区域”的一例。
又，并不限于上述第1及第2实施例，如图22所示，亦可通过使位于对应漏极线9a的区域的凸状绝缘膜81a，沿着漏极线9a而于两方向突出指定量，以形成具有宽度小的中间缩窄部的连续凹部82a。又，如图23所示，亦可通过使位于对应漏极线9a的区域的凸状绝缘膜81b，沿着漏极线9a而于单一方向突出指定量，以形成具有宽度小的中间缩窄部的连续凹部82b。另外，凹部82a及82b为本发明的“凹状区域”的一例。若形成图22及图23所示的具有平面形状的凸状绝缘膜81a或81b，则由于凸状绝缘膜81a或81b的形成区域会变大，所以该部分可增大反射区域。另外，漏极线9a由于是由金属(钼及铝)所形成，所以与凹部82a及82b的漏极线9a对应的区域会变成遮光区域。因此，漏极线9a等的金属层，较佳为尽可能作为反射区域。但是，相对于凹部82a及82b的宽度W1，当中间缩窄部的宽度W2过大时，由于配向膜的流动性会降低，所以较佳为设定成W2/W1＞3/4。
又，并不限于上述第1及第2实施例，如图24所示，亦可分割沿着闸极线5a而延伸的凹部82c为二，同时只将该被分割的凹部82c的一方端部83c，配置于显示区域90c的外侧。另外，凹部82c是本发明的“凹状区域”的一例。
又，并不限于上述第1至第3实施例，亦可在具有コ字状以外的形状的半导体层，形成源极区域、漏极区域及信道区域分别各设有1个的薄膜晶体管。

Claims (7)

1.一种显示装置，包含具有反射区域与通过区域的显示区域，且由多个像素所构成者，且包括：
形成具有一对源极/漏极区域与门电极的薄膜晶体管之侧的基板、与未形成有上述薄膜晶体管之侧的相对基板；
凸状区域，其在与未形成有上述薄膜晶体管之侧的相对基板上的上述反射区域对应的区域上形成有凸状绝缘膜；
未形成有上述凸状绝缘膜的凹状区域；以及
配向膜，共通形成于上述凸状区域及上述凹状区域上；
且上述凹状区域，是以在相邻像素间连续的方式所形成。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述显示装置更具备有形成于上述未形成有上述薄膜晶体管之侧的相对基板与上述配向膜之间，且形成于上述凸状区域及上述凹状区域上的彩色滤光片。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述显示装置更具备有形成于上述未形成有上述薄膜晶体管之侧的相对基板与上述凸状绝缘膜之间，且于上述反射区域的对应区域的局部上具有开口部的彩色滤光片。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述凸状绝缘膜包含有一体形成于上述未形成有上述薄膜晶体管之侧的相对基板上的绝缘性部分。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，上述凹状区域是以在上述相邻像素间具有中间缩窄部、且在上述相邻像素间连续的方式所形成。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，上述凹状区域的上述中间缩窄部为沿着漏极线设在上述相邻像素间的边界区域。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，上述凹状区域为以延伸于第1方向的方式所形成，同时沿着上述第1方向分割成多个。
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