JP2004259952A - Thermistor element and its manufacturing method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermistor element which can prevent the occurrence of a poor connection between a thermistor element assembly and an element assembly junction electrode layer, in other words, which has a high connection reliability, and which can prevent the occurrence of problems in manufacturing at the time of mounting the thermistor element on a printed circuit board or the like, and also to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The thermistor element 10 has such a structure that terminal electrodes 13 are formed in both ends 11a of the thermistor element assembly 11. Each of the terminal electrodes 13 comprises the element assembly junction electrode layer 14 formed directly in an end of the thermistor element assembly 11 and a metal film 16, at least part of which is connected to the element assembly junction electrode layer 14. Between the element assembly junction electrode layer 14 and the metal film 16, an insulation glass film 15 is formed. The insulation glass film 15 is formed in part 18 of the front surface of the element assembly junction electrode layer 14 which has been eliminated. The metal film 16 is so formed as to cover the front surface of the insulation glass film 15 and part of the front surface of the element assembly junction electrode layer 14 not covered by the insulation glass film 15. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント回路基板や電子部品等に実装されるサーミスタ素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、サーミスタ素子は、各種電子機器の構成要素、例えば、水晶発振子、バッテリ等の温度を検出し、この電子機器及び構成要素の特性の変化を補償するために使用されている。近年、電子機器の小型化、高信頼性に対する要求が強く、これに伴って、サーミスタ素子の高精度化、例えば、抵抗値のばらつき低減や、外部電極とサーミスタ素体との接続信頼性等に対する要求が強くなっている。このサーミスタ素子は、一般に図３に示す構成のものが知られている。
【０００３】
サーミスタ素子１は、略直方体状をなすサーミスタ素体２と、サーミスタ素体２の両端面２ａ部に設けられた端子電極３と、サーミスタ素体２の両端面２ａを除く外表面（側面及び上下面）に設けられスクリーン印刷で形成された絶縁ガラス膜４とを備えている。ここで、端子電極３は、サーミスタ素体２の両端面２ａ部表面に設けられ金属ペーストへのディップで形成された素体接合電極層５と、この素体接合電極層５表面を覆うように設けられめっき処理で形成された金属膜６とを備えた構成となっている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１７０７０２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記従来のサーミスタ素子によれば、端子電極３において、素体接合電極層５表面に金属膜６を形成するに際し、めっき液が素体接合電極層５に含浸し、さらに、このめっき液が素体接合電極層５の内部に浸透し、サーミスタ素体２の端面２ａ部と素体接合電極層５との界面に、剥離が発生する場合あった。すなわち、サーミスタ素体２と素体接合電極層５との接続に対する信頼性が低いという問題があった。また、形成される金属膜６の厚さが不十分である場合等には、プリント回路基板等へ実装する際、ハンダ接合時の熱により、素体接合電極層５が溶融する場合があった。これにより、サーミスタ素子１の抵抗値が上昇し、サーミスタ素子１の抵抗特性が変化するという製造上の不具合が発生する問題があった。
【０００６】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、サーミスタ素体と素体接合電極層との接続不良の発生を抑制する、すなわち、前記接続に対する高い信頼性を備えるとともに、プリント回路基板等へ実装する際の製造上の不具合発生を抑制することが可能なサーミスタ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明のサーミスタ素子は、サーミスタ素体の両端部に端子電極がそれぞれ設けられ、該端子電極は、前記サーミスタ素体の端部に直接形成された素体接合電極層と、該素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜とを備えたサーミスタ素子であって、前記素体接合電極層と前記金属膜との間には、絶縁ガラス膜が設けられ、該絶縁ガラス膜は、前記素体接合電極層表面に一部を除いて設けられ、前記金属膜は、前記絶縁ガラス膜表面上，及び該絶縁ガラス膜に覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように設けられていることを特徴とする。
【０００８】
このサーミスタ素子では、素体接合電極層の表面に一部を除いて絶縁ガラス膜が形成され、この絶縁ガラス膜の表面及び絶縁ガラス膜で覆われていない素体接合電極層の表面に金属膜が形成されているので、金属膜を形成する際に、めっき液の素体接合電極層への浸透を絶縁ガラス膜により抑制し、サーミスタ素体と素体接合電極層との剥離発生を抑制することができる。また、サーミスタ素子をプリント回路基板等に実装する際の、ハンダ接合時の熱を素体接合電極層に伝達することを抑制することができる。これにより、前記熱によるサーミスタ素子の抵抗特性の変化を抑制することができる。
【０００９】
また、本発明のサーミスタ素子は、前記絶縁ガラス膜が、少なくとも前記サーミスタ素体の両端面上に配された前記素体接合電極層を被覆していることを特徴とする。
【００１０】
このサーミスタ素子では、絶縁ガラス膜が、少なくともサーミスタ素体の両端面上に配された素体接合電極層を被覆しているため、金属膜を形成するに際し、素体接合電極層へのめっき液の浸透を確実に抑制し、サーミスタ素体と素体接合電極層との剥離発生を確実に抑制することができる。
【００１１】
また、本発明のサーミスタ素子は、前記素体接合電極層が、前記サーミスタ素体の上下面又は側面の少なくとも一面に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
このサーミスタ素子では、素体接合電極層が、サーミスタ素体の上下面又は側面の少なくとも一面に形成されているため、スクリーン印刷法を適用し、素体接合電極層を形成することができる。従って、サーミスタ素子を高効率に製造することができるため、容易に量産化対応することができる。
【００１３】
本発明のサーミスタ素子の製造方法は、サーミスタ素体の両端部に直接、素体接合電極層を形成する素体接合電極層形成工程と、前記サーミスタ素体の両端部に、前記素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜を形成する金属膜形成工程とを有するサーミスタ素子の製造方法であって、前記素体接合電極層の表面に一部を除いて絶縁ガラス膜を形成する絶縁ガラス膜形成工程を備え、前記金属膜形成工程は、前記絶縁ガラス膜表面上、及び該絶縁ガラス膜で覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように金属膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
このサーミスタ素子の製造方法では、サーミスタ素体両端部に形成された素体接合電極層表面に一部を除いて絶縁ガラス膜を形成し、素体接合電極層の一部を露出させた状態としておき、その後、絶縁ガラス膜表面上，及び前記露出した素体接合電極層表面上に金属膜を形成することになる。これにより、素体接合電極層は、金属膜との接続部を確保するとともに、絶縁ガラス膜をその表面に備えることになる。従って、従来の機能を損なうことなく、金属膜形成時の素体接合電極層へのめっき液の浸透を抑制し、サーミスタ素体と素体接合電極層との剥離発生を抑制することができる。さらに、この絶縁ガラス膜により、サーミスタ素子をプリント回路基板等に実装する際のハンダ接合時の熱を、素体接合電極層に伝達することを抑制することができる。従って、前記熱による素体接合電極層の溶融が抑制され、前記実装時のサーミスタ素子の抵抗特性の変化を抑制することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るサーミスタ素子の第一実施形態を、図１を参照しながら説明する。
【００１６】
サーミスタ素子１０は、図１に示すように、対向する一組の端面１１ａと、それぞれ対向する上下面１１ｂ及び図示しない側面とで構成された略直方体状をなすサーミスタ素体１１を備え、このサーミスタ素体１１の上下面１１ｂ及び側面の全面には、スクリーン印刷で形成された第１の絶縁ガラス膜１２が設けられ、サーミスタ素体１１の両端部、すなわちサーミスタ素体両端面１１ａ全面から第１の絶縁ガラス膜１２の端面及び外表面の一部にかけた部分には、外部電極をなす端子電極１３が設けられている。ここで、サーミスタ素体１１は、例えば、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｕ（銅）等の遷移金属元素の酸化物を複数種用いて構成され、これを焼成することにより形成されるものである。
【００１７】
端子電極１３は、サーミスタ素体１１の前記両端部に直接形成された素体接合電極層１４と、素体接合電極層１４を覆うように設けられた金属膜１６とを備えている。金属膜１６は、素体接合電極層１４を覆うように設けられるとともに素体接合電極層１４と接続するめっき下地膜１７と、このめっき下地膜１７の表面上に設けられた金属めっき膜１９とを備えている。ここで、素体接合電極層１４は、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｕ／Ｐｔ合金のいずれかからなり、本実施の形態においては、Ａｇにより形成されている。また、めっき下地膜１７は、素体接合電極層１４と同一の材料の金属ペーストへのディップにより形成され、金属めっき膜１９は、めっき下地膜１７の表面上に設けられＮｉとされた第１の金属めっき膜１９ａと、この第１の金属めっき膜１９ａの表面上に設けられＳｎ又はＳｎ／Ｐｂとされた第２の金属めっき膜１９ｂとを備え、これら第１，第２の金属めっき膜１９ａ，１９ｂは、めっき処理により形成されたものである。
ここで、素体接合電極層１４と金属膜１６との間には、第２の絶縁ガラス膜１５が設けられ、この第２の絶縁ガラス膜１５は、素体接合電極層１４表面に一部を除いて設けられ、第２の絶縁ガラス膜１５表面及びこの第２の絶縁ガラス膜１５に覆われていない素体接合電極層１４表面に、金属膜１６が設けられた構成となっている。
【００１８】
ここで、素体接合電極層１４の前記一部は、第１の絶縁ガラス膜１２外表面に配され、サーミスタ素体１１の端面１１ａからサーミスタ素体１１の長手方向内方側に最も離間した位置に配される端部１８である。すなわち、第２の絶縁ガラス膜１５は、素体接合電極層１４表面のうち端部１８を除いて設けられた構成となっている。また、第２の絶縁ガラス膜１５は、サーミスタ素体１１の端面１１ａ表面に配された素体接合電極層１４表面の全面に渡って設けられた構成となっている。そして、この第２の絶縁ガラス膜１５表面上，及び素体接合電極層１４の端部１８表面上に、金属膜１６が設けられた構成となっている。この構成により、素体接合電極層１４は、金属膜１６に端部１８を介して接続する構成となる。
【００１９】
以上のように構成されたサーミスタ素子１０の製造方法について説明する。
まず、サーミスタ素体１１の上下面１１ｂ及び側面に第１の絶縁ガラス膜１２をスクリーン印刷で形成し、その後、Ａｇペーストへのディップ及び焼成によりサーミスタ素体１１の前記両端部に素体接合電極層１４を形成する。
【００２０】
そして、この素体接合電極層１４の端部１８を除く表面に、ガラス膜を接着コーティングして第２の絶縁ガラス膜１５を形成する。次に、この第２の絶縁ガラス膜１５表面上，及び素体接合電極層１４の端部１８の表面上に、Ａｇペーストへのディップにより、めっき下地膜１７を形成する。さらに、Ｎｉめっき処理と、Ｓｎ（錫）又はＳｎ／Ｐｂめっき処理とをこの順に順次施し、めっき下地膜１７表面を覆うように第１，第２の金属めっき膜１９ａ，１９ｂを順次形成し金属めっき膜１９を形成することにより、めっき下地膜１７と金属めっき膜１９とを備えた金属膜１６が得られサーミスタ素子１０が形成される。
【００２１】
以上説明したように、本実施形態によるサーミスタ素子及びその製造方法によれば、素体接合電極層１４表面のうち端部１８を除いて第２の絶縁ガラス膜１５を形成し、素体接合電極層１４の端部１８を露出させた状態としておき、その後、第２の絶縁ガラス膜１５表面上，及び露出した端部１８表面上に金属膜１６を形成することになる。これにより、素体接合電極層１４は、金属膜１６との接続を確保するとともに、第２の絶縁ガラス膜１５をその表面に備えることになる。従って、従来の機能を損なうことなく、金属膜１６形成時の素体接合電極層１４へのめっき液の浸透を抑制し、サーミスタ素体１１と素体接合電極層１４との剥離発生を抑制することができる。
【００２２】
また、素体接合電極層１４と金属膜１６との間には、第２の絶縁ガラス膜１５が形成されているため、サーミスタ素子１０をプリント回路基板等に実装する際の、ハンダ接合時の熱を素体接合電極層１４に伝達することを抑制し、前記熱によるサーミスタ素子１０の抵抗特性の変化を抑制することができる。さらに、第２の絶縁ガラス膜１５は、少なくともサーミスタ素体１１の両端面１１ａ上に配された素体接合電極層１４を被覆しているため、金属膜１６を形成する際に、素体接合電極層１４へのめっき液の浸透を確実に抑制し、前記剥離発生を確実に抑制することができる。
【００２３】
次に、本発明の第二実施形態について説明するが、前述の第一実施形態と同様の部位には、同一符号を付し、その説明を省略する。
本第二実施形態によるサーミスタ素子２０は、図２に示すように、サーミスタ素体１１の両端部に設けられた端子電極２３と、サーミスタ素体１１の下面１１ｂ及び側面に設けられスクリーン印刷で形成された第１の絶縁ガラス膜１２と、サーミスタ素体１１の上面１１ｂに設けられスクリーン印刷で形成された第２の絶縁ガラス膜２２と、サーミスタ素体１１の両端部に設けられた第３の絶縁ガラス膜２４とを備えている。
端子電極２３は、サーミスタ素体１１の両端１１ａ部において、サーミスタ素体１１の上面１１ｂに設けられスクリーン印刷で形成された素体接合電極層２１と、サーミスタ素体１１の両端１１ａ部を覆うように設けられた金属膜２５とを備えている。金属膜２５は、サーミスタ素体１１の両端１１ａ部を覆うように設けられためっき下地膜２８と、さらに、このめっき下地膜２８表面に設けられた金属めっき膜２９とを備えている。この金属めっき膜２９は、めっき下地膜２８の表面上に設けられＮｉとされた第１の金属めっき膜２９ａと、この第１の金属めっき膜２９ａの表面上に設けられＳｎ又はＳｎ／Ｐｂとされた第２の金属めっき膜２９ｂとを備えている。
【００２４】
ここで、第２の絶縁ガラス膜２２は、サーミスタ素体１１の上面１１ｂと、素体接合電極層２１の一部２７を除いた表面とに設けられている。また、第３の絶縁ガラス膜２４は、サーミスタ素体１１の両端面１１ａの全面から第１，第２の絶縁ガラス膜１２，２２外表面の一部にかけて設けられている。この第３の絶縁ガラス膜２４のうち、第２の絶縁ガラス膜２２外表面に設けられた部分は、素体接合電極層２１の一部２７のサーミスタ素体１１の長手方向に対する配設位置より、外方（端面１１ａ側）に位置するように配されている。すなわち、第３の絶縁ガラス膜２４は、素体接合電極層２１の一部２７を被覆していない構成となっている。
【００２５】
また、めっき下地膜２８は、第３の絶縁ガラス膜２４表面の全面と、素体接合電極層２１の一部２７表面とを覆うように設けられ、さらに、めっき下地膜２８を覆うように金属めっき膜２９が設けられた構成となっている。この構成により、素体接合電極層２１は、金属膜２５に前記一部２７を介して接続した構成となる。
【００２６】
以上のように構成されたサーミスタ素子２０によれば、素体接合電極層２１が、サーミスタ素体２０の上面１１ｂに形成されているため、スクリーン印刷法を適用し、素体接合電極層２１を形成することができる。これにより、サーミスタ素子を高効率に製造することができるため、容易に量産化対応することができる。
【００２７】
なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、サーミスタ素体の内部に、サーミスタ層を介して隔てられ積層された複数の内部電極が設けられ、前記サーミスタ素体の両端側にそれぞれ前記内部電極と接続する端子電極が設けられたサーミスタ素子においても適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法によれば、素体接合電極層は、金属膜との接続部を確保するとともに、絶縁ガラス膜をその表面に備えるので、従来の機能を損なうことなく、金属膜形成時の素体接合電極層へのめっき液の浸透を抑制することができる。従って、サーミスタ素体と素体接合電極層との剥離発生を抑制することができる。さらに、サーミスタ素子をプリント回路基板等に実装する際のハンダ接合時の熱を、素体接合電極層に伝達することを抑制することができるので、前記熱によるサーミスタ素子の抵抗特性の変化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第一実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図２】本発明に係る第二実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図３】本発明に係る従来例において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【符号の説明】
１０，２０ サーミスタ素子
１１ サーミスタ素体
１１ａ サーミスタ素体の両端面
１１ｂ サーミスタ素体の上下面
１３，２３ 端子電極
１４，２１ 素体接合電極層
１５，２２ 第２の絶縁ガラス膜（絶縁ガラス膜）
１６，２５ 金属膜
１７，２８ めっき下地膜
１８ 素体接合電極層の端部（素体接合電極層表面の一部）
１９，２９ 金属めっき膜
２７ 素体接合電極層表面の一部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a thermistor element mounted on a printed circuit board, an electronic component, or the like, and a method for manufacturing the thermistor element.
[0002]
[Prior art]
Generally, a thermistor element is used for detecting the temperature of components of various electronic devices, for example, a crystal oscillator, a battery, and the like, and compensating for changes in characteristics of the electronic device and the components. In recent years, there has been a strong demand for miniaturization and high reliability of electronic devices. With this, there has been a demand for higher accuracy of thermistor elements, for example, reduction of variation in resistance value, reliability of connection between external electrodes and the thermistor element body, and the like. The demands are getting stronger. This thermistor element is generally known to have the configuration shown in FIG.
[0003]
The thermistor element 1 includes a thermistor body 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape, terminal electrodes 3 provided on both end faces 2 a of the thermistor body 2, and outer surfaces (side face and upper face) excluding both end faces 2 a of the thermistor body 2. And an insulating glass film 4 formed by screen printing. Here, the terminal electrodes 3 are provided on the surfaces of both end faces 2a of the thermistor body 2 and are formed so as to cover the surface of the body bonding electrode layer 5 formed by dipping into a metal paste. And a metal film 6 formed by plating (see, for example, Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-170702
[Problems to be solved by the invention]
By the way, according to the conventional thermistor element, when forming the metal film 6 on the surface of the element bonding electrode layer 5 in the terminal electrode 3, the plating solution impregnates the element bonding electrode layer 5, and furthermore, May penetrate into the element bonding electrode layer 5, and peeling may occur at the interface between the end face 2 a of the thermistor element 2 and the element bonding electrode layer 5. That is, there is a problem that the reliability of the connection between the thermistor body 2 and the body bonding electrode layer 5 is low. Further, when the thickness of the metal film 6 to be formed is insufficient or the like, when mounting on a printed circuit board or the like, the element bonding electrode layer 5 may be melted by heat at the time of solder bonding. . As a result, there is a problem that the resistance value of the thermistor element 1 increases and the resistance characteristic of the thermistor element 1 changes, which causes a manufacturing defect.
[0006]
The present invention has been made in view of such circumstances, and suppresses the occurrence of poor connection between a thermistor body and a body bonding electrode layer. That is, while providing high reliability for the connection, a printed circuit is provided. It is an object of the present invention to provide a thermistor element capable of suppressing the occurrence of a manufacturing defect when mounted on a substrate or the like, and a method of manufacturing the thermistor element.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems and achieve such an object, the present invention proposes the following means.
In the thermistor element of the present invention, terminal electrodes are respectively provided at both ends of the thermistor element, and the terminal electrodes are provided with an element bonding electrode layer directly formed at an end of the thermistor element, and the element bonding electrode. A thermistor element comprising a layer and a metal film at least partially connected thereto, wherein an insulating glass film is provided between the element bonding electrode layer and the metal film, and the insulating glass film is The metal film is provided on the surface of the element bonding electrode layer except for a part thereof, and is provided so as to cover the surface of the insulating glass film and the surface of the element bonding electrode layer not covered with the insulating glass film. It is characterized by having been done.
[0008]
In this thermistor element, an insulating glass film is formed on a surface of the element bonding electrode layer except for a part thereof, and a metal film is formed on the surface of the insulating glass film and the surface of the element bonding electrode layer not covered with the insulating glass film. Is formed, when the metal film is formed, the infiltration of the plating solution into the element bonding electrode layer is suppressed by the insulating glass film, and the occurrence of separation between the thermistor element and the element bonding electrode layer is suppressed. be able to. In addition, when the thermistor element is mounted on a printed circuit board or the like, it is possible to suppress the transfer of heat during solder bonding to the element bonding electrode layer. Thus, it is possible to suppress a change in the resistance characteristic of the thermistor element due to the heat.
[0009]
Further, the thermistor element of the present invention is characterized in that the insulating glass film covers at least the element bonding electrode layers disposed on both end faces of the thermistor element.
[0010]
In this thermistor element, since the insulating glass film covers at least the element bonding electrode layers disposed on both end faces of the thermistor element, a plating solution for the element bonding electrode layer is formed when forming the metal film. Of the thermistor body and the body bonding electrode layer can be reliably suppressed.
[0011]
Further, the thermistor element of the present invention is characterized in that the element bonding electrode layer is formed on at least one of upper and lower surfaces or side surfaces of the thermistor element.
[0012]
In this thermistor element, since the element body bonding electrode layer is formed on at least one of the upper and lower surfaces or side surfaces of the thermistor element body, the element bonding electrode layer can be formed by applying a screen printing method. Therefore, since the thermistor element can be manufactured with high efficiency, mass production can be easily handled.
[0013]
The method of manufacturing a thermistor element according to the present invention includes: a body joining electrode layer forming step of forming a body joining electrode layer directly on both ends of the thermistor body; and the body joining electrode on both ends of the thermistor body. A metal film forming step of forming a metal film at least partially connected to the layer, the method comprising the steps of: forming an insulating glass film except for a part of the surface of the element bonding electrode layer; A glass film forming step, wherein the metal film forming step includes forming a metal film so as to cover the surface of the insulating glass film and the surface of the element bonding electrode layer not covered with the insulating glass film. Features.
[0014]
In the method of manufacturing the thermistor element, an insulating glass film is formed on a surface of the element bonding electrode layer formed at both ends of the thermistor element except for a part, and a part of the element bonding electrode layer is exposed. After that, a metal film is formed on the surface of the insulating glass film and on the surface of the exposed element bonding electrode layer. Thereby, the element body bonding electrode layer secures a connection portion with the metal film and has an insulating glass film on the surface thereof. Therefore, it is possible to suppress the penetration of the plating solution into the element bonding electrode layer at the time of forming the metal film and to prevent the thermistor element from being separated from the element bonding electrode layer without impairing the conventional functions. Further, by the insulating glass film, it is possible to suppress transmission of heat at the time of solder bonding when the thermistor element is mounted on a printed circuit board or the like to the element body bonding electrode layer. Accordingly, the melting of the element bonding electrode layer due to the heat is suppressed, and a change in the resistance characteristic of the thermistor element during the mounting can be suppressed.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a first embodiment of a thermistor element according to the present invention will be described with reference to FIG.
[0016]
As shown in FIG. 1, the thermistor element 10 includes a substantially rectangular parallelepiped thermistor element 11 composed of a pair of opposed end faces 11a, upper and lower faces 11b and side faces (not shown). A first insulating glass film 12 formed by screen printing is provided on the upper and lower surfaces 11b and the entire side surface of the element body 11, and both ends of the thermistor element 11, that is, the first surface of the thermistor element both end surfaces 11a are firstly removed from the entire surface. A terminal electrode 13 serving as an external electrode is provided on a portion of the insulating glass film 12 which covers the end face and a part of the outer surface. Here, the thermistor element body 11 is composed of, for example, a plurality of oxides of transition metal elements such as Mn (manganese), Co (cobalt), and Cu (copper), and is formed by firing. Things.
[0017]
The terminal electrode 13 includes a body bonding electrode layer 14 directly formed on the both ends of the thermistor body 11 and a metal film 16 provided so as to cover the body bonding electrode layer 14. The metal film 16 is provided so as to cover the element bonding electrode layer 14 and is connected to the element bonding electrode layer 14, and a metal plating film 19 provided on the surface of the plating under film 17. It has. Here, the element bonding electrode layer 14 is made of, for example, any of Ag, Au, Pt, and an Au / Pt alloy, and is made of Ag in the present embodiment. The plating base film 17 is formed by dipping a metal paste of the same material as that of the element bonding electrode layer 14, and the metal plating film 19 is formed on the surface of the plating base film 17 and is made of Ni. And a second metal plating film 19b provided on the surface of the first metal plating film 19a and made of Sn or Sn / Pb. These first and second metal plating films are provided. Reference numerals 19a and 19b are formed by plating.
Here, a second insulating glass film 15 is provided between the element bonding electrode layer 14 and the metal film 16, and the second insulating glass film 15 partially covers the surface of the element bonding electrode 14. , Except that the metal film 16 is provided on the surface of the second insulating glass film 15 and on the surface of the element bonding electrode layer 14 not covered with the second insulating glass film 15.
[0018]
Here, the part of the element bonding electrode layer 14 is disposed on the outer surface of the first insulating glass film 12 and is most separated from the end face 11 a of the thermistor element 11 to the inside in the longitudinal direction of the thermistor element 11. End 18 located in position. That is, the second insulating glass film 15 is provided on the surface of the element bonding electrode layer 14 except for the end portions 18. Further, the second insulating glass film 15 is configured to be provided over the entire surface of the element bonding electrode layer 14 arranged on the surface of the end face 11 a of the thermistor element 11. The metal film 16 is provided on the surface of the second insulating glass film 15 and on the surface of the end portion 18 of the element bonding electrode layer 14. With this configuration, the element bonding electrode layer 14 is configured to be connected to the metal film 16 via the end 18.
[0019]
A method for manufacturing the thermistor element 10 configured as described above will be described.
First, a first insulating glass film 12 is formed on the upper and lower surfaces 11b and side surfaces of the thermistor body 11 by screen printing, and thereafter, the both ends of the thermistor body 11 are bonded to the both ends of the thermistor body 11 by dipping and baking. The layer 14 is formed.
[0020]
Then, a glass film is adhesively coated on the surface of the element bonding electrode layer 14 excluding the end portions 18 to form a second insulating glass film 15. Next, a plating base film 17 is formed on the surface of the second insulating glass film 15 and on the surface of the end portion 18 of the element bonding electrode layer 14 by dipping into an Ag paste. Further, Ni plating and Sn (tin) or Sn / Pb plating are sequentially performed in this order, and first and second metal plating films 19a and 19b are sequentially formed so as to cover the surface of the plating base film 17, and metal plating is performed. By forming the plating film 19, the metal film 16 including the plating base film 17 and the metal plating film 19 is obtained, and the thermistor element 10 is formed.
[0021]
As described above, according to the thermistor element and the method of manufacturing the same according to the present embodiment, the second insulating glass film 15 is formed except for the end portion 18 on the surface of the element bonding electrode layer 14, and the element bonding electrode is formed. The end 18 of the layer 14 is left exposed, and then the metal film 16 is formed on the surface of the second insulating glass film 15 and on the surface of the exposed end 18. As a result, the element body bonding electrode layer 14 secures the connection with the metal film 16 and has the second insulating glass film 15 on the surface thereof. Therefore, it is possible to prevent the plating solution from penetrating into the element bonding electrode layer 14 when the metal film 16 is formed and to prevent the thermistor element 11 from being separated from the element bonding electrode layer 14 without impairing the conventional function. be able to.
[0022]
Further, since the second insulating glass film 15 is formed between the element bonding electrode layer 14 and the metal film 16, when the thermistor element 10 is mounted on a printed circuit board or the like, solder bonding is performed. Transfer of heat to the element bonding electrode layer 14 can be suppressed, and a change in the resistance characteristics of the thermistor element 10 due to the heat can be suppressed. Furthermore, since the second insulating glass film 15 covers at least the element bonding electrode layer 14 disposed on both end faces 11a of the thermistor element 11, the element bonding is performed when the metal film 16 is formed. The penetration of the plating solution into the electrode layer 14 can be reliably suppressed, and the occurrence of the peeling can be surely suppressed.
[0023]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
As shown in FIG. 2, the thermistor element 20 according to the second embodiment is formed by terminal electrodes 23 provided on both ends of the thermistor element body 11 and screen printing provided on the lower surface 11b and side surfaces of the thermistor element body 11. The first insulating glass film 12, the second insulating glass film 22 provided on the upper surface 11 b of the thermistor body 11 and formed by screen printing, and the third insulating glass film provided on both ends of the thermistor body 11. And an insulating glass film 24.
The terminal electrodes 23 are provided on the upper surface 11 b of the thermistor body 11 at both ends 11 a of the thermistor body 11 so as to cover the body bonding electrode layer 21 formed by screen printing and both ends 11 a of the thermistor body 11. And a metal film 25 provided on the substrate. The metal film 25 includes a plating base film 28 provided to cover both ends 11 a of the thermistor body 11, and a metal plating film 29 provided on the surface of the plating base film 28. The metal plating film 29 includes a first metal plating film 29a provided on the surface of the plating base film 28 and made of Ni, and Sn or Sn / Pb provided on the surface of the first metal plating film 29a. And a second metal plating film 29b.
[0024]
Here, the second insulating glass film 22 is provided on the upper surface 11 b of the thermistor element body 11 and on the surface excluding a part 27 of the element body bonding electrode layer 21. Further, the third insulating glass film 24 is provided from the entire end faces 11 a of the thermistor body 11 to a part of the outer surfaces of the first and second insulating glass films 12 and 22. The portion of the third insulating glass film 24 provided on the outer surface of the second insulating glass film 22 is located at a position relative to the longitudinal direction of the thermistor body 11 of a part 27 of the element bonding electrode layer 21. , Are arranged on the outside (end surface 11a side). That is, the third insulating glass film 24 does not cover a part 27 of the element bonding electrode layer 21.
[0025]
Further, the plating base film 28 is provided so as to cover the entire surface of the third insulating glass film 24 and the surface 27 of the element bonding electrode layer 21, and further, to cover the plating base film 28. The configuration is such that a plating film 29 is provided. With this configuration, the element bonding electrode layer 21 is configured to be connected to the metal film 25 via the part 27.
[0026]
According to the thermistor element 20 configured as described above, since the element body bonding electrode layer 21 is formed on the upper surface 11b of the thermistor element body 20, screen printing is applied, and the element body bonding electrode layer 21 is formed. Can be formed. Accordingly, the thermistor element can be manufactured with high efficiency, and therefore, mass production can be easily handled.
[0027]
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, a thermistor element in which a plurality of internal electrodes stacked and separated by a thermistor layer is provided inside a thermistor body, and terminal electrodes respectively connected to the internal electrodes are provided on both ends of the thermistor body. It is applicable also in.
[0028]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the thermistor element and the method of manufacturing the same according to the present invention, the element body bonding electrode layer secures a connection portion with the metal film and includes an insulating glass film on its surface. In addition, it is possible to suppress the permeation of the plating solution into the element bonding electrode layer when forming the metal film without impairing the conventional functions. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of peeling between the thermistor body and the body bonding electrode layer. Furthermore, since the heat at the time of solder bonding when the thermistor element is mounted on a printed circuit board or the like can be suppressed from being transmitted to the element body bonding electrode layer, a change in the resistance characteristic of the thermistor element due to the heat can be suppressed. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a thermistor element according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view showing a thermistor element according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a sectional view showing a thermistor element in a conventional example according to the present invention.
[Explanation of symbols]
10, 20 Thermistor element 11 Thermistor element 11a Both end faces 11b of the thermistor element Upper and lower surfaces 13,23 of the thermistor element Terminal electrode 14,21 Element bonding electrode layer 15,22 Second insulating glass film (insulating glass film)
16, 25 Metal film 17, 28 Plating base film 18 Edge of element bonding electrode layer (part of surface of element bonding electrode layer)
19, 29 Metal plating film 27 Part of the surface of the element bonding electrode layer

Claims (4)

サーミスタ素体の両端部に端子電極がそれぞれ設けられ、該端子電極は、前記サーミスタ素体の端部に直接形成された素体接合電極層と、該素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜とを備えたサーミスタ素子であって、
前記素体接合電極層と前記金属膜との間には、絶縁ガラス膜が設けられ、
該絶縁ガラス膜は、前記素体接合電極層表面に一部を除いて設けられ、
前記金属膜は、前記絶縁ガラス膜表面上，及び該絶縁ガラス膜に覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように設けられていることを特徴とするサーミスタ素子。Terminal electrodes are respectively provided at both ends of the thermistor element, and the terminal electrodes are connected to at least a part of the element bonding electrode layer directly formed at the end of the thermistor element, and the element bonding electrode layer. A thermistor element comprising a metal film
An insulating glass film is provided between the element bonding electrode layer and the metal film,
The insulating glass film is provided except for a part on the surface of the element bonding electrode layer,
The thermistor element, wherein the metal film is provided so as to cover a surface of the insulating glass film and a surface of the element bonding electrode layer that is not covered with the insulating glass film. 請求項１記載のサーミスタ素子において、
前記絶縁ガラス膜は、少なくとも前記サーミスタ素体の両端面上に配された前記素体接合電極層を被覆していることを特徴とするサーミスタ素子。The thermistor element according to claim 1,
The thermistor element, wherein the insulating glass film covers at least the element bonding electrode layers disposed on both end faces of the thermistor element. 請求項１記載のサーミスタ素子において、
前記素体接合電極層は、前記サーミスタ素体の上下面又は側面の少なくとも一面に形成されていることを特徴とするサーミスタ素子。The thermistor element according to claim 1,
The thermistor element, wherein the element bonding electrode layer is formed on at least one of upper and lower surfaces or side surfaces of the thermistor element. サーミスタ素体の両端部に直接、素体接合電極層を形成する素体接合電極層形成工程と、
前記サーミスタ素体の両端部に、前記素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜を形成する金属膜形成工程とを有するサーミスタ素子の製造方法であって、
前記素体接合電極層の表面に一部を除いて絶縁ガラス膜を形成する絶縁ガラス膜形成工程を備え、
前記金属膜形成工程は、前記絶縁ガラス膜表面上、及び該絶縁ガラス膜で覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように金属膜を形成することを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。A body joining electrode layer forming step of forming a body joining electrode layer directly on both ends of the thermistor body;
A metal film forming step of forming a metal film at least partially connected to the element bonding electrode layer at both ends of the thermistor element, a method of manufacturing a thermistor element,
Insulating glass film forming step of forming an insulating glass film except for a part of the surface of the element bonding electrode layer,
The manufacturing of the thermistor element, wherein the metal film forming step forms a metal film so as to cover the surface of the insulating glass film and the surface of the element bonding electrode layer not covered with the insulating glass film. Method.

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