JP4172290B2 - THERMISTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント回路基板や電子部品等に実装されるサーミスタ素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、サーミスタ素子は、各種電子機器の構成要素、例えば、水晶発振子、バッテリ等の温度を検出し、この電子機器及び構成要素の特性の変化を補償するために使用されている。近年、電子機器の小型化、高信頼性に対する要求が強く、これに伴って、サーミスタ素子の高精度化、例えば、抵抗値のばらつき低減や、外部電極とサーミスタ素体との接続信頼性等に対する要求が強くなっている。このサーミスタ素子は、一般に図３に示す構成のものが知られている。
【０００３】
サーミスタ素子１は、略直方体状をなすサーミスタ素体２と、サーミスタ素体２の両端面２ａ部に設けられた端子電極３と、サーミスタ素体２の両端面２ａを除く外表面（側面及び上下面）に設けられスクリーン印刷で形成された絶縁ガラス膜４とを備えている。ここで、端子電極３は、サーミスタ素体２の両端面２ａ部表面に設けられ金属ペーストへのディップで形成された素体接合電極層５と、この素体接合電極層５表面を覆うように設けられめっき処理で形成された金属膜６とを備えた構成となっている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１７０７０２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記従来のサーミスタ素子によれば、端子電極３において、素体接合電極層５表面に金属膜６を形成するに際し、めっき液が素体接合電極層５に含浸し、さらに、このめっき液が素体接合電極層５の内部に浸透し、サーミスタ素体２の端面２ａ部と素体接合電極層５との界面に、剥離が発生する場合あった。すなわち、サーミスタ素体２と素体接合電極層５との接続に対する信頼性が低いという問題があった。また、形成される金属膜６の厚さが不十分である場合等には、プリント回路基板等へ実装する際、ハンダ接合時の熱により、素体接合電極層５が溶融する場合があった。これにより、サーミスタ素子１の抵抗値が上昇し、サーミスタ素子１の抵抗特性が変化するという製造上の不具合が発生する問題があった。
【０００６】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、サーミスタ素体と素体接合電極層との接続不良の発生を抑制する、すなわち、前記接続に対する高い信頼性を備えるとともに、プリント回路基板等へ実装する際の製造上の不具合発生を抑制することが可能なサーミスタ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明のサーミスタ素子は、端面と周面とを有し、周面の全面に第１の絶縁ガラス膜が設けられたサーミスタ素体の両端部に端子電極がそれぞれ設けられ、該端子電極は、前記サーミスタ素体の端部に直接形成された素体接合電極層と、該素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜とを備えたサーミスタ素子であって、前記素体接合電極層は、前記サーミスタ素体の端面上に形成されるとともにこの端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に向けて前記第１の絶縁ガラス膜上に延設されており、前記素体接合電極層と前記金属膜との間には、第２の絶縁ガラス膜が設けられ、該第２の絶縁ガラス膜は、前記素体接合電極層表面のうち前記サーミスタ素体の端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に最も離間した位置に配される端部を除いて設けられ、前記金属膜は、前記第２の絶縁ガラス膜表面上，及び該第２の絶縁ガラス膜に覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように設けられていることを特徴とする。
【０００８】
このサーミスタ素子では、素体接合電極層表面のうち前記サーミスタ素体の端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に最も離間した位置に配される端部を除いて第２の絶縁ガラス膜が形成され、この第２の絶縁ガラス膜の表面及び第２の絶縁ガラス膜で覆われていない素体接合電極層の表面に金属膜が形成されているので、金属膜を形成する際に、めっき液の素体接合電極層への浸透を第２の絶縁ガラス膜により抑制し、サーミスタ素体と素体接合電極層との剥離発生を抑制することができる。また、サーミスタ素子をプリント回路基板等に実装する際の、ハンダ接合時の熱を素体接合電極層に伝達することを抑制することができる。これにより、前記熱によるサーミスタ素子の抵抗特性の変化を抑制することができる。
【００１３】
本発明のサーミスタ素子の製造方法は、端面と周面とを有し、周面の全面に第１の絶縁ガラス膜が設けられたサーミスタ素体の両端部に直接、素体接合電極層を形成する素体接合電極層形成工程と、前記サーミスタ素体の両端部に、前記素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜を形成する金属膜形成工程とを有するサーミスタ素子の製造方法であって、素体接合電極層形成工程においては、前記素体接合電極層が前記サーミスタ素体の端面上に形成されるとともにこの端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に向けて前記第１の絶縁ガラス膜上に延設されており、前記素体接合電極層表面のうち前記サーミスタ素体の端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に最も離間した位置に配される端部を除いて第２の絶縁ガラス膜を形成する第２絶縁ガラス膜形成工程を備え、前記金属膜形成工程は、前記絶縁ガラス膜表面上、及び該第２の絶縁ガラス膜で覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように金属膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
このサーミスタ素子の製造方法では、サーミスタ素体両端部に形成された素体接合電極層表面に一部を除いて絶縁ガラス膜を形成し、素体接合電極層の一部を露出させた状態としておき、その後、絶縁ガラス膜表面上，及び前記露出した素体接合電極層表面上に金属膜を形成することになる。これにより、素体接合電極層は、金属膜との接続部を確保するとともに、絶縁ガラス膜をその表面に備えることになる。従って、従来の機能を損なうことなく、金属膜形成時の素体接合電極層へのめっき液の浸透を抑制し、サーミスタ素体と素体接合電極層との剥離発生を抑制することができる。さらに、この絶縁ガラス膜により、サーミスタ素子をプリント回路基板等に実装する際のハンダ接合時の熱を、素体接合電極層に伝達することを抑制することができる。従って、前記熱による素体接合電極層の溶融が抑制され、前記実装時のサーミスタ素子の抵抗特性の変化を抑制することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るサーミスタ素子の第一実施形態を、図１を参照しながら説明する。
【００１６】
サーミスタ素子１０は、図１に示すように、対向する一組の端面１１ａと、それぞれ対向する上下面１１ｂ及び図示しない側面とで構成された略直方体状をなすサーミスタ素体１１を備え、このサーミスタ素体１１の上下面１１ｂ及び側面の全面には、スクリーン印刷で形成された第１の絶縁ガラス膜１２が設けられ、サーミスタ素体１１の両端部、すなわちサーミスタ素体両端面１１ａ全面から第１の絶縁ガラス膜１２の端面及び外表面の一部にかけた部分には、外部電極をなす端子電極１３が設けられている。ここで、サーミスタ素体１１は、例えば、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｕ（銅）等の遷移金属元素の酸化物を複数種用いて構成され、これを焼成することにより形成されるものである。
【００１７】
端子電極１３は、サーミスタ素体１１の前記両端部に直接形成された素体接合電極層１４と、素体接合電極層１４を覆うように設けられた金属膜１６とを備えている。金属膜１６は、素体接合電極層１４を覆うように設けられるとともに素体接合電極層１４と接続するめっき下地膜１７と、このめっき下地膜１７の表面上に設けられた金属めっき膜１９とを備えている。ここで、素体接合電極層１４は、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｕ／Ｐｔ合金のいずれかからなり、本実施の形態においては、Ａｇにより形成されている。また、めっき下地膜１７は、素体接合電極層１４と同一の材料の金属ペーストへのディップにより形成され、金属めっき膜１９は、めっき下地膜１７の表面上に設けられＮｉとされた第１の金属めっき膜１９ａと、この第１の金属めっき膜１９ａの表面上に設けられＳｎ又はＳｎ／Ｐｂとされた第２の金属めっき膜１９ｂとを備え、これら第１,第２の金属めっき膜１９ａ,１９ｂは、めっき処理により形成されたものである。
ここで、素体接合電極層１４と金属膜１６との間には、第２の絶縁ガラス膜１５が設けられ、この第２の絶縁ガラス膜１５は、素体接合電極層１４表面に一部を除いて設けられ、第２の絶縁ガラス膜１５表面及びこの第２の絶縁ガラス膜１５に覆われていない素体接合電極層１４表面に、金属膜１６が設けられた構成となっている。
【００１８】
ここで、素体接合電極層１４の前記一部は、第１の絶縁ガラス膜１２外表面に配され、サーミスタ素体１１の端面１１ａからサーミスタ素体１１の長手方向内方側に最も離間した位置に配される端部１８である。すなわち、第２の絶縁ガラス膜１５は、素体接合電極層１４表面のうち端部１８を除いて設けられた構成となっている。また、第２の絶縁ガラス膜１５は、サーミスタ素体１１の端面１１ａ表面に配された素体接合電極層１４表面の全面に渡って設けられた構成となっている。そして、この第２の絶縁ガラス膜１５表面上，及び素体接合電極層１４の端部１８表面上に、金属膜１６が設けられた構成となっている。この構成により、素体接合電極層１４は、金属膜１６に端部１８を介して接続する構成となる。
【００１９】
以上のように構成されたサーミスタ素子１０の製造方法について説明する。
まず、サーミスタ素体１１の上下面１１ｂ及び側面に第１の絶縁ガラス膜１２をスクリーン印刷で形成し、その後、Ａｇペーストへのディップ及び焼成によりサーミスタ素体１１の前記両端部に素体接合電極層１４を形成する。
【００２０】
そして、この素体接合電極層１４の端部１８を除く表面に、ガラス膜を接着コーティングして第２の絶縁ガラス膜１５を形成する。次に、この第２の絶縁ガラス膜１５表面上，及び素体接合電極層１４の端部１８の表面上に、Ａｇペーストへのディップにより、めっき下地膜１７を形成する。さらに、Ｎｉめっき処理と、Ｓｎ（錫）又はＳｎ／Ｐｂめっき処理とをこの順に順次施し、めっき下地膜１７表面を覆うように第１,第２の金属めっき膜１９ａ,１９ｂを順次形成し金属めっき膜１９を形成することにより、めっき下地膜１７と金属めっき膜１９とを備えた金属膜１６が得られサーミスタ素子１０が形成される。
【００２１】
以上説明したように、本実施形態によるサーミスタ素子及びその製造方法によれば、素体接合電極層１４表面のうち端部１８を除いて第２の絶縁ガラス膜１５を形成し、素体接合電極層１４の端部１８を露出させた状態としておき、その後、第２の絶縁ガラス膜１５表面上，及び露出した端部１８表面上に金属膜１６を形成することになる。これにより、素体接合電極層１４は、金属膜１６との接続を確保するとともに、第２の絶縁ガラス膜１５をその表面に備えることになる。従って、従来の機能を損なうことなく、金属膜１６形成時の素体接合電極層１４へのめっき液の浸透を抑制し、サーミスタ素体１１と素体接合電極層１４との剥離発生を抑制することができる。
【００２２】
また、素体接合電極層１４と金属膜１６との間には、第２の絶縁ガラス膜１５が形成されているため、サーミスタ素子１０をプリント回路基板等に実装する際の、ハンダ接合時の熱を素体接合電極層１４に伝達することを抑制し、前記熱によるサーミスタ素子１０の抵抗特性の変化を抑制することができる。さらに、第２の絶縁ガラス膜１５は、少なくともサーミスタ素体１１の両端面１１ａ上に配された素体接合電極層１４を被覆しているため、金属膜１６を形成する際に、素体接合電極層１４へのめっき液の浸透を確実に抑制し、前記剥離発生を確実に抑制することができる。
【００２３】
次に、本発明の第二実施形態について説明するが、前述の第一実施形態と同様の部位には、同一符号を付し、その説明を省略する。
本第二実施形態によるサーミスタ素子２０は、図２に示すように、サーミスタ素体１１の両端部に設けられた端子電極２３と、サーミスタ素体１１の下面１１ｂ及び側面に設けられスクリーン印刷で形成された第１の絶縁ガラス膜１２と、サーミスタ素体１１の上面１１ｂに設けられスクリーン印刷で形成された第２の絶縁ガラス膜２２と、サーミスタ素体１１の両端部に設けられた第３の絶縁ガラス膜２４とを備えている。
端子電極２３は、サーミスタ素体１１の両端１１ａ部において、サーミスタ素体１１の上面１１ｂに設けられスクリーン印刷で形成された素体接合電極層２１と、サーミスタ素体１１の両端１１ａ部を覆うように設けられた金属膜２５とを備えている。金属膜２５は、サーミスタ素体１１の両端１１ａ部を覆うように設けられためっき下地膜２８と、さらに、このめっき下地膜２８表面に設けられた金属めっき膜２９とを備えている。この金属めっき膜２９は、めっき下地膜２８の表面上に設けられＮｉとされた第１の金属めっき膜２９ａと、この第１の金属めっき膜２９ａの表面上に設けられＳｎ又はＳｎ／Ｐｂとされた第２の金属めっき膜２９ｂとを備えている。
【００２４】
ここで、第２の絶縁ガラス膜２２は、サーミスタ素体１１の上面１１ｂと、素体接合電極層２１の一部２７を除いた表面とに設けられている。また、第３の絶縁ガラス膜２４は、サーミスタ素体１１の両端面１１ａの全面から第１，第２の絶縁ガラス膜１２，２２外表面の一部にかけて設けられている。この第３の絶縁ガラス膜２４のうち、第２の絶縁ガラス膜２２外表面に設けられた部分は、素体接合電極層２１の一部２７のサーミスタ素体１１の長手方向に対する配設位置より、外方（端面１１ａ側）に位置するように配されている。すなわち、第３の絶縁ガラス膜２４は、素体接合電極層２１の一部２７を被覆していない構成となっている。
【００２５】
また、めっき下地膜２８は、第３の絶縁ガラス膜２４表面の全面と、素体接合電極層２１の一部２７表面とを覆うように設けられ、さらに、めっき下地膜２８を覆うように金属めっき膜２９が設けられた構成となっている。この構成により、素体接合電極層２１は、金属膜２５に前記一部２７を介して接続した構成となる。
【００２６】
以上のように構成されたサーミスタ素子２０によれば、素体接合電極層２１が、サーミスタ素体２０の上面１１ｂに形成されているため、スクリーン印刷法を適用し、素体接合電極層２１を形成することができる。これにより、サーミスタ素子を高効率に製造することができるため、容易に量産化対応することができる。
【００２７】
なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、サーミスタ素体の内部に、サーミスタ層を介して隔てられ積層された複数の内部電極が設けられ、前記サーミスタ素体の両端側にそれぞれ前記内部電極と接続する端子電極が設けられたサーミスタ素子においても適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法によれば、素体接合電極層は、金属膜との接続部を確保するとともに、絶縁ガラス膜をその表面に備えるので、従来の機能を損なうことなく、金属膜形成時の素体接合電極層へのめっき液の浸透を抑制することができる。従って、サーミスタ素体と素体接合電極層との剥離発生を抑制することができる。さらに、サーミスタ素子をプリント回路基板等に実装する際のハンダ接合時の熱を、素体接合電極層に伝達することを抑制することができるので、前記熱によるサーミスタ素子の抵抗特性の変化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る第一実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図２】 本発明に係る第二実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図３】 本発明に係る従来例において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【符号の説明】
１０，２０ サーミスタ素子
１１ サーミスタ素体
１１ａ サーミスタ素体の両端面
１１ｂ サーミスタ素体の上下面
１３，２３ 端子電極
１４，２１ 素体接合電極層
１５，２２ 第２の絶縁ガラス膜（絶縁ガラス膜）
１６，２５ 金属膜
１７，２８ めっき下地膜
１８ 素体接合電極層の端部（素体接合電極層表面の一部）
１９，２９ 金属めっき膜
２７ 素体接合電極層表面の一部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a thermistor element mounted on a printed circuit board, an electronic component or the like and a method for manufacturing the thermistor element.
[0002]
[Prior art]
In general, the thermistor element is used to detect the temperature of components of various electronic devices, such as crystal oscillators and batteries, and compensate for changes in the characteristics of the electronic devices and components. In recent years, there has been a strong demand for downsizing and high reliability of electronic devices, and accordingly, thermistor elements have high accuracy, for example, reduced resistance variation, connection reliability between external electrodes and thermistor body, etc. The demand is getting stronger. As the thermistor element, one having the structure shown in FIG. 3 is generally known.
[0003]
The thermistor element 1 includes a thermistor element body 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape, terminal electrodes 3 provided on both end surfaces 2a of the thermistor element body 2, and outer surfaces (side surfaces and upper surfaces) excluding both end surfaces 2a of the thermistor element body 2. And an insulating glass film 4 provided on the lower surface and formed by screen printing. Here, the terminal electrode 3 is provided on the surface of the both end faces 2a of the thermistor body 2 so as to cover the body bonding electrode layer 5 formed by dipping into the metal paste, and to cover the surface of the body bonding electrode layer 5 The metal film 6 is provided and formed by plating (see, for example, Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-170702
[Problems to be solved by the invention]
By the way, according to the conventional thermistor element, when the metal film 6 is formed on the surface of the element bonding electrode layer 5 in the terminal electrode 3, the plating solution is impregnated into the element bonding electrode layer 5. May permeate into the element bonding electrode layer 5, and peeling may occur at the interface between the end face 2 a portion of the thermistor element body 2 and the element bonding electrode layer 5. That is, there is a problem that the reliability of the connection between the thermistor element body 2 and the element bonding electrode layer 5 is low. In addition, when the thickness of the formed metal film 6 is insufficient, the element bonded electrode layer 5 may be melted by heat at the time of solder bonding when mounted on a printed circuit board or the like. . As a result, the resistance value of the thermistor element 1 rises, and there is a problem that a manufacturing defect occurs in which the resistance characteristic of the thermistor element 1 changes.
[0006]
The present invention has been made in consideration of such circumstances, and suppresses the occurrence of connection failure between the thermistor element body and the element bonding electrode layer, that is, has high reliability for the connection, and is a printed circuit. It is an object of the present invention to provide a thermistor element capable of suppressing the occurrence of manufacturing problems when mounted on a substrate or the like, and a method for manufacturing the thermistor element.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems and achieve such an object, the present invention proposes the following means.
The thermistor element of the present invention has an end surface and a peripheral surface, and terminal electrodes are respectively provided at both ends of the thermistor body in which the first insulating glass film is provided on the entire peripheral surface . A thermistor element comprising: an element bonded electrode layer formed directly on an end of the thermistor element; and a metal film that is at least partially connected to the element bonded electrode layer , wherein the element bonded electrode layer Is formed on the end face of the thermistor element body and extends from the end face toward the inner side in the longitudinal direction of the thermistor element body on the first insulating glass film. between the a layer metal film, the second insulating glass layer is provided, said second insulating glass layer, the thermistor body from an end face of the thermistor element of the element junction electrode layer surface At the farthest position inward in the longitudinal direction It provided except the end that, the metal film is provided to cover the second insulating glass layer on the surface, and the element bonding electrode layer on the surface not covered with the second insulating glass film It is characterized by being.
[0008]
In this thermistor element, the second insulating glass film is formed except for an end portion disposed at a position farthest from the end face of the thermistor element body to the inner side in the longitudinal direction of the thermistor element body on the surface of the element bonding electrode layer. There is formed, the metal film is formed on the surface of the second insulating glass film surface and a second is not covered with an insulating glass film body junction electrode layer, when forming the metal film, the penetration of the plating solution element bonding electrode layers was suppressed by the second insulating glass film, it is possible to suppress delamination of the thermistor element and the element bonding electrode layer. Further, it is possible to suppress the transfer of heat at the time of solder bonding to the element bonding electrode layer when the thermistor element is mounted on a printed circuit board or the like. Thereby, the change of the resistance characteristic of the thermistor element due to the heat can be suppressed.
[0013]
The method for manufacturing a thermistor element according to the present invention includes forming an element bonded electrode layer directly on both ends of a thermistor element having an end face and a peripheral face, and the first insulating glass film is provided on the entire peripheral face. A thermistor element manufacturing step, and a metal film forming step of forming a metal film at least partially connected to the element bonding electrode layer at both ends of the thermistor element. In the element bonding electrode layer forming step, the element bonding electrode layer is formed on the end face of the thermistor element body, and the end face faces inward in the longitudinal direction of the thermistor element body. 1 that extends on the insulating glass film 1 and is disposed at a position farthest from the end surface of the thermistor element body toward the inner side in the longitudinal direction of the thermistor element body, of the surface of the element body bonding electrode layer. the second insulating glass except A second insulating glass layer forming step of forming a film, the metal film forming step, the insulating glass layer on the surface, and the element bonding electrode layer on the surface which is not covered with the second insulating glass film A metal film is formed so as to cover it.
[0014]
In this method of manufacturing the thermistor element, an insulating glass film is formed on the surface of the element bonding electrode layer formed on both ends of the thermistor element body, and a part of the element bonding electrode layer is exposed. Thereafter, a metal film is formed on the surface of the insulating glass film and on the surface of the exposed element bonding electrode layer. Thereby, the element bonding electrode layer secures a connection portion with the metal film and includes an insulating glass film on the surface thereof. Accordingly, it is possible to suppress the penetration of the plating solution into the element bonding electrode layer during the formation of the metal film and to prevent the thermistor element from peeling off the element bonding electrode layer without impairing the conventional function. Furthermore, this insulating glass film can suppress the transfer of heat at the time of solder bonding when the thermistor element is mounted on a printed circuit board or the like to the element bonding electrode layer. Therefore, melting of the element bonded electrode layer due to the heat is suppressed, and a change in resistance characteristics of the thermistor element during the mounting can be suppressed.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a first embodiment of a thermistor element according to the present invention will be described with reference to FIG.
[0016]
As shown in FIG. 1, the thermistor element 10 includes a thermistor element body 11 having a substantially rectangular parallelepiped shape composed of a pair of opposed end faces 11 a, upper and lower faces 11 b and side faces (not shown). A first insulating glass film 12 formed by screen printing is provided on the entire upper and lower surfaces 11b and side surfaces of the element body 11, and the first end portion of the thermistor element body 11, that is, the entire surface of both end faces 11a of the thermistor element. A terminal electrode 13 serving as an external electrode is provided on the end surface of the insulating glass film 12 and a part of the outer glass surface. Here, the thermistor element body 11 is composed of, for example, a plurality of transition metal element oxides such as Mn (manganese), Co (cobalt), Cu (copper), and is formed by firing. Is.
[0017]
The terminal electrode 13 includes an element body bonding electrode layer 14 formed directly on the both end portions of the thermistor element body 11 and a metal film 16 provided so as to cover the element body bonding electrode layer 14. The metal film 16 is provided so as to cover the element bonding electrode layer 14 and is connected to the element bonding electrode layer 14, and a metal plating film 19 provided on the surface of the plating element film 17. It has. Here, the element bonded electrode layer 14 is made of, for example, Ag, Au, Pt, or an Au / Pt alloy, and is formed of Ag in the present embodiment. The plating base film 17 is formed by dipping a metal paste of the same material as the element bonding electrode layer 14, and the metal plating film 19 is a first Ni provided on the surface of the plating base film 17. Metal plating film 19a, and a second metal plating film 19b provided on the surface of the first metal plating film 19a and made of Sn or Sn / Pb. These first and second metal plating films 19a and 19b are formed by plating.
Here, a second insulating glass film 15 is provided between the element bonding electrode layer 14 and the metal film 16, and the second insulating glass film 15 is partially formed on the surface of the element bonding electrode layer 14. The metal film 16 is provided on the surface of the second insulating glass film 15 and on the surface of the element bonding electrode layer 14 that is not covered with the second insulating glass film 15.
[0018]
Here, the part of the element bonding electrode layer 14 is disposed on the outer surface of the first insulating glass film 12 and is most distant from the end surface 11a of the thermistor element 11 to the inner side in the longitudinal direction of the thermistor element 11. It is the edge part 18 distribute | arranged to a position. In other words, the second insulating glass film 15 has a configuration provided except for the end 18 on the surface of the element bonding electrode layer 14. Further, the second insulating glass film 15 is provided over the entire surface of the element bonding electrode layer 14 disposed on the surface of the end face 11 a of the thermistor element body 11. The metal film 16 is provided on the surface of the second insulating glass film 15 and the surface of the end portion 18 of the element bonding electrode layer 14. With this configuration, the element bonding electrode layer 14 is connected to the metal film 16 via the end 18.
[0019]
A method for manufacturing the thermistor element 10 configured as described above will be described.
First, a first insulating glass film 12 is formed on the upper and lower surfaces 11b and side surfaces of the thermistor body 11 by screen printing, and thereafter, element bonding electrodes are formed on both ends of the thermistor body 11 by dipping into Ag paste and firing. Layer 14 is formed.
[0020]
Then, a glass film is adhesively coated on the surface excluding the end 18 of the element bonding electrode layer 14 to form a second insulating glass film 15. Next, a plating base film 17 is formed on the surface of the second insulating glass film 15 and on the surface of the end portion 18 of the element bonding electrode layer 14 by dipping into an Ag paste. Further, Ni plating treatment and Sn (tin) or Sn / Pb plating treatment are sequentially performed in this order, and first and second metal plating films 19a and 19b are sequentially formed so as to cover the surface of the plating base film 17. By forming the plating film 19, the metal film 16 including the plating base film 17 and the metal plating film 19 is obtained, and the thermistor element 10 is formed.
[0021]
As described above, according to the thermistor element and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, the second insulating glass film 15 is formed on the surface of the element bonding electrode layer 14 except for the end 18, and the element bonding electrode is formed. The end portion 18 of the layer 14 is left exposed, and then the metal film 16 is formed on the surface of the second insulating glass film 15 and on the exposed end portion 18 surface. As a result, the element bonding electrode layer 14 secures the connection with the metal film 16 and includes the second insulating glass film 15 on the surface thereof. Therefore, the penetration of the plating solution into the element bonding electrode layer 14 when forming the metal film 16 is suppressed without impairing the conventional function, and the occurrence of peeling between the thermistor element 11 and the element bonding electrode layer 14 is suppressed. be able to.
[0022]
In addition, since the second insulating glass film 15 is formed between the element bonding electrode layer 14 and the metal film 16, the soldering when the thermistor element 10 is mounted on a printed circuit board or the like is performed. It is possible to suppress the transfer of heat to the element bonding electrode layer 14 and to suppress the change in resistance characteristics of the thermistor element 10 due to the heat. Further, since the second insulating glass film 15 covers at least the element bonding electrode layer 14 disposed on the both end faces 11a of the thermistor element 11, the element bonding is performed when the metal film 16 is formed. The penetration of the plating solution into the electrode layer 14 can be reliably suppressed, and the occurrence of peeling can be reliably suppressed.
[0023]
Next, although 2nd embodiment of this invention is described, the same code | symbol is attached | subjected to the site | part similar to above-mentioned 1st embodiment, and the description is abbreviate | omitted.
As shown in FIG. 2, the thermistor element 20 according to the second embodiment is formed by screen printing provided on the terminal electrodes 23 provided at both ends of the thermistor element body 11, the lower surface 11 b and the side surfaces of the thermistor element body 11. The first insulating glass film 12 formed, the second insulating glass film 22 formed on the upper surface 11b of the thermistor body 11 and formed by screen printing, and the third insulating glass film 22 provided on both ends of the thermistor body 11 And an insulating glass film 24.
The terminal electrode 23 covers the element bonding electrode layer 21 formed on the upper surface 11b of the thermistor element body 11 and formed by screen printing at both ends 11a of the thermistor element body 11, and both ends 11a of the thermistor element body 11. And a metal film 25 provided on the substrate. The metal film 25 includes a plating base film 28 provided so as to cover both ends 11 a of the thermistor element body 11, and a metal plating film 29 provided on the surface of the plating base film 28. The metal plating film 29 is provided on the surface of the plating base film 28 and is made of Ni. The metal plating film 29a is provided on the surface of the first metal plating film 29a, and Sn or Sn / Pb. The second metal plating film 29b is provided.
[0024]
Here, the second insulating glass film 22 is provided on the upper surface 11 b of the thermistor element body 11 and the surface excluding a part 27 of the element body bonding electrode layer 21. Further, the third insulating glass film 24 is provided from the entire end surfaces 11 a of the thermistor body 11 to a part of the outer surfaces of the first and second insulating glass films 12 and 22. Of the third insulating glass film 24, the portion provided on the outer surface of the second insulating glass film 22 is from the position of the part 27 of the element body bonding electrode layer 21 in the longitudinal direction of the thermistor body 11. It is arranged so as to be located outward (on the end face 11a side). That is, the third insulating glass film 24 is configured not to cover a part 27 of the element bonded electrode layer 21.
[0025]
The plating base film 28 is provided so as to cover the entire surface of the third insulating glass film 24 and a part 27 surface of the element bonding electrode layer 21, and further, a metal so as to cover the plating base film 28. The plating film 29 is provided. With this configuration, the element bonding electrode layer 21 is connected to the metal film 25 via the part 27.
[0026]
According to the thermistor element 20 configured as described above, since the element bonding electrode layer 21 is formed on the upper surface 11b of the thermistor element 20, the screen printing method is applied to the element bonding electrode layer 21. Can be formed. Thereby, since the thermistor element can be manufactured with high efficiency, it can be easily mass-produced.
[0027]
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, a thermistor element in which a plurality of internal electrodes separated and stacked via a thermistor layer are provided inside a thermistor element body, and terminal electrodes connected to the internal electrodes are provided on both ends of the thermistor element body, respectively. It is also applicable to.
[0028]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the thermistor element and the manufacturing method thereof according to the present invention, the element bonded electrode layer secures the connection portion with the metal film and has the insulating glass film on the surface thereof. Thus, it is possible to suppress the penetration of the plating solution into the element bonding electrode layer when forming the metal film without impairing the conventional function. Therefore, occurrence of peeling between the thermistor body and the body bonded electrode layer can be suppressed. Furthermore, since the heat at the time of soldering when mounting the thermistor element on a printed circuit board or the like can be suppressed from being transferred to the element bonding electrode layer, the resistance characteristic of the thermistor element is prevented from changing due to the heat. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a thermistor element in a first embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a thermistor element in a second embodiment according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a thermistor element in a conventional example according to the present invention.
[Explanation of symbols]
10, 20 Thermistor element 11 Thermistor element 11a Both end faces 11b of the thermistor element Upper and lower surfaces 13, 23 of the thermistor element Terminal electrodes 14, 21 Element bonding electrode layers 15, 22 Second insulating glass film (insulating glass film)
16, 25 Metal film 17, 28 Plating underlayer 18 End of element bonded electrode layer (part of element bonded electrode layer surface)
19, 29 Metal plating film 27 A part of the surface of the element bonded electrode layer

Claims (2)

端面と周面とを有し、周面の全面に第１の絶縁ガラス膜が設けられたサーミスタ素体の両端部に端子電極がそれぞれ設けられ、該端子電極は、前記サーミスタ素体の端部に直接形成された素体接合電極層と、該素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜とを備えたサーミスタ素子であって、前記素体接合電極層は、前記サーミスタ素体の端面上に形成されるとともにこの端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に向けて前記第１の絶縁ガラス膜上に延設されており、前記素体接合電極層と前記金属膜との間には、第２の絶縁ガラス膜が設けられ、該第２の絶縁ガラス膜は、前記素体接合電極層表面のうち前記サーミスタ素体の端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に最も離間した位置に配される端部を除いて設けられ、前記金属膜は、前記第２の絶縁ガラス膜表面上，及び該第２の絶縁ガラス膜に覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように設けられていることを特徴とするサーミスタ素子。Terminal electrodes are provided at both ends of a thermistor element body having an end face and a peripheral face, and the first insulating glass film is provided on the entire peripheral face, and the terminal electrodes are end parts of the thermistor element body. A thermistor element comprising: an element body bonding electrode layer formed directly on the element body; and a metal film that is at least partially connected to the element body bonding electrode layer, the element body bonding electrode layer comprising: Formed on the end face and extending from the end face toward the inner side in the longitudinal direction of the thermistor body, on the first insulating glass film, and between the body-joined electrode layer and the metal film between, the second insulating glass layer is provided, said second insulating glass film, in the longitudinal direction inner side of the thermistor body from an end face of the thermistor element of the element junction electrode layer surface provided except the end that is disposed farthest position The metal film is a thermistor, characterized in that is provided so as to cover the second insulating glass layer on the surface, and the element bonding electrode layer on the surface not covered with the second insulating glass film element. 端面と周面とを有し、周面の全面に第１の絶縁ガラス膜が設けられたサーミスタ素体の両端部に直接、素体接合電極層を形成する素体接合電極層形成工程と、前記サーミスタ素体の両端部に、前記素体接合電極層と少なくとも一部が接続する金属膜を形成する金属膜形成工程とを有するサーミスタ素子の製造方法であって、素体接合電極層形成工程においては、前記素体接合電極層が前記サーミスタ素体の端面上に形成されるとともにこの端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に向けて前記第１の絶縁ガラス膜上に延設されており、前記素体接合電極層表面のうち前記サーミスタ素体の端面から前記サーミスタ素体の長手方向内方側に最も離間した位置に配される端部を除いて第２の絶縁ガラス膜を形成する第２絶縁ガラス膜形成工程を備え、前記金属膜形成工程は、前記絶縁ガラス膜表面上、及び該第２の絶縁ガラス膜で覆われていない前記素体接合電極層表面上を覆うように金属膜を形成することを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。An element bonding electrode layer forming step of directly forming an element bonding electrode layer on both ends of a thermistor element body having an end surface and a peripheral surface, the first insulating glass film being provided on the entire peripheral surface ; A thermistor element manufacturing method, comprising: a metal film forming step of forming a metal film at least partially connected to the element bonded electrode layer at both ends of the thermistor element, the element bonded electrode layer forming step The element bonding electrode layer is formed on the end face of the thermistor element body and extends from the end face toward the inner side in the longitudinal direction of the thermistor element body on the first insulating glass film. by which, the second insulating glass layer except for the end that is located nearest to a location spaced longitudinally inward of the thermistor body from an end face of the thermistor element of the element junction electrode layer surface the second insulating glass film formed engineering of forming Wherein the metal film forming step, characterized by forming the insulating glass layer on the surface, and the metal film so as to cover the element bonding electrode layer on the surface which is not covered with the second insulating glass film A method for manufacturing a thermistor element.

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