JP2004245747A

JP2004245747A - センサ装置

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Publication number: JP2004245747A
Application number: JP2003037444A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Sumi; 智明角
Original assignee: Aisin Seiki Co Ltd
Current assignee: Aisin Corp
Priority date: 2003-02-14
Filing date: 2003-02-14
Publication date: 2004-09-02
Anticipated expiration: 2023-02-14
Also published as: JP4352715B2

Abstract

【課題】製造工数及び製造コストを増大することなく、信号端子に形成される酸化膜を抑制することができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】オペレーションアンプ１７は、プラス入力端子に基準電位が印加されるとともにマイナス入力端子に荷重センサ１３の検出電位が印加され、出力端子が抵抗Ｒ２を介してハイレベルとなる第１電源線１４に接続されている。ＰＮＰトランジスタ１８は、エミッタが第１電源線１４に接続され、コレクタが信号端子ＣＮ３，ＣＮ５に接続され、ベースがオペアンプ１７の出力端子及び抵抗Ｒ２の接続部Ｃ３に接続されている。検出用抵抗２０は、一端が信号端子ＣＮ３，ＣＮ５に接続されるとともに、他端がローレベルとなる第２電源線１５に接続されている。抵抗Ｒ５は、第１電源線１４及び信号端子ＣＮ３を接続する。信号端子ＣＮ３の電位は、オペアンプ１７のプラス入力端子に負帰還されている。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、センサ装置としては、例えば特許文献１に記載されたものが知られている。図３は、このセンサ装置を示す回路図である。このセンサ装置は、通常動作状態では、出力トランジスタＱはベースに印加されるセンサの検出電位に応じてコレクタ−エミッタ間を流れる電流を増減する。これに伴い、抵抗Ｒ９２の電圧降下が変化して信号出力端子９１の電位が増減し、これに接続された変換器９６の抵抗Ｒ９４の電圧降下を変化させる。このセンサの検出電位に応じた抵抗Ｒ９４の電圧降下に基づき、監視対象の状態が検出されるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−１０７２９２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このセンサ装置において、センサの検出電位に応じて信号出力端子９１の電位が所定電位となるよう、出力トランジスタＱの制御端子の前段にオペレーションアンプを設ける。そして、オペレーションアンプと出力トランジスタＱとにより負帰還を行い監視対象の状態を検出する構成とした場合、例えば電源端子９３，９４間の開放（断線）を検出しうるように、抵抗Ｒ９４の抵抗値を１００ｋΩ以上と大きく設定する方法が一方法として取られる。
【０００５】
このような構成において、電源端子９３，９４間が開放（断線）すると、出力トランジスタＱのエミッタがＧＮＤから開放されてオフ状態となる。その結果、信号出力端子９１の電位は抵抗Ｒ９３及び抵抗Ｒ９４の合成抵抗と、抵抗Ｒ９１との分圧比により決定される。このとき、抵抗Ｒ９４の電圧降下が通常動作状態で発生しうる電圧上限よりも大きくなるように、抵抗Ｒ９１に対して抵抗Ｒ９４の抵抗値を十分に大きく設定することによって、電源端子９３，９４間の開放（断線）が検出可能となる。しかしながら、この場合、例えば電源電圧Ｅが５Ｖとして信号出力端子９１から信号入力端子９２への出力電流は、０．０５ｍＡ（≒５Ｖ／１００ｋΩ）以下と小さくなる。そして、これら信号出力端子９１及び信号入力端子９２が汎用の銅に錫メッキされた端子である場合には、電流が小さいためにこれら信号出力端子９１及び信号入力端子９２に形成される酸化膜を電流によって破砕することが困難となる。あるいは、この酸化膜の対策としてこれら信号出力端子９１及び信号入力端子９２に金メッキを施す必要性が生じ、製造工数及び製造コストの増大を余儀なくされている。
【０００６】
本発明の目的は、製造工数及び製造コストを増大することなく、信号端子に形成される酸化膜を抑制することができるセンサ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、第１入力端子に基準電位が印加されるとともに第２入力端子にセンサの検出電位が印加され、出力が第１抵抗を介してハイレベルとなる第１電源線に接続されたオペレーションアンプと、第１端子が前記第１電源線に接続され、第２端子が信号端子に接続され、制御端子が前記オペレーションアンプの出力と前記第１抵抗の接続部に接続されたスイッチング素子と、一端が前記信号端子に接続されるとともに、他端がローレベルとなる第２電源線に接続された検出用抵抗と、前記第１電源線及び前記信号端子を接続する第２抵抗とを備え、前記信号端子の電位が、前記オペレーションアンプの第１入力端子に負帰還されたことを要旨とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のセンサ装置において、前記検出用抵抗の他端は、電源端子を介して前記第２電源線に接続されたことを要旨とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のセンサ装置において、前記信号端子と前記検出用抵抗の一端との間に断線が生じることで、該検出用抵抗を流れる電流が零になって該検出用抵抗の電圧降下が零になり、該信号端子と該検出用抵抗の一端との間の断線が検出されることを要旨とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載のセンサ装置において、前記第２抵抗は、制御端子が前記第２電源線に接続された通常オンの断線検出用スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されたことを要旨とする。
【００１１】
（作用）
請求項１に記載の発明によれば、上記スイッチング素子のオン状態では、前記オペレーションアンプの第２入力端子に印加される前記センサの検出電位の変量に応じて該オペレーションアンプの出力が変化すると、これに基づき前記第１抵抗の電圧降下が変化する。そして、第１抵抗の電圧降下の変化に基づき前記スイッチング素子の第１端子及び第２端子間を流れる電流量が変化すると、該電流量変化に基づく前記検出用抵抗の電圧降下の変化により前記センサによる監視対象の状態が検出される。このとき、上記信号端子の電位がオペレーションアンプの第１入力端子に負帰還されることでその検出に前記第２抵抗の影響を受けることはない。
【００１２】
このスイッチング素子のオン状態では、上記検出用抵抗には信号端子の電位とその抵抗値に応じた量の電流が流れる。従って、検出用抵抗の抵抗値を小さく設定しておくことで、同検出用抵抗即ち前記信号端子には大きな電流が流れる。この大きな電流により、信号端子に形成される酸化膜は破砕される。
【００１３】
一方、上記スイッチング素子のオフ状態では、上記検出用抵抗には第２抵抗及び検出用抵抗の合成抵抗値に応じた量の電流が流れる。従って、検出用抵抗の抵抗値を小さく設定しておくことで、同検出用抵抗即ち前記信号端子には大きな電流が流れる。この大きな電流により、信号端子に形成される酸化膜は破砕される。
【００１４】
以上により、信号端子に形成される酸化膜を大電流により破砕することができ、同信号端子に金メッキを施すなどの工程も不要とされる。
請求項２に記載の発明によれば、前記信号端子と同様に電源端子にも大きな電流が流れる。従って、電源端子に形成される酸化膜を大電流により破砕することができ、同電源端子に金メッキを施すなどの工程も不要とされる。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、上記信号端子と検出用抵抗の一端との間の断線が検出されることで不具合に対する早期対応が可能となる。
請求項４に記載の発明によれば、前記第２電源線に断線が生じることで上記断線検出用スイッチング素子がオフし、検出用抵抗を流れる電流が零になって該検出用抵抗の電圧降下が零になる。これに基づき、第２電源線の断線を検出することで不具合に対する早期対応が可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１及び図２に従って説明する。
図１に示すように、センサ装置１０は、センサユニット１１と、電子制御ユニット１２とを備えている。
【００１７】
センサユニット１１は、センサとしての荷重センサ１３を備えている。この荷重センサ１３はストレーン・ゲージ歪ゲージであって、検出しようとする荷重によって撓み変形する図示しない起歪体上に形成されている。荷重センサ１３は、４個のストレーン・ゲージＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４を備えている。なお、各ストレーン・ゲージＧ１〜Ｇ４の抵抗値は起歪体に加わる荷重が「０」であるときには全て同じであって例えば数百Ωである。各ストレーン・ゲージＧ１〜Ｇ４の抵抗値は、加わった荷重の大きさに応じた起歪体の撓み変形量に対応して変化するようになっている。
【００１８】
ストレーン・ゲージＧ１及びストレーン・ゲージＧ２、ストレーン・ゲージＧ３及びストレーン・ゲージＧ４はそれぞれ直列接続されている。これら直列接続されたストレーン・ゲージＧ１，Ｇ２と、ストレーン・ゲージＧ３，Ｇ４とは並列接続されている。そして、ストレーン・ゲージＧ１，Ｇ３が接続される一端は、第１電源線１４に接続されている。この第１電源線１４は、センサユニット１１が備える一方の電源端子ＣＮ１に接続されている。この電源端子ＣＮ１は、汎用の銅に錫メッキされた端子である。第１電源線１４は、外部電源と接続されることでハイレベル（例えば５Ｖ）の基準電位Ｖｃｃに設定される。一方、ストレーン・ゲージＧ２，Ｇ４が接続される他端は、第２電源線１５に接続されている。この第２電源線１５は、センサユニット１１が備える他方の電源端子ＣＮ２に接続されている。この電源端子ＣＮ２は、汎用の銅に錫メッキされた端子である。第２電源線１５は、外部電源と接続されることでローレベル（例えば０Ｖ）の電位ＧＮＤに設定される。従って、外部電源と接続されることで、第１及び第２電源線１４，１５間に電圧Ｖｃｃが印加される。
【００１９】
ここで、ストレーン・ゲージＧ１，Ｇ２の接続部Ｃ１の電位は、起歪体に加わった荷重の大きさに応じて変化する両ストレーン・ゲージＧ１，Ｇ２の抵抗値で第１及び第２電源線１４，１５間の電圧（Ｖｃｃ）を分圧した電位となる。同様に、ストレーン・ゲージＧ３，Ｇ４の接続部Ｃ２の電位は、起歪体に加わった荷重の大きさに応じて変化する両ストレーン・ゲージＧ３，Ｇ４の抵抗値で第１及び第２電源線１４，１５間の電圧（Ｖｃｃ）を分圧した電位となる。従って、これら接続部Ｃ１，Ｃ２の電位は、起歪体に加わる荷重が「０」であるときには基準電位Ｖｃｃの半分の電位Ｖｃｃ／２となる。また、起歪体に加わる荷重が「０」から増大する（起歪体に圧縮荷重が作用する状態）ほど接続部Ｃ１の電位は電位Ｖｃｃ／２からより大きくなるとともに接続部Ｃ２の電位は電位Ｖｃｃ／２からより小さくなる。反対に、起歪体に加わる荷重が「０」から減少する（起歪体に引っ張り荷重が作用する状態）ほど接続部Ｃ１の電位は電位Ｖｃｃ／２からより小さくなるとともに接続部Ｃ２の電位は電位Ｖｃｃ／２からより大きくなる。接続部Ｃ１，Ｃ２の各電位は、予め設定されている検出範囲の荷重に対して、Ｖｃｃ／２から例えば数ｍＶの所定範囲で変化する。ここで、荷重検出範囲は、荷重センサ１３によってある程度以上の検出精度で検出することができる荷重範囲であって、起歪体に加わる負の荷重（引っ張り荷重）から正の荷重（圧縮荷重）までの荷重範囲である。
【００２０】
さらに、センサユニット１１は、増幅回路１６と、オペレーションアンプ１７と、スイッチング素子としてのＰＮＰトランジスタ１８と、断線検出用スイッチング素子としてのＰＮＰトランジスタ１９とを備えている。そして、上記接続部Ｃ１，Ｃ２は、それぞれ増幅回路１６に接続されている。増幅回路１６は、起歪体に作用する荷重に応じた接続部Ｃ１，Ｃ２間の電圧を所定増幅率にて増幅し、荷重センサ１３の検出電位として出力する。なお、増幅回路１６の出力（検出電位）は、接続部Ｃ１，Ｃ２間の電圧の極性（正負）に対応した極性を有する。
【００２１】
オペレーションアンプ１７は、その第１入力端子としてのプラス入力端子に基準電位Ｖｃｃが入力されており、第２入力端子としてのマイナス入力端子に前記増幅回路１６が接続されて検出電位が入力されている。そして、オペレーションアンプ１７の出力端子は、抵抗Ｒ１を介してＰＮＰトランジスタ１８の制御端子としてのベースに接続されている。また、抵抗Ｒ１及びＰＮＰトランジスタ１８（ベース）の接続部Ｃ３は、第１抵抗としての抵抗Ｒ２を介して第１電源線１４に接続されている。
【００２２】
ＰＮＰトランジスタ１８の第１端子としてのエミッタは上記第１電源線１４に接続されており、第２端子としてのコレクタは抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４を介して第２電源線１５と接続されている。そして、抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４の接続部Ｃ４は、抵抗Ｒ６を介してオペレーションアンプ１７のプラス入力端子に接続され、その電位が負帰還されている。従って、上記検出電位に応じてオペレーションアンプ１７の出力が変動すると、抵抗Ｒ２の電圧降下が変化してＰＮＰトランジスタ１８のベースの電位（エミッタ−ベース間の電圧）が変化する。これにより、ＰＮＰトランジスタ１８のオン状態において、エミッタ−コレクタ間の電圧が変化し、この間を流れる電流が増減される。なお、抵抗Ｒ４は、例えば１００ｋΩ程度の比較的大きな抵抗値を有している。
【００２３】
ＰＮＰトランジスタ１９の制御端子としてのベースは第２電源線１５に接続されている。そして、ＰＮＰトランジスタ１９のエミッタは第１電源線１４に接続されており、コレクタは第２抵抗としての抵抗Ｒ５を介して上記接続部Ｃ４に接続されている。従って、このＰＮＰトランジスタ１９は、常にオン状態となっている。なお、抵抗Ｒ５は、例えば１１ｋΩ程度の比較的小さな抵抗値を有している。既述のように、接続部Ｃ４の電位は抵抗Ｒ６を介してオペレーションアンプ１７のプラス入力端子に負帰還されているため、ＰＮＰトランジスタ１８のオン状態においてこの電位が抵抗Ｒ５の影響を受けることはない。
【００２４】
上記接続部Ｃ４は、外部回路（電子制御ユニット１２）との接続用の信号端子としての信号出力端子ＣＮ３と接続されている。この信号出力端子ＣＮ３も、汎用の銅に錫メッキされた端子である。
【００２５】
前記電子制御ユニット１２は、電源端子ＣＮ４と、信号端子としての信号入力端子ＣＮ５と、これら電源端子ＣＮ４及び信号入力端子ＣＮ５を接続する検出用抵抗２０と、Ａ／Ｄコンバータを備えている。検出用抵抗２０は、例えば１ｋΩ程度の小さな抵抗値を有している。また、これら電源端子ＣＮ４及び信号入力端子ＣＮ５は、汎用の銅に錫メッキされた端子である。そして、電源端子ＣＮ２，ＣＮ４は、ハーネスを構成する一方の接続線Ｗ１を介して接続されている。また、信号出力端子ＣＮ３及び信号入力端子ＣＮ５は、ハーネスを構成する他方の接続線Ｗ２を介して接続されている。
【００２６】
次に、このセンサ装置１０の動作について説明する。
まず、オペレーションアンプ１７のマイナス入力端子に正の検出電位が入力されたとする。このとき、オペレーションアンプ１７の出力が低下する。これに伴い、抵抗Ｒ２の電圧降下が大きくなり、ＰＮＰトランジスタ１８のエミッタ−ベース間の電圧が増加する。これにより、ＰＮＰトランジスタ１８のオン状態において、エミッタ−コレクタ間の電圧が小さくなり、この間を流れる電流（コレクタ電流）が増加して信号出力端子ＣＮ３の電位が増加する。
【００２７】
反対に、オペレーションアンプ１７のマイナス入力端子に負の検出電位が入力されたとする。このとき、オペレーションアンプ１７の出力が増加する。これに伴い、抵抗Ｒ２の電圧降下が小さくなり、ＰＮＰトランジスタ１８のエミッタ−ベース間の電圧が低下する。これにより、ＰＮＰトランジスタ１８のオン状態において、エミッタ−コレクタ間の電圧が大きくなり、この間を流れる電流（コレクタ電流）が減少して信号出力端子ＣＮ３の電位が低下する。
【００２８】
以上の信号出力端子ＣＮ３の電位変化により、検出用抵抗２０で検出電位に応じた電圧降下が生じる。この検出用抵抗２０の電圧降下（出力信号）により、電子制御ユニット１２において荷重センサ１３による監視対象の状態が検出されるようになっている。
【００２９】
図２は、荷重センサ１３による荷重検出範囲での出力信号（検出用抵抗２０の電圧降下）の変化を示すグラフである。同図に示すように、この荷重検出範囲では、出力信号は荷重の変化に比例するリニア特性を示す。この荷重検出範囲に対応する出力信号の範囲（荷重信号範囲）は、例えば０．５〜４．５Ｖの範囲となっている。なお、抵抗Ｒ４に比べて検出用抵抗２０の抵抗値が十分に小さいことから、ＰＮＰトランジスタ１８のオン状態では、信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５、検出用抵抗２０へと数ｍＡ程度（≒５Ｖ／数ｋΩ）の電流が流れる。このように、信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５を流れる電流が大きくなることで、これら端子に形成される酸化膜は電流によって破砕される。
【００３０】
また、ＰＮＰトランジスタ１８のオフ状態でも、電源端子ＣＮ１、トランジスタのコレクタ、エミッタ、抵抗Ｒ５を介して信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５、検出用抵抗２０へと０．４ｍＡ程度（≒５Ｖ／（１１＋１）ｋΩ）の電流が流れる。この場合も、電源端子ＣＮ２，ＣＮ４、信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５を流れる電流が大きくなることで、これら端子に形成される酸化膜は電流によって破砕される。なお、ＰＮＰトランジスタ１８のオフ状態における検出用抵抗２０の電圧降下（０．４Ｖ）は、荷重センサ１３による荷重検出範囲での同電圧降下（０．５〜４．５Ｖ）に含まれていない。
【００３１】
さらに、例えば接続線Ｗ１（第２電源線１５）が断線したとすると、これにベースが接続されたＰＮＰトランジスタ１９はオフ状態になる。このとき、検出用抵抗２０を流れる電流が零になってその電圧降下は０Ｖ程度に著しく低下し、その異常が検出されるようになっている。また、例えば接続線Ｗ２が断線したとすると、同様に検出用抵抗２０の電圧降下は０Ｖ程度に著しく低下し、その異常が検出されるようになっている。更に、接続線Ｗ３が断線すると電圧供給ができなくなり、第１電源線１４が０Ｖになり、同様に検出用抵抗２０の電圧降下は０Ｖ程度に著しく低下することにより、断線異常が検出されるようになっている。
【００３２】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られるようになる。
（１）本実施形態では、ＰＮＰトランジスタ１８のオン状態では、１ｋΩ程度に小さく設定された抵抗値を有する検出用抵抗２０には、数ｍＡ程度の大きな電流が流れる。すなわち、信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５、検出用抵抗２０には同様の大きな電流が流れる。この大きな電流により、これら信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５に形成される酸化膜は破砕される。
【００３３】
一方、ＰＮＰトランジスタ１８のオフ状態では、検出用抵抗２０には、抵抗Ｒ５及び検出用抵抗２０の合成抵抗値に応じた０．４ｍＡ程度の大きな電流が流れる。すなわち、信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５、検出用抵抗２０には同様の大きな電流が流れる。この大きな電流により、これら信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５に形成される酸化膜は破砕される。また、電源端子ＣＮ６，ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ４にはセンサユニット１１の回路部、ストレーン・ゲージＧ１〜Ｇ４の歪ゲージ部の抵抗値が小さく大電流が流れることにより、電源端子ＣＮ６，ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ４に形成される酸化膜は破砕される。
【００３４】
以上により、これら信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５、電源端子ＣＮ６，ＣＮ１及び電源端子ＣＮ４，ＣＮ２に形成される酸化膜を大電流により破砕することができ、これらに金メッキを施すなどの工程及びメッキによるコストアップも不要にできる。
【００３５】
（２）本実施形態では、接続線Ｗ２の断線（信号出力端子ＣＮ３、信号入力端子ＣＮ５と検出用抵抗２０の一端との間の断線）が検出されることで不具合に対する早期対応が可能となる。
【００３６】
（３）本実施形態では、第２電源線１５の断線を検出することで不具合に対する早期対応が可能となる。
なお、本発明の実施の形態は上記実施形態に限定されるものではなく、次のように変更してもよい。
【００３７】
・前記実施形態においては、スイッチング素子としてＰＮＰトランジスタ１８を採用したが、例えばＰ型ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を採用してもよい。
・前記実施形態においては、断線検出用スイッチング素子としてＰＮＰトランジスタ１９を採用したが、例えばＰ型ＦＥＴを採用してもよい。
【００３８】
・前記実施形態において、増幅回路１６を割愛して荷重センサ１３からの信号をそのまま検出電位としてオペレーションアンプ１７のマイナス入力端子に入力してもよい。
【００３９】
・前記実施形態では、荷重検出範囲において出力信号がリニア特性を示すようにしたが、その他の特性を示すようにしてもよい。
・前記実施形態においては、荷重センサとして、荷重に応じて抵抗値が変化するものを採用したが、例えば荷重に応じて静電容量が変化するものを採用してもよい。
【００４０】
・前記実施形態において、センサは、荷重センサ１３に限らず、トルク・メータ、圧力センサ、加速度センサ等のストレーン・ゲージ式センサであってもよい。
【００４１】
・前記実施形態において、ストレーン・ゲージは、線歪ゲージ、圧膜抵抗体歪ゲージ、箔歪ゲージ、半導体歪ゲージ等のいずれの形態であってもよい。
・前記実施形態において、センサは、直列接続された一対のストレーン・ゲージのみを備えたものであってもよい。
【００４２】
・前記実施形態における回路構成は一例であって、本発明を逸脱しない範囲で適宜の構成を採用してもよい。
次に、以上の実施形態から把握することができる技術的思想を、その効果とともに以下に記載する。
【００４３】
（イ）請求項１〜４のいずれかに記載のセンサ装置において、前記スイッチング素子のオン状態では、前記検出用抵抗の電圧降下は前記センサの検出電位の変量に対しリニアに変化することを特徴とするセンサ装置。
【００４４】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１乃至４に記載の発明によれば、製造工数を増大することなく、信号端子に形成される酸化膜を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す回路図。
【図２】同実施形態の荷重と出力信号との関係を示すグラフ。
【図３】従来形態を示す回路図。
【符号の説明】
１３センサとしての荷重センサ
１４第１電源線
１５第２電源線
１７オペレーションアンプ
１８スイッチング素子としてのＰＮＰトランジスタ
１９断線検出用スイッチング素子としてのＰＮＰトランジスタ
２０検出用抵抗
ＣＮ２，ＣＮ４電源端子
ＣＮ３信号端子としての信号出力端子
ＣＮ５信号端子としての信号入力端子
Ｒ２第１抵抗としての抵抗
Ｒ５第２抵抗としての抵抗

Claims

第１入力端子に基準電位が印加されるとともに第２入力端子にセンサの検出電位が印加され、出力が第１抵抗を介してハイレベルとなる第１電源線に接続されたオペレーションアンプと、
第１端子が前記第１電源線に接続され、第２端子が信号端子に接続され、制御端子が前記オペレーションアンプの出力と前記第１抵抗の接続部に接続されたスイッチング素子と、
一端が前記信号端子に接続されるとともに、他端がローレベルとなる第２電源線に接続された検出用抵抗と、
前記第１電源線及び前記信号端子を接続する第２抵抗とを備え、
前記信号端子の電位が、前記オペレーションアンプの第１入力端子に負帰還されたことを特徴とするセンサ装置。
請求項１に記載のセンサ装置において、
前記検出用抵抗の他端は、電源端子を介して前記第２電源線に接続されたことを特徴とするセンサ装置。
請求項１又は２に記載のセンサ装置において、
前記信号端子と前記検出用抵抗の一端との間に断線が生じることで、該検出用抵抗を流れる電流が零になって該検出用抵抗の電圧降下が零になり、該信号端子と該検出用抵抗の一端との間の断線が検出されることを特徴とするセンサ装置。
請求項１〜３のいずれかに記載のセンサ装置において、
前記第２抵抗は、制御端子が前記第２電源線に接続された通常オンの断線検出用スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されたことを特徴とするセンサ装置。