JP2004221548A

JP2004221548A - Film carrier tape for electronic mounting and its manufacturing method

Info

Publication number: JP2004221548A
Application number: JP2003407541A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Kataoka; 龍男片岡; Yoshiichi Akashi; 芳一明石
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 2002-12-26
Filing date: 2003-12-05
Publication date: 2004-08-05
Anticipated expiration: 2023-12-05
Also published as: JP3743517B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film carrier tape for electronic mounting which is excellent in migration resistance and adhesiveness between the insulator film and the wiring, and its manufacturing method. <P>SOLUTION: This film carrier tape for electronic component mounting has: (1) a seed layer 16 comprising a zinc layer formed on the treated surface of an insulator film 12 and a nickel-based metal layer formed on the surface of the zinc layer, (2) a seed layer 16 comprising an alloy layer which is made of an alloy containing specified amounts of nickel and aluminum and is formed on the treated surface of the insulator film 12, or (3) a continuous zinc coating layer containing zinc over at least a part of a region extending from the edges at width direction of wiring 14 to the surface of the insulator film 12. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

本発明は、絶縁フィルム上に導体配線パターンが形成された電子部品実装用フィルムキャリアテープ（ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、Ｔ−ＢＧＡ（Tape Ball Grid
Array）テープ、ＣＳＰ(Chip Size Package)テープ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）テープ、ＣＯＦ（Chip on Film）テープ、２メタル（両面配線）テープ、多層配線用テープなど）（以下、単に「電子部品実装用フィルムキャリアテープ」という。）およびその製造方法に関する。特に本発明は、表面処理された絶縁フィルムと、絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層とシード層の表面に形成された電解銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、耐マイグレーション性および絶縁フィルムと配線との接着性がともに優れた電子部品実装用フィルムキャリアテープおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic component mounting film carrier tape (TAB (Tape Automated Bonding) tape, T-BGA (Tape Ball Grid)) having a conductor wiring pattern formed on an insulating film.
Array) tape, CSP (Chip Size Package) tape, ASIC (Application Specific Integrated Circuit) tape, COF (Chip on Film) tape, 2-metal (double-sided wiring) tape, multilayer wiring tape, etc.) Mounting film carrier tape ") and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a film carrier for mounting electronic components, comprising a surface-treated insulating film, and a wiring comprising a seed layer formed on a surface-treated surface of the insulating film and an electrolytic copper layer formed on the surface of the seed layer. The present invention relates to a film carrier tape for mounting electronic components, which is a tape having excellent migration resistance and excellent adhesion between an insulating film and a wiring, and a method of manufacturing the same.

エレクトロニクス産業の分野では、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの電子部品を実装するプリント配線板が用いられているが、昨今の電子機器には、例えば携帯電話に代表されるように、電子機器の小型軽量化、高機能化、高信頼性、低価格化などが要望されている。 In the field of the electronics industry, printed wiring boards on which electronic components such as ICs (integrated circuits) and LSIs (large-scale integrated circuits) are mounted are used. However, recent electronic devices are represented by, for example, mobile phones. Thus, there is a demand for smaller and lighter electronic devices, higher functionality, higher reliability, lower cost, and the like.

このような電子機器の小型軽量化などの特性を実現するための電子部品実装方法として、ＴＡＢテープのような電子部品実装用フィルムキャリアテープにデバイスを実装することが行われている。このような電子部品実装用フィルムキャリアテープは、ポリイミドなどの絶縁フィルムにエポキシなどの樹脂接着剤を介して銅箔などの導電性金属箔を貼着し、この導電性金属箔の表面に感光性樹脂を塗布して所望の配線パターンを得るように露光を行い現像した後、この樹脂の感光部分または非感光部分をマスキング材として導電性金属箔をエッチングして配線を形成することにより製造されている。 As a method for mounting electronic components to realize such characteristics as reduction in size and weight of electronic devices, mounting devices on a film carrier tape for mounting electronic components such as a TAB tape has been performed. Such a film carrier tape for mounting electronic components has a conductive metal foil such as a copper foil adhered to an insulating film such as a polyimide via a resin adhesive such as an epoxy, and the photosensitive metal foil has a photosensitive surface. It is manufactured by applying a resin and exposing and developing so as to obtain a desired wiring pattern, and then forming a wiring by etching a conductive metal foil using a photosensitive portion or a non-photosensitive portion of the resin as a masking material. I have.

従来は、一般的に製造方法が簡単で、低コストで製造することができるためにこのような絶縁フィルム層−樹脂接着剤層−導電性金属層からなる３層フレキシブル基板の使用が主流を占めていた。 Conventionally, the use of such a three-layer flexible substrate composed of an insulating film layer, a resin adhesive layer, and a conductive metal layer occupies the mainstream because the manufacturing method is generally simple and can be manufactured at low cost. I was

しかしながら、上記したように電子機器の小型軽量化が進む中で、電子部品の高密度実装が要望され、このため電子部品実装用フィルムキャリアテープの配線幅も狭ピッチのものが求められるようになってきている。そして前記のＴＡＢテープのような３層フレキシブル基板の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、このような要望に対応できなくなりつつある。 However, as described above, as electronic devices become smaller and lighter, high-density mounting of electronic components is demanded, and therefore, a wiring pitch of a film carrier tape for mounting electronic components is also required to have a narrow pitch. Is coming. A film carrier tape for mounting electronic components on a three-layer flexible substrate, such as the above-mentioned TAB tape, is no longer able to meet such demands.

すなわち、絶縁フィルム上に形成した銅箔層を所望の配線パターンにしたがいエッチングして配線を形成する際に、配線の側面がフォトレジストのマスクから裾広がりにエッチングされるために配線の断面形状が裾広がりの台形になりやすく、配線間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行った後の配線ピッチ幅が広くなり過ぎてしまうために、従来一般的に使用されているたとえば３５μｍ程度の厚さの銅箔を貼り合わせた３層フレキシブル基板を用いた場合、配線の狭ピッチ化を行うには限界があった。 That is, when the copper foil layer formed on the insulating film is etched in accordance with a desired wiring pattern to form a wiring, the side surface of the wiring is etched from the photoresist mask so that the cross section of the wiring is enlarged. Since the width of the wiring pitch after etching is too large to secure the electrical insulation between the wirings, the width of the wiring tends to become trapezoidal with a wide skirt. When a three-layer flexible substrate to which a copper foil is bonded is used, there is a limit in reducing the pitch of the wiring.

そこで、より薄い銅箔を張り合わせた基板を使用し、この配線の裾広がりの幅を小さくして配線の狭ピッチ化を図ろうとしても、製造技術上の問題などがあり、たとえば厚さ数μｍ〜１０数μｍ程度の銅箔を使用しなくては製造できないような狭ピッチの配線を有する基板を３層フレキシブル基板で得ることは難しい。 Therefore, using a substrate on which a thinner copper foil is laminated, and trying to reduce the width of the skirt spread of the wiring to reduce the pitch of the wiring, there is a problem in manufacturing technology and the like. It is difficult to obtain a three-layer flexible substrate with a substrate having wirings with a narrow pitch that cannot be manufactured without using a copper foil of about 10 to several tens of micrometers.

そこで近年、絶縁フィルム上に薄い電解銅めっきを施すなどの手法により絶縁フィルム上に直接銅導体層を形成した２層フレキシブル基板が開発され用いられるようになった。 Therefore, in recent years, a two-layer flexible substrate in which a copper conductor layer is directly formed on an insulating film by a method such as applying thin electrolytic copper plating on the insulating film has been developed and used.

この２層フレキシブル基板は、通常は絶縁フィルム上に電解銅めっきを施す手法により得ている。この場合、電解銅めっきにより電解銅層を形成する前処理として、絶縁フィルムの表面をプラズマ処理で粗化するなどの手法で表面処理し、この表面に薄膜の下地金属層（シード層）を形成してシード層の表面に電解銅めっき処理を行なうのが一般的である。 This two-layer flexible substrate is usually obtained by a technique of performing electrolytic copper plating on an insulating film. In this case, as a pretreatment for forming an electrolytic copper layer by electrolytic copper plating, the surface of the insulating film is subjected to surface treatment by a method such as roughening by plasma treatment, and a thin underlying metal layer (seed layer) is formed on this surface. Then, the surface of the seed layer is generally subjected to electrolytic copper plating.

具体的には、まずポリイミドのような絶縁フィルムの表面をたとえば公知の逆スパッタリングによりプラズマ処理して粗化し、この表面に金属をスパッタリングなどによりシード層を蒸着して形成した後、シード層の表面に銅を電解メッキして厚さ８μｍ程度の電解銅層を形成して２層フレキシブル基板を得ている。このシード層を形成するために使用する金属としては、たとえばニッケルまたはニッケル系合金、具体的にはニッケル−銅合金、ニッケル−クロム合金、ニッケル−銅−クロム合金などが使用されている（たとえば特許文献１参照）。 Specifically, first, the surface of an insulating film such as polyimide is roughened by plasma treatment by, for example, a known reverse sputtering, and a metal is formed on the surface by sputtering a seed layer by sputtering or the like. Is electrolytically plated with copper to form an electrolytic copper layer having a thickness of about 8 μm to obtain a two-layer flexible substrate. As a metal used for forming the seed layer, for example, nickel or a nickel-based alloy, specifically, a nickel-copper alloy, a nickel-chromium alloy, a nickel-copper-chromium alloy, and the like are used (for example, see Patent Reference 1).

このような２層フレキシブル基板は、ＣＯＦ（Chip on Film）テープなどとして用いられており、たとえばピッチ幅が３０μｍのような狭ピッチの配線を得ることができる。
特表２０００−５０８２６５号公報 Such a two-layer flexible substrate is used as a COF (Chip on Film) tape or the like, and it is possible to obtain a wiring having a narrow pitch, for example, a pitch of 30 μm.
JP 2000-508265 A

ところで、このような２層フレキシブル基板にデバイスを実装して実際に使用する際、銅配線回路に電圧を印加すると、銅がイオン化して次第に溶出し、最終的には両回路を銅が連絡するに至り回路間が短絡してしまうという、いわゆるマイグレーションが起こり、電子部品の信頼性を損なう要因として問題となっている。 By the way, when a device is mounted on such a two-layer flexible board and actually used, when a voltage is applied to a copper wiring circuit, the copper is ionized and gradually eluted, and finally the copper is connected to both circuits. , So-called migration occurs in which circuits are short-circuited, which is a problem as a factor that impairs the reliability of electronic components.

このようなマイグレーションの度合いを評価する信頼性確認のための試験方法として、従来から図６に示すような櫛形の評価用配線パターン１０２を絶縁フィルム上に作成した評価用基板１００の配線パターン１０２に電圧付加を行いパターン回路の絶縁性を測定することが行われている。図６において、櫛形に対向したパターン回路１０２の１６本の配線のうち８本はプラス極１０４であり残りの８本はマイナス極１０６である。これらの配線間のピッチ幅は５０μｍであり、プラス極の配線端部１０８とマイナス極の配線端部１１０間の長さは１０ｍｍである。そしてたとえば８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿条件下で、１００ｋΩの抵抗をパターン回路１０２と直列につないだ回路にＤＣ６０Ｖの電圧を付加し、１００ｋΩの抵抗にかかる電圧を測定することでパターン回路１０２の絶縁抵抗を算出して経時での絶縁抵抗値を評価している。 As a test method for confirming the reliability for evaluating the degree of such migration, a comb-shaped evaluation wiring pattern 102 as shown in FIG. 6 is conventionally applied to a wiring pattern 102 of an evaluation substrate 100 formed on an insulating film. 2. Description of the Related Art A voltage is applied to measure the insulation of a pattern circuit. In FIG. 6, eight of the sixteen wirings of the pattern circuit 102 opposed to each other in the form of a comb are the plus pole 104 and the remaining eight are the minus poles 106. The pitch width between these wirings is 50 μm, and the length between the wiring end 108 of the positive electrode and the wiring end 110 of the negative electrode is 10 mm. Then, for example, under a constant temperature and humidity condition of 85 ° C. and 85% RH, a voltage of 60 V DC is applied to a circuit in which a resistance of 100 kΩ is connected in series with the pattern circuit 102, and a voltage applied to the resistance of 100 kΩ is measured. The insulation resistance value over time is evaluated by calculating the insulation resistance of 102.

そして、絶縁フィルム上に直接導体層を設けた２層フレキシブル基板の評価用配線パターン１０２を作成してこのマイグレーション評価試験を行った場合、すなわち表面処理した絶縁フィルムの該処理面にニッケル−銅合金などのシード層を形成し、次いでその表面に電解銅メッキにより銅層を形成し、レジスト塗布、硬化、露光およびエッチングにより櫛型パターンを形成し、無電解スズメッキ処理を行って評価用配線パターン１０２を作成して上記条件でマイグレーション評価を行った場合、たとえば１００〜３００時間程度で評価用パターンの絶縁抵抗が大幅に低下してしまい、短絡状態となってしまう。 Then, when the wiring evaluation pattern 102 for a two-layer flexible substrate in which the conductor layer is directly provided on the insulating film is formed and the migration evaluation test is performed, that is, the nickel-copper alloy is applied to the treated surface of the surface-treated insulating film. A copper layer is formed on the surface by electrolytic copper plating, a comb pattern is formed by resist coating, curing, exposure and etching, and an electroless tin plating process is performed to form a wiring pattern 102 for evaluation. Is prepared and the migration evaluation is performed under the above conditions, the insulation resistance of the evaluation pattern is significantly reduced in about 100 to 300 hours, for example, and a short circuit occurs.

また、シード層には導体配線と絶縁フィルムとの接着性を高めることが要求されており、この接着性を損なわずに、上記したマイグレーションを抑制する技術が要望されていた
。 Further, the seed layer is required to enhance the adhesiveness between the conductor wiring and the insulating film, and a technique for suppressing the above-described migration without impairing the adhesiveness has been demanded.

本発明は上記した従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、耐マイグレーション性および絶縁フィルムと配線との接着性がともに優れた電子部品実装用フィルムキャリアテープおよびその製造方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems of the prior art, and provides a film carrier tape for mounting electronic components, which has both excellent migration resistance and excellent adhesion between an insulating film and a wiring, and a method of manufacturing the same. It is intended to be.

上記の目的を達成するために、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、
表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該シード層は、絶縁フィルムの表面処理面に形成された層厚が１０〜３００オングストロームの実質的に亜鉛単体からなる亜鉛層と、
亜鉛層の表面に形成された層厚が３０〜５００オングストロームのニッケル系金属からなるニッケル系金属層とを含むことを特徴としている。 In order to achieve the above object, the electronic component mounting film carrier tape of the present invention is,
A surface-treated insulating film;
A film carrier tape for electronic component mounting including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
The seed layer has a layer thickness of 10 to 300 Å formed on the surface-treated surface of the insulating film, and is substantially composed of zinc.
And a nickel-based metal layer formed of a nickel-based metal having a thickness of 30 to 500 angstroms formed on the surface of the zinc layer.

この電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいて、前記シード層は蒸着により形成されていることが好ましい。 In this film carrier tape for mounting electronic components, it is preferable that the seed layer is formed by vapor deposition.

本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、
表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該シード層は、絶縁フィルムの表面処理面に形成された、７０〜９９質量％のニッケル系金属と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を含むことを特徴としている。 The film carrier tape for mounting electronic components of the present invention,
A surface-treated insulating film;
A film carrier tape for electronic component mounting including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
The seed layer is characterized by including an alloy layer formed on the surface-treated surface of the insulating film and composed of 70 to 99% by mass of a nickel-based metal and 1 to 30% by mass of zinc alone.

この電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいて、前記シード層は、絶縁フィルムの表面処理面に形成された、５０〜９５質量％のニッケル単体と４〜２０質量％のクロム単体と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を含むことが好ましい。 In this film carrier tape for mounting electronic parts, the seed layer is formed on the surface-treated surface of the insulating film, and includes 50 to 95% by mass of nickel alone, 4 to 20% by mass of chromium alone, and 1 to 30% by mass. It is preferable to include an alloy layer composed of zinc alone.

また、前記シード層は、蒸着により形成されていることが好ましい。 Preferably, the seed layer is formed by vapor deposition.

本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、
表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該配線の幅方向端側から絶縁フィルムの表面に渡る領域の少なくとも一部が、亜鉛単体を含む亜鉛被覆層で連続的に被覆されていることを特徴としている。 The film carrier tape for mounting electronic components of the present invention,
A surface-treated insulating film;
A film carrier tape for electronic component mounting including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
At least a part of the region extending from the width direction end of the wiring to the surface of the insulating film is continuously coated with a zinc coating layer containing zinc alone.

この電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいて、前記亜鉛被覆層は、電解亜鉛メッキにより形成されていることが好ましい。 In this film carrier tape for mounting electronic components, it is preferable that the zinc coating layer is formed by electrolytic zinc plating.

本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法は、
表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法であって、
絶縁フィルムを表面処理する表面処理工程と、
亜鉛単体を蒸着により絶縁フィルムの表面処理面に層厚が１０〜３００オングストロームとなるように付着させて亜鉛層を形成した後、ニッケル系金属を蒸着により亜鉛層の表面に層厚が３０〜５００オングストロームとなるように付着させてニッケル系金属層を形
成することを含むシード層形成工程と、
電解銅を電解銅メッキによりシード層の表面に付着させて銅層を形成する銅層形成工程とを含むことを特徴としている。 The method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention includes:
A surface-treated insulating film;
A method for manufacturing a film carrier tape for electronic component mounting, including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
A surface treatment step of surface treating the insulating film;
A single zinc layer is deposited on the surface-treated surface of the insulating film by vapor deposition so as to have a layer thickness of 10 to 300 angstroms to form a zinc layer. Then, a nickel-based metal is deposited on the surface of the zinc layer by vapor deposition to have a layer thickness of 30 to 500. A seed layer forming step including forming a nickel-based metal layer by depositing to a thickness of angstrom;
Forming a copper layer by depositing electrolytic copper on the surface of the seed layer by electrolytic copper plating.

本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法は、
表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法であって、
絶縁フィルムを表面処理する表面処理工程と、
ニッケル単体および亜鉛単体を含む合金を蒸着により絶縁フィルムの表面処理面に付着させ、７０〜９９質量％のニッケル系金属と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を形成することを含むシード層形成工程と、
電解銅を電解銅メッキによりシード層の表面に付着させて銅層を形成する銅層形成工程とを含むことを特徴としている。 The method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention includes:
A surface-treated insulating film;
A method for manufacturing a film carrier tape for electronic component mounting, including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
A surface treatment step of surface treating the insulating film;
Including forming an alloy layer composed of 70 to 99% by mass of a nickel-based metal and 1 to 30% by mass of a simple substance of zinc by depositing an alloy containing simple nickel and simple zinc on a surface-treated surface of an insulating film by vapor deposition. A seed layer forming step;
Forming a copper layer by depositing electrolytic copper on the surface of the seed layer by electrolytic copper plating.

この製造方法の前記シード層形成工程において、クロム単体を含む合金を蒸着により絶縁フィルムの表面処理面に付着させ、５０〜９５質量％のニッケル単体と４〜２０質量％のクロム単体と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を形成することが好ましい。 In the seed layer forming step of this manufacturing method, an alloy containing chromium alone is deposited on the surface-treated surface of the insulating film by vapor deposition, and 50 to 95% by mass of nickel alone, 4 to 20% by mass of chromium alone and 1 to 30% by mass. It is preferable to form an alloy layer composed of a mass% of zinc alone.

本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法は、
表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法であって、
電解亜鉛メッキにより、該配線の幅方向端側から絶縁フィルムの表面に渡る領域の少なくとも一部が亜鉛単体を含む亜鉛被覆層で連続的に被覆されるように、該亜鉛被覆層を形成する工程を含むこと特徴としている。 The method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention includes:
A surface-treated insulating film;
A method for manufacturing a film carrier tape for electronic component mounting, including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
Forming a zinc coating layer by electrolytic zinc plating such that at least a part of a region extending from a width direction end side of the wiring to a surface of the insulating film is continuously coated with a zinc coating layer containing zinc alone. It is characterized by including.

本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、耐マイグレーション性および絶縁フィルムと配線との接着性がともに優れている。 The electronic component mounting film carrier tape of the present invention has excellent migration resistance and adhesiveness between the insulating film and the wiring.

本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法によれば、耐マイグレーション性および絶縁フィルムと配線との接着性がともに優れている電子部品実装用フィルムキャリアテープを得ることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the manufacturing method of the film carrier tape for electronic component mounting of this invention, the film carrier tape for electronic component mounting which is excellent in both migration resistance and the adhesiveness of an insulating film and wiring can be obtained.

以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。図１〜図４は、本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープを模式的に示した、テープ面に対して垂直方向の部分断面図、図５は本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープを模式的に示した部分上面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. 1 to 4 are partial cross-sectional views schematically showing a film carrier tape for mounting electronic components according to an embodiment of the present invention, which are perpendicular to the tape surface. FIG. 5 is an embodiment of the present invention. 1 is a partial top view schematically showing an electronic component mounting film carrier tape according to the present invention.

たとえば図１に示すように、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０は、絶縁フィルム１２と、絶縁フィルム１２の表面に形成された配線１４とを備えている。 For example, as shown in FIG. 1, a film carrier tape 10 for mounting electronic components of the present invention includes an insulating film 12 and wirings 14 formed on the surface of the insulating film 12.

本発明の特徴は、配線１４の銅層、例えば電解銅層１８と絶縁フィルム１２との近接領域に、亜鉛単体を特定の構成で含むこととした点にある。これにより、電解銅のマイグレーションをきわめて有効に防止することができる。この要因としては亜鉛の防食作用が考えられる。すなわち、亜鉛単体が電解銅に対して犠牲陽極として作用し、銅のイオン化を妨げることが、多数存在する金属種の中でも特に亜鉛を用いた場合において著しい耐マイグレーション効果が得られる事実に関係していると考えられる。しかしながら勿論本発明
はこの要因のみに限定して解釈されるものではない。 A feature of the present invention resides in that zinc alone is included in a specific configuration in a region adjacent to the copper layer of the wiring 14, for example, the electrolytic copper layer 18 and the insulating film 12. Thereby, migration of electrolytic copper can be prevented very effectively. This may be due to the anticorrosive effect of zinc. In other words, the simple substance of zinc acts as a sacrificial anode for electrolytic copper and hinders the ionization of copper, in relation to the fact that a remarkable migration resistance effect is obtained particularly when zinc is used among a large number of metal species. It is thought that there is. However, of course, the present invention is not construed as being limited to only this factor.

本発明の第一の特徴は、図２に示すように絶縁フィルム１２の表面に形成された特定の層厚をもつ実質的に亜鉛単体からなる亜鉛層２０と、亜鉛層２０の表面に形成された特定の層厚をもつニッケル系金属からなるニッケル系金属層２２とを含むシード層１６を設けたことである。 A first feature of the present invention is that, as shown in FIG. 2, a zinc layer 20 formed substantially on a single layer of zinc and having a specific layer thickness formed on the surface of the insulating film 12 and a zinc layer 20 formed on the surface of the zinc layer 20. That is, a seed layer 16 including a nickel-based metal layer 22 made of a nickel-based metal having a specific layer thickness is provided.

亜鉛層２０の層厚は１０〜３００オングストロームであり、好ましくは２０〜２００オングストロームである。層厚がこの範囲よりも薄いと耐マイグレーション性が充分でなく、層厚がこの範囲よりも厚いと絶縁フィルム１２と配線１４との接着性が充分でない。 The layer thickness of the zinc layer 20 is 10 to 300 angstroms, preferably 20 to 200 angstroms. If the layer thickness is smaller than this range, the migration resistance is not sufficient, and if the layer thickness is larger than this range, the adhesion between the insulating film 12 and the wiring 14 is not sufficient.

亜鉛層２０は、表面処理された絶縁フィルム１２の表面にスパッタリングなどの公知の蒸着方法により蒸着される。スパッタリング以外の蒸着方法としては、たとえば熱エバポレーション、電子ビーム蒸着、誘導蒸着、抵抗蒸着、イオンプレーティング、プラズマ活性化エバポレーション、反応エバポレーションおよび活性化反応エバポレーションなどの物理蒸着法（Physical Vapor Deposition）、あるいは化学蒸着法（Chemical Vapor Deposition）が挙げられる。 The zinc layer 20 is deposited on the surface of the surface-treated insulating film 12 by a known deposition method such as sputtering. Examples of evaporation methods other than sputtering include physical evaporation methods such as thermal evaporation, electron beam evaporation, induction evaporation, resistance evaporation, ion plating, plasma activated evaporation, reaction evaporation, and activated reaction evaporation. Deposition) or chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposition).

絶縁フィルム１２の表面処理方法としては、たとえば逆スパッタリングによるプラズマ処理を行い絶縁フィルム１２の表面を粗化する方法が挙げられる。この他、公知のプラズマ処理方法または薬品による化学処理方法などにより表面処理を行ってもよく、絶縁フィルム１２と配線１４との接着強度を向上させるための適宜の物理的な表面粗化または化学的な表面の変更処理を行う。 Examples of the surface treatment method of the insulating film 12 include a method of roughening the surface of the insulating film 12 by performing a plasma treatment by reverse sputtering. In addition, the surface treatment may be performed by a known plasma treatment method or a chemical treatment method using a chemical, or the like, and an appropriate physical surface roughening or chemical treatment for improving the adhesive strength between the insulating film 12 and the wiring 14 may be performed. Perform a surface modification process.

絶縁フィルム１２としては、ポリイミドフィルムが特に好適であり、具体的にはカプトン（商品名：東レ・デュポン社製）、ユーピレックス（商品名：宇部興産社製）、アピカル（商品名：カネカ社製）などが用いられる。絶縁フィルム１２の厚さは通常２５〜１２５μｍである。 As the insulating film 12, a polyimide film is particularly preferable. Specifically, Kapton (trade name: manufactured by Dupont Toray), Upilex (trade name: manufactured by Ube Industries), Apical (trade name: manufactured by Kaneka Corporation) Are used. The thickness of the insulating film 12 is usually 25 to 125 μm.

ニッケル系金属層２２の層厚は３０〜５００オングストロームであり、好ましくは５０〜３００オングストロームである。層厚がこの範囲よりも薄いと絶縁フィルム１２と配線１４との接着性が充分ではなく、層厚がこの範囲よりも厚いとエッチング処理を適切に行うことができない場合がある。 The thickness of the nickel-based metal layer 22 is 30 to 500 angstroms, preferably 50 to 300 angstroms. If the layer thickness is smaller than this range, the adhesion between the insulating film 12 and the wiring 14 is not sufficient, and if the layer thickness is larger than this range, the etching process may not be properly performed.

ニッケル系金属層２２を構成するニッケル系金属としては、ニッケル単体の他に、ニッケル以外の金属、たとえば銅、クロム、モリブテン、タンタルなどを０〜３０質量％の範囲で含むニッケル合金であってもよい。 The nickel-based metal constituting the nickel-based metal layer 22 may be a metal other than nickel, for example, a nickel alloy containing copper, chromium, molybdenum, tantalum, or the like in a range of 0 to 30% by mass in addition to nickel alone. Good.

このようなニッケル系金属を、上記の蒸着方法により亜鉛層２０の表面に蒸着してニッケル系金属層２２を形成する。 The nickel-based metal layer 22 is formed by depositing such a nickel-based metal on the surface of the zinc layer 20 by the above-described deposition method.

ニッケル系金属層２２の電解銅層１８側表面には、シード層１６の一部として、所望により層厚１００〜６０００オングストロームの蒸着銅層（図示せず）を設けてもよい。このような蒸着銅層は、上記の蒸着方法により形成される。 On the surface of the nickel-based metal layer 22 on the side of the electrolytic copper layer 18, a deposited copper layer (not shown) having a layer thickness of 100 to 6000 Å may be provided as a part of the seed layer 16 if desired. Such a vapor-deposited copper layer is formed by the vapor deposition method described above.

シード層１６の表面には、６〜１２μｍの銅層、例えば電解銅層１８が設けられる。電解銅層１８は、例えば硫酸銅メッキ浴へシード層１６を形成した絶縁フィルム１２を浸漬してシード層１６表面へ銅を電解メッキして形成する。 On the surface of the seed layer 16, a copper layer of 6 to 12 μm, for example, an electrolytic copper layer 18 is provided. The electrolytic copper layer 18 is formed, for example, by immersing the insulating film 12 on which the seed layer 16 is formed in a copper sulfate plating bath and electrolytic plating copper on the surface of the seed layer 16.

本発明の第二の特徴は、図３に示すように、絶縁フィルム１２の表面に、ニッケル単体
および亜鉛単体を特定の質量比で含む合金からなる合金層３０を含むシード層１６を設けたことである。 A second feature of the present invention is that, as shown in FIG. 3, a seed layer 16 including an alloy layer 30 made of an alloy containing nickel alone and zinc alone at a specific mass ratio is provided on the surface of the insulating film 12. It is.

この合金層は、７０〜９９質量％のニッケル系金属と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる。亜鉛単体の配合比がこの範囲よりも少ないと耐マイグレーション性が充分ではなく、亜鉛単体の配合比がこの範囲よりも多いと絶縁フィルム１２と配線１４との接着性が充分でない。 This alloy layer is composed of 70 to 99% by mass of a nickel-based metal and 1 to 30% by mass of zinc alone. If the mixing ratio of zinc alone is less than this range, the migration resistance is not sufficient, and if the mixing ratio of zinc alone is more than this range, the adhesion between the insulating film 12 and the wiring 14 is not sufficient.

ここで、ニッケル系金属は、合金層を構成する合金全量に対して５０〜９９質量％のニッケル単体と、合金層を構成する合金全量に対して０〜２０質量％の、たとえば銅、クロム、モリブテン、タンタルなどの亜鉛以外の金属単体とからなる。上記の点から、好ましくは、合金層を７０〜９９質量％のニッケル単体と１〜３０質量％の亜鉛単体とを含む組成とするか、あるいは、５０〜９５質量％のニッケル単体と４〜２０質量％のクロム単体と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる組成とすることが望ましい。 Here, the nickel-based metal includes 50 to 99% by mass of nickel alone with respect to the total amount of the alloy constituting the alloy layer, and 0 to 20% by mass with respect to the total amount of the alloy constituting the alloy layer, for example, copper, chromium, It consists of simple metals other than zinc, such as molybdenum and tantalum. From the above point, preferably, the alloy layer has a composition containing 70 to 99% by mass of nickel alone and 1 to 30% by mass of zinc alone, or 50 to 95% by mass of nickel alone and 4 to 20% by mass. It is desirable that the composition be composed of chromium alone and 1-30 mass% of chromium alone.

合金層３０の層厚は、好ましくは２０〜２５０オングストロームであり、さらに好ましくは５０〜２００オングストロームである。層厚がこの範囲よりも薄いと耐マイグレーション性が充分でない場合があり、層厚がこの範囲よりも厚いと絶縁フィルム１２と配線１４との接着性が充分でない場合がある。 The thickness of the alloy layer 30 is preferably 20 to 250 angstroms, and more preferably 50 to 200 angstroms. If the layer thickness is smaller than this range, the migration resistance may not be sufficient, and if the layer thickness is larger than this range, the adhesion between the insulating film 12 and the wiring 14 may not be sufficient.

合金層３０の電解銅層１８側表面には、シード層１６の一部として、所望により層厚１００〜６０００オングストロームの蒸着銅層（図示せず）を設けてもよい。このような蒸着銅層は、上記の蒸着方法により形成される。 If necessary, a vapor-deposited copper layer (not shown) having a thickness of 100 to 6000 angstroms may be provided as a part of the seed layer 16 on the surface of the alloy layer 30 on the side of the electrolytic copper layer 18. Such a vapor-deposited copper layer is formed by the vapor deposition method described above.

シード層１６の表面には、６〜１２μｍの銅層、例えば電解銅層１８が設けられる。電解銅層１８は、たとえば硫酸銅メッキ浴へシード層１６を形成した絶縁フィルム１２を浸漬してシード層１６表面へ銅を電解メッキして形成する。 On the surface of the seed layer 16, a copper layer of 6 to 12 μm, for example, an electrolytic copper layer 18 is provided. The electrolytic copper layer 18 is formed, for example, by immersing the insulating film 12 on which the seed layer 16 is formed in a copper sulfate plating bath and electrolytic plating copper on the surface of the seed layer 16.

次に、上記した本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法を説明する。まず、絶縁フィルム１２の表面を上記の方法により表面処理する。次いで、表面処理された絶縁フィルム１２の表面全面に渡り上記したシード層１６を蒸着により形成する。たとえば亜鉛層２０およびニッケル系金属層２２からなるシード層１６とする場合には絶縁フィルム１２の表面処理面全面に渡り亜鉛単体を蒸着して亜鉛層２０を形成し、次いで亜鉛層２０の表面全面に渡りニッケル系金属を蒸着してニッケル系金属層２２を形成する。また、たとえば合金層３０からなるシード層１６とする場合には絶縁フィルム１２の表面処理面全面に渡りニッケル単体および亜鉛単体を含む合金を蒸着して合金層３０を形成する。 Next, a method of manufacturing the above-described film carrier tape for mounting electronic components of the present invention will be described. First, the surface of the insulating film 12 is surface-treated by the above method. Next, the above-described seed layer 16 is formed over the entire surface of the surface-treated insulating film 12 by vapor deposition. For example, when the seed layer 16 is composed of the zinc layer 20 and the nickel-based metal layer 22, zinc alone is deposited on the entire surface of the insulating film 12 to form the zinc layer 20, and then the entire surface of the zinc layer 20 is formed. Then, a nickel-based metal is deposited to form a nickel-based metal layer 22. For example, when the seed layer 16 is made of the alloy layer 30, the alloy layer 30 is formed by vapor-depositing an alloy containing nickel and zinc alone over the entire surface treatment surface of the insulating film 12.

次いで、シード層１６の表面全面に渡り電解銅メッキにより電解銅層１８を形成する。 Next, an electrolytic copper layer 18 is formed by electrolytic copper plating over the entire surface of the seed layer 16.

このようにして絶縁フィルム１２上に導体層を形成した２層フレキシブル基板が得られる。次いで、通常の方法により、この２層フレキシブル基板の電解銅層１８表面にフォトレジストを塗布して乾燥した後、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の工程により配線１４のパターンを形成して図５に示したような本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０が得られる。 Thus, a two-layer flexible substrate in which the conductor layer is formed on the insulating film 12 is obtained. Then, a photoresist is applied to the surface of the electrolytic copper layer 18 of the two-layer flexible substrate by a usual method and dried, and then the pattern of the wiring 14 is formed by the steps of exposure, development, etching, and photoresist peeling. 5, a film carrier tape 10 for mounting electronic components according to the present invention as shown in FIG.

この電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０に、配線１４を保護するために比較的粘度の高い熱硬化性樹脂（ソルダーレジスト）をスクリーン印刷技術を利用して塗布し、硬化させる。次いでソルダーレジストの塗布領域５６から露出している配線１４の長手方向両端を、たとえば無電解スズメッキによりスズメッキ処理して回路基板が得られる。な
お、スプロケット孔５８は、電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０の搬送および位置決めのために設けた孔である。 A thermosetting resin (solder resist) having a relatively high viscosity is applied to the film carrier tape 10 for mounting electronic components by using a screen printing technique in order to protect the wiring 14, and is cured. Next, the both ends in the longitudinal direction of the wiring 14 exposed from the solder resist application region 56 are tin-plated by, for example, electroless tin plating to obtain a circuit board. The sprocket holes 58 are holes provided for transporting and positioning the film carrier tape 10 for mounting electronic components.

本発明の第三の特徴は、図４に示したように、表面処理された絶縁フィルム１２の表面処理面に形成されたシード層１７と該シード層１７の表面に形成された銅層、例えば電解銅層１８とからなる配線１４の幅方向端側から、絶縁フィルム１２の表面に渡る領域の少なくとも一部が、亜鉛単体を含む亜鉛被覆層４２で連続的に被覆されていることである。 A third feature of the present invention is that, as shown in FIG. 4, a seed layer 17 formed on the surface-treated surface of the surface-treated insulating film 12 and a copper layer formed on the surface of the seed layer 17, for example, That is, at least a part of the region extending from the width direction end side of the wiring 14 formed of the electrolytic copper layer 18 to the surface of the insulating film 12 is continuously covered with the zinc coating layer 42 containing only zinc.

亜鉛被覆層４２は、図４（ａ）に示したように、配線１４の表面全体を覆うように、幅方向の一端側４０から他端側４０へ連続して形成されていても、あるいは図４（ｂ）に示したように両端側４０，４０付近のみ形成されていてもよいが、マイグレーションを引き起こす要因である銅イオンは配線１４の端側から絶縁フィルム１２の表面へ移動するので、配線１４の端側表面から絶縁フィルム１２の表面の一部（配線１４の端側４０近傍の表面領域）に渡り連続して被覆されていることが必要であり、これにより電解銅のマイグレーションをきわめて有効に防止することができる。 The zinc coating layer 42 is formed continuously from one end 40 in the width direction to the other end 40 so as to cover the entire surface of the wiring 14 as shown in FIG. As shown in FIG. 4 (b), only the vicinity of both ends 40, 40 may be formed. However, since copper ions, which cause migration, move from the end side of the wiring 14 to the surface of the insulating film 12, the wiring It is necessary to continuously cover the surface of the insulating film 12 from the end side surface of the wiring 14 to a part of the surface of the insulating film 12 (the surface region near the end side 40 of the wiring 14). Can be prevented.

亜鉛被覆層４２の層厚としては、好ましくは２０〜２５０オングストロームである。層厚がこの範囲よりも薄いと耐マイグレーション性が充分でない場合があり、層厚をあまり厚くしなくても充分な耐マイグレーション性が得られるので層厚を過度に厚くする必要はない。 The thickness of the zinc coating layer 42 is preferably 20 to 250 angstroms. If the layer thickness is smaller than this range, migration resistance may not be sufficient, and sufficient migration resistance can be obtained without increasing the layer thickness. Therefore, it is not necessary to excessively increase the layer thickness.

亜鉛被覆層４２は、好ましくは実質的に亜鉛単体からなり、電解亜鉛メッキにより形成することが好適である。たとえば電解亜鉛メッキ浴へ配線１４を形成した絶縁フィルム１２を浸漬して亜鉛を電解付着することにより亜鉛被覆層４２を形成する。電解亜鉛メッキ浴としては、たとえば塩化亜鉛および塩化アンモニウムを加え、ｐＨを適宜に調整した酸性アンモニウム水溶液を用いる。亜鉛被覆層４２の層厚などは、電解時間などにより適宜調整できる。 The zinc coating layer 42 is preferably substantially made of zinc alone, and is preferably formed by electrolytic zinc plating. For example, the zinc coating layer 42 is formed by immersing the insulating film 12 on which the wirings 14 are formed in an electrolytic zinc plating bath and electrolytically depositing zinc. As the electrolytic zinc plating bath, for example, an acidic ammonium aqueous solution to which zinc chloride and ammonium chloride are added and the pH is appropriately adjusted is used. The thickness and the like of the zinc coating layer 42 can be appropriately adjusted depending on the electrolysis time and the like.

シード層１７はニッケルを含む蒸着層であることが好ましいが、特に限定されず、また、図２または図３に例示される上記した亜鉛を含むシード層１６としてもよい。 The seed layer 17 is preferably an evaporation layer containing nickel, but is not particularly limited, and may be the above-described seed layer 16 containing zinc illustrated in FIG. 2 or FIG.

次に、上記した本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法を説明する。まず、絶縁フィルム１２の表面を上記の方法により表面処理する。次いで、表面処理された絶縁フィルム１２の表面全面に渡りシード層１７を蒸着により形成する。 Next, a method of manufacturing the above-described film carrier tape for mounting electronic components of the present invention will be described. First, the surface of the insulating film 12 is surface-treated by the above method. Next, a seed layer 17 is formed on the entire surface of the surface-treated insulating film 12 by vapor deposition.

次いで、シード層１７の表面全面に渡り電解銅メッキにより電解銅層１８を形成する。 Next, an electrolytic copper layer 18 is formed on the entire surface of the seed layer 17 by electrolytic copper plating.

このようにして絶縁フィルム１２上に導体層を形成した２層フレキシブル基板が得られる。次いで、通常の方法により、この２層フレキシブル基板の電解銅層１８表面にフォトレジストを塗布して乾燥した後、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の工程により配線１４のパターンを形成する。 Thus, a two-layer flexible substrate in which the conductor layer is formed on the insulating film 12 is obtained. Next, a photoresist is applied to the surface of the electrolytic copper layer 18 of the two-layer flexible substrate by a usual method and dried, and then the pattern of the wiring 14 is formed by the steps of exposure, development, etching, and photoresist peeling.

次いで、配線１４の表面に電解亜鉛メッキにより亜鉛被覆層４２を形成する。このようにして図５に示したような本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０が得られる。 Next, a zinc coating layer 42 is formed on the surface of the wiring 14 by electrolytic zinc plating. Thus, the film carrier tape 10 for mounting electronic parts of the present invention as shown in FIG. 5 is obtained.

この電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０に、配線１４を保護するために比較的粘度の高い熱硬化性樹脂（ソルダーレジスト）をスクリーン印刷技術を利用して塗布し、硬化させる。次いでソルダーレジストの塗布領域５６から露出している配線１４の長手方向両端を、たとえば無電解スズメッキによりスズメッキ処理して回路基板が得られる。ス
ズメッキされた配線１４の一端はＩＣなどのデバイスと電気的に接続するためのインナーリード５０を、他端は外部と電気的に接続するためのアウターリード５２を構成する。インナーリード５０は実装部５４に実装されるＩＣなどのデバイスに形成されたバンプ電極と加熱ボンディングツールなどを用いて熱圧着し、これによりインナーリード５０表面のスズメッキ層からのスズとバンプ電極を形成する金とが共晶合金を形成してインナーリード５０とバンプ電極とが接続される。 A thermosetting resin (solder resist) having a relatively high viscosity is applied to the film carrier tape 10 for mounting electronic components by using a screen printing technique in order to protect the wiring 14, and is cured. Next, the both ends in the longitudinal direction of the wiring 14 exposed from the solder resist application region 56 are tin-plated by, for example, electroless tin plating to obtain a circuit board. One end of the tin-plated wiring 14 forms an inner lead 50 for electrically connecting to a device such as an IC, and the other end forms an outer lead 52 for electrically connecting to the outside. The inner lead 50 is thermocompression-bonded to a bump electrode formed on a device such as an IC mounted on the mounting portion 54 using a heating bonding tool, thereby forming tin and a bump electrode from a tin plating layer on the surface of the inner lead 50. To form an eutectic alloy, and the inner leads 50 are connected to the bump electrodes.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
[実施例１〜３]
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（商品名：カプトン、東レ・デュポン社製）の表面を逆スパッタリング後、表面処理面に亜鉛単体をスパッタリングにより付着させ、実施例１では層厚１００オングストロームの亜鉛層を、また実施例２では層厚２００オングストロームの亜鉛層を形成した。次いで亜鉛層の表面にニッケルをスパッタリングにより付着させ、層厚３００オングストロームのニッケル層を形成した。次いでニッケル層の表面に銅をスパッタリングにより付着させ、層厚５０００オングストロームの銅層を形成した。このようにしてシード層を形成した後、硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキを行いシード層の表面に層厚８μｍの電解銅層を形成し、２層フレキシブル基板を得た。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
[Examples 1 to 3]
After reverse sputtering the surface of a 125 μm-thick polyimide film (trade name: Kapton, manufactured by Toray DuPont), zinc alone was adhered to the surface treatment surface by sputtering. In Example 1, a zinc layer having a layer thickness of 100 Å was formed. In Example 2, a zinc layer having a thickness of 200 Å was formed. Next, nickel was deposited on the surface of the zinc layer by sputtering to form a nickel layer having a thickness of 300 angstroms. Next, copper was deposited on the surface of the nickel layer by sputtering to form a copper layer having a thickness of 5000 Å. After forming the seed layer in this manner, electrolytic plating was performed using a copper sulfate plating bath to form an electrolytic copper layer having a thickness of 8 μm on the surface of the seed layer, thereby obtaining a two-layer flexible substrate.

実施例３では厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（商品名：カプトン、東レ・デュポン社製）の表面を逆スパッタリング後、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｚｎ合金をスパッタリングによりポリイミド表面に付着させて合金層を形成し、次いで層厚５０００オングストロームの銅層をスパッタで形成した。このようにしてシード層を形成した後、硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキを行いシード層の表面に層厚８μｍの電解銅層を形成し、２層フレキシブル基板を得た。なお、ここで使用したＮｉ−Ｃｒ−Ｚｎ合金の組成は、ニッケル単体が７９質量％、クロム単体が２０質量％、亜鉛単体が１質量％であった。 In Example 3, after the surface of a 125 μm-thick polyimide film (trade name: Kapton, manufactured by Dupont Toray) was reverse-sputtered, a Ni—Cr—Zn alloy was attached to the polyimide surface by sputtering to form an alloy layer. Next, a copper layer having a thickness of 5000 Å was formed by sputtering. After forming the seed layer in this manner, electrolytic plating was performed using a copper sulfate plating bath to form an electrolytic copper layer having a thickness of 8 μm on the surface of the seed layer, thereby obtaining a two-layer flexible substrate. The composition of the Ni—Cr—Zn alloy used here was 79% by mass of nickel alone, 20% by mass of chromium alone, and 1% by mass of zinc alone.

２層フレキシブル基板を３５ｍｍ幅にスリットした長尺テープを使用し、電解銅層の表面にフォトレジスト（商品名：ＦＲ−２００、シプレーファーイースト社製）を塗布後、乾燥し、次いで図６に示した形状をもつ５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成したガラスフォトマスクでＵＶ露光し、さらにアルカリ（ＫＯＨ）で現像した。次いで、ＨＣｌとＨ₂Ｏ₂を含む塩化第二銅のエッチングラインを用いて、４０℃で２ｋｇ／ｃｍ²のスプ
レー圧でエッチングし、次いでフォトレジストを剥離して図６に示した５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成した。次いで基板表面を酸洗後、無電解スズメッキ液（商品名：ＬＴ−３４、シプレーファーイースト社製）を用いて７０℃で１分５５秒間メッキを行い層厚０．４μｍのスズメッキ層を形成し、１２５℃で１時間アニールしてマイグレーション評価用回路基板とした。
[実施例４]
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（商品名：カプトン、東レ・デュポン社製）の表面を逆スパッタリング後、表面処理面に亜鉛単体１０質量％、ニッケル単体８０質量％および銅単体１０質量％からなる合金をスパッタリングにより付着させ、層厚１５０オングストロームの合金層を形成した。このようにしてシード層を形成した後、硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキを行いシード層の表面に層厚８μｍの電解銅層を形成し、２層フレキシブル基板を得た。 Using a long tape obtained by slitting a two-layer flexible substrate to a width of 35 mm, applying a photoresist (trade name: FR-200, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) on the surface of the electrolytic copper layer, drying, and then FIG. UV exposure was performed using a glass photomask on which a 50 μm pitch comb-shaped electrode pattern having the indicated shape was formed, followed by development with alkali (KOH). Next, using a cupric chloride etching line containing HCl and H ₂ O ₂ , etching is performed at a spray pressure of ² kg / cm ² at 40 ° C., and then the photoresist is removed to form a 50 μm pitch shown in FIG. A comb electrode pattern was formed. Next, after pickling the substrate surface, plating was performed at 70 ° C. for 1 minute and 55 seconds using an electroless tin plating solution (trade name: LT-34, manufactured by Shipley Far East) to form a tin plating layer having a layer thickness of 0.4 μm. At 125 ° C. for 1 hour to obtain a migration evaluation circuit board.
[Example 4]
After reverse sputtering the surface of a 125 μm-thick polyimide film (trade name: Kapton, manufactured by Du Pont-Toray Co.), an alloy composed of 10% by mass of zinc alone, 80% by mass of nickel alone, and 10% by mass of copper alone was applied to the surface treatment surface. This was deposited by sputtering to form an alloy layer having a thickness of 150 Å. After forming the seed layer in this manner, electrolytic plating was performed using a copper sulfate plating bath to form an electrolytic copper layer having a thickness of 8 μm on the surface of the seed layer, thereby obtaining a two-layer flexible substrate.

２層フレキシブル基板を３５ｍｍ幅にスリットした長尺テープを使用し、電解銅層の表面にフォトレジスト（商品名：ＦＲ−２００、シプレーファーイースト社製）を塗布後、乾燥し、次いで図６に示した形状をもつ５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成したガラスフォトマスクで露光し、さらにアルカリ（ＫＯＨ）で現像した。次いで、ＨＣｌとＨ₂Ｏ₂を含む塩化第二銅のエッチングラインを用いて、４０℃で２ｋｇ／ｃｍ²のスプレー
圧でエッチングし、次いでフォトレジストを剥離して図６に示した５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成した。次いで基板表面を酸洗後、無電解スズメッキ液（商品名：ＬＴ−３４、シプレーファーイースト社製）を用いて７０℃において２分４５秒間メッキを行い層厚０．５μｍのスズメッキ層を形成し、１２５℃で１時間アニールしてマイグレーション評価用回路基板とした。
[比較例１]
亜鉛層を設けなかったこと以外は実施例１と同様の操作によりマイグレーション評価用回路基板を得た。 Using a long tape obtained by slitting a two-layer flexible substrate to a width of 35 mm, applying a photoresist (trade name: FR-200, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) on the surface of the electrolytic copper layer, drying, and then FIG. Exposure was performed using a glass photomask on which a 50 μm pitch comb-shaped electrode pattern having the indicated shape was formed, followed by development with alkali (KOH). Next, using a cupric chloride etching line containing HCl and H ₂ O ₂ , etching is performed at a spray pressure of ² kg / cm ² at 40 ° C., and then the photoresist is removed to form a 50 μm pitch shown in FIG. A comb electrode pattern was formed. Next, after pickling the substrate surface, plating was performed at 70 ° C. for 2 minutes and 45 seconds using an electroless tin plating solution (trade name: LT-34, manufactured by Shipley Far East) to form a tin plating layer having a layer thickness of 0.5 μm. At 125 ° C. for 1 hour to obtain a migration evaluation circuit board.
[Comparative Example 1]
A circuit board for migration evaluation was obtained in the same manner as in Example 1 except that the zinc layer was not provided.

実施例１〜４および比較例１で得られたマイグレーション評価用回路基板に、直流電圧６０Ｖを付加し、恒温恒湿槽（商品名：ＦＸ４１２Ｐタイプ、エタック社製）の中に入れて、８５℃、８５％ＲＨの条件で、マイグレーション評価を行った。評価は、電圧負荷状態のまま５分毎に絶縁抵抗値を算出してマイグレーション評価とした。絶縁抵抗値の経時変化を表１に示す。 A DC voltage of 60 V was applied to the migration evaluation circuit boards obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, and the circuit boards were placed in a constant temperature / humidity chamber (trade name: FX412P type, manufactured by Ettack Co., Ltd.). , 85% RH. The evaluation was performed by calculating the insulation resistance value every 5 minutes while maintaining the voltage load state, and used as the migration evaluation. Table 1 shows the change over time in the insulation resistance value.

表１に示されるように、層厚１００オングストローム、２００オングストロームの亜鉛層を層厚３００オングストロームのニッケル層とともにシード層へ設けた実施例１，２の評価用回路基板と、ニッケル単体７９質量％、クロム単体２０質量％および亜鉛単体１質量％からなる合金層をシード層に形成した実施例３の評価用回路基板と、亜鉛単体１０質量％、ニッケル単体８０質量％および銅単体１０質量％からなる合金層をシード層に形成した実施例４の評価用回路基板では、１０００ｈｒを超えても絶縁抵抗値が低下せず、良好な絶縁状態を保っていることがわかる。 As shown in Table 1, the evaluation circuit boards of Examples 1 and 2 in which a zinc layer having a thickness of 100 Å and 200 Å was provided on a seed layer together with a nickel layer having a thickness of 300 Å, 79% by mass of nickel alone, The evaluation circuit board of Example 3 in which an alloy layer composed of 20% by mass of chromium alone and 1% by mass of zinc alone was formed on the seed layer, and 10% by mass of zinc alone, 80% by mass of nickel alone, and 10% by mass of copper alone. In the circuit board for evaluation of Example 4 in which the alloy layer was formed on the seed layer, it can be seen that the insulation resistance did not decrease even when the alloy layer exceeded 1000 hr, and that a good insulation state was maintained.

これに対し、シード層に亜鉛を含まない比較例１では、５００ｈｒで絶縁抵抗値が低下し、マイグレーションが発生していることがわかる。 On the other hand, in Comparative Example 1 in which zinc was not contained in the seed layer, it was found that the insulation resistance decreased at 500 hours and migration occurred.

このように、シード層を本発明の構成とすることでマイグレーションが発生する時間がきわめて長くなり、耐マイグレーション性に優れた電子部品実装用フィルムキャリアテープを得ることができる。
[実施例５]
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（商品名：カプトン、東レ・デュポン社製）の表面をプラズマ処理した後、表面処理面にニッケル−クロム合金をスパッタリングにより付着させ、６５オングストロ−ムのシード層を形成した。次いで硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキを行いシード層の表面に厚さ８μｍの電解銅層を形成し、２層フレキシブル基板を得た。 As described above, when the seed layer has the configuration of the present invention, the time during which migration occurs becomes extremely long, and a film carrier tape for mounting electronic components having excellent migration resistance can be obtained.
[Example 5]
After the surface of a 125 μm-thick polyimide film (trade name: Kapton, manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.) was plasma-treated, a nickel-chromium alloy was adhered to the surface-treated surface by sputtering to form a 65 Å seed layer. . Next, electrolytic plating was performed using a copper sulfate plating bath to form an electrolytic copper layer having a thickness of 8 μm on the surface of the seed layer, thereby obtaining a two-layer flexible substrate.

２層フレキシブル基板を３５ｍｍ幅にスリットした長尺テープを使用し、通常の方法に
より、電解銅層の表面にフォトレジスト（商品名：ＦＲ−２００、シプレーファーイースト社製）を塗布後、乾燥し、次いで図６に示した形状をもつ５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成したガラスフォトマスクでＵＶ露光し、さらにアルカリ（ＫＯＨ）で現像した。次いで、ＨＣｌとＨ₂Ｏ₂を含む塩化第二銅のエッチングラインを用いて、４０℃で２ｋｇ／ｃｍ²のスプレー圧でエッチングし、次いでフォトレジストを剥離して図６に示し
た５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成した。次いで、電解銅層の表面に電解亜鉛メッキ液（酸性アンモニウム浴、塩化亜鉛４０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム２００ｇ／ｌとして、ｐＨを５．２〜６．２に調整した。）を用いて４０℃においてＤ_k０．５Ａ／ｄｍ²で３０秒間電解亜鉛メッキを行い、銅配線の、幅方向の端側からポリイミドフィルムの表面に渡り、亜鉛メッキで連続的に被覆されるように（図４参照）、厚さ１５０オングストロームの亜鉛メッキ層を形成した。次いで異方性導電フィルム（商品名：ＡＣ−２１２Ｂ−４０、日立化成社製）を熱圧着してマイグレーション評価用回路基板とした。
[比較例２]
実施例５において、電解銅層の表面に電解亜鉛メッキの代わりに無電解スズメッキを施した。すなわち、無電解スズメッキ液（商品名：ＬＴ−３４、シプレーファーイースト社製）を用いて２４℃で１秒間フラッシュメッキを行いスズメッキ層を形成してマイグレーション評価用回路基板とした。 Using a long tape obtained by slitting a two-layer flexible substrate to a width of 35 mm, a photoresist (trade name: FR-200, manufactured by Shipley Far East Co.) is applied to the surface of the electrolytic copper layer by a usual method, and then dried. Then, UV exposure was performed using a glass photomask on which a comb-shaped electrode pattern having a shape shown in FIG. 6 and having a pitch of 50 μm was formed, and further developed with alkali (KOH). Next, using a cupric chloride etching line containing HCl and H ₂ O ₂ , etching is performed at a spray pressure of ² kg / cm ² at 40 ° C., and then the photoresist is removed to form a 50 μm pitch shown in FIG. A comb electrode pattern was formed. Next, on the surface of the electrolytic copper layer, at 40 ° C. using an electrolytic zinc plating solution (acid ammonium bath, zinc chloride 40 g / l, ammonium chloride 200 g / l, pH adjusted to 5.2 to 6.2). Electrolytic zinc plating is performed at _Dk 0.5 A / dm ² for 30 seconds, and the copper wiring is continuously covered with zinc plating from the widthwise end to the surface of the polyimide film (see FIG. 4). A zinc plating layer having a thickness of 150 Å was formed. Next, an anisotropic conductive film (trade name: AC-212B-40, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was thermocompression-bonded to obtain a migration evaluation circuit board.
[Comparative Example 2]
In Example 5, the surface of the electrolytic copper layer was subjected to electroless tin plating instead of electrolytic zinc plating. That is, flash plating was performed at 24 ° C. for 1 second using an electroless tin plating solution (trade name: LT-34, manufactured by Shipley Fur East Co., Ltd.) to form a tin plating layer to obtain a circuit board for migration evaluation.

実施例５および比較例２で得られた櫛形電極に、直流電圧８Ｖを付加し、恒温恒湿槽（商品名：ＦＸ４１２Ｐタイプ、エタック社製）の中に入れて、９０℃、５０％ＲＨの条件で、マイグレーション評価を行った。評価は、電圧負荷状態のまま５分毎に絶縁抵抗値を算出してマイグレーション評価とした。絶縁抵抗値の経時変化を表２に示す。 A DC voltage of 8 V was applied to the comb-shaped electrodes obtained in Example 5 and Comparative Example 2 and placed in a thermo-hygrostat (trade name: FX412P type, manufactured by Ettack) at 90 ° C. and 50% RH. The migration was evaluated under the conditions. The evaluation was performed by calculating the insulation resistance value every 5 minutes while maintaining the voltage load state, and used as the migration evaluation. Table 2 shows changes over time in the insulation resistance value.

表２に示されるように、電解銅層表面に亜鉛メッキ層を設けた実施例５の評価用回路基板では、８００ｈｒを超えても絶縁抵抗値が低下せず、良好な絶縁状態を保っていることがわかる。 As shown in Table 2, in the circuit board for evaluation of Example 5 in which the galvanized layer was provided on the surface of the electrolytic copper layer, the insulation resistance value did not decrease even if it exceeded 800 hours, and a good insulation state was maintained. You can see that.

これに対し、電解銅層表面にスズメッキを施した比較例２では、２５０ｈｒで絶縁抵抗値が低下し、マイグレーションが発生していることがわかる。 In contrast, in Comparative Example 2 in which the surface of the electrolytic copper layer was plated with tin, it was found that the insulation resistance value decreased at 250 hours, and migration occurred.

このように、亜鉛単体を含む亜鉛被覆層を設けることでマイグレーションが発生する時間がきわめて長くなり、耐マイグレーション性に優れた電子部品実装用フィルムキャリアテープを得ることができる。 As described above, by providing a zinc coating layer containing only zinc, the time during which migration occurs becomes extremely long, and a film carrier tape for mounting electronic components having excellent migration resistance can be obtained.

本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープを模式的に示した、テープ面に対して垂直方向の部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a film carrier tape for mounting electronic components according to an embodiment of the present invention, which is perpendicular to a tape surface. 本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープを模式的に示した、テープ面に対して垂直方向の部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a film carrier tape for mounting electronic components according to an embodiment of the present invention, which is perpendicular to a tape surface. 本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープを模式的に示した、テープ面に対して垂直方向の部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a film carrier tape for mounting electronic components according to an embodiment of the present invention, which is perpendicular to a tape surface. 本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープを模式的に示した、テープ面に対して垂直方向の部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a film carrier tape for mounting electronic components according to an embodiment of the present invention, which is perpendicular to a tape surface. 本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープを模式的に示した部分上面図である。1 is a partial top view schematically showing a film carrier tape for mounting electronic components according to an embodiment of the present invention. マイグレーション評価用配線パターンを模式的に示した概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram schematically showing a migration evaluation wiring pattern.

符号の説明Explanation of reference numerals

１０・・・電子部品実装用フィルムキャリアテープ
１２・・・絶縁フィルム
１４・・・配線
１６・・・シード層
１７・・・シード層
１８・・・電解銅層
２０・・・亜鉛層
２２・・・ニッケル系金属層
３０・・・合金層
４０・・・配線幅方向の端側
４２・・・亜鉛被覆層
５０・・・インナーリード
５２・・・アウターリード
５４・・・実装部
５６・・・ソルダーレジストの塗布領域
５８・・・スプロケット孔
１００・・・評価用基板
１０２・・・評価用配線パターン
１０４・・・プラス極
１０６・・・マイナス極
１０８・・・プラス極の配線端部
１１０・・・マイナス極の配線端部

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electronic component mounting film carrier tape 12 ... Insulating film 14 ... Wiring 16 ... Seed layer 17 ... Seed layer 18 ... Electrolytic copper layer 20 ... Zinc layer 22 ... Nickel-based metal layer 30 Alloy layer 40 End side 42 in wiring width direction Zinc coating layer 50 Inner lead 52 Outer lead 54 Mounting part 56 Solder resist application area 58 Sprocket hole 100 Evaluation board 102 Evaluation wiring pattern 104 Positive electrode 106 Negative electrode 108 Positive electrode wiring end 110 ..Wiring end of negative pole

Claims

表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該シード層は、絶縁フィルムの表面処理面に形成された層厚が１０〜３００オングストロームの実質的に亜鉛単体からなる亜鉛層と、
亜鉛層の表面に形成された層厚が３０〜５００オングストロームのニッケル系金属からなるニッケル系金属層とを含むことを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 A surface-treated insulating film;
A film carrier tape for electronic component mounting including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
The seed layer has a layer thickness of 10 to 300 Å formed on the surface-treated surface of the insulating film, and is substantially composed of zinc.
A nickel-based metal layer made of a nickel-based metal having a thickness of 30 to 500 angstroms formed on the surface of the zinc layer.

前記シード層は、蒸着により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 The film carrier tape according to claim 1, wherein the seed layer is formed by vapor deposition.

表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該シード層は、絶縁フィルムの表面処理面に形成された、７０〜９９質量％のニッケル系金属と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を含むことを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 A surface-treated insulating film;
A film carrier tape for electronic component mounting including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
The seed layer includes an alloy layer formed on a surface-treated surface of an insulating film and formed of 70 to 99% by mass of a nickel-based metal and 1 to 30% by mass of zinc alone, for mounting electronic components. Film carrier tape.

前記シード層は、絶縁フィルムの表面処理面に形成された、５０〜９５質量％のニッケル単体と４〜２０質量％のクロム単体と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を含むことを特徴とする請求項３に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 The seed layer includes an alloy layer formed on the surface-treated surface of the insulating film and composed of 50 to 95% by mass of nickel alone, 4 to 20% by mass of chromium alone, and 1 to 30% by mass of zinc alone. The film carrier tape for electronic component mounting according to claim 3, wherein:

前記シード層は、蒸着により形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 The film carrier tape according to claim 4, wherein the seed layer is formed by vapor deposition.

表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該配線の幅方向端側から絶縁フィルムの表面に渡る領域の少なくとも一部が、亜鉛単体を含む亜鉛被覆層で連続的に被覆されていることを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 A surface-treated insulating film;
A film carrier tape for electronic component mounting including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
A film carrier tape for mounting electronic components, wherein at least a part of a region extending from a width direction end of the wiring to a surface of the insulating film is continuously coated with a zinc coating layer containing zinc alone.

前記亜鉛被覆層は、電解亜鉛メッキにより形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 The film carrier tape according to claim 6, wherein the zinc coating layer is formed by electrolytic zinc plating.

表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法であって、
絶縁フィルムを表面処理する表面処理工程と、
亜鉛単体を蒸着により絶縁フィルムの表面処理面に層厚が１０〜３００オングストロームとなるように付着させて亜鉛層を形成した後、ニッケル系金属を蒸着により亜鉛層の表面に層厚が３０〜５００オングストロームとなるように付着させてニッケル系金属層を形成することを含むシード層形成工程と、
電解銅を電解銅メッキによりシード層の表面に付着させて銅層を形成する銅層形成工程とを含むことを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。 A surface-treated insulating film;
A method for manufacturing a film carrier tape for electronic component mounting, including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
A surface treatment step of surface treating the insulating film;
A single zinc layer is deposited on the surface-treated surface of the insulating film by vapor deposition so as to have a layer thickness of 10 to 300 angstroms to form a zinc layer. Then, a nickel-based metal is deposited on the surface of the zinc layer by vapor deposition to have a layer thickness of 30 to 500. A seed layer forming step including forming a nickel-based metal layer by depositing to a thickness of angstrom;
A copper layer forming step of forming a copper layer by depositing electrolytic copper on the surface of the seed layer by electrolytic copper plating.

表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法であって、
絶縁フィルムを表面処理する表面処理工程と、
ニッケル単体および亜鉛単体を含む合金を蒸着により絶縁フィルムの表面処理面に付着させ、７０〜９９質量％のニッケル系金属と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を形成することを含むシード層形成工程と、
電解銅を電解銅メッキによりシード層の表面に付着させて銅層を形成する銅層形成工程とを含むことを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。 A surface-treated insulating film;
A method for manufacturing a film carrier tape for electronic component mounting, including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
A surface treatment step of surface treating the insulating film;
Including forming an alloy layer composed of 70 to 99% by mass of a nickel-based metal and 1 to 30% by mass of a simple substance of zinc by depositing an alloy containing simple nickel and simple zinc on a surface-treated surface of an insulating film by vapor deposition. A seed layer forming step;
A copper layer forming step of forming a copper layer by depositing electrolytic copper on the surface of the seed layer by electrolytic copper plating.

前記シード層形成工程において、クロム単体を含む合金を蒸着により絶縁フィルムの表面処理面に付着させ、５０〜９５質量％のニッケル単体と４〜２０質量％のクロム単体と１〜３０質量％の亜鉛単体とからなる合金層を形成することを特徴とする請求項９に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。 In the seed layer forming step, an alloy containing chromium alone is deposited on the surface-treated surface of the insulating film by vapor deposition, and 50 to 95% by mass of nickel alone, 4 to 20% by mass of chromium alone, and 1 to 30% by mass of zinc. The method for producing a film carrier tape for mounting electronic components according to claim 9, wherein an alloy layer composed of a single substance is formed.

表面処理された絶縁フィルムと、
絶縁フィルムの表面処理面に形成されたシード層と該シード層の表面に形成された銅層とからなる配線とを含む電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法であって、
電解亜鉛メッキにより、該配線の幅方向端側から絶縁フィルムの表面に渡る領域の少なくとも一部が亜鉛単体を含む亜鉛被覆層で連続的に被覆されるように、該亜鉛被覆層を形成する工程を含むこと特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
A surface-treated insulating film;
A method for manufacturing a film carrier tape for electronic component mounting, including a seed layer formed on a surface treatment surface of an insulating film and a wiring formed of a copper layer formed on the surface of the seed layer,
Forming a zinc coating layer by electrolytic zinc plating such that at least a part of a region extending from a width direction end side of the wiring to a surface of the insulating film is continuously coated with a zinc coating layer containing zinc alone. A method for producing a film carrier tape for mounting electronic components, comprising: