JP2004207733A - サブコレクタとしての多数キャリア蓄積層を有するバイポーラ・トランジスタ - Google Patents
サブコレクタとしての多数キャリア蓄積層を有するバイポーラ・トランジスタ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】電子回路は、導電性背面電極と、導電性背面電極の上の絶縁体層と、絶縁体層の上のn型またはp型材料の半導体層とを含むバイポーラ・トランジスタを備える。この半導体層は、コレクタとして使用するドープした領域と、このドープした領域に隣接し、絶縁体層とコレクタ接点電極の間のリーチスルーとして使用する濃くドープした領域とを含む。多数キャリア蓄積層が、背面電極にバイアス電圧を印加することによって、コレクタのドープした領域中で絶縁体に隣接して誘起される。
【選択図】図5
Description
前記背面電極の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置する第1半導体層であって、
第1導電型で、前記絶縁層の上に位置するドープした領域を備えるコレクタと、
前記ドープした領域に隣接する第1導電型の濃くドープした領域を備え、前記絶縁体層とコレクタ接点電極の間に配設されたリーチスルーとを備える第1半導体層と、
第2導電型で、前記第1層の前記ドープした領域の上に設けられた半導体領域を備えるベースと、
第1導電型で、前記ベースの上に設けられた第3半導体領域を備えるエミッタと、
第1導電型で、前記背面電極で受ける前記バイアス電圧によって誘起される蓄積層とを備える、バイポーラ・トランジスタ。
(2)前記第1半導体層の前記ベースおよび前記ドープした領域が、前記第1半導体層の前記ドープした領域の厚さよりも薄い空間電荷領域を有するダイオードを形成する、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(3)前記第1半導体層の前記ベースおよび前記ドープした領域が、前記第1半導体層の前記ドープした領域の厚さよりも厚い空間電荷領域を有するダイオードを形成する、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(4)前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型であり、前記背面電極がゼロまたはプラスの値の電圧を受ける、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(5)前記第1導電型がp型であり、前記第2導電型がn型であり、前記背面電極がゼロまたはマイナスの値の電圧を受ける、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(6)前記第1半導体層が20〜2000nmの範囲の厚さを有する、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(7)前記ベースがシリコン・ゲルマニウム合金を含む、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(8)前記ベースがシリコン・ゲルマニウム・炭素合金を含む、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(9)前記背面電極として働く前記導電性領域がドープした半導体領域を含む、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(10)前記ドープした半導体領域がp型半導体基板中のn型ウエルを含む、上記(9)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(11)前記ドープした半導体領域がn型半導体基板中のp型ウエルである、上記(9)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(12)前記リーチスルーおよび前記背面電極が互いに電気的に接続され、前記コレクタの前記リーチスルーおよび前記背面電極がほぼ同じ電圧を有する、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
(13)上記(1)のバイポーラ・トランジスタと、前記背面電極で受けるバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備える電子回路。
(14)複数のバイポーラ・トランジスタを備える集積回路であって、各バイポーラ・トランジスタが、
バイアス電圧を受ける背面電極として働く導電性領域と、
前記背面電極の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置する第1半導体層であって、
第1導電型で、前記絶縁層の上に位置するドープした領域を備えるコレクタと、
前記ドープした領域に隣接する前記第1導電型の濃くドープした領域を備え、前記絶縁体層とコレクタ接点電極の間に配設されたリーチスルーとを備える第1半導体層と、
第2導電型で、前記第1層の前記ドープした領域の上に設けられた半導体領域を備えるベースと、
第1導電型で、前記ベースの上に設けられた第3半導体領域を備えるエミッタと、
第1導電型で、前記背面電極で受ける前記バイアス電圧によって誘起される蓄積層とを備える、集積回路。
(15)1つの共通な導電性領域が、すべてのバイポーラ・トランジスタの前記背面電極として働く、上記(14)に記載の集積回路。
(16)背面電極として働く各導電性領域が、1つまたは複数の誘電体領域によって、背面電極として働く他の導電性領域から電気的に分離される、上記(14)に記載の集積回路。
(17)背面電極として働く各導電性領域が、1つまたは複数のp/n接合によって、背面電極として働く他の導電性領域から電気的に分離される、上記(14)に記載の集積回路。
(18)前記エミッタがドープしたポリシリコン層である、上記(1)に記載のバイポーラ・トランジスタ。
502 背面電極
504 絶縁体層
506 第1半導体層、コレクタ
508 ベース
512 準中性領域
514 空乏領域
516 蓄積層
518 コレクタ・リーチスルー
520 コレクタ接点電極
600 バイポーラ・トランジスタ
602 エミッタ
604 ベース
606 コレクタ
608 空乏領域
610 蓄積層
612 絶縁体層
614 n型領域
616 背面電極
618 リーチスルー
800 npnトランジスタ
802 エミッタ
804 ベース
806 コレクタ
808 蓄積サブコレクタ層
810 リーチスルー
812 背面電極
814 絶縁体
816 コレクタ接点電極
Claims (18)
- バイアス電圧を受ける背面電極として働く導電性領域と、
前記背面電極の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置する第1半導体層であって、
第1導電型で、前記絶縁層の上に位置するドープした領域を備えるコレクタと、
前記ドープした領域に隣接する第1導電型の濃くドープした領域を備え、前記絶縁体層とコレクタ接点電極の間に配設されたリーチスルーとを備える第1半導体層と、
第2導電型で、前記第1半導体層の前記ドープした領域の上に設けられた半導体領域を備えるベースと、
第1導電型で、前記ベースの上に設けられた第3半導体領域を備えるエミッタと、
第1導電型で、前記背面電極で受ける前記バイアス電圧によって誘起される蓄積層とを備える、バイポーラ・トランジスタ。 - 前記第1半導体層の前記ベースおよび前記ドープした領域が、前記第1半導体層の前記ドープした領域の厚さよりも薄い空間電荷領域を有するダイオードを形成する、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記第1半導体層の前記ベースおよび前記ドープした領域が、前記第1半導体層の前記ドープした領域の厚さよりも厚い空間電荷領域を有するダイオードを形成する、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型であり、前記背面電極がゼロまたはプラスの値の電圧を受ける、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記第1導電型がp型であり、前記第2導電型がn型であり、前記背面電極がゼロまたはマイナスの値の電圧を受ける、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記第1半導体層が20〜2000nmの範囲の厚さを有する、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記ベースがシリコン・ゲルマニウム合金を含む、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記ベースがシリコン・ゲルマニウム・炭素合金を含む、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記背面電極として働く前記導電性領域がドープした半導体領域を含む、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記ドープした半導体領域がp型半導体基板中のn型ウエルを含む、請求項9に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記ドープした半導体領域がn型半導体基板中のp型ウエルである、請求項9に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 前記リーチスルーおよび前記背面電極が互いに電気的に接続され、前記コレクタの前記リーチスルーおよび前記背面電極がほぼ同じ電圧を有する、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
- 請求項1のバイポーラ・トランジスタと、前記背面電極で受けるバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備える電子回路。
- 複数のバイポーラ・トランジスタを備える集積回路であって、各バイポーラ・トランジスタが、
バイアス電圧を受ける背面電極として働く導電性領域と、
前記背面電極の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置する第1半導体層であって、
第1導電型で、前記絶縁層の上に位置するドープした領域を備えるコレクタと、
前記ドープした領域に隣接する第1導電型の濃くドープした領域を備え、前記絶縁体層とコレクタ接点電極の間に配設されたリーチスルーとを備える第1半導体層と、
第2導電型で、前記第1半導体層の前記ドープした領域の上に設けられた半導体領域を備えるベースと、
第1導電型で、前記ベースの上に設けられた第3半導体領域を備えるエミッタと、
第1導電型で、前記背面電極で受ける前記バイアス電圧によって誘起される蓄積層とを備える、集積回路。 - 1つの共通な導電性領域が、すべてのバイポーラ・トランジスタの前記背面電極として働く、請求項14に記載の集積回路。
- 背面電極として働く各導電性領域が、1つまたは複数の誘電体領域によって、背面電極として働く他の導電性領域から電気的に分離される、請求項14に記載の集積回路。
- 背面電極として働く各導電性領域が、1つまたは複数のp/n接合によって、背面電極として働く他の導電性領域から電気的に分離される、請求項14に記載の集積回路。
- 前記エミッタがドープしたポリシリコン層である、請求項1に記載のバイポーラ・トランジスタ。
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