JP2004174373A - 水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法 - Google Patents
水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004174373A JP2004174373A JP2002343547A JP2002343547A JP2004174373A JP 2004174373 A JP2004174373 A JP 2004174373A JP 2002343547 A JP2002343547 A JP 2002343547A JP 2002343547 A JP2002343547 A JP 2002343547A JP 2004174373 A JP2004174373 A JP 2004174373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- alloy
- permeable
- film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Fuel Cell (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】水素を含む混合ガスから水素を選択的に透過・分離する性能に優れ、燃料電池用の燃料に用いる水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な水素透過合金膜、水素透過用部材及び製造方法の提供。
【解決手段】面心立方結晶構造のPdまたはPd合金を主成分とする金属膜であって、Bを1〜20at%含有し、かつ面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm以上であることを特徴とする水素透過合金膜、この水素透過合金膜を通気性多孔質金属支持体上に形成してなる水素透過用部材などによって提供。
【選択図】 なし
【解決手段】面心立方結晶構造のPdまたはPd合金を主成分とする金属膜であって、Bを1〜20at%含有し、かつ面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm以上であることを特徴とする水素透過合金膜、この水素透過合金膜を通気性多孔質金属支持体上に形成してなる水素透過用部材などによって提供。
【選択図】 なし
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、水素を含む混合ガスから水素を選択的に透過・分離する性能に優れ、燃料電池用の燃料に用いる水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
Pdに代表される金属膜(以下、合金膜ともいう)は、水素を選択的に透過・分離する性質を持つことから、半導体用シリコンなどの製造において、還元ガスなどを対象とした高純度水素精製装置で水素透過合金膜として使用されているが、近年、燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置へも適用が模索されている。
【0003】
水素ガスの精製・分離装置は、装置本体及び水素含有ガスの供給手段と水素ガスの排出手段から構成され、この装置本体に水素透過合金膜が設置される。
水素透過合金膜に水素ガスが接近すると、水素原子が合金膜に電子を渡してプロトンとなるが、プロトンは極めて微小なため、水素透過合金膜のPd合金の格子間(隙間)をぬって圧力の低い対向面に移動し、ここで、電子を受け取って水素原子となる。水素が合金膜を透過するのに対して、酸素、窒素、一酸化炭素あるいは水などは、水素よりもはるかに大きいために合金膜を透過することができない。このようなメカニズムで、水素透過合金膜によって水素が高純度に精製される。
【0004】
水素透過合金膜の材料は、Pd単体では水素脆化しやすいため、これにAgを10〜30at.%添加したPd−Ag合金として実用化されている。また、同一温度、同一水素ガス圧下での水素透過率をPd−Ag合金よりも大きくするために、希土類元素を添加した合金が検討されている。
【0005】
例えば、Pdと、イットリウムおよびランタニド(但し、LaとPrを除く)からなる群から選ばれた一種以上の金属元素との合金が提案されている(特許文献1を参照)。
また、Agを5〜25at%と、Y又はGdを1〜10at%と、残部Pdより成る合金が提案され(特許文献2を参照)、Pdと合金化する金属がAg、Au、Pt、Rh、Ru、Ir、Ce、Y又はGdであるPd合金膜が提案されている(特許文献3を参照)。
希土類元素のSm、Ce、又はYbの少なくとも一種を3〜15at%と、残部Pdと不純物よりなる合金(特許文献4を参照)、高温下でも優れた水素透過特性を有する希土類元素のTb、Dy、Ho、又はErの少なくとも一種を3〜15at%と、残部Pdと不純物よりなる合金(特許文献5を参照)、Ag、Au、又はCuのうち少なくとも一種の金属元素を0〜20at%とし、Ce、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、又はYbの少なくとも一種の金属元素を3〜15at%と、残部Pdと不純物よりなる合金(特許文献6を参照)なども提案されている。
【0006】
また、水素透過合金膜を透過した水素を流し出すために、通常、多孔質金属基板を支持体として用い、その上に合金膜が形成される。
例えば、多数の小孔を有する耐熱性多孔体(多孔質硝子)の上に、化学メッキ法で水素透過合金膜を形成すること(特許文献7を参照)、金属多孔質支持体の上に合金膜を形成し、さらに、水素透過合金膜に金属多孔質金属基板の成分が拡散して水素透過性能が劣化することを防止するために、高融点金属又はセラミックスのバリヤ層を形成することが提案されている(特許文献8を参照)。
【0007】
しかしながら、従来のPd合金膜を燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置へ適用しようとしても、水素透過性能がいまだ不十分であり、また、多孔質硝子や多孔質セラミックス製の支持体を用いる水素透過合金膜は、機械的強度が小さく、あるいは金属製部品との接合が困難であるという問題があった。
【0008】
このような状況下、燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置へも適用できるだけの水素透過性能があり、充分な機械的強度をもつとともに、多孔質支持体から構成元素の拡散がない水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法が切望されていた。
【0009】
【特許文献1】
特開昭46−7562号公報(特許請求の範囲)
【特許文献2】
特開平3−271337号公報(特許請求の範囲)
【特許文献3】
特開2000−247605号公報(段落[0016])
【特許文献4】
特開2001−46845号公報(特許請求の範囲)
【特許文献5】
特開2001−131653号公報(特許請求の範囲)
【特許文献6】
特開2001−262252号公報(特許請求の範囲)
【特許文献7】
特開昭63−294925号公報(特許請求の範囲、第3項)
【特許文献8】
特開2001−286742号公報(特許請求の範囲)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点に鑑み、水素を含む混合ガスから水素を選択的に透過・分離する性能に優れ、燃料電池用の燃料に用いる水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、前述の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、Pd又はPd合金に特定量のBを含有させると、Bのイオン半径が非常に小さいので、Pd合金の格子間に位置して面心立方結晶構造の格子を膨張させることになり、水素が格子間距離を押し広げてPd中に侵入するのに必要な弾性エネルギーが低減することにより、水素透過係数を大幅に増大できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0012】
すなわち、本発明の第1の発明によれば、面心立方結晶構造のPdまたはPd合金を主成分とする金属膜であって、Bを1〜20at%含有し、かつ面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm以上であることを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0013】
また、本発明の第2の発明によれば、第1の発明において、Bの含有量が3〜18at%であることを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0014】
また、本発明の第3の発明によれば、第1の発明において、Pd合金が、Cu、Ag、またはAuから選択される少なくとも1種の金属元素を0〜50at%含むことを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0015】
また、本発明の第4の発明によれば、第1の発明において、Pd合金が、Yまたはランタノイド元素から選択される少なくとも1種を0〜10at%含むことを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0016】
さらに、本発明の第5の発明によれば、第1の発明において、面心立方結晶構造の格子定数が、0.395〜0.420nmであることを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0017】
一方、本発明の第6の発明によれば、第1〜5のいずれかの水素透過合金膜を通気性多孔質金属支持体上に形成してなる水素透過用部材が提供される。
【0018】
また、本発明の第7の発明によれば、第6の発明において、通気性多孔質金属支持体が、金属粒子または金属繊維を焼結して得られた成形体であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0019】
また、本発明の第8の発明によれば、第7の発明において、金属粒子または金属繊維が、ステンレスまたはニッケル基合金であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0020】
また、本発明の第9の発明によれば、第6の発明において、通気性多孔質金属支持体が、相対密度55〜75%であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0021】
また、本発明の第10の発明によれば、第6の発明において、通気性多孔質金属支持体は、表面にバリア膜が形成されていることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0022】
また、本発明の第11の発明によれば、第10の発明において、バリア膜がAl、Si、Cr、又はTiから選択される少なくとも1種の酸化膜又は窒化膜であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0023】
一方、本発明の第12の発明によれば、第6〜11のいずれかの発明において、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、合金スラリーの塗布法、無電解若しくは電気メッキ法、又は合金の圧延法から選ばれたいずれかの方法で通気性多孔質金属支持体上に水素透過合金膜を形成させることを特徴とする水素透過用部材の製造方法が提供される。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法を詳しく説明する。
1.水素透過合金膜
【0025】
本発明の水素透過合金膜は、面心立方結晶構造のPdまたはPd合金を主成分とする金属膜であって、Bを特定量含有させることで、面心立方結晶構造の室温における格子定数を特定範囲とした水素透過合金膜である。
【0026】
ベースとなるPdは単独でもよいが、これにCu、Ag、またはAuの少なくとも1種の金属元素を0〜50at%含むPd合金、及び又は、Yあるいはランタノイド元素の少なくとも1種の金属元素を0〜10at%含むPd合金であることが好ましい。ランタノイド元素としては、例えば、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或いはLuなどが挙げられる。
【0027】
Cu、Ag、またはAuは、Pdと合金化して強度を向上させ、水素脆化を抑制する効果があり、Yまたはランタノイド元素は、高温での強度を向上させる効果がある。水素ガスが400℃以上になりうる水素ガス精製・分離装置に適用するには、高温強度を維持できるようにCu、Ag、またはAuを特定量含んだ合金組成とすることが望ましい。
Cuは1〜40at%、Agは1〜40at%、Auは1〜40at%であることが好ましい。一方、Yは1〜8at%、ランタノイド元素のLaなどは1〜8at%であることが好ましい。
【0028】
Bを添加するPd又はPd合金には、Ag、Cu、Au、Yやランタノイド元素などの他に、Pt、Rh、Ir、Ru、Ni、Co、Ti、Nb、又はTaのいずれかを置換固溶させても良い。Pt、Rh、Irなどの金属元素の添加量は、金属2元状態図に知られるところである。
【0029】
Bは非常にイオン半径の小さな原子であるので、Pd原子を置換するのではなくPdの格子間に入り込んで、0.389nmであったPdの面心立方結晶構造の格子定数(室温)を0.390nm以上に膨張させる作用がある。この作用によって水素が透過するときに、HがPd格子を押し広げて侵入するのに要する弾性エネルギーが小さくて済み、水素透過係数が増大する。
【0030】
面心立方結晶構造の格子定数(室温)は、0.390nm以上であり、特に0.395〜0.420nmとすることが好ましい。Pd合金相によっては面心立方結晶構造でない部分もありうるが、この場合の格子定数は、主成分であるPdの面心立方結晶構造の部分を指すものとする。
面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm未満では、水素透過性能の改善効果が不十分である。格子定数は大きいほど水素透過性能が向上するが、0.420nmを超えると、この領域は、B添加量やBと同時に添加する金属元素量が増加したところであり、Pd−B金属間化合物相や他の金属間化合物相が現れ始め、格子定数の増加としても限界に近いところであり、水素透過性能は低下を始めるので好ましくない。
【0031】
B添加量が1at%未満であると、Pd合金の面心立方結晶構造の格子定数が大きくならず、水素透過性能を向上させることができない。逆に、20at%を超えて添加すると、PdとBとの金属間化合物相が析出して、格子が拡大した面心立方結晶構造の体積割合が減少し、水素透過性能を下げてしまう。好ましいB添加量は3〜18at%である。
【0032】
また、合金膜の膜厚は1〜50μm、特に5〜30μmが好ましい。1μmより薄いと、機械的強度が不十分であるだけでなく多孔質金属基板表面の気孔を閉塞できず、透過ガス側に不純物ガスが混入してしまい、50μmを超えると透過する水素流量が減少してしまう。
【0033】
2.水素透過用部材
本発明の水素透過用部材は、基体部分にステンレスやニッケル基合金等を焼結加工した通気性多孔質金属支持体(以下、多孔質金属基板あるいは単に支持体ということもある)を用い、その上に水素透過合金膜を形成したものである。
【0034】
通気性多孔質金属支持体は、金属粒子または金属繊維の焼結体であることが機械的強度を持たせる上で望ましい。使用される金属粒子または金属繊維の材料としては、ステンレスまたはニッケル基合金を用いることが望ましい。これら素材を用いれば、耐熱性、耐食性、耐水素脆化の特性を改善することもできる。
【0035】
通気性多孔質金属支持体としては、相対密度55〜75%、特に60〜70%の多孔質金属基板が好ましい。多孔質金属支持体の材料と相対密度は、通気性と機械的強度を考慮して選択する必要がある。相対密度が55%未満では機械的強度が不十分であり、一方、75%を超えると通気性が低下するので好ましくない。
【0036】
通気性多孔質金属支持体表面には、多孔質金属基板の成分が水素透過合金膜中へ拡散して水素透過性能を劣化させないようにするため、酸化物膜または窒化物膜のバリア膜を形成することが望ましい。バリア膜の材料としては、Al、Si、Cr、又はTiから選択される少なくとも1種の酸化物、または窒化物膜が好ましい。これらの材料は、通気性多孔質金属支持体表面への密着性も優れているので、支持体の機械的強度を損なうこともない。
【0037】
形成される酸化物膜または窒化物膜の膜厚は、0.01〜10μm、特に0.1〜5μmが好ましい。0.01μmより薄いと拡散防止効果が得られず、10μmを超えると多孔質金属基板表面の気孔が閉塞されるので、ガス通気性に支障が出てしまう。
【0038】
3.水素透過合金用部材の製造方法
本発明の水素透過合金用部材は、通気性多孔質金属支持体を用意する工程、その表面にバリア膜を形成する工程、さらに水素透過合金膜を形成する工程を順に行うことで製造される。
【0039】
(1)通気性多孔質金属支持体の作製
支持体は、金属粒子または金属繊維の焼結体に機械的強度を持たせられるものであれば、その製法に制限はないが、金型成形法、射出成形法やスラリー法等で形成することができる。
【0040】
金属粒子または金属繊維としては、耐熱性、耐食性、耐水素脆化を有するステンレスまたはニッケル基合金の金属粒子または金属繊維を用いることができる。特に平均粒径または断面直径が5〜15μm、好ましくは8〜13μmのものを用いることが望ましい。平均粒径または断面直径が5〜15μmの範囲を外れると、適度な通気性が得られにくくなる。
【0041】
金型成形法を用いる場合には、まずステンレスまたはニッケル基合金の金属粒子または金属繊維にパラフィンやナイロン等のバインダーを混合して、コンパウンドを作製する。
【0042】
次に、このコンパウンドをプレス成形して、所定の大きさ(面積)で厚さ0.5〜3mm、好ましくは1〜1.5mmの成形体を作製する。厚さ0.5mm未満では機械的強度が不十分であり、一方、3mmを超えると通気性が低下する。
【0043】
最後に、この成形体を真空中およそ200〜400℃で数時間加熱して脱バインダー処理した後、600〜1100℃程度で1〜5時間、真空焼結を行って多孔質金属基板を作製することができる。多孔質金属支持体の材料(種類、サイズ)と相対密度(55〜75%)は、通気性と機械的強度を考慮して選択すればよい。
【0044】
なお、支持体を射出成形法で形成するのであれば、上記と同様にしてコンパウンドを調製し、これを射出成形機にかけて所定の大きさの型内に射出する。また、スラリー法で形成するのであれば、金属粉末とアクリル樹脂などの結合成分と水などの溶媒をボールミルなどで混合してスラリーを作製し、ドクターブレードを用いてプラスチックフィルム上に塗布、乾燥、焼成する。加熱の条件は上記の金型成形法と同様である。
【0045】
(2)バリア膜の形成
通気性の多孔質金属支持体表面には、水素透過合金膜に多孔質金属基板の成分が拡散して水素透過性能が劣化することを防止するため、Al、Si、Cr、又はTiから選択される少なくとも1種の金属元素を含むバリア膜(酸化物膜または窒化物膜)が形成される。
【0046】
酸化物膜または窒化物膜の製造方法に制限はなく、上記通気性多孔質金属支持体上に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法によって形成される。
【0047】
真空蒸着法は、真空蒸着機内の水冷ハースにアルミナなどの原料酸化物を設置し、装置を真空(真空度10−2Pa>)として、電子銃で原料酸化物を加熱、蒸発させて直接に所望の膜厚の酸化物膜を形成する方法である。
スパッタリング法は、真空装置内に原料のターゲットを設置し、真空条件のアルゴンガス雰囲気下、プラズマをターゲットに照射し、原料の微粒子を叩き出して基板の支持体に成膜する方法である。
スパッタリング法には、アルゴンプラズマを高周波で発生させる高周波スパッタリング法(RFスパッタリング)、直流電力で発生させる直流スパッタリング法(DCスパッタリング)があるが、いずれも高効率化のため、ターゲットの裏側にマグネットを配置してアルゴンプラズマをターゲット直上に集中させ、アルゴンイオンの衝突効率を上げて、低いガス圧で成膜可能としたマグネトロンスパッタ法が付加されている。
イオンプレーティング法は、高周波プラズマやアーク放電でイオン化させた原料金属蒸気を基板上に成膜させる方法である。酸化物膜や窒化物膜は、真空装置内に酸素や窒素ガスを導入して原料金属蒸気と反応させて成膜する。
【0048】
(3)水素透過合金膜の形成
本発明の水素透過部材は、通気性多孔質金属支持体に形成したバリア膜の上に、水素透過合金膜を成膜することで完成する。
【0049】
PdまたはPd合金にBを1〜20at%含有させうる方法であれば、水素透過合金膜の製造方法に制限はなく、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、合金スラリーの塗布法、無電解または電気メッキなどの方法で水素透過合金膜を形成することができる。また、アーク溶解などで作製した合金を圧延して作製しても良い。
【0050】
ここで、真空蒸着法を用いた一例として、Pd−Ag−B合金膜を作製する方法について説明する。真空蒸着装置は特に制限されず、市販されている一般的な電子銃を用いた真空蒸着機が使用できる。
【0051】
まず、真空蒸着機内の水冷ハースにAg、B、及びPdの原料金属を設置する。次に、装置を真空(真空度10−2Pa>)にして、ハースを回転させて原料金属を選択し、原料金属を上記順番で、成膜される膜厚を水晶発振式膜厚モニターで監視しながら蒸着を行う。3種類の積層膜のそれぞれの膜厚を、PdとAgの膜厚の和とBの膜厚の比がPd+Ag:B=9〜200:1で、PdとAgの膜厚の比がPd:Ag=1:0〜1となるように成膜し、これを1単位として、複数回蒸着を繰り返し行い、総膜厚が1〜50μmの範囲のPd−Ag−B多層膜を作製する。
多元同時蒸着装置を用いれば、各原料金属への電子ビーム照射時間の制御あるいは電子ビーム強度の制御等で組成をコントロールすることができる。
【0052】
Pd(合金)中にBが1at%よりも少ないと水素透過性能が低く、20at%を超えて含有すると、金属間化合物相が析出して水素透過性能を下げてしまう。Pd合金にCu、Ag、Auの少なくとも1種が0〜50at%含まれていることが好ましく、これら金属が全く含まれていないと水素透過性能が大きくならず、50at%を超えて含有すると水素透過性能が小さくなってしまう。上記の膜厚比(Pd+Ag:B=9〜200:1、Pd:Ag=1:0〜1)は、これらの条件を勘案した結果、決定されたものである。
【0053】
同様に、Pd合金にはYまたはランタノイド元素の少なくとも1種が0〜10at%含まれていることが好ましく、これら金属が全く含まれていないと水素透過性能が大きくならず、10at%を超えて含有すると金属間化合物相が析出して水素透過性能が小さくなってしまう。例えば、Yが含まれた合金膜を得るには、膜厚比をPd+Y:B=9〜200:1、Pd:Y=1:0〜0.2とすることが好ましい。
【0054】
その後、この多層膜を真空蒸着機から取り出し、真空中(真空度10−2Pa>)、500〜1000℃、好ましくは600〜900℃で熱処理する。均一な合金にするには、この温度範囲で0.5〜20時間熱処理を行う。
【0055】
一方、スパッタリング法によるのであれば、真空装置内に原料となるPd−Ag−Bからなるターゲットを設置し、真空条件のアルゴン、クリプトンなどの希ガス雰囲気下、希ガスイオンをターゲットに照射して原料の微粒子を叩き出し、基板とする通気性多孔質支持体上に成膜する。スパッタリング装置の基板温度は、室温〜300℃とすることが好ましい。
ターゲットとしてPd−Ag合金を用い、Bはガス状の化合物として装置内に存在させてもよい。いずれにしても一枚のターゲットを用いて、連続的にスパッタリングできる方法が効率的である。
【0056】
また、イオンプレーティング法によるのであれば、電子銃などで発生させた原料金属蒸気を高周波プラズマやアーク放電でイオン化させて基板上に金属膜を形成する。
【0057】
合金スラリーを通気性多孔質支持体に塗布する方法によるのであれば、微粉末状の原料を所定の重量割合(Pd+Ag:B=400〜1000:1、Pd:Ag=1:0〜1)で混合し、アセトンなどの溶剤中に均一に混合し、必要により粘度調整剤などを添加した後、通気性多孔質支持体に塗布し、乾燥、焼成する。
【0058】
無電解または電気メッキ法によるのであれば、原料化合物が所定の濃度で溶解した槽内に通気性多孔質支持体を設置し、原料化合物を化学反応させることにより、あるいは通電して通気性多孔質支持体上に反応生成物を堆積させて、Pd合金の緻密な膜を得る。
【0059】
合金を圧延する方法によるのであれば、先ずアーク溶解などで合金を作製しておき、これを圧延機にかけ、上下のロールで加圧して所定の厚さにすればよい。
【0060】
これらの方法によって、PdまたはPd合金にBを1〜20at%含有し、面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm以上の水素透過合金膜を形成することができる。
本発明では、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、圧延法によることが好ましく、酸化防止の観点から、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法で水素透過合金膜を形成することが最も好ましい。
【0061】
4.水素ガスの精製・分離装置
本発明の水素ガスの精製・分離装置は、装置本体及び水素含有ガスの供給手段と水素ガスの排出手段から構成され、この装置本体に上記の方法で製造された水素透過合金用部材を設置したものである。
水素透過合金用部材(水素透過合金膜)が、水素ガスの透過性能に優れるだけでなく、高温でも安定した強度を有するので、溶融炭酸塩型、固体電解質型などの燃料電池のように400℃以上の高温動作条件となりうる水素ガスの精製・分離装置でも安定した機能が期待できる。
【0062】
【実施例】
次に、本発明の実施例を比較例とともに例示するが、本発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。
【0063】
(実施例1)
平均粒径10μmのSUS316L粉にパラフィン2wt%を混合したコンパウンド10gを、プレス成形して、直径50mm、厚さ1.2mmの成形体を作製した。この成形体を通気性のある多孔質アルミナセッター2枚で挟み、真空中、300℃で2時間、脱バインダー処理した後に、1000℃で1時間、真空焼結を行って、相対密度63%の多孔質金属基板を作製した。
次に、この多孔質金属基板を電子銃真空蒸着装置内に取り付け、Al2O3を蒸発させて、多孔質金属基板の表面に1μmのバリア膜(拡散防止層)を形成した。
その後、電子銃を用いた真空蒸着機(神港精機社製AIF−850SB型)で、水冷ハースに別々に用意したAg、B、Pd金属をこの順序で繰り返して蒸発させ、それぞれの膜厚比がPd:Ag:B=20:6.4:1で、総膜厚が20μmとなるPd−Ag−B多層膜を作製した。
これを蒸着機より取り出し、700℃で2時間、真空熱処理して、均一な合金になった水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成を、誘導結合プラズマ発光分光分析装置ICP(セイコーインスツルメンツ社製)で分析したところ、Agが22.7at%、Bが5.9at%、残りPdであった。
また、X線回折分析(理学電機社製)した結果、JCPDSカード5−681面心立方結晶構造のPdであることがわかり、その格子定数(室温)は0.399nmであった。
次に、この水素透過用部材を水素透過係数測定装置に取り付け、水素圧力差0.6MPa、温度300〜500℃の条件で透過水素流量を測定して、水素透過係数を求めた。結果を図1に示す。本発明の水素透過用部材は、大きな水素透過係数を有することが分かった。
【0064】
(実施例2)
電子銃を用いた真空蒸着装置(実施例1と同じ)で、Agを蒸発させなかった以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成をICP分析した結果、Bが6.4at%、残りPdであった。また、X線回折分析の結果、面心立方結晶構造のPdであり、格子定数は0.396nmであった。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、大きな水素透過係数を有することが分かった。
【0065】
(実施例3)
膜厚比がPd:Ag:B=20:6.4:3となるように、真空蒸着装置でAg、B、Pdの順で成膜した以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成をICP分析した結果、Agが19.0at%、Bが17.1at%、残りPdであった。また、X線回折分析の結果、面心立方結晶構造Pdであり、格子定数は0.410nmであった。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、大きな水素透過係数を有することが分かった。
【0066】
(比較例1)
電子銃を用いた真空蒸着装置で、Bを蒸発させなかったこと以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜をICP分析した結果、Agが24.1at%、残りPdの組成であった。またX線回折分析の結果、面心立方結晶構造Pdの格子定数は0.393nmであった。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、実施例に比較して小さな水素透過係数しか得られなかった。
【0067】
(比較例2)
電子銃を用いた真空蒸着装置(実施例1と同じ)で、Agを蒸発させないで、膜厚比がPd:B=20:4となるように、真空蒸着装置でB、Pdの順で成膜した以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成をICP分析した結果、Bが25.2at%、残りPdであった。また、X線回折分析の結果、格子定数が0.408nmの面心立方結晶構造Pdの他に金属間化合物相が生成していた。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、実施例に比較して小さな水素透過係数しか得られなかった。
【0068】
【発明の効果】
本発明の水素透過合金膜は、PdまたはPd合金にBを特定量含有させたので、面心立方結晶構造PdまたはPd合金の格子定数が大きくなり、従来の合金膜に比べ大幅に水素透過性能が改善される。したがって、該合金膜を用いることで、燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な水素透過用部材を提供でき、その工業的価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1〜3、比較例1、2の水素透過合金膜を用いた場合、水素透過係数と温度との関係を示す。
【発明の属する技術分野】
本発明は、水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、水素を含む混合ガスから水素を選択的に透過・分離する性能に優れ、燃料電池用の燃料に用いる水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
Pdに代表される金属膜(以下、合金膜ともいう)は、水素を選択的に透過・分離する性質を持つことから、半導体用シリコンなどの製造において、還元ガスなどを対象とした高純度水素精製装置で水素透過合金膜として使用されているが、近年、燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置へも適用が模索されている。
【0003】
水素ガスの精製・分離装置は、装置本体及び水素含有ガスの供給手段と水素ガスの排出手段から構成され、この装置本体に水素透過合金膜が設置される。
水素透過合金膜に水素ガスが接近すると、水素原子が合金膜に電子を渡してプロトンとなるが、プロトンは極めて微小なため、水素透過合金膜のPd合金の格子間(隙間)をぬって圧力の低い対向面に移動し、ここで、電子を受け取って水素原子となる。水素が合金膜を透過するのに対して、酸素、窒素、一酸化炭素あるいは水などは、水素よりもはるかに大きいために合金膜を透過することができない。このようなメカニズムで、水素透過合金膜によって水素が高純度に精製される。
【0004】
水素透過合金膜の材料は、Pd単体では水素脆化しやすいため、これにAgを10〜30at.%添加したPd−Ag合金として実用化されている。また、同一温度、同一水素ガス圧下での水素透過率をPd−Ag合金よりも大きくするために、希土類元素を添加した合金が検討されている。
【0005】
例えば、Pdと、イットリウムおよびランタニド(但し、LaとPrを除く)からなる群から選ばれた一種以上の金属元素との合金が提案されている(特許文献1を参照)。
また、Agを5〜25at%と、Y又はGdを1〜10at%と、残部Pdより成る合金が提案され(特許文献2を参照)、Pdと合金化する金属がAg、Au、Pt、Rh、Ru、Ir、Ce、Y又はGdであるPd合金膜が提案されている(特許文献3を参照)。
希土類元素のSm、Ce、又はYbの少なくとも一種を3〜15at%と、残部Pdと不純物よりなる合金(特許文献4を参照)、高温下でも優れた水素透過特性を有する希土類元素のTb、Dy、Ho、又はErの少なくとも一種を3〜15at%と、残部Pdと不純物よりなる合金(特許文献5を参照)、Ag、Au、又はCuのうち少なくとも一種の金属元素を0〜20at%とし、Ce、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、又はYbの少なくとも一種の金属元素を3〜15at%と、残部Pdと不純物よりなる合金(特許文献6を参照)なども提案されている。
【0006】
また、水素透過合金膜を透過した水素を流し出すために、通常、多孔質金属基板を支持体として用い、その上に合金膜が形成される。
例えば、多数の小孔を有する耐熱性多孔体(多孔質硝子)の上に、化学メッキ法で水素透過合金膜を形成すること(特許文献7を参照)、金属多孔質支持体の上に合金膜を形成し、さらに、水素透過合金膜に金属多孔質金属基板の成分が拡散して水素透過性能が劣化することを防止するために、高融点金属又はセラミックスのバリヤ層を形成することが提案されている(特許文献8を参照)。
【0007】
しかしながら、従来のPd合金膜を燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置へ適用しようとしても、水素透過性能がいまだ不十分であり、また、多孔質硝子や多孔質セラミックス製の支持体を用いる水素透過合金膜は、機械的強度が小さく、あるいは金属製部品との接合が困難であるという問題があった。
【0008】
このような状況下、燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置へも適用できるだけの水素透過性能があり、充分な機械的強度をもつとともに、多孔質支持体から構成元素の拡散がない水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法が切望されていた。
【0009】
【特許文献1】
特開昭46−7562号公報(特許請求の範囲)
【特許文献2】
特開平3−271337号公報(特許請求の範囲)
【特許文献3】
特開2000−247605号公報(段落[0016])
【特許文献4】
特開2001−46845号公報(特許請求の範囲)
【特許文献5】
特開2001−131653号公報(特許請求の範囲)
【特許文献6】
特開2001−262252号公報(特許請求の範囲)
【特許文献7】
特開昭63−294925号公報(特許請求の範囲、第3項)
【特許文献8】
特開2001−286742号公報(特許請求の範囲)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点に鑑み、水素を含む混合ガスから水素を選択的に透過・分離する性能に優れ、燃料電池用の燃料に用いる水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、前述の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、Pd又はPd合金に特定量のBを含有させると、Bのイオン半径が非常に小さいので、Pd合金の格子間に位置して面心立方結晶構造の格子を膨張させることになり、水素が格子間距離を押し広げてPd中に侵入するのに必要な弾性エネルギーが低減することにより、水素透過係数を大幅に増大できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0012】
すなわち、本発明の第1の発明によれば、面心立方結晶構造のPdまたはPd合金を主成分とする金属膜であって、Bを1〜20at%含有し、かつ面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm以上であることを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0013】
また、本発明の第2の発明によれば、第1の発明において、Bの含有量が3〜18at%であることを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0014】
また、本発明の第3の発明によれば、第1の発明において、Pd合金が、Cu、Ag、またはAuから選択される少なくとも1種の金属元素を0〜50at%含むことを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0015】
また、本発明の第4の発明によれば、第1の発明において、Pd合金が、Yまたはランタノイド元素から選択される少なくとも1種を0〜10at%含むことを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0016】
さらに、本発明の第5の発明によれば、第1の発明において、面心立方結晶構造の格子定数が、0.395〜0.420nmであることを特徴とする水素透過合金膜が提供される。
【0017】
一方、本発明の第6の発明によれば、第1〜5のいずれかの水素透過合金膜を通気性多孔質金属支持体上に形成してなる水素透過用部材が提供される。
【0018】
また、本発明の第7の発明によれば、第6の発明において、通気性多孔質金属支持体が、金属粒子または金属繊維を焼結して得られた成形体であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0019】
また、本発明の第8の発明によれば、第7の発明において、金属粒子または金属繊維が、ステンレスまたはニッケル基合金であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0020】
また、本発明の第9の発明によれば、第6の発明において、通気性多孔質金属支持体が、相対密度55〜75%であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0021】
また、本発明の第10の発明によれば、第6の発明において、通気性多孔質金属支持体は、表面にバリア膜が形成されていることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0022】
また、本発明の第11の発明によれば、第10の発明において、バリア膜がAl、Si、Cr、又はTiから選択される少なくとも1種の酸化膜又は窒化膜であることを特徴とする水素透過用部材が提供される。
【0023】
一方、本発明の第12の発明によれば、第6〜11のいずれかの発明において、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、合金スラリーの塗布法、無電解若しくは電気メッキ法、又は合金の圧延法から選ばれたいずれかの方法で通気性多孔質金属支持体上に水素透過合金膜を形成させることを特徴とする水素透過用部材の製造方法が提供される。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法を詳しく説明する。
1.水素透過合金膜
【0025】
本発明の水素透過合金膜は、面心立方結晶構造のPdまたはPd合金を主成分とする金属膜であって、Bを特定量含有させることで、面心立方結晶構造の室温における格子定数を特定範囲とした水素透過合金膜である。
【0026】
ベースとなるPdは単独でもよいが、これにCu、Ag、またはAuの少なくとも1種の金属元素を0〜50at%含むPd合金、及び又は、Yあるいはランタノイド元素の少なくとも1種の金属元素を0〜10at%含むPd合金であることが好ましい。ランタノイド元素としては、例えば、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或いはLuなどが挙げられる。
【0027】
Cu、Ag、またはAuは、Pdと合金化して強度を向上させ、水素脆化を抑制する効果があり、Yまたはランタノイド元素は、高温での強度を向上させる効果がある。水素ガスが400℃以上になりうる水素ガス精製・分離装置に適用するには、高温強度を維持できるようにCu、Ag、またはAuを特定量含んだ合金組成とすることが望ましい。
Cuは1〜40at%、Agは1〜40at%、Auは1〜40at%であることが好ましい。一方、Yは1〜8at%、ランタノイド元素のLaなどは1〜8at%であることが好ましい。
【0028】
Bを添加するPd又はPd合金には、Ag、Cu、Au、Yやランタノイド元素などの他に、Pt、Rh、Ir、Ru、Ni、Co、Ti、Nb、又はTaのいずれかを置換固溶させても良い。Pt、Rh、Irなどの金属元素の添加量は、金属2元状態図に知られるところである。
【0029】
Bは非常にイオン半径の小さな原子であるので、Pd原子を置換するのではなくPdの格子間に入り込んで、0.389nmであったPdの面心立方結晶構造の格子定数(室温)を0.390nm以上に膨張させる作用がある。この作用によって水素が透過するときに、HがPd格子を押し広げて侵入するのに要する弾性エネルギーが小さくて済み、水素透過係数が増大する。
【0030】
面心立方結晶構造の格子定数(室温)は、0.390nm以上であり、特に0.395〜0.420nmとすることが好ましい。Pd合金相によっては面心立方結晶構造でない部分もありうるが、この場合の格子定数は、主成分であるPdの面心立方結晶構造の部分を指すものとする。
面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm未満では、水素透過性能の改善効果が不十分である。格子定数は大きいほど水素透過性能が向上するが、0.420nmを超えると、この領域は、B添加量やBと同時に添加する金属元素量が増加したところであり、Pd−B金属間化合物相や他の金属間化合物相が現れ始め、格子定数の増加としても限界に近いところであり、水素透過性能は低下を始めるので好ましくない。
【0031】
B添加量が1at%未満であると、Pd合金の面心立方結晶構造の格子定数が大きくならず、水素透過性能を向上させることができない。逆に、20at%を超えて添加すると、PdとBとの金属間化合物相が析出して、格子が拡大した面心立方結晶構造の体積割合が減少し、水素透過性能を下げてしまう。好ましいB添加量は3〜18at%である。
【0032】
また、合金膜の膜厚は1〜50μm、特に5〜30μmが好ましい。1μmより薄いと、機械的強度が不十分であるだけでなく多孔質金属基板表面の気孔を閉塞できず、透過ガス側に不純物ガスが混入してしまい、50μmを超えると透過する水素流量が減少してしまう。
【0033】
2.水素透過用部材
本発明の水素透過用部材は、基体部分にステンレスやニッケル基合金等を焼結加工した通気性多孔質金属支持体(以下、多孔質金属基板あるいは単に支持体ということもある)を用い、その上に水素透過合金膜を形成したものである。
【0034】
通気性多孔質金属支持体は、金属粒子または金属繊維の焼結体であることが機械的強度を持たせる上で望ましい。使用される金属粒子または金属繊維の材料としては、ステンレスまたはニッケル基合金を用いることが望ましい。これら素材を用いれば、耐熱性、耐食性、耐水素脆化の特性を改善することもできる。
【0035】
通気性多孔質金属支持体としては、相対密度55〜75%、特に60〜70%の多孔質金属基板が好ましい。多孔質金属支持体の材料と相対密度は、通気性と機械的強度を考慮して選択する必要がある。相対密度が55%未満では機械的強度が不十分であり、一方、75%を超えると通気性が低下するので好ましくない。
【0036】
通気性多孔質金属支持体表面には、多孔質金属基板の成分が水素透過合金膜中へ拡散して水素透過性能を劣化させないようにするため、酸化物膜または窒化物膜のバリア膜を形成することが望ましい。バリア膜の材料としては、Al、Si、Cr、又はTiから選択される少なくとも1種の酸化物、または窒化物膜が好ましい。これらの材料は、通気性多孔質金属支持体表面への密着性も優れているので、支持体の機械的強度を損なうこともない。
【0037】
形成される酸化物膜または窒化物膜の膜厚は、0.01〜10μm、特に0.1〜5μmが好ましい。0.01μmより薄いと拡散防止効果が得られず、10μmを超えると多孔質金属基板表面の気孔が閉塞されるので、ガス通気性に支障が出てしまう。
【0038】
3.水素透過合金用部材の製造方法
本発明の水素透過合金用部材は、通気性多孔質金属支持体を用意する工程、その表面にバリア膜を形成する工程、さらに水素透過合金膜を形成する工程を順に行うことで製造される。
【0039】
(1)通気性多孔質金属支持体の作製
支持体は、金属粒子または金属繊維の焼結体に機械的強度を持たせられるものであれば、その製法に制限はないが、金型成形法、射出成形法やスラリー法等で形成することができる。
【0040】
金属粒子または金属繊維としては、耐熱性、耐食性、耐水素脆化を有するステンレスまたはニッケル基合金の金属粒子または金属繊維を用いることができる。特に平均粒径または断面直径が5〜15μm、好ましくは8〜13μmのものを用いることが望ましい。平均粒径または断面直径が5〜15μmの範囲を外れると、適度な通気性が得られにくくなる。
【0041】
金型成形法を用いる場合には、まずステンレスまたはニッケル基合金の金属粒子または金属繊維にパラフィンやナイロン等のバインダーを混合して、コンパウンドを作製する。
【0042】
次に、このコンパウンドをプレス成形して、所定の大きさ(面積)で厚さ0.5〜3mm、好ましくは1〜1.5mmの成形体を作製する。厚さ0.5mm未満では機械的強度が不十分であり、一方、3mmを超えると通気性が低下する。
【0043】
最後に、この成形体を真空中およそ200〜400℃で数時間加熱して脱バインダー処理した後、600〜1100℃程度で1〜5時間、真空焼結を行って多孔質金属基板を作製することができる。多孔質金属支持体の材料(種類、サイズ)と相対密度(55〜75%)は、通気性と機械的強度を考慮して選択すればよい。
【0044】
なお、支持体を射出成形法で形成するのであれば、上記と同様にしてコンパウンドを調製し、これを射出成形機にかけて所定の大きさの型内に射出する。また、スラリー法で形成するのであれば、金属粉末とアクリル樹脂などの結合成分と水などの溶媒をボールミルなどで混合してスラリーを作製し、ドクターブレードを用いてプラスチックフィルム上に塗布、乾燥、焼成する。加熱の条件は上記の金型成形法と同様である。
【0045】
(2)バリア膜の形成
通気性の多孔質金属支持体表面には、水素透過合金膜に多孔質金属基板の成分が拡散して水素透過性能が劣化することを防止するため、Al、Si、Cr、又はTiから選択される少なくとも1種の金属元素を含むバリア膜(酸化物膜または窒化物膜)が形成される。
【0046】
酸化物膜または窒化物膜の製造方法に制限はなく、上記通気性多孔質金属支持体上に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法によって形成される。
【0047】
真空蒸着法は、真空蒸着機内の水冷ハースにアルミナなどの原料酸化物を設置し、装置を真空(真空度10−2Pa>)として、電子銃で原料酸化物を加熱、蒸発させて直接に所望の膜厚の酸化物膜を形成する方法である。
スパッタリング法は、真空装置内に原料のターゲットを設置し、真空条件のアルゴンガス雰囲気下、プラズマをターゲットに照射し、原料の微粒子を叩き出して基板の支持体に成膜する方法である。
スパッタリング法には、アルゴンプラズマを高周波で発生させる高周波スパッタリング法(RFスパッタリング)、直流電力で発生させる直流スパッタリング法(DCスパッタリング)があるが、いずれも高効率化のため、ターゲットの裏側にマグネットを配置してアルゴンプラズマをターゲット直上に集中させ、アルゴンイオンの衝突効率を上げて、低いガス圧で成膜可能としたマグネトロンスパッタ法が付加されている。
イオンプレーティング法は、高周波プラズマやアーク放電でイオン化させた原料金属蒸気を基板上に成膜させる方法である。酸化物膜や窒化物膜は、真空装置内に酸素や窒素ガスを導入して原料金属蒸気と反応させて成膜する。
【0048】
(3)水素透過合金膜の形成
本発明の水素透過部材は、通気性多孔質金属支持体に形成したバリア膜の上に、水素透過合金膜を成膜することで完成する。
【0049】
PdまたはPd合金にBを1〜20at%含有させうる方法であれば、水素透過合金膜の製造方法に制限はなく、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、合金スラリーの塗布法、無電解または電気メッキなどの方法で水素透過合金膜を形成することができる。また、アーク溶解などで作製した合金を圧延して作製しても良い。
【0050】
ここで、真空蒸着法を用いた一例として、Pd−Ag−B合金膜を作製する方法について説明する。真空蒸着装置は特に制限されず、市販されている一般的な電子銃を用いた真空蒸着機が使用できる。
【0051】
まず、真空蒸着機内の水冷ハースにAg、B、及びPdの原料金属を設置する。次に、装置を真空(真空度10−2Pa>)にして、ハースを回転させて原料金属を選択し、原料金属を上記順番で、成膜される膜厚を水晶発振式膜厚モニターで監視しながら蒸着を行う。3種類の積層膜のそれぞれの膜厚を、PdとAgの膜厚の和とBの膜厚の比がPd+Ag:B=9〜200:1で、PdとAgの膜厚の比がPd:Ag=1:0〜1となるように成膜し、これを1単位として、複数回蒸着を繰り返し行い、総膜厚が1〜50μmの範囲のPd−Ag−B多層膜を作製する。
多元同時蒸着装置を用いれば、各原料金属への電子ビーム照射時間の制御あるいは電子ビーム強度の制御等で組成をコントロールすることができる。
【0052】
Pd(合金)中にBが1at%よりも少ないと水素透過性能が低く、20at%を超えて含有すると、金属間化合物相が析出して水素透過性能を下げてしまう。Pd合金にCu、Ag、Auの少なくとも1種が0〜50at%含まれていることが好ましく、これら金属が全く含まれていないと水素透過性能が大きくならず、50at%を超えて含有すると水素透過性能が小さくなってしまう。上記の膜厚比(Pd+Ag:B=9〜200:1、Pd:Ag=1:0〜1)は、これらの条件を勘案した結果、決定されたものである。
【0053】
同様に、Pd合金にはYまたはランタノイド元素の少なくとも1種が0〜10at%含まれていることが好ましく、これら金属が全く含まれていないと水素透過性能が大きくならず、10at%を超えて含有すると金属間化合物相が析出して水素透過性能が小さくなってしまう。例えば、Yが含まれた合金膜を得るには、膜厚比をPd+Y:B=9〜200:1、Pd:Y=1:0〜0.2とすることが好ましい。
【0054】
その後、この多層膜を真空蒸着機から取り出し、真空中(真空度10−2Pa>)、500〜1000℃、好ましくは600〜900℃で熱処理する。均一な合金にするには、この温度範囲で0.5〜20時間熱処理を行う。
【0055】
一方、スパッタリング法によるのであれば、真空装置内に原料となるPd−Ag−Bからなるターゲットを設置し、真空条件のアルゴン、クリプトンなどの希ガス雰囲気下、希ガスイオンをターゲットに照射して原料の微粒子を叩き出し、基板とする通気性多孔質支持体上に成膜する。スパッタリング装置の基板温度は、室温〜300℃とすることが好ましい。
ターゲットとしてPd−Ag合金を用い、Bはガス状の化合物として装置内に存在させてもよい。いずれにしても一枚のターゲットを用いて、連続的にスパッタリングできる方法が効率的である。
【0056】
また、イオンプレーティング法によるのであれば、電子銃などで発生させた原料金属蒸気を高周波プラズマやアーク放電でイオン化させて基板上に金属膜を形成する。
【0057】
合金スラリーを通気性多孔質支持体に塗布する方法によるのであれば、微粉末状の原料を所定の重量割合(Pd+Ag:B=400〜1000:1、Pd:Ag=1:0〜1)で混合し、アセトンなどの溶剤中に均一に混合し、必要により粘度調整剤などを添加した後、通気性多孔質支持体に塗布し、乾燥、焼成する。
【0058】
無電解または電気メッキ法によるのであれば、原料化合物が所定の濃度で溶解した槽内に通気性多孔質支持体を設置し、原料化合物を化学反応させることにより、あるいは通電して通気性多孔質支持体上に反応生成物を堆積させて、Pd合金の緻密な膜を得る。
【0059】
合金を圧延する方法によるのであれば、先ずアーク溶解などで合金を作製しておき、これを圧延機にかけ、上下のロールで加圧して所定の厚さにすればよい。
【0060】
これらの方法によって、PdまたはPd合金にBを1〜20at%含有し、面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm以上の水素透過合金膜を形成することができる。
本発明では、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、圧延法によることが好ましく、酸化防止の観点から、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法で水素透過合金膜を形成することが最も好ましい。
【0061】
4.水素ガスの精製・分離装置
本発明の水素ガスの精製・分離装置は、装置本体及び水素含有ガスの供給手段と水素ガスの排出手段から構成され、この装置本体に上記の方法で製造された水素透過合金用部材を設置したものである。
水素透過合金用部材(水素透過合金膜)が、水素ガスの透過性能に優れるだけでなく、高温でも安定した強度を有するので、溶融炭酸塩型、固体電解質型などの燃料電池のように400℃以上の高温動作条件となりうる水素ガスの精製・分離装置でも安定した機能が期待できる。
【0062】
【実施例】
次に、本発明の実施例を比較例とともに例示するが、本発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。
【0063】
(実施例1)
平均粒径10μmのSUS316L粉にパラフィン2wt%を混合したコンパウンド10gを、プレス成形して、直径50mm、厚さ1.2mmの成形体を作製した。この成形体を通気性のある多孔質アルミナセッター2枚で挟み、真空中、300℃で2時間、脱バインダー処理した後に、1000℃で1時間、真空焼結を行って、相対密度63%の多孔質金属基板を作製した。
次に、この多孔質金属基板を電子銃真空蒸着装置内に取り付け、Al2O3を蒸発させて、多孔質金属基板の表面に1μmのバリア膜(拡散防止層)を形成した。
その後、電子銃を用いた真空蒸着機(神港精機社製AIF−850SB型)で、水冷ハースに別々に用意したAg、B、Pd金属をこの順序で繰り返して蒸発させ、それぞれの膜厚比がPd:Ag:B=20:6.4:1で、総膜厚が20μmとなるPd−Ag−B多層膜を作製した。
これを蒸着機より取り出し、700℃で2時間、真空熱処理して、均一な合金になった水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成を、誘導結合プラズマ発光分光分析装置ICP(セイコーインスツルメンツ社製)で分析したところ、Agが22.7at%、Bが5.9at%、残りPdであった。
また、X線回折分析(理学電機社製)した結果、JCPDSカード5−681面心立方結晶構造のPdであることがわかり、その格子定数(室温)は0.399nmであった。
次に、この水素透過用部材を水素透過係数測定装置に取り付け、水素圧力差0.6MPa、温度300〜500℃の条件で透過水素流量を測定して、水素透過係数を求めた。結果を図1に示す。本発明の水素透過用部材は、大きな水素透過係数を有することが分かった。
【0064】
(実施例2)
電子銃を用いた真空蒸着装置(実施例1と同じ)で、Agを蒸発させなかった以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成をICP分析した結果、Bが6.4at%、残りPdであった。また、X線回折分析の結果、面心立方結晶構造のPdであり、格子定数は0.396nmであった。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、大きな水素透過係数を有することが分かった。
【0065】
(実施例3)
膜厚比がPd:Ag:B=20:6.4:3となるように、真空蒸着装置でAg、B、Pdの順で成膜した以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成をICP分析した結果、Agが19.0at%、Bが17.1at%、残りPdであった。また、X線回折分析の結果、面心立方結晶構造Pdであり、格子定数は0.410nmであった。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、大きな水素透過係数を有することが分かった。
【0066】
(比較例1)
電子銃を用いた真空蒸着装置で、Bを蒸発させなかったこと以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜をICP分析した結果、Agが24.1at%、残りPdの組成であった。またX線回折分析の結果、面心立方結晶構造Pdの格子定数は0.393nmであった。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、実施例に比較して小さな水素透過係数しか得られなかった。
【0067】
(比較例2)
電子銃を用いた真空蒸着装置(実施例1と同じ)で、Agを蒸発させないで、膜厚比がPd:B=20:4となるように、真空蒸着装置でB、Pdの順で成膜した以外は実施例1と同様にして、水素透過合金膜を作製した。
この水素透過合金膜の組成をICP分析した結果、Bが25.2at%、残りPdであった。また、X線回折分析の結果、格子定数が0.408nmの面心立方結晶構造Pdの他に金属間化合物相が生成していた。
実施例1と同様な方法で水素透過係数を求めたところ、図1に示すように、実施例に比較して小さな水素透過係数しか得られなかった。
【0068】
【発明の効果】
本発明の水素透過合金膜は、PdまたはPd合金にBを特定量含有させたので、面心立方結晶構造PdまたはPd合金の格子定数が大きくなり、従来の合金膜に比べ大幅に水素透過性能が改善される。したがって、該合金膜を用いることで、燃料電池用の水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な水素透過用部材を提供でき、その工業的価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1〜3、比較例1、2の水素透過合金膜を用いた場合、水素透過係数と温度との関係を示す。
Claims (12)
- 面心立方結晶構造のPdまたはPd合金を主成分とする金属膜であって、Bを1〜20at%含有し、かつ面心立方結晶構造の格子定数(室温)が0.390nm以上であることを特徴とする水素透過合金膜。
- Bの含有量が、3〜18at%であることを特徴とする請求項1に記載の水素透過合金膜。
- Pd合金が、Cu、Ag、またはAuから選択される少なくとも1種の金属元素を0〜50at%含有することを特徴とする請求項1に記載の水素透過合金膜。
- Pd合金が、Yまたはランタノイド元素から選択される少なくとも1種の金属元素を0〜10at%含むことを特徴とする請求項1に記載の水素透過合金膜。
- 面心立方結晶構造の格子定数(室温)が、0.395〜0.420nmであることを特徴とする請求項1に記載の水素透過合金膜。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の水素透過合金膜を通気性多孔質金属支持体上に形成してなる水素透過用部材。
- 通気性多孔質金属支持体が、金属粒子または金属繊維を焼結して得られた成形体であることを特徴とする請求項6に記載の水素透過用部材。
- 金属粒子または金属繊維が、ステンレスまたはニッケル基合金であることを特徴とする請求項7に記載の水素透過用部材。
- 通気性多孔質金属支持体は、相対密度が55〜75%であることを特徴とする請求項6に記載の水素透過用部材。
- 通気性多孔質金属支持体は、表面にバリア膜が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の水素透過用部材。
- バリア膜が、Al、Si、Cr、またはTiから選択される少なくとも1種の酸化膜又は窒化膜であることを特徴とする請求項10に記載の水素透過用部材。
- 真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、合金スラリーの塗布法、無電解若しくは電気メッキ法、または合金の圧延法から選択されるいずれかの方法で通気性多孔質金属支持体上に水素透過合金膜を形成させることを特徴とする請求項6〜11のいずれかに記載の水素透過用部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002343547A JP2004174373A (ja) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | 水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002343547A JP2004174373A (ja) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | 水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004174373A true JP2004174373A (ja) | 2004-06-24 |
Family
ID=32705304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002343547A Pending JP2004174373A (ja) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | 水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004174373A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1813694A1 (en) * | 2004-11-15 | 2007-08-01 | Nikko Materials Co., Ltd. | Sputtering target for production of metallic glass film and process for producing the same |
JP2011062699A (ja) * | 2004-09-15 | 2011-03-31 | Korea Inst Of Energy Research | 水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法 |
JP2012200716A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 水素透過性モジュール及びこれを利用した水素分離方法 |
US8316927B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-11-27 | Denso Corporation | Loop heat pipe waste heat recovery device with pressure controlled mode valve |
CN104046935A (zh) * | 2014-06-28 | 2014-09-17 | 西安瑞鑫科金属材料有限责任公司 | 一种钯铜合金箔材的制备方法 |
WO2015194472A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | 日東電工株式会社 | 水素排出膜 |
WO2015194470A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | 日東電工株式会社 | 水素排出膜 |
-
2002
- 2002-11-27 JP JP2002343547A patent/JP2004174373A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011062699A (ja) * | 2004-09-15 | 2011-03-31 | Korea Inst Of Energy Research | 水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法 |
EP1813694A1 (en) * | 2004-11-15 | 2007-08-01 | Nikko Materials Co., Ltd. | Sputtering target for production of metallic glass film and process for producing the same |
EP1813694A4 (en) * | 2004-11-15 | 2009-05-06 | Nikko Materials Co Ltd | SPUTTERTARGET FOR PRODUCING A METAL GLASS FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
US8316927B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-11-27 | Denso Corporation | Loop heat pipe waste heat recovery device with pressure controlled mode valve |
JP2012200716A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 水素透過性モジュール及びこれを利用した水素分離方法 |
WO2015194472A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | 日東電工株式会社 | 水素排出膜 |
WO2015194470A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | 日東電工株式会社 | 水素排出膜 |
JPWO2015194470A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2017-04-20 | 日東電工株式会社 | 水素排出膜 |
JPWO2015194472A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2017-05-25 | 日東電工株式会社 | 水素排出膜 |
US10439185B2 (en) | 2014-06-16 | 2019-10-08 | Nitto Denko Corporation | Hydrogen-releasing film |
CN104046935A (zh) * | 2014-06-28 | 2014-09-17 | 西安瑞鑫科金属材料有限责任公司 | 一种钯铜合金箔材的制备方法 |
CN104046935B (zh) * | 2014-06-28 | 2015-11-04 | 西安瑞鑫科金属材料有限责任公司 | 一种钯铜合金箔材的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7468093B2 (en) | Multiple phase alloys and metal membranes for hydrogen separation-purification and method for preparing the alloys and the metal membranes | |
McCool et al. | Nanostructured thin palladium-silver membranes: Effects of grain size on gas permeation properties | |
EP4335945A1 (en) | Production device and production method for thin film catalyst | |
JP2004174373A (ja) | 水素透過合金膜、水素透過用部材及びその製造方法 | |
JP6600300B2 (ja) | 固体電解質用多重層配置構成 | |
EP1992401B1 (en) | Hydrogen-permeable separation thin membranes | |
JPH11286785A (ja) | 水素透過膜及びその作製方法 | |
JP4742269B2 (ja) | 複相水素透過合金の製造方法および複相水素透過合金 | |
JP4953337B2 (ja) | 水素分離・精製用複相合金 | |
JP3645088B2 (ja) | 水素透過膜及びその作製方法 | |
JP4953278B2 (ja) | すぐれた水素透過分離性能を発揮する水素透過分離薄膜 | |
JP4064774B2 (ja) | 水素透過体とその製造方法 | |
JP2008212812A (ja) | 水素分離膜 | |
JP2006000722A (ja) | 水素透過合金膜及びその製造方法 | |
JP2004074070A (ja) | 水素透過膜 | |
CN109248544A (zh) | 滤气结构与过滤气体的方法 | |
JP4064662B2 (ja) | 水素透過体およびその製造方法 | |
JP4304666B2 (ja) | プロトン導電性材料、プロトン導電性構造体、燃料電池およびプロトン導電性構造体の製造方法 | |
JP2006274298A (ja) | 水素分離・精製用複相合金およびその製造方法 | |
JP5138876B2 (ja) | 酸化物プロトン導電性膜及びそれを含む水素透過構造体 | |
JP4953279B2 (ja) | すぐれた水素透過分離性能を発揮する水素透過分離薄膜 | |
Kim et al. | A Pd–Cu–Ni ternary alloyed membrane on porous nickel support prepared by sputtering and copper reflow | |
JP4747737B2 (ja) | 水素透過合金膜及びその製造方法 | |
JP7245525B2 (ja) | 水素分離用膜 | |
JP5294229B2 (ja) | 化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置 |