JP2004158844A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板表面に初期酸化膜11a〜11eを形成し、その初期酸化膜11a〜11eの、ガードリングの形成領域上の開口幅をレジストにより狭めた後、イオン注入および活性化熱処理によってガードリング5a〜5dを形成する。そして、アノード電極4、フィールドプレート6a〜6dおよびストッパー電極8を、同一の導電性薄膜により形成するとともに、アノード電極4に、導電性厚膜をパターニングして形成した厚膜電極10を接触させた構成とすることによって、ガードリング5a,5b,5c,5dの幅を狭くする。IGBT等では、ゲート電極およびゲートパッドを導電性厚膜で形成し、それらの下に、絶縁膜を介してIGBT等のセルを配置する。
【選択図】 図2
Description
実施の形態1は、本発明をダイオードに適用した例である。図1は、実施の形態1にかかるダイオードの平面構成の要部を示す平面図であり、図2は、図1のA−A’における断面構成を示す縦断面図である。図1および図2に示すように、n+型Si基板1上に第1の半導体領域であるn-型のドリフト領域2が形成されている。ドリフト領域2の、装置中央の表面層には、第2の半導体領域であるp型のアノード領域3が形成されている。アノード領域3は、第2の電極であるアノード電極4に接触している。
実施の形態2は、本発明をIGBTに適用した例である。図13は、実施の形態2にかかるIGBTの平面構成の要部を示す平面図であり、図14および図15は、それぞれ図13のゲートパッドを横切らないB−B’、およびゲートパッドを横切るC−C’における断面構成を示す縦断面図である。図13〜図15に示すように、n-型Si基板に第1の半導体領域であるn-型のドリフト領域52が形成されている。
実施の形態3は、本発明をダイオードに適用した他の例である。図28は、実施の形態3にかかるダイオードの平面構成の要部を示す平面図であり、図29は、図28のD−D’における断面構成を示す縦断面図である。図28および図29に示すように、実施の形態3のダイオードでは、パッシベーション膜13は、第2の電極であるアノード電極4の一部、具体的には平面形状が略方形状のアノード電極4の周縁部と、フィールドプレート6a,6b,6c,6dとストッパー電極8の上を覆っている。
実施の形態4は、本発明をIGBTに適用した他の例である。図31は、実施の形態4にかかるIGBTの平面構成の要部を示す平面図であり、図32は、図31のゲートパッドを横切らないE−E’における断面構成を示す縦断面図である。図31および図32に示すように、実施の形態4のIGBTでは、パッシベーション膜63は、第2の電極であるエミッタ電極54の一部、具体的には平面形状が略方形状のエミッタ電極54の周縁部と、ランナー電極74とフィールドプレート56a,56b,56cとストッパー電極58の上を覆っている。
3 第2の半導体領域(p型アノード領域)
4 第2の電極(アノード電極)
5a〜5d,55a〜55c p型ガードリング
6a〜6d,56a〜56c フィールドプレート
7,57 n型チャネルストッパー
8,58 ストッパー電極
9,59 絶縁膜(窒化膜)
10 厚膜電極
11a〜11e,61a〜61d 絶縁膜(初期酸化膜)
12,62 絶縁膜(PSG膜)
14 第1の電極(カソード電極)
21,81 ガードリング形成用レジストマスク
53 第2の半導体領域(p型ベース領域)
54 第2の電極(エミッタ電極)
60 第1の厚膜電極
64 第1の電極(コレクタ電極)
73 第3の半導体領域(ゲートランナー)
74 第3の電極(ランナー電極)
76 第2の厚膜電極
Claims (6)
- 第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域から離れ、かつ前記第2の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型のガードリングと、
前記第2の半導体領域に接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆う第2の電極と、
前記ガードリングに接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆うフィールドプレートと、
前記第2の電極に接触し、かつ前記第2の電極および前記フィールドプレートよりも厚く形成された厚膜電極と、
を具備し、
前記ガードリングは、互いに離れた状態で複数形成されており、各ガードリングにそれぞれ個別にフィールドプレートが接触しており、
前記第2の電極および前記フィールドプレートは、多層膜であることを特徴とする半導体装置。 - 第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域から離れ、かつ前記第2の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型のガードリングと、
前記ガードリングから離れ、かつ前記ガードリングを囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第1導電型のチャネルストッパーと、
前記第2の半導体領域に接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆う第2の電極と、
前記ガードリングに接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆うフィールドプレートと、
前記チャネルストッパーに接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆うストッパー電極と、
前記第2の電極に接触し、かつ前記第2の電極、前記フィールドプレートおよび前記ストッパー電極よりも厚く形成された厚膜電極と、
を具備し、
前記ガードリングは、互いに離れた状態で複数形成されており、各ガードリングにそれぞれ個別にフィールドプレートが接触しており、
前記第2の電極、前記フィールドプレートおよび前記ストッパー電極は、多層膜であることを特徴とする半導体装置。 - 第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面上に絶縁膜を介して形成された第1導電型の第3の半導体領域と、
前記第3の半導体領域から離れ、かつ前記第3の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型のガードリングと、
前記第2の半導体領域に接触する第2の電極と、
前記第3の半導体領域に接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆う第3の電極と、
前記ガードリングに接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆うフィールドプレートと、
前記第2の電極に接触し、かつ前記第2の電極、前記第3の電極および前記フィールドプレートよりも厚く形成された厚膜電極と、
前記第3の電極に接触し、かつ前記第2の電極、前記第3の電極および前記フィールドプレートよりも厚く形成された第2の厚膜電極と、
を具備し、
前記第2の厚膜電極の下に、絶縁膜を介して前記第2の電極および前記第2の半導体領域が形成されており、
前記ガードリングは、互いに離れた状態で複数形成されており、各ガードリングにそれぞれ個別にフィールドプレートが接触しており、
前記第2の電極、前記第3の電極および前記フィールドプレートは、多層膜であることを特徴とする半導体装置。 - 第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面上に絶縁膜を介して形成された第1導電型の第3の半導体領域と、
前記第3の半導体領域から離れ、かつ前記第3の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型のガードリングと、
前記ガードリングから離れ、かつ前記ガードリングを囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第1導電型のチャネルストッパーと、
前記第2の半導体領域に接触する第2の電極と、
前記第3の半導体領域に接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆う第3の電極と、
前記ガードリングに接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆うフィールドプレートと、
前記チャネルストッパーに接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆うストッパー電極と、
前記第2の電極に接触し、かつ前記第2の電極、前記第3の電極、前記フィールドプレートおよび前記ストッパー電極よりも厚く形成された厚膜電極と、
前記第3の電極に接触し、かつ前記第2の電極、前記第3の電極、前記フィールドプレートおよび前記ストッパー電極よりも厚く形成された第2の厚膜電極と、
を具備し、
前記第2の厚膜電極の下に、絶縁膜を介して前記第2の電極および前記第2の半導体領域が形成されており、
前記ガードリングは、互いに離れた状態で複数形成されており、各ガードリングにそれぞれ個別にフィールドプレートが接触しており、
前記第2の電極、前記第3の電極、前記フィールドプレートおよび前記ストッパー電極は、多層膜であることを特徴とする半導体装置。 - 第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域から離れ、かつ前記第2の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型のガードリングと、前記第2の半導体領域に接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆う第2の電極と、前記ガードリングに接触し、かつ絶縁膜を介して前記第1の半導体領域の表面の一部を覆うフィールドプレートと、前記第2の電極に接触し、かつ前記第2の電極および前記フィールドプレートよりも厚く形成された厚膜電極と、を具備する半導体装置を製造するにあたって、
前記第1の半導体領域の表面層に初期酸化膜を形成し、当該初期酸化膜の、前記ガードリングの形成領域上の部分を除去する工程と、
前記第1の半導体領域の表面層にレジストを塗布し、当該レジストをパターニングして、前記初期酸化膜の、前記ガードリングの形成領域上の開口幅を狭める工程と、
前記レジストをマスクとして前記ガードリングの形成領域に第2導電型の不純物をイオン注入する工程と、
前記レジストを除去した後、熱処理をおこない、前記ガードリングの形成領域に注入された第2導電型の不純物を拡散させ、活性化させて、前記ガードリングを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域から離れ、かつ前記第2の半導体領域を囲むように、前記第1の半導体領域の表面層に選択的に形成された第2導電型のガードリングと、前記第2の半導体領域に接触する第2の電極と、前記ガードリングに接触するフィールドプレートと、前記第2の電極に接触し、かつ前記第2の電極および前記フィールドプレートよりも厚く形成された厚膜電極と、を具備する半導体装置を製造するにあたって、
前記第1の半導体領域に前記ガードリングと前記第2の半導体領域を形成する工程と、
前記第2の半導体領域および前記ガードリングのそれぞれに接触する前記第2の電極および前記フィールドプレートを形成する工程と、
前記第2の電極の一部および前記フィールドプレートを絶縁膜で覆う工程と、
前記絶縁膜で覆われていない前記第2の電極の露出部分に導電性厚膜をめっき法により形成し、前記第2の電極に接触する前記厚膜電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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