JP2004153289A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面に有機物の膜60が形成された基板Wを処理容器2内に収納する工程と,基板Wを加熱する工程と,オゾンガスと水蒸気を処理容器2内に供給し,有機物の膜60を水溶性に変質させる工程と,基板Wの表面を水洗する工程と,を有することを特徴とする,基板処理方法である。本発明によれば,処理直前に,基板Wの表面に処理能力が高い液体の液膜を生成するので,基板Wに対して効果的な処理を施すことができる。
【選択図】 図1
Description
前記有機物の膜を水溶性に変質させる工程において前記処理容器内が加圧されていても良い。
前記処理容器内の加圧は,前記処理容器の排気管に設けられた流量コントローラを制御することによって行われても良い。
前記流量コントローラは,前記処理容器内の圧力に基いて,制御部によって制御されても良い。
前記処理容器内に水蒸気を供給する前に,前記処理容器内にオゾンガスを供給しても良い。
前記基板を加熱する工程に際し,前記処理容器内に加熱されたガスを供給しても良い。
前記処理容器内に供給した水蒸気を基板の表面に凝縮させて,純水の液膜もしくはオゾン水の液膜を基板の表面に形成する工程を有し,前記液膜は,水滴を形成しない薄さであっても良い。
また本発明によれば,基板を収納する処理容器と,前記処理容器内を加熱するヒータと,前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気供給手段と,前記溶媒蒸気供給手段による溶媒蒸気の供給量を調整する流量コントローラと,前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と,前記処理ガス供給手段による処理ガスの供給量を調整する流量コントローラと,前記ヒータと,前記溶媒蒸気の供給量を調整する流量コントローラと,前記処理ガスの供給量を調整する流量コントローラとを制御し,前記基板の表面に形成される溶媒の液膜の膜厚を調整する一方で,該膜厚に見合う処理ガスの流量を調整するCPUを有することを特徴とする,基板処理装置が提供される。
前記処理容器内を排気する排気管と,前記排気管に設けられた流量コントローラを有し,前記CPUは,前記処理容器内を加圧雰囲気にするように,前記排気管に設けられた流量コントローラを制御しても良い。
また本発明によれば,基板を収納する処理容器と,前記処理容器内を加熱するヒータと,前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気供給手段と,前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と,前記処理容器内を排気する排気管と,前記排気管に設けられた流量コントローラと,前記処理容器内を加圧雰囲気にするように,前記排気管に設けられた流量コントローラを制御するCPUを有することを特徴とする,基板処理装置が提供される。
前記排気管に設けられた流量コントローラは,前記処理容器内の圧力に基いて,CPUによって制御されても良い。
前記CPUは,前記処理容器内に収納された基板を溶媒蒸気の露点温度よりも低い温度に加熱するように,前記ヒータを制御しても良い。
前記溶媒が水であり,前記処理ガスがオゾンガスであっても良い。
基板を処理する方法であって,溶媒の液膜を基板の表面に形成する工程と,前記溶媒の液膜に処理ガスを溶解させて基板を処理する工程とを有することを特徴とする,基板処理方法を提供する。
この基板処理方法によれば,溶媒の液膜を基板の表面に形成する一方で,溶媒の液膜に処理ガスを溶解させるので,この溶媒の液膜を,基板を処理可能な液体の液膜に変質させることができる。このような液体の液膜は,処理直前で生成されることになるので,濃度低下等が起こらず,処理能力が高い。従って,基板に対して効果的な処理を施すことができる。
2 処理容器
8 ヒータ
10 水蒸気
11 水蒸気供給手段
20 オゾンガス
21 オゾンガス供給回路
W ウェハ
Claims (13)
- 表面に有機物の膜が形成された基板を処理容器内に収納する工程と,
前記基板を加熱する工程と,
オゾンガスと水蒸気を前記処理容器内に供給し,前記有機物の膜を水溶性に変質させる工程と,
前記基板の表面を水洗する工程と,
を有することを特徴とする,基板処理方法。 - 前記有機物の膜を水溶性に変質させる工程において前記処理容器内が加圧されていることを特徴とする,請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記処理容器内の加圧は,前記処理容器の排気管に設けられた流量コントローラを制御することによって行われることを特徴とする,請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記流量コントローラは,前記処理容器内の圧力に基いて,制御部によって制御されることを特徴とする,請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記処理容器内に水蒸気を供給する前に,前記処理容器内にオゾンガスを供給することを特徴とする,請求項1,2,3又は4に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する工程に際し,前記処理容器内に加熱されたガスを供給することを特徴とする,請求項1,2,3,4又は5に記載の基板処理方法。
- 前記処理容器内に供給した水蒸気を基板の表面に凝縮させて,純水の液膜もしくはオゾン水の液膜を基板の表面に形成する工程を有し,
前記液膜は,水滴を形成しない薄さであることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5又は6に記載の基板処理方法。 - 基板を収納する処理容器と,
前記処理容器内を加熱するヒータと,
前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気供給手段と,
前記溶媒蒸気供給手段による溶媒蒸気の供給量を調整する流量コントローラと,
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と,
前記処理ガス供給手段による処理ガスの供給量を調整する流量コントローラと,
前記ヒータと,前記溶媒蒸気の供給量を調整する流量コントローラと,前記処理ガスの供給量を調整する流量コントローラとを制御し,前記基板の表面に形成される溶媒の液膜の膜厚を調整する一方で,該膜厚に見合う処理ガスの流量を調整するCPUを有することを特徴とする,基板処理装置。 - 前記処理容器内を排気する排気管と,
前記排気管に設けられた流量コントローラを有し,
前記CPUは,前記処理容器内を加圧雰囲気にするように,前記排気管に設けられた流量コントローラを制御することを特徴とする,請求項8に記載の基板処理装置。 - 基板を収納する処理容器と,
前記処理容器内を加熱するヒータと,
前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気供給手段と,
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と,
前記処理容器内を排気する排気管と,
前記排気管に設けられた流量コントローラと,
前記処理容器内を加圧雰囲気にするように,前記排気管に設けられた流量コントローラを制御するCPUを有することを特徴とする,基板処理装置。 - 前記排気管に設けられた流量コントローラは,前記処理容器内の圧力に基いて,CPUによって制御されることを特徴とする,請求項9又は10に記載の基板処理方法。
- 前記CPUは,前記処理容器内に収納された基板を溶媒蒸気の露点温度よりも低い温度に加熱するように,前記ヒータを制御することを特徴とする,請求項8,9,10又は11に記載の基板処理装置。
- 前記溶媒が水であり,前記処理ガスがオゾンガスであることを特徴とする,請求項8,9,10,11又は12に記載の基板処理装置。
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JP2010027786A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP2011071401A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2003
- 2003-12-08 JP JP2003408842A patent/JP4053976B2/ja not_active Expired - Fee Related
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