JP4053975B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の際に,前記処理容器内が加圧されていても良い。
前記処理容器内の加圧は,前記処理容器の排気管に設けられた流量コントローラを制御することによって行われても良い。
前記流量コントローラは,前記処理容器内の圧力に基いて,制御部によって制御されても良い。
前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の際に,前記基板の温度が,水蒸気の露点温度よりも高く,かつ水蒸気の温度よりも低い温度に温度調節されていても良い。
前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の前に,前記基板を所定の温度に調節する工程を有しても良い。
前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の前に,前記処理容器内にオゾンガスを供給しても良い。
なお,基板を収納し,内部で基板を処理する処理容器と,前記処理容器内に収納された基板を加熱するヒータと,前記処理容器内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段と,前記処理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段と,前記処理容器内にN2ガスを供給するN2ガス供給手段と,前記処理容器内を排気する排気管と,この排気管に設けられた流量コントローラと,前記処理容器内を加圧するように前記流量コントローラを制御する制御部と,を備えていることを特徴とする,基板処理装置が提供される。
前記ヒータは,前記処理容器内に収納された基板を水蒸気の露点温度よりも高く,かつ水蒸気の温度よりも低い温度に調節するように,前記制御部によって制御されていても良い。
前記処理容器内の圧力を検出する圧力センサを備え,前記流量コントローラは,前記圧力センサの検出に基いて,前記制御部によって制御されても良い。
基板を処理する方法であって,基板に溶媒の蒸気を供給する工程と,基板に処理ガスを供給する工程と,前記溶媒の蒸気と処理ガスとの反応により生じた反応物質によって基板を処理する工程とを有することを特徴とする,基板処理方法を開示する。
この基板処理方法においては,溶媒の蒸気には例えば水蒸気が,処理ガスには例えばオゾンガス等が適宜用いられる。この基板処理方法によれば,基板に溶媒の蒸気を供給し,また基板に処理ガスを供給し,溶媒の蒸気と処理ガスとの反応により生じた反応物質(原子,分子,ラジカル等)によって基板を処理する。このような反応物質は,処理室内で生じた後,消滅することなく直ちに処理に活用されるので,高い処理能力を発揮する。従って,例えば基板の表面にレジスト膜が形成されている場合,水蒸気とオゾンガスとの反応により生じた水酸基ラジカルをよって,このレジスト膜を水溶性の膜に好適に変質させることができる。
2 処理容器
3 ウェハガイド
4 水蒸気
5 水蒸気供給手段
6 オゾンガス
7 オゾンガス供給手段
8 ホットN2ガス
9 N2ガス供給手段
W ウェハ
Claims (7)
- 基板を処理する方法であって,
表面に有機物の膜を形成させた基板を処理容器内に収納する工程と,
前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程と,
前記基板の表面に,水分子とオゾン分子が混合した水酸基ラジカルを発生させる工程と,
前記水酸基ラジカルによって前記有機物の膜を水溶性に変質させる工程と,
前記水溶性に変質させた膜を洗い流す工程と,
を有することを特徴とする,基板処理方法。 - 前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の際に,前記処理容器内が加圧されていることを特徴とする,請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記処理容器内の加圧は,前記処理容器の排気管に設けられた流量コントローラを制御することによって行われることを特徴とする,請求項1又は2に記載の基板処理方法。
- 前記流量コントローラは,前記処理容器内の圧力に基いて,制御部によって制御されることを特徴とする,請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の際に,前記基板の温度が,水蒸気の露点温度よりも高く,かつ水蒸気の温度よりも低い温度に温度調節されていることを特徴とする,請求項1,2,3又は4に記載の基板処理方法。
- 前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の前に,前記基板を所定の温度に調節する工程を有することを特徴とする,請求項1,2,3,4又は5に記載の基板処理方法。
- 前記処理容器内に水蒸気とオゾンガスを供給する工程の前に,前記処理容器内にオゾンガスを供給することを特徴とする,請求項6に記載の基板処理方法。
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