JP2004140064A - 熱電素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の熱電素子は、p型とn型の複数の熱電半導体を絶縁物を介して交互に配列し、各熱電半導体を金属部材および金属配線によって電気的に接続し、金属配線および絶縁物表面を熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層によって保護しており、絶縁層の表面に金属層が形成されている構造となっている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は熱電素子の構造およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
以下、図面を用いて従来技術の一例を説明する。図16は従来例の熱電素子の構造を示す断面図である(たとえば、非特許文献1参照。)。図16に示すようにp型とn型の熱電半導体1を交互に配置し、熱電半導体1の両端部に導電材18を設けた熱電半導体1と、放熱板17上に形成した銅や金などからなる金属配線4とを、ハンダ16を用いて電気的に接続している。
【0003】
この図16に示す熱電素子は、上下面で温度差がある場合には発電素子として使用することができ、熱電素子に電流を流すと上下面の一方が発熱し、一方が吸熱するため、冷却用または加熱用素子として使用することができる。
【0004】
熱電半導体としては、一般的に用いられるビスマス−テルル系、アンチモン−テルル系、ビスマス−テルル−アンチモン系、ビスマス−テルル−セレン系の他に、鉛−ゲルマニウム系、シリコン−ゲルマニウム系などの材料が用いられる。
【0005】
次に従来例における熱電素子の製造方法を図12から図16を用いて説明する。まず、p型、n型の熱電半導体1のそれぞれの表面に図12に示すように導電材18とハンダ16を電解メッキにより形成する。
【0006】
熱電半導体1と金属配線4を電気的に接続させる接続材料としてハンダ16を用いた場合、ハンダ中のスズ成分が熱電半導体1内に拡散して性能を劣化させるのを防止する目的と、ハンダの濡れ性を確保する目的で熱電半導体1の表面には導電材18を形成している。導電材18としては、熱電半導体1への金属拡散防止効果の高いニッケルが主に形成される。
【0007】
導電材18とハンダ16を形成した熱電半導体1をダイシングソーやワイヤーソーなどで切断し、図13に示すような柱状の熱電半導体1を形成する。
【0008】
金属配線4を形成した放熱板17上にフラックス19を塗布し、図13に示す導電材18とハンダ16が形成された柱状の熱電半導体1を図14に示すようにp型とn型の熱電半導体1が交互になるように配置する。
【0009】
さらにもう一方の金属配線4を形成した放熱板17をフラックス19を介して図15に示すように配置し、熱電半導体1を放熱板17で挟んだ後、熱処理によって熱電半導体1上に形成された導電材18と放熱板17上に形成された金属配線4とをハンダ16により接合し、フラックス19を洗浄し除去することにより図16に示すような熱電素子を得ることができる。
放熱板17としてはシリコン、アルミナなどの熱伝導の良い材料を用いる。金属配線4としては、メッキ法、スパッタリング法、真空蒸着法などにより形成された銅やニッケルや金などの皮膜をエッチングなどによりパターン化したものを使用している。
【0010】
【非特許文献1】
上村欣一・西田勲夫著「熱電半導体とその応用」日刊工業新聞社、1988年12月20日、p.39−41
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
前述した熱電素子には以下に記載するような問題点がある。
【0012】
従来の熱電素子の構造では、放熱板17上に形成した金属配線4と端面に導電材18を設けた熱電半導体1とをハンダ16を用いて電気的に接続しているが、熱電素子が熱膨張または熱収縮することにより、導電材18と熱電半導体1との間で剥離が発生し、p型とn型の熱電半導体1の電気的接続が断線してしまう。電気的接続の断線は加熱と冷却を交互に繰り返す温度サイクル試験で顕著に現れ、信頼性の面でも十分な性能を得られていない。
【0013】
また、放熱板17として厚さが0.5mm程度のアルミナを使用しているが、放熱板17の厚みが熱電素子全体の厚みを増加させてしまうことになり、熱電素子を小型化する際の大きな問題点となっている。
【0014】
本発明の目的は、上記課題を解決して、小型でかつ信頼性の高い熱電素子およびその製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明における熱電素子およびその製造方法は、下記記載の構成と製造方法を採用する。
【0016】
本発明の熱電素子は、p型とn型の複数の熱電半導体を絶縁物を介して交互に配列し、前記熱電半導体が金属部材および金属配線によって電気的に直列に接続した熱電素子において、前記金属配線および前記絶縁物上に熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層を形成しており、絶縁層上に金属層が形成されていることを特徴としている。
【0017】
本発明の熱電素子の製造方法は、絶縁物を介して配列している複数のp型とn型の熱電半導体を用意する工程と、前記熱電半導体を電気的に直列に接続するための土台となる金属部材を形成する工程と、前記金属部材上と前記金属部材が形成されていない前記熱電半導体の端部面とに金属配線を形成する工程と、前記金属配線および前記絶縁物表面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層表面に金属層を形成する工程とを有することを特徴としている。
【0018】
[作用]
本発明の熱電素子は、p型とn型の複数の熱電半導体を絶縁物を介して交互に配列し、各熱電半導体1が金属部材および金属配線によって電気的に接続され、金属配線および絶縁物表面を熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層によって保護しており、絶縁層の表面に金属層が形成されている構造となっている。
【0019】
このように複数の熱電半導体を電気的に接続している金属配線と絶縁物表面に熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層を形成することにより、金属配線を絶縁、保護し、金属配線の剥離を防止する補強効果を得ることができる。
【0020】
また、絶縁層には熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有しているので、熱電素子を加熱または冷却した場合の被冷却物や被加熱物に伝わる熱の損失を少なくすることができ、触媒金属粒子を含有しているので、触媒金属粒子を核として絶縁層上に金属層を無電解メッキ法により形成することができ、被冷却物や被加熱物をハンダを用いて金属層に接合することができる。
【0021】
これにより、従来の熱電素子で使用していた放熱板を用いずに熱電素子を形成することができ、小型で信頼性の高い熱電素子を得ることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下図面を用いて本発明の最適な実施形態における熱電素子について説明する。図1に本実施形態における熱電素子の断面図を示す。図1に示すように、p型とn型の複数の熱電半導体1を絶縁物2を介して交互に配列し、各熱電半導体1を金属部材3および金属配線4によって電気的に接続し、金属配線4および絶縁物2表面を熱伝導粒子10と触媒金属粒子11とを含有した絶縁層5によって保護しており、絶縁層5の表面に金属層6が形成されている構造となっている。
【0023】
金属部材3はp型とn型の熱電半導体1が電気的に直列接続する部分に配置しており、熱電半導体1上と熱電半導体1間の絶縁物2上をまたぐように形成している。これにより金属配線4を電解メッキまたは無電解メッキにより金属部材3上および熱電半導体1上に形成すると同時に、p型とn型の熱電半導体1を電気的に直列接続することができる。
【0024】
また、複数の熱電半導体1を電気的に接続している金属配線4と絶縁物2表面に熱伝導粒子10と触媒金属粒子11とを含有した絶縁層5を形成することにより、金属配線4を絶縁、保護し、金属配線4の剥離を防止する補強効果を得ることができる。
【0025】
絶縁層5には熱伝導粒子10と触媒金属粒子11とを含有しているので、熱電素子を加熱または冷却した場合の被冷却物や被加熱物に伝わる熱の損失を少なくすることができ、触媒金属粒子11を含有しているので、触媒金属粒子11を核として絶縁層5上に金属層6を無電解メッキ法により形成することができ、被冷却物や被加熱物をハンダ16を用いて金属層6に接合することができる。
【0026】
これにより、従来の熱電素子で使用していた放熱板17を用いずに熱電素子を形成することができ、小型で信頼性の高い熱電素子を得ることができる。
【0027】
次に、本実施形態における熱電素子の製造方法について図1から図12を用いて説明する。まず、50mm×50mm×5mmの大きさのp型とn型の熱電半導体1のそれぞれを図2に示すように、櫛歯状になるようにダイシングソーで幅0.6mmの溝を1.1mmピッチで加工する。その後、溝に絶縁物2としてスリーボンド(株)のエポキシ樹脂2280C(商品名)を60℃に加熱しながら流し込み、図3に示すように櫛歯状のp型とn型の熱電半導体1を組み合わせ、130℃で1時間加熱することによりエポキシ樹脂を硬化させる。その後、不要な部分を研削により除去し、図4に示すような構造の熱電素子ブロックを得た。
【0028】
熱電半導体1としては、一般的に用いられるビスマス−テルル系、アンチモン−テルル系、ビスマス−テルル−アンチモン系、ビスマス−テルル−セレン系などを用いることができるが、鉛−ゲルマニウム系、シリコン−ゲルマニウム系などの熱電半導体を用いることができる。
【0029】
次にp型とn型の熱電半導体1を接続する金属部材3を形成する。金属部材3の形成方法は、まずp型とn型の複数の熱電半導体1を絶縁物2を介して交互に配列した熱電半導体ブロックに開口部を設けたメタルマスクを熱電半導体1と絶縁物2との表面に配置し、真空蒸着法やスパッタリング法で金属被膜を形成し、メタルマスクを除去することによりメタルマスクの開口部にのみ金属部材3が図5に示すように形成される。金属部材3を形成する位置はp型とn型の熱電半導体1が電気的に直列に接続する部分であり、熱電半導体1上と熱電半導体1間の絶縁物2上をまたぐように形成している。
【0030】
金属部材3は金属配線4を無電解メッキで形成する場合には、無電解メッキを開始させる触媒としての役割と熱電半導体1間の絶縁物2上に無電解メッキを行うための土台としての役割を果たしている。そのため金属部材3としては周期表第VIII属の金属のいずれかを形成する。また、金属配線4を電解メッキで形成する場合には、熱電半導体1間の絶縁物2上に電解メッキを行うための土台の役割のみを果たすので、金属の種類については特に制限されない。本実施形態では熱電半導体1への金属拡散防止効果の高いニッケルを厚さ0.1μmで形成した。
【0031】
その後、無電解ニッケルメッキ液に浸漬しするか、電解ニッケルメッキを行い、金属部材3上と熱電半導体1上に図6に示すように金属配線4を形成する。本実施形態では奥野製薬工業(株)の無電解ニッケルメッキ液トップケミアロイB−1(商品名)を用いて、液温60℃で10分間無電解ニッケルメッキを行い、ニッケルを1μmの厚みで金属配線4を形成した。
【0032】
金属配線4の抵抗を低減させるために金属配線4として形成したニッケル上に電解メッキにより銅を厚さ10μmで形成し、さらに銅表面の酸化防止を目的として金を厚さ1μmで形成した。電解銅メッキについては日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース(株)の電解銅メッキ液ミクロファブCu200(商品名)を用い、液温25℃で電流密度3A/dm2で15分電解銅メッキを行い、金メッキについてはNEケムキャットの電解金メッキ液NCF−500(商品名)を用い、液温25℃で電流密度0.8A/dm2で2分間電解金メッキを行った。
【0033】
次に、図7に示すように金属配線4および絶縁物2表面に絶縁層5を印刷法により塗布し、加熱することにより絶縁層5を硬化させるが、その際に熱電素子の電力供給部分に当たる配線電極4上には絶縁層5を配置しないようにする。このことによりワイヤーボンディングやハンダ接合により外部の端子と接合することが可能となる。
【0034】
このとき形成する絶縁層5は、図8に示すようにベース基材12中に熱伝導粒子10と触媒金属粒子11とを含有したものを用いている。ベース基材12により金属配線4を絶縁、保護し、金属配線4の剥離を防止する補強効果を得ることができ、熱伝導粒子10を含有していることにより、熱電素子を加熱または冷却した場合の被冷却物や被加熱物に伝わる熱の損失を少なくすることができ、触媒金属粒子11を含有していることにより、触媒金属粒子11を核として絶縁層5上に金属層6を無電解メッキ法により形成することができ、被冷却物や被加熱物をハンダ16を用いて金属層6に接合することが可能となる。
【0035】
本実施形態ではベース基材12としてスリーボンド(株)のエポキシ樹脂2280C(商品名)を20重量部、熱伝導粒子10として平均粒子径が約10μmのアルミナ粒子を75重量部、触媒金属粒子11として平均粒子径が約3μmのパラジウム粒子を5重量部混合したものを使用し、130℃で1時間加熱することによりベース基材12を硬化させた。
【0036】
ベース基材12の種類についてはエポキシ系、アクリル系などの接着剤などを用いることができるが特に限定されるものではなく、熱伝導粒子10についても絶縁層5の熱伝導性と絶縁性を両立する材質のものであればよく、アルミナや窒化アルミニウムの粒子などを使用すると効果的であるが、特に限定されるものではない。触媒金属粒子11については無電解メッキが可能な金属であれば問題なく、具体的には元素周期表の第VIII族の金属粒子を1種類もしくは複数種類混合したものを用いるか、第VIII族以外の金属との合金粒子などを用いてもよい。また、熱伝導粒子10と触媒金属粒子11の粒子径や形状についても特に限定するものではない。
【0037】
その後、図9に示すように無電解メッキ液に浸漬することにより、絶縁層5中の触媒金属粒子11を核として無電解メッキが開始し、絶縁層5表面に金属層6を形成することができる。無電解メッキ液は奥野製薬工業(株)のトップケミアロイB−1(商品名)を使用し、液温60℃で10分間無電解ニッケルメッキを行い、厚みが約1μmのニッケルを形成した後、奥野製薬工業(株)の無電解金メッキ液フラッシュゴールドNBを用いて液温90℃で30分間無電解金メッキを行い、厚みが約0.1μmの金を形成した。
【0038】
図10に示す熱電素子の点線部分をダイシングソーやワイヤーソーなどで分割することにより図1に示すような熱電素子を得ることができる。
【0039】
上記工程により得られた図1に示すような熱電素子は、図11に示すように被冷却物15と金属層6とをハンダ16を用いて接合したり、電力供給部分に当たる金属配線4および絶縁層5上の金属層6とガラスや樹脂などで形成した基板13上に形成した銅や金などからなる接合パターン14とをハンダ16を用いて接合することが可能となる。
【0040】
以上の工程により形成した熱電素子は、p型とn型の複数の熱電半導体1を絶縁物2を介して交互に配列し、各熱電半導体1が金属部材3および金属配線4によって電気的に接続し、金属配線4および絶縁物2表面を熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層5によって保護しており、絶縁層5の表面に金属層6が形成されている構造となっている。
【0041】
このように複数の熱電半導体1を電気的に接続している金属配線4と絶縁物2表面に熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層5を形成することにより、金属配線4を絶縁、保護し、金属配線4の剥離を防止する補強効果を得ることができる。
【0042】
また、絶縁層5には熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有しているので、熱電素子を加熱または冷却した場合の被冷却物や被加熱物に伝わる熱の損失を少なくすることができ、触媒金属粒子を含有しているので、触媒金属を核として絶縁層5上に金属層6を無電解メッキ法により形成することができ、被冷却物や被加熱物をハンダを用いて金属層6に接合することができる。
【0043】
これにより、従来の熱電素子で使用していた放熱板17を用いずに熱電素子を形成することができ、小型で信頼性の高い熱電素子を得ることができる。
【0044】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明の熱電素子は、p型とn型の複数の熱電半導体を絶縁物を介して交互に配列し、各熱電半導体が金属部材および金属配線によって電気的に接続し、金属配線および絶縁物表面を熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層によって保護しており、絶縁層の表面に金属層が形成されている構造となっている。
【0045】
このように複数の熱電半導体を電気的に接続している金属配線と絶縁物表面に熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層を形成することにより、金属配線を絶縁、保護し、金属配線の剥離を防止する補強効果を得ることができる。
【0046】
また、絶縁層には熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有しているので、熱電素子を加熱または冷却した場合の被冷却物や被加熱物に伝わる熱の損失を少なくすることができ、触媒金属粒子を含有しているので、触媒金属を核として絶縁層上に金属層を無電解メッキ法により形成することができ、被冷却物や被加熱物をハンダを用いて金属層6に接合することができる。
【0047】
これにより、従来の熱電素子で使用していた放熱板を用いずに熱電素子を形成することができ、小型で信頼性の高い熱電素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における熱電素子を示す断面図である。
【図2】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図5】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図6】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図7】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図8】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図9】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図10】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図11】本発明の実施形態における熱電素子の構造を示す断面図である。
【図12】従来例における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図13】従来例における熱電素子の熱半導体の斜視図である。
【図14】従来例における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図15】従来例における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図16】従来例における熱電素子の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1 熱電半導体
2 絶縁物
3 金属部材
4 金属配線
5 絶縁層
6 金属層
10 熱伝導粒子
11 触媒金属粒子
12 ベース基材
13 基板
14 接合パターン
15 被冷却物
16 ハンダ
17 放熱板
18 導電材
19 フラックス
Claims (2)
- p型とn型の複数の熱電半導体を絶縁物を介して交互に配列し、該熱電半導体を金属部材および金属配線によって電気的に直列に接続した熱電素子であって、前記金属配線および前記絶縁物上に熱伝導粒子と触媒金属粒子とを含有した絶縁層が形成されており、該絶縁層上に金属層が形成されている熱電素子。
- 絶縁物を介して配列している複数のp型とn型の熱電半導体を用意する工程と、該熱電半導体を電気的に直列に接続するための土台となる金属部材を形成する工程と、該金属部材上と該金属部材が形成されていない前記熱電半導体の端部面とに金属配線を形成する工程と、該金属配線および前記絶縁物表面に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層表面に金属層を形成する工程とを有する熱電素子の製造方法。
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