JP2000058930A - 熱電素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 両側スケルトン構造または片側スケルトン構
造の熱電素子において、この熱電素子と組み合わせて使
用する放熱または吸熱用金属部材に熱良導性電気絶縁薄
膜を個別に設けることを不要にする。 【解決手段】 熱電素子は、ｐ型熱電半導体素子２Ｐお
よびｎ型熱電半導体素子２Ｎと、ｐ型熱電半導体素子２
Ｐおよびｎ型熱電半導体素子２Ｎの上面に接合された上
側電極４と、ｐ型熱電半導体素子２Ｐおよびｎ型熱電半
導体素子２Ｎの下面に接合された下側電極３と、上側電
極４に接合された上側熱良導性電気絶縁薄膜６と、下側
電極３に接合された下側熱良導性電気絶縁薄膜５とから
構成されている。この熱電素子を使用する際には、熱良
導性電気絶縁薄膜５，６を介して放熱または吸熱用金属
部材を取り付ける。したがって、放熱または吸熱用金属
部材に個別に熱良導性電気絶縁薄膜を形成する必要はな
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ペルチェ素子等
の熱電半導体素子を利用した熱電素子および製造方法に
関し、詳細にはスケルトン構造を有する熱電素子および
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビスマス・テルル系、鉄・シリサイド系
若しくはコバルト・アンチモン系等の化合物からなる熱
電半導体素子を利用した熱電素子は、冷却／加熱装置等
に使用されている。これらの熱電素子は、液体、気体を
使用せず、スペースもとらず又回転磨耗もなく保守の不
要な冷却／加熱源として重宝なものである。

【０００３】従来から知られている熱電モジュールの構
成を図１０に示した。この図の（ａ）は正面図であり、
（ｂ）は斜視図である。この図に示すように、熱電モジ
ュールでは、ｎ型熱電半導体素子とｐ型熱電半導体素子
が交互に配列されており、ｎ型熱電半導体素子とｐ型熱
電半導体素子の上面と下面は金属電極に接合されてい
る。ｎ型熱電半導体素子とｐ型熱電半導体素子は、上面
と下面で金属電極に交互に接合され、最終的には全部の
熱電半導体素子が電気的に直列に接続される。上下の金
属電極と熱電半導体素子との接合は、ハンダ付けで行わ
れる。そして、上側、下側のそれぞれの金属電極は、メ
タライズしたセラミック基板上に接合されて全体が固定
されている。

【０００４】この熱電モジュールの電極に直流電源を接
続して、ｎ型素子からｐ型素子の方向へ電流を流すと、
ペルチェ効果によりπ型の上部で吸熱が、下部では放熱
が起こる。この際、電流の方向を逆転すると、吸熱、放
熱の方向が変わる。この現象を利用して、熱電素子が冷
却／加熱装置に使用されるのである。熱電モジュール
は、ＬＳＩ、コンピュータのＣＰＵ、レーザ等の冷却を
はじめ、保温冷蔵庫に至る広範囲な用途を有している。

【０００５】このような熱電素子を冷却装置として用い
る場合には、放熱側の熱を効率良く放出することが必要
となる。そして、従来、熱電素子の放熱側の熱を放出す
る方法としては、熱電素子の放熱側に放熱フィンを取り
付け、この放熱フィンに向けてファンから風を送るよう
にした空冷方式や、熱電素子の放熱側に水冷ジャケット
を取り付け、この水冷ジャケット内に冷却水を通すよう
にした水冷方式等があった。

【０００６】しかしながら、これらの冷却方式は、いず
れも放熱側の基板を介して間接的に熱電半導体素子を冷
却するものであったため、放熱側の熱を効率良く放出す
るものではなかった。また、図１０に示した熱電素子は
上下をセラミック基板で固定した剛構造であるため、動
作時に熱電半導体素子に大きな熱応力が加わってしま
い、熱電半導体素子の寿命が短くなるという問題点があ
った。

【０００７】そこで、本願出願人は先に、特願平８−３
５４１３６号等により、上下の金属電極を基板に固定せ
ずにむき出しにした構造（両側スケルトン構造）を有す
る熱電素子を提案した。

【０００８】図１１はこの熱電素子の正面図である。こ
の熱電素子は、仕切板１に対してｐ型熱電半導体素子２
Ｐとｎ型熱電半導体素子２Ｎが貫通した状態で固定され
た構造を有する。仕切板１は、例えば厚さが０．３〜
０．６ｍｍ程度の電気絶縁物の板、例えばガラスエポキ
シ板により構成されている。ｐ型およびｎ型の熱電半導
体素子２Ｐ，２Ｎは、例えば長さが１．５〜２ｍｍ程度
のビスマス・テルル等の半導体単結晶で構成されてい
る。そして、仕切板１の下側に０．５〜０．８ｍｍ程度
の長さが突出するように、貫通した状態で固定されてい
る。

【０００９】ｐ型熱電半導体素子２Ｐとｎ型熱電半導体
素子２Ｎの上側には板状の上側電極４が、下側には側面
の形状が略Ｔ字型の下側電極３が、いずれもハンダによ
り接合されている。

【００１０】この熱電素子の使用時には、仕切板１から
下の部分が冷却液等に直接的に接触するように、熱電冷
却装置が構成される。この熱電冷却装置についても、前
述した特願平８−３５４１３６号等により提案されてい
る。

【００１１】この熱電素子によれば、上下の金属電極が
固い基板に固定されていないため、熱電半導体素子に加
わる熱応力が緩和される。この結果、熱電半導体素子の
長寿命化が実現される。また、この熱電冷却装置によれ
ば、放熱側の熱電半導体素子および金属電極が直接的に
冷却されるため、放熱側の熱を効率良く放出することが
できる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】前述した両側スケルト
ン構造の熱電素子では、上下の金属電極がむき出しにな
っているため、この熱電素子と組み合わせて使用する放
熱または吸熱用金属部材（ヒートシンク等）に熱良導性
電気絶縁薄膜を設けることが必要であった。そして、こ
れらの金属部材には様々な形状のものが存在するため、
そこに熱良導性電気絶縁薄膜を個別に設けることは手間
のかかることであった。

【００１３】また、両側スケルトン構造の熱電素子を製
造する際には、多数の金属電極を所定のパターンに配列
しておき、そのパターンに熱電半導体素子の位置を合わ
せ、ハンダ付けを行うことが必要であった。

【００１４】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、両側スケルトン構造または片側スケル
トン構造の熱電素子において、この熱電素子と組み合わ
せて使用する放熱または吸熱用金属部材に熱良導性電気
絶縁薄膜を個別に設けることを不要にすることを目的と
する。

【００１５】また、本発明は両側スケルトン構造または
片側スケルトン構造の熱電素子を製造する際に、多数の
金属電極を所定のパターンに配列する工程を不要にし、
製造工程の単純化と製造コストの低減を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る熱電素子
は、ｐ型熱電半導体素子およびｎ型熱電半導体素子と、
前記ｐ型熱電半導体素子および前記ｎ型熱電半導体素子
の第１の面に接合された第１の金属電極と、前記ｐ型熱
電半導体素子および前記ｎ型熱電半導体素子の第２の面
に接合された第２の金属電極と、前記第１の金属電極ま
たは前記第２の金属電極の少なくとも一方に接合された
熱良導性電気絶縁薄膜とを備えることを特徴とするもの
である。

【００１７】本発明に係る熱電素子においては、ｐ型熱
電半導体素子およびｎ型熱電半導体素子は、電気絶縁性
を有する仕切板を貫通した状態でその仕切板に固定され
ている構造を有するものでもよいし、そうでないもので
もよい。

【００１８】また、本発明に係る熱電素子においては、
前記熱良導性電気絶縁薄膜は、一枚の膜として一体的に
構成してもよいし、個々の第１の金属電極または個々の
第２の金属電極に対応して、これらの金属電極と同数に
なるように別体に構成してもよい。

【００１９】本発明に係る熱電素子の製造方法は、第１
の金属板および第２の金属板をエッチングして第１の金
属電極パターンおよび第２の金属電極パターンを形成す
る電極形成工程と、前記第１の金属電極パターンおよび
第２の金属電極パターンをｐ型熱電半導体素子およびｎ
型熱電半導体素子の第１の面および第２の面に接合する
接合工程とを備えることを特徴とするものである。

【００２０】本発明に係る熱電素子の製造方法におい
て、前記電極形成工程の前に、耐熱性樹脂シートと第１
の金属板または第２の金属板の少なくとも一方とを接着
し、前記接合工程の後に、前記耐熱性樹脂シートを剥離
するように構成することもできる。

【００２１】本発明に係る熱電素子においては、第１の
金属電極パターンまたは第２の金属電極パターンの少な
くとも一方に熱良導性電気絶縁薄膜が接合されているた
め、この熱電素子を使用する際には、この熱良導性電気
絶縁薄膜を介して放熱または吸熱用金属部材を取り付け
る。したがって、放熱または吸熱用金属部材に個別に熱
良導性電気絶縁薄膜を形成する必要はない。

【００２２】また、本発明に係る熱電素子の製造方法で
は、金属板をエッチングすることにより、所定のパター
ンに配列された複数の金属電極が完成する。そして、耐
熱性樹脂シートの接着・剥離工程を行うように構成する
と、電極形成工程時および接合工程時に、金属電極パタ
ーンが耐熱性樹脂シートに固定されているので、これら
の工程を容易に行うことができる。また、金属板の表面
に熱良導性電気絶縁薄膜を形成しておくと、金属電極パ
ターンが熱良導性電気絶縁薄膜を介して耐熱性樹脂シー
トに固定されるので、前述した工程において、より正確
な位置決めが可能となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２４】図１は本発明による熱電素子の正面図であ
る。この図において、図１１と同一の部分または図１１
に相当する部分には図１１で使用した符号と同一の符号
を付してある。

【００２５】この図に示すように、本発明による熱電素
子は、仕切板１に対してｐ型熱電半導体素子２Ｐとｎ型
熱電半導体素子２Ｎが貫通した状態で固定された構造を
有する。ｐ型熱電半導体素子２Ｐとｎ型熱電半導体素子
２Ｎの上面には銅板で構成された上側電極４が、下面に
は銅板で構成された下側電極３が、いずれもハンダによ
り接合されている。ここには、図示されていないが、上
側電極４および下側電極３の表面にはＮｉ（ニッケル）
メッキが施されている。このＮｉメッキ層は、電極を構
成する銅の分子が熱電半導体素子に拡散してしまうこと
を防止する拡散防止層として機能する。

【００２６】さらに、下側電極３の下面および上側電極
４の上面に、それぞれ厚さが数十〜数百μｍ、好ましく
は１５〜１００μｍ程度の下側熱良導性電気絶縁薄膜５
および上側熱良導性電気絶縁薄膜６が接合されている。
これらの熱良導性電気絶縁薄膜の材料としては、例えば
エポキシ系樹脂に熱良導性フィラーを添加したもの、フ
ッ素樹脂コート、シリコン系熱伝導性接着材等を使用す
ることができる。

【００２７】このように構成されている熱電素子に金属
製のヒートシンクを取り付ける際には、図１１に示した
熱電素子とは異なり、電極とヒートシンクとの間に電気
絶縁を施す必要はなくなる。

【００２８】次に、図１に示した熱電素子の製造方法を
説明する。

【００２９】図２は下側電極３および下側熱良導性絶縁
層５となる部材を製造する工程を示す。この図において
図１と対応する部分には図１で使用した符号と同一の符
号を付してある。

【００３０】この図の（ａ）は、銅板で構成された下側
電極材３の下面に下側熱良導性絶縁薄膜５を形成した部
材である。また、（ｂ）は耐熱性樹脂シート、例えば厚
さが５０μｍ程度のポリイミドシートやＰＥＴ等のシー
トからなる下側基材１２の上面に下側粘着性接着層１１
を塗布したものである。ここで、下側粘着性接着層１１
に使用されている接着剤は加熱されると接着力が大幅に
低下する性質を有している接着剤（発泡性接着剤）が好
適であるが、後述するエッチングおよびＮｉメッキ工程
で剥離せず、電極接合後の最終工程で容易に剥離するよ
うに接着力が調整された接着剤であれば他の接着剤でも
よい。この下側基材１２は、後述するエッチング時に下
側電極３を支える作用、その後の位置決め時に位置決め
を容易にする役割、ハンドリングを容易にする役割等を
有している。また、下側電極３と下側粘着性接着層１１
との間に下側熱良導性絶縁層５を介在させることで、下
側電極３を直接的に下側粘着性接着層１１に接着する場
合と比較すると、下側電極３の位置決めをより精密に行
うことが可能となる。

【００３１】まず、図２（ｃ）に示すように、下側粘着
性接着層１１により、下側基材１２の上面と下側熱熱良
導性絶縁層５とを接着する。次いで、図２（ｃ）に示す
ように、下側電極材３をエッチングして複数の下側電極
３を同時に形成する。次に、下側電極３の表面にＮｉメ
ッキを施す。以上の工程より、下側電極３および下側熱
良導性絶縁層５となる部材が出来上がる。

【００３２】なお、電極ユニットを形成した後に、下側
粘着性接着層１１および下側基材１２に対して、位置決
め孔１２Ａ〜１２Ｄ（詳細は後述）をあけておく。同様
の工程により、複数の上側電極４および上側熱良導性絶
縁層６となる部材を製造することが出来る。

【００３３】図３は熱電素子の製造に使用する部材およ
び治具を示す図である。この図において図２と対応する
部分には図３で使用した符号と同一の符号を付してあ
る。

【００３４】図３（ａ）は上側ハンダ付け治具１５を示
す。この上側ハンダ付け治具１５は板状に構成されてお
り、下面には、後述する位置決めピン１６Ａ〜１６Ｈが
挿入される位置決め孔１５Ａ〜１５Ｈが設けられてい
る。なお、これらの位置決め孔１５Ａ〜１５Ｈは治具の
上下に貫通していてもよい。

【００３５】図３（ｂ）は上側電極４および上側熱良導
性絶縁層６となる部材を示す。前述したように、この部
材は図２に示した工程と同様にして製造されたものであ
る。図３（ｃ）は仕切板１に対してｐ型熱電半導体素子
２Ｐとｎ型熱電半導体素子２Ｎが貫通した状態で固定さ
れた部材である。この部材の製造方法については特開平
８−２２８０２７号公報に詳細に記載されているので、
ここでは説明しない。

【００３６】図３（ｄ）は下側電極３および下側熱良導
性絶縁層５となる部材を示す。この部材は図２に示した
工程で製造されたものである。なお、図２では説明を省
略したが、図２（ｂ）に示した下側基材１２および下側
粘着性接着層１１には、位置決めピン１６Ａ〜１６Ｄが
挿入される孔１２Ａ〜１２Ｄがあけられている。同様
に、上側基材１３および上側粘着性接着層１４には、位
置決めピン１６Ａ〜１６Ｄが挿入される孔１３Ａ〜１３
Ｄがあけられている。

【００３７】図３（ｅ）は下側ハンダ付け治具１６を示
す。この下側ハンダ付け治具１６は板状に構成されてお
り、上面には位置決めピン１６Ａ〜１６Ｈが突設されて
いる。

【００３８】次に、図３（ａ）〜（ｅ）に示した部材お
よび治具を用いて図１に示した熱電素子を製造する工程
を説明する。ここで、この工程の前に、図３（ｂ）に示
した部材における下側電極３の上面、および図３（ｄ）
に示した部材における上側電極４の下面には、クリーム
ハンダを印刷しておく。

【００３９】まず図３（ｅ）に示した下側ハンダ付け治
具１６上の位置決めピン１６Ａ〜１６Ｄを、図３（ｄ）
に示した部材の孔１２Ａ〜１２Ｄに通す。図４はこの状
態の平面図である。なお、図４では位置決めピン１６Ａ
〜１６Ｄと位置決め孔１２Ａ〜１２Ｄとの関係を分かり
やすくするために、位置決め孔１２Ａ〜１２Ｄの径を大
きく図示した。また、下側電極３は省略した。

【００４０】次に、図３（ｃ）に示した部材を図３
（ｄ）に示した部材の上に載置する。この時、仕切板１
の縦と横のサイズは下側熱良導性電気絶縁薄膜５の縦と
横のサイズと等しいため、仕切板１の四個の角の近傍の
部分が位置決めピン１６Ａ〜１６Ｈに当接し、位置が固
定される。

【００４１】次いで、図３（ｃ）に示した部材の上に図
３（ｂ）に示した部材を載置する。この時、位置決めピ
ン１６Ａ〜１６Ｄが位置決め孔１３Ａ〜１３Ｄを通るよ
うに位置決めする。

【００４２】次に、図３（ｂ）に示した部材の上に図３
（ａ）に示した上側ハンダ付け治具１５を載置する。こ
の時、位置決めピン１６Ａ〜１６Ｈが位置決め孔１５Ａ
〜１５Ｈに嵌まるように位置決めする。

【００４３】以上の操作により、図５に示した状態とな
る。この状態で、ハンダリフロー炉に入れハンダ付けす
るか、または上側ハンダ付け治具１５および下側ハンダ
付け治具１６内にヒータを内蔵させ、このヒータにより
加熱することにより、ｐ型熱電半導体素子２Ｐおよびｎ
型熱電半導体素子２Ｎに対して、上側電極３および下側
電極４を接合する。

【００４４】上側電極３および下側電極４の接合が完了
したら、図６に示すように、一体的に接合された部材を
上側ハンダ付け治具１５および下側ハンダ付け治具１６
から分離し、さらに上側基材１３と下側基材１２を剥離
することにより、図１に示した熱電素子が完成する。こ
の時、前述したハンダ付けの際の熱により、上側粘着性
接着層１４と下側粘着性接着層１１の接着力は低下し、
殆ど接着力がなくなっているので、簡単に剥離すること
ができる。

【００４５】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、例えば下記（１）〜（６）のような変
形が可能である。

【００４６】（１）図２（ａ）に示した部材の代わり
に、下側熱良導性電気絶縁薄膜５が形成されていない下
側電極材３を用いれば、熱良導性電気絶縁薄膜を備えて
いない熱電素子を製造することができる。勿論、この場
合には熱電素子の使用時にヒートシンク等に熱良導性電
気絶縁薄膜を形成する必要はあるが、熱電素子の製造の
際には従来のように電極を１個ずつ所定のパターンに配
列する必要がないため、製造工程が簡単になる。

【００４７】（２）図７に示すような、仕切板のない熱
電素子を構成してもよい。この熱電素子の製造の際に
は、ｐ型熱電半導体素子およびｎ型熱電半導体素子を１
個１個並べる工程が必要である。

【００４８】（３）図１および図７では、下側熱良導性
電気絶縁薄膜５および上側熱良導性電気絶縁薄膜６は、
それぞれ一体的に構成されており、下側電極３および上
側電極４に接触していない部分を有するが、図８および
図９に示すように、下側熱良導性電気絶縁薄膜５および
上側熱良導性電気絶縁薄膜６を個々の下側電極３および
上側電極４に対応させて別体の薄膜にしてもよい。

【００４９】（４）図８におけるｐ型熱電半導体素子２
Ｐ、ｎ型熱電半導体素子２Ｎ、下側電極３、上側電極
４、下側熱良導性電気絶縁薄膜５、上側熱良導性電気絶
縁薄膜６のそれぞれの側面（特に、電極と熱電半導体素
子との接合部近傍）にシリコーン樹脂をコートして撥水
性を与えることにより、耐湿性が向上するように構成し
てもよい。図１、図７、および図９においても同様であ
る。

【００５０】（５）片側スケルトン構造の熱電素子の製
造に適用することもできる。

【００５１】（６）上側基材１２および下側基材１３を
使用せずに熱電素子を製造するよう構成してもよい。

【００５２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る熱電素子によれば、上側および下側の金属電極に熱良
導性電気絶縁薄膜が接合されているため、この熱電素子
を使用する際には、放熱または吸熱用金属部材に個別に
熱良導性電気絶縁薄膜を形成する必要はなくなる。この
ため、様々な形状のヒートシンク等に組み合わせて使用
することが容易になる。

【００５３】また、本発明に係る熱電素子の製造方法に
よれば、多数の電極を所定のパターンに配列する工程が
不要になるため、製造工程の単純化され、その結果コス
トが低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による熱電素子の正面図である。

【図２】図１の下側電極および下側熱良導性絶縁薄膜と
なる部材を製造する工程を示す図である。

【図３】本発明による熱電素子の製造に使用する部材お
よび治具を示す図である。

【図４】本発明による熱電素子の製造方法における位置
決めを説明する図である。

【図５】本発明による熱電素子の製造方法におけるハン
ダ付け時の状態を示す図である。

【図６】本発明による熱電素子の製造方法における基材
を剥離する工程を示す図である。

【図７】図１の仕切板を設けないようにした熱電素子の
正面図である。

【図８】図１の熱良導性絶縁薄膜を電極ごとに別体にし
た熱電素子の正面図である。

【図９】図７の熱良導性絶縁薄膜を電極ごとに別体にし
た熱電素子の正面図である。

【図１０】従来の一般的な熱電モジュールの構成を示す
図である。

【図１１】両側スケルトンタイプの熱電素子を示す図で
ある。

【符号の説明】

１ 仕切板 ２Ｐ ｐ型熱電半導体素子 ２Ｎ ｎ型熱電半導体素子 ３ 下側電極 ４ 上側電極 ５ 下側熱良導性電気絶縁薄膜 ６ 上側熱良導性電気絶縁薄膜 １１ 下側粘着性接着 １２ 下側基材 １３ 上側基材 １４ 上側粘着性接着 １５ 上側ハンダ付け治具 １６ 下側ハンダ付け治具 １６Ａ〜１６Ｈ 位置決めピン

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｐ型熱電半導体素子およびｎ型熱電半導
   体素子と、 前記ｐ型熱電半導体素子および前記ｎ型熱電半導体素子
   の第１の面に接合された第１の金属電極と、 前記ｐ型熱電半導体素子および前記ｎ型熱電半導体素子
   の第２の面に接合された第２の金属電極と、 前記第１の金属電極または前記第２の金属電極の少なく
   とも一方に接合された熱良導性電気絶縁薄膜とを備える
   ことを特徴とする熱電素子。
2. 【請求項２】 電気絶縁性を有する仕切板を備え、前記
   ｐ型熱電半導体素子および前記ｎ型熱電半導体素子は該
   仕切板を貫通した状態で該仕切板に固定されていること
   を特徴とする請求項１に記載の熱電素子。
3. 【請求項３】 前記第１の金属電極または前記第２の金
   属電極は板状であることを特徴とする請求項１または２
   に記載の熱電素子。
4. 【請求項４】 前記第１の金属電極および前記第２の金
   属電極の表面には該金属電極の分子が前記ｐ型熱電半導
   体素子および前記ｎ型熱電半導体素子へ拡散することを
   防止する拡散防止層が被覆されていることを特徴とする
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱電素子。
5. 【請求項５】 前記熱良導性電気絶縁薄膜は、一体に構
   成された一枚の膜であることを特徴とする請求項１〜４
   のいずれか１項に記載の熱電素子。
6. 【請求項６】 前記熱良導性電気絶縁薄膜は、個々の第
   １の金属電極または個々の第２の金属電極に対応して別
   体に構成された該金属電極の数と同数の膜であることを
   特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱電素
   子。
7. 【請求項７】 第１の金属板および第２の金属板をエッ
   チングして第１の金属電極パターンおよび第２の金属電
   極パターンを形成する電極形成工程と、 前記第１の金属電極パターンおよび前記第２の金属電極
   パターンをｐ型熱電半導体素子およびｎ型熱電半導体素
   子の第１の面および第２の面に接合する接合工程と、 を備えることを特徴とする熱電素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記電極形成工程の前に、耐熱性樹脂シ
   ートと前記第１の金属板または前記第２の金属板の少な
   くとも一方とを接着する接着工程を備え、前記接合工程
   の後に、前記耐熱性樹脂シートを剥離する剥離工程を備
   えることを特徴とする請求項７に記載の熱電素子の製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記第１の金属板または第２の金属板の
   少なくとも一方は表面に熱良導性電気絶縁薄膜が形成さ
   れたものであることを特徴とする請求項７または８に記
   載の熱電素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記ｐ型熱電半導体素子および前記ｎ
    型熱電半導体素子は電気絶縁性を有する仕切板を貫通し
    た状態で該仕切板に固定されていることを特徴とする請
    求項７〜９のいずれか１項に記載の熱電素子の製造方
    法。
11. 【請求項１１】 前記金属電極の表面に該金属電極の分
    子が前記ｐ型熱電半導体素子および前記ｎ型熱電半導体
    素子へ拡散することを防止する拡散防止層を被覆する工
    程を備えることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか
    １項に記載の熱電素子の製造方法。